專利名稱：一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯示設(shè)備，尤其涉及一種鏡面AMOLED顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,0LED)依驅(qū)動(dòng)方式可分為被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(Active Matrix OLED, AMOLED)兩種。其中，PMOLED是當(dāng)數(shù)據(jù)未寫(xiě)入時(shí)并不發(fā)光，只在數(shù)據(jù)寫(xiě)入期間發(fā)光。這種驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低、較容易設(shè)計(jì)，主要適用于中小尺寸的顯示器。
AMOLED與PMOLED最大的差異是在于，每一像素都有一電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，讓每一像素皆維持在發(fā)光狀態(tài)。由于AMOLED耗電量明顯小于PM0LED,加上其驅(qū)動(dòng)方式適合發(fā)展大尺寸與高解析度的顯示器，使得AMOLED成為未來(lái)發(fā)展的主要方向。具體來(lái)說(shuō)，有機(jī)發(fā)光二極管可包括一陽(yáng)極、一陰極和介于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光元件。例如，陽(yáng)極一般由透明導(dǎo)電材料如ITO (氧化銦錫)制成，陰極一般由諸如金屬鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)或其合金制成。 在OLED中，正電荷(空穴)和負(fù)電荷(電子)分別從陽(yáng)極和陰極注入到有機(jī)發(fā)光元件中，并且在有機(jī)發(fā)光元件中再結(jié)合，從而形成可以發(fā)光的激發(fā)態(tài)。
在現(xiàn)有技術(shù)中，鏡面AMOLED顯示器結(jié)構(gòu)主要是在玻璃蓋板(cover glass)的內(nèi)側(cè)鍍一金屬反射薄膜，并利用黃光/蝕刻制程在對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管陽(yáng)極的位置開(kāi)洞，如此一來(lái)，OLED發(fā)光亮度/光色不會(huì)受影響，可保持原來(lái)的顯示品質(zhì)。與此同時(shí)，使用者會(huì)見(jiàn)到100%面積皆為高反射膜(即，金屬反射薄膜加上OLED的陰極)，進(jìn)而提升反射鏡的品質(zhì)。 然而，在該架構(gòu)中，玻璃蓋板上的金屬反射薄膜與基板上的陰極反射層二者之間有間隙，這會(huì)使觀看者容易看到兩層重疊影像，進(jìn)而影響顯示裝置的性能。
有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，以解決現(xiàn)有設(shè)備架構(gòu)中的低穿透、高耗電以及二層重疊影像的問(wèn)題，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯不設(shè)備,包括:
一薄膜晶體管陣列基板；
一第一保護(hù)層，位于薄膜晶體管陣列基板的上方，包括一薄膜晶體管，藉由所述薄膜晶體管定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域；
一第二保護(hù)層，位于所述第一保護(hù)層的上方，
—有機(jī)發(fā)光二極管，包括
一陽(yáng)極，設(shè)置于所述第二保護(hù)層且電性連接至所述薄膜晶體管，所述陽(yáng)極在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管；
一有機(jī)發(fā)光元件，位于所述陽(yáng)極的上方；以及
一陰極，設(shè)置于所述第二保護(hù)層的上方以及所述有機(jī)發(fā)光元件的上方；
一金屬反射薄膜，沉積于所述陰極的上方，并且所述金屬反射薄膜在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述非發(fā)光區(qū)域；以及
一玻璃蓋板，與所述薄膜晶體管陣列基板相對(duì)設(shè)置，所述玻璃蓋板與所述薄膜晶體管陣列基板之間具有一單元間隙，所述單元間隙位于所述金屬反射薄膜和所述陰極的上方。
優(yōu)選地,所述陽(yáng)極為一反射薄膜,所述陰極為一半穿透半反射(transf Iective)薄膜。
優(yōu)選地，有機(jī)發(fā)光元件為一金屬銀薄膜，并且金屬銀薄膜的厚度為22納米。
優(yōu)選地，在非發(fā)光區(qū)域中，所述陰極與所述金屬反射薄膜的厚度之和為80納米。
優(yōu)選地,采用一金屬精細(xì)光罩(Fine Metal Mask, FMM)形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。更優(yōu)選地，該金屬精細(xì)光罩為一鋸齒形結(jié)構(gòu)或T形結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,采用一噴墨印刷(Inkjet Printing, IJP)方式形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的制造方法，包括以下步驟
形成一薄膜晶體管陣列基板；
形成一第一保護(hù)層，位于薄膜晶體管陣列基板的上方，包括一薄膜晶體管，藉由所述薄膜晶體管定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域；
形成一第二保護(hù)層，位于所述第一保護(hù)層的上方，
形成一有機(jī)發(fā)光 二極管，包括一陽(yáng)極、一有機(jī)發(fā)光兀件和一陰極，其中，所述陽(yáng)極設(shè)置于所述第二保護(hù)層且電性連接至所述薄膜晶體管，所述陽(yáng)極在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管，所述有機(jī)發(fā)光元件位于所述陽(yáng)極的上方，所述陰極設(shè)置于所述第二保護(hù)層的上方以及所述有機(jī)發(fā)光元件的上方；
形成一金屬反射薄膜，沉積于所述陰極的上方，并且所述金屬反射薄膜在豎直方向上僅對(duì)應(yīng)于所述非發(fā)光區(qū)域；以及
形成一玻璃蓋板，與所述薄膜晶體管陣列基板相對(duì)設(shè)置，所述玻璃蓋板與所述薄膜晶體管陣列基板之間具有一單元間隙，所述單元間隙位于所述金屬反射薄膜和所述陰極的上方。
優(yōu)選地,采用一金屬精細(xì)光罩(Fine Metal Mask, FMM)形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。
優(yōu)選地，該金屬精細(xì)光罩為一鋸齒形結(jié)構(gòu)或T形結(jié)構(gòu)。
采用本發(fā)明的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法，藉由第一保護(hù)層上的薄膜晶體管來(lái)定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域，將金屬反射薄膜沉積于有機(jī)發(fā)光二極管陰極的上方，并且使該金屬反射薄膜在豎直方向上對(duì)應(yīng)于上述非發(fā)光區(qū)域，從而可避免因金屬反射薄膜與有機(jī)發(fā)光二極管陰極間的單元間隙所造成的影像模糊。此外，由于鏡面金屬反射層生長(zhǎng)在OLED陰極的同一平面，通過(guò)先形成一整面的半穿透半反射陰極，再在非發(fā)光區(qū)域布上一較厚的金屬反射層，可得到更好的鏡面影像，增強(qiáng)觀看者的視覺(jué)體驗(yàn)。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖2示出圖1的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備導(dǎo)致兩層重疊影像的光路示意圖3示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖4 (a)示出圖3的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，以FMM方式形成該金屬反射薄膜的一實(shí)施例；以及
圖4 (b)示出圖3的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，以FMM方式形成該金屬反射薄膜的另一實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
為了使本申請(qǐng)所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來(lái)限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說(shuō)明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明各個(gè)方面的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D1，傳統(tǒng)的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯示設(shè)備包括一玻璃蓋板101、一薄膜晶體管陣列基板103、用來(lái)粘接玻璃蓋板101和薄膜晶體管陣列基板103的框膠105、一第一保護(hù)層107、一第二保護(hù)層109、一有機(jī)發(fā)光二極管和一金屬反射薄膜119。
具體地，玻璃蓋板101位于該AMOLED顯示設(shè)備的頂部，薄膜晶體管陣列基板103 位于該AMOLED顯示設(shè)備的底部,且該顯示設(shè)備采用頂部發(fā)光(Top Emission)模式。玻璃蓋板101與薄膜晶體管陣列基板103相對(duì)設(shè)置，二者之間具有一單元間隙，該單元間隙位于有機(jī)發(fā)光二極管的上方。
第一保護(hù)層107位于薄膜晶體管陣列基板103的上方。該第一保護(hù)層107上具有一薄膜晶體管111，藉由該薄膜晶體管111定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域。第二保護(hù)層 109位于第一保護(hù)層107的上方。例如，該第一保護(hù)層107和該第二保護(hù)層109的材質(zhì)均為電絕緣材料。
有機(jī)發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極(anode) 113、一有機(jī)發(fā)光兀件115和一陰極 (cathode) 117。陽(yáng)極113設(shè)置于第二保護(hù)層109上，且該陽(yáng)極111透過(guò)第一保護(hù)層107上的貫通孔(圖中未標(biāo)示)電性連接至薄膜晶體管111。此外，陽(yáng)極113在豎直方向上對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管1 11，或者說(shuō)，該陽(yáng)極113在豎直方向上對(duì)應(yīng)于上述發(fā)光區(qū)域。有機(jī)發(fā)光元件115位于陽(yáng)極113與陰極117之間。陰極117,例如通常為一半穿透半反射(transflective)薄膜，設(shè)置于第二保護(hù)層109的上方以及有機(jī)發(fā)光元件115的上方。金屬反射薄膜119設(shè)置于玻璃蓋板101的內(nèi)側(cè)，用以將來(lái)自外部的環(huán)境關(guān)進(jìn)行反射并從該玻璃蓋板101出射。如前所述，在該顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)中，由于玻璃蓋板101上的金屬反射薄膜119與基板上的陰極反射層117 二者之間有間隙，這會(huì)使觀看者容易看到兩層重疊影像，進(jìn)而影響顯示裝置的性能。以下借助于圖2的示意性光路圖詳細(xì)說(shuō)明。
圖2示出圖1的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備導(dǎo)致兩層重疊影像的光路示意圖。
參照?qǐng)D2，按照光束的入射界面，可將外部的環(huán)境光大致劃分為兩部分，其一是入射玻璃蓋板101并到達(dá)金屬反射薄膜119的光線Pl，其二是入射玻璃蓋板101并透過(guò)金屬反射薄膜119之間的開(kāi)洞到達(dá)有機(jī)發(fā)光二極管陰極117的光線P2。從圖中可以看出，金屬反射薄膜119對(duì)入射的光束Pl進(jìn)行反射，反射后的光線穿透玻璃蓋板101形成一副影像； 與此同時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管陰極117對(duì)入射的光束P2也進(jìn)行反射，反射后的光線穿透玻璃蓋板101形成另一幅影像，如此一來(lái)，觀看者在玻璃蓋板101的正前方容易看到兩層重疊影像，導(dǎo)致視覺(jué)體驗(yàn)降低。
為了解決上述缺陷或不足，本發(fā)明提出了一種專門(mén)針對(duì)金屬反射薄膜的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯不設(shè)備。圖3不出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D3，本發(fā)明的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括一玻璃蓋板101、一薄膜晶體管陣列基板103、用來(lái)粘接玻璃蓋板101和薄膜晶體管陣列基板103的框膠105、 一第一保護(hù)層107、一第二保護(hù)層109、一有機(jī)發(fā)光二極管和一金屬反射薄膜119。
類(lèi)似于圖1，第一保護(hù)層107位于薄膜晶體管陣列基板103的上方。該第一保護(hù)層107上具有一薄膜晶體管111，藉由該薄膜晶體管111定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域。 第二保護(hù)層109位于第一保護(hù)層107的上方。例如，該第一保護(hù)層107和該第二保護(hù)層109 的材質(zhì)均為電絕緣材料。
有機(jī)發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極(anode) 113、一有機(jī)發(fā)光兀件115和一陰極 (cathode) 117。陽(yáng)極113設(shè)置于第二保護(hù)層109上，諸如反射薄膜，且該陽(yáng)極111透過(guò)第一保護(hù)層107上的貫通孔(圖中未標(biāo)示)電性連接至薄膜晶體管111。此外，陽(yáng)極113在豎直方向上對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管111，或者說(shuō)，該陽(yáng)極113在豎直方向上對(duì)應(yīng)于上述發(fā)光區(qū)域。 有機(jī)發(fā)光元件115位于陽(yáng)極113與陰極117之間。陰極117，例如通常為一半穿透半反射 (transflective)薄膜，設(shè)置于第二保護(hù)層109的上方以及有機(jī)發(fā)光元件115的上方。
需要特別指出的是，不同于現(xiàn)有技術(shù)的是，本發(fā)明的金屬反射薄膜119并未設(shè)置在玻璃蓋板101的內(nèi)側(cè)。該金屬反射薄膜119直接沉積在有機(jī)發(fā)光二極管陰極117的上表面， 且該金屬反射薄膜119在豎直方向上僅對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域。也就是說(shuō)，金屬反射薄膜 119只存在于第二保護(hù)層109上的未設(shè)置有機(jī)發(fā)光二極管的區(qū)域。如此一來(lái)，金屬反射薄膜 119與陰極117之間的間隙大大縮小。
在一具體實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光元件115為一金屬銀薄膜，并且金屬銀薄膜的厚度為22納米。
在一具體實(shí)施例中，于非發(fā)光區(qū)域，陰極117與金屬反射薄膜119的厚度之和為80納米，以便產(chǎn)生全反射。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，圖3不僅可用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施方式的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，而且還可用于闡釋該顯示設(shè)備的制造方法。
在該制造方法中，首先形成一薄膜晶體管陣列基板103，然后形成一第一保護(hù)層 107，其位于薄膜晶體管陣列基板103的上方，包括一薄膜晶體管111，藉由該薄膜晶體管 111定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域。接著，形成一第二保護(hù)層109，該第二保護(hù)層109位于第一保護(hù)層107的上方。然后，形成一有機(jī)發(fā)光二極管，包括一陽(yáng)極113、一有機(jī)發(fā)光兀件 115和一陰極117，其中，陽(yáng)極113設(shè)置于第二保護(hù)層109且電性連接至薄膜晶體管111，陽(yáng)極113在豎直方向上對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管111，陰極117設(shè)置于第二保護(hù)層109的上方以及有機(jī)發(fā)光兀件115的上方。接著，形成一金屬反射薄膜119,其沉積于陰極117的上方,并且金屬反射薄膜119在豎直方向上僅對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域。最后，形成一玻璃蓋板101,與薄膜晶體管陣列基板103相對(duì)設(shè)置，該玻璃蓋板101與薄膜晶體管陣列基板103之間具有一單元間隙，該單元間隙位于金屬反射薄膜119和陰極117的上方。
圖4 (a)示出圖3的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，以FMM方式形成該金屬反射薄膜的一實(shí)施例。圖4 (b)示出圖3的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中， 以FMM方式形成該金屬反射薄膜的另一實(shí)施例。
參照?qǐng)D4(a)和圖4(b)，在這些實(shí)施例中，采用一金屬精細(xì)光罩(Fine Metal Mask, FMM)，并經(jīng)過(guò)兩次蒸鍍來(lái)形成與非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的金屬反射薄膜119。其中，金屬精細(xì)光罩為一鋸齒形結(jié)構(gòu)或T形結(jié)構(gòu)。例如，圖4 (a)中的FMM為鋸齒形，圖4 (b)中的FMM為T(mén) 形。此外，圖中的斜線部分hole表示制程完成后，與有機(jī)發(fā)光二極管相對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)域，該發(fā)光區(qū)域并沒(méi)有鏡面反射層進(jìn)行遮蔽。
在其他的一些實(shí)施例中，還可采用一噴墨印刷(Inkjet Printing, IJP)方式形成與非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的金屬反射薄膜119。
采用本發(fā)明的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法，藉由第一保護(hù)層上的薄膜晶體管來(lái)定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域，將金屬反射薄膜沉積于有機(jī)發(fā)光二極管陰極的上方，并且使該金屬反射薄膜在豎直方向上對(duì)應(yīng)于上述非發(fā)光區(qū)域，從而可避免因金屬反射薄膜與有機(jī)發(fā)光二極管陰極間的單元間隙所造成的影像模糊。此外，由于鏡面金屬反射層生長(zhǎng)在OLED陰極的同一平面，通過(guò)先形成一整面的半穿透半反射陰極，再在非發(fā)光區(qū)域布上一較厚的金屬反射層，可得到更好的鏡面影像，增強(qiáng)觀看者的視覺(jué)體驗(yàn)。
上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以 對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light EmittingDiode, AMOLED)顯示設(shè)備，其特征在于，所述鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括 一薄膜晶體管陣列基板； 一第一保護(hù)層，位于薄膜晶體管陣列基板的上方，包括一薄膜晶體管，藉由所述薄膜晶體管定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域； 一第二保護(hù)層，位于所述第一保護(hù)層的上方， 一有機(jī)發(fā)光二極管，包括 一陽(yáng)極，設(shè)置于所述第二保護(hù)層且電性連接至所述薄膜晶體管，所述陽(yáng)極在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管； 一有機(jī)發(fā)光元件，位于所述陽(yáng)極的上方；以及 一陰極，設(shè)置于所述第二保護(hù)層的上方以及所述有機(jī)發(fā)光元件的上方； 一金屬反射薄膜，沉積于所述陰極的上方，并且所述金屬反射薄膜在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述非發(fā)光區(qū)域；以及 一玻璃蓋板，與所述薄膜晶體管陣列基板相對(duì)設(shè)置，所述玻璃蓋板與所述薄膜晶體管陣列基板之間具有一單元間隙，所述單元間隙位于所述金屬反射薄膜和所述陰極的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，所述陽(yáng)極 為一反射薄膜，所述陰極為一半穿透半反射(transflective)薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光元件為一金屬銀薄膜，并且金屬銀薄膜的厚度為22納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，在所述非發(fā)光區(qū)域中，所述陰極與所述金屬反射薄膜的厚度之和為80納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，采用一金屬精細(xì)光罩(Fine Metal Mask, FMM)形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，所述金屬精細(xì)光罩為一鋸齒形結(jié)構(gòu)或T形結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，采用一噴墨印刷(Inkjet Printing, IJP)方式形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。
8.一種鏡面主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light EmittingDiode, AMOLED)顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟 形成一薄膜晶體管陣列基板； 形成一第一保護(hù)層，位于薄膜晶體管陣列基板的上方，包括一薄膜晶體管，藉由所述薄膜晶體管定義一發(fā)光區(qū)域和一非發(fā)光區(qū)域； 形成一第二保護(hù)層，位于所述第一保護(hù)層的上方， 形成一有機(jī)發(fā)光二極管，包括一陽(yáng)極、一有機(jī)發(fā)光兀件和一陰極，其中，所述陽(yáng)極設(shè)置于所述第二保護(hù)層且電性連接至所述薄膜晶體管，所述陽(yáng)極在豎直方向上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管，所述有機(jī)發(fā)光元件位于所述陽(yáng)極的上方，所述陰極設(shè)置于所述第二保護(hù)層的上方以及所述有機(jī)發(fā)光元件的上方；形成一金屬反射薄膜，沉積于所述陰極的上方，并且所述金屬反射薄膜在豎直方向上僅對(duì)應(yīng)于所述非發(fā)光區(qū)域；以及 形成一玻璃蓋板，與所述薄膜晶體管陣列基板相對(duì)設(shè)置，所述玻璃蓋板與所述薄膜晶體管陣列基板之間具有一單元間隙，所述單元間隙位于所述金屬反射薄膜和所述陰極的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，采用一金屬精細(xì)光罩(FineMetalMask, FMM)形成與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述金屬反射薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述金屬精細(xì)光罩為一鋸齒形結(jié)構(gòu)或T形結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鏡面AMOLED顯示設(shè)備及其制造方法。該顯示設(shè)備包括薄膜晶體管陣列基板；第一保護(hù)層，位于陣列基板的上方，包括一薄膜晶體管，以定義發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；第二保護(hù)層，位于第一保護(hù)層的上方；有機(jī)發(fā)光二極管，包括陽(yáng)極，其在豎直方向上對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光元件，位于陽(yáng)極的上方；以及陰極，設(shè)置于第二保護(hù)層的上方以及有機(jī)發(fā)光元件的上方；金屬反射薄膜，沉積于陰極的上方，其在豎直方向上對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域；以及玻璃蓋板，與陣列基板相對(duì)設(shè)置。采用本發(fā)明，將金屬反射薄膜沉積于OLED陰極的上方且在豎直方向上對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域，從而避免因金屬反射薄膜與OLED電極間的單元間隙所造成的影像模糊。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103035667SQ201210587789
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月31日
發(fā)明者楊朝舜, 謝信弘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司