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發(fā)光二極管裝置的制作方法

文檔序號:7119326閱讀:297來源:國知局
專利名稱:發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管裝置,尤其是涉及一種結(jié)構(gòu)簡單,發(fā)光效率高的發(fā)光
二極管裝置。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED)光源具有發(fā)光效率高、耗電量少、使用壽命長、安全可靠和有利于環(huán)保的優(yōu)點(diǎn),因此得到越來越廣泛的應(yīng)用。 隨著LED應(yīng)用范圍的擴(kuò)展,高亮度的LED裝置的應(yīng)用也越來越多。高亮度LED裝置大都由多個LED芯片組合封裝,多個LED芯片相互影響發(fā)光且電路復(fù)雜。因而,傳統(tǒng)技術(shù)的高亮度LED裝置設(shè)計和生產(chǎn)復(fù)雜,光源內(nèi)部光損失量大,發(fā)光效率不高。因此,有必要提供一種新的發(fā)光二極管裝置以克服上述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單,發(fā)光效率高的高亮度LED
>J-U ρ α裝直。為了實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案一種發(fā)光二極管裝置,包括基板,所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層;支架,所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口;發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層;并且,所述發(fā)光二極管芯片為多個,所述基板對應(yīng)設(shè)有多個凹槽,所述多個發(fā)光二極管芯片置于所述多個凹槽中。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,所述發(fā)光二極管芯片至少為3個,與之對應(yīng),所述凹槽也至少為3個。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,所述多個凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)、串聯(lián)、串并混聯(lián)三種方式中的一種方式電連接。多個LED芯片的設(shè)計使LED裝置可以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光亮度,并且,由于基板上對應(yīng)多個LED芯片設(shè)有多個凹槽,LED芯片置于所述凹槽內(nèi),可以避免LED芯片之間相互吸收光線或阻擋光傳播,提高了 LED裝置的出光效率,同時,LED芯片可以采用并聯(lián)、串聯(lián)、串并混聯(lián)等方式電連接,電路設(shè)計簡單,從而使LED裝置結(jié)構(gòu)簡單,并且提高了芯片設(shè)計的靈活性,易于生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)。因此,本實(shí)用新型具有設(shè)計生產(chǎn)簡單,出光效率高的優(yōu)點(diǎn)。

圖I為本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置實(shí)施例一剖視圖。圖2為圖I所示發(fā)光二極管裝置俯視圖。圖3為本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置實(shí)施例二俯視圖。圖4為本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置實(shí)施例三俯視圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖,詳細(xì)說明本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置。實(shí)施例一請參閱圖1,本實(shí)用新型LED裝置,包括基板I,基板I包括絕緣層和設(shè)置于絕緣層上方的導(dǎo)電層,導(dǎo)電層與外部電路電連接;支架2,支架2形成內(nèi)凹開口并與基板I配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ;發(fā)光二極管芯片3,發(fā)光二極管芯片3設(shè)置在基板I上,并與基板I導(dǎo)電層電連接,為了保證導(dǎo)電性能以及導(dǎo)線的抗氧化性能,本實(shí)施例采用金線電連接發(fā)光二極管芯片3和基板I導(dǎo)電層;膠層5,膠層5填充所述碗杯結(jié)構(gòu)并包覆發(fā)光二極管芯片3,根據(jù)LED裝置的發(fā)光需要,膠層5內(nèi)混合有熒光粉。其中,為了保證LED裝置的發(fā)光亮度,發(fā)光二極管芯片3為多個,并且不少于三個,本實(shí)施例中發(fā)光二極管芯片3為3個?;錓上,對應(yīng)發(fā)光二極管芯片3設(shè)置有凹槽4,本實(shí)施例中,由于發(fā)光二極管芯片3為3個,凹槽4也為3個,發(fā)光二極管芯片3采用固晶工藝固設(shè)于凹槽4內(nèi)。如圖2所示,3個發(fā)光二極管芯片橫向排列,3個發(fā)光二極管芯片電連接后再于基板I導(dǎo)電層電連接,即發(fā)光二極管芯片3之間采用串聯(lián)的方式電連接,電路結(jié)構(gòu)簡單。本實(shí)施例中3個芯片3設(shè)置保證了本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置的發(fā)光亮度,同時,由于3個芯片置于三個凹槽4內(nèi),避免了發(fā)光二極管芯片3之間對光線的吸收和相互對光線傳播線路的阻擋,提高了發(fā)光效率。實(shí)施例二 本實(shí)施例與實(shí)施例一區(qū)別僅在于發(fā)光二極管芯片3之間電連接方式。如圖3所示,3個發(fā)光二極管芯片3縱向排列,與之對應(yīng),3個基板凹槽4也縱向排列,3個發(fā)光二極管芯片3分別與基板I導(dǎo)電層電連接,即發(fā)光二極管芯片之間采用并聯(lián)的方式電連接。發(fā)光二極管芯片3之間采用并聯(lián)設(shè)計,避免了發(fā)光二個芯片3之間的工作狀態(tài)的相互影響,提高了本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置穩(wěn)定性。實(shí)施例三本實(shí)施例與上述兩個實(shí)施例區(qū)別也在于發(fā)光二極管芯片3之間電連接方式。如圖4所示,3個發(fā)光二極管芯片3分為兩組,其中兩個發(fā)光二極管芯片先相互連接再與基板I導(dǎo)電層電連接,即該兩個發(fā)光二極管芯片串聯(lián),剩下的一個發(fā)光二極管芯片與基板I導(dǎo)電層電連接,即與上述兩個串聯(lián)的LED芯片并聯(lián)。對應(yīng)3個發(fā)光二級管芯片3也設(shè)置有3個凹槽4,發(fā)光二級管芯片3置于凹槽4內(nèi)。本實(shí)施例中,發(fā)光二極管芯片3之間串并混聯(lián)的電連接方式可有效提高芯片設(shè)計的靈活性,電路結(jié)構(gòu)簡單并可以在一定程度上避免發(fā)光二級管芯片3之間工作狀態(tài)的相互影響。以上三個實(shí)施例中,多個LED芯片3保證了 LED裝置的發(fā)光亮度,并且,對應(yīng)LED芯片3設(shè)置的凹槽4容納LED芯片3,避免LED芯片3對彼此光線的影響,提高了出光效率。LED芯片3采用串聯(lián)、并聯(lián)或串并混聯(lián)的方式電連接,提高了 LED芯片設(shè)計的靈活性,也簡化了電路設(shè)計,便于生產(chǎn)實(shí)施。應(yīng)當(dāng)知曉,以上三個實(shí)施例僅LED芯片之間電連接方式不同,對本實(shí)用新型LED裝置實(shí)施以及生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)無影響,均可充分體現(xiàn)本實(shí)用新型LED裝置優(yōu)點(diǎn)。以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化,皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載 的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管裝置,包括 基板,所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層; 支架,所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ; 發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層;其特征在于所述發(fā)光二極管芯片為多個,所述基板對應(yīng)設(shè)有多個凹槽,所述多個發(fā)光二極管芯片置于所述多個凹槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管裝置,其特征在于所述發(fā)光二極管芯片至少為3個,與之對應(yīng),所述凹槽也至少為3個。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的發(fā)光二極管裝置,其特征在于所述多個凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)、串聯(lián)、串并混聯(lián)三種方式中的一種方式電連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管裝置,包括基板,所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層;支架,所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口;發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層;并且,所述發(fā)光二極管芯片為多個,所述基板對應(yīng)設(shè)有多個凹槽,所述多個發(fā)光二極管芯片置于所述多個凹槽中。本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置具有芯片設(shè)計靈活,出光效率高,設(shè)計和生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01L25/075GK202585414SQ20122024205
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者安國順, 張道峰 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司
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