專利名稱：無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，特別是有關(guān)于一種具有一內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層的一導(dǎo)線架條，在制造流程中，預(yù)先蝕刻一蝕刻槽以利保護(hù)切割治具及增加切割效率及封裝構(gòu)造品質(zhì)的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，而這些封裝構(gòu)造通常是選用導(dǎo)線架(Ieadframe)或封裝基板(substrate)來(lái)做為承載芯片的載板(carrier)，其中常見(jiàn)使用導(dǎo)線架的封裝構(gòu)造例如為小外型封裝構(gòu)造(small outline package, SOP)、四方扁平封裝構(gòu)造(quad flat package, QFP)、四方扁 平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-leadpackage, QFN)或小外形無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(small outline no-lead, SON)等。一般現(xiàn)有四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(QFN)或小外形無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(SON)的制造流程上，其中一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造主要包含由一金屬板形成的一導(dǎo)線架條、一芯片、數(shù)條導(dǎo)線及一封裝膠體。在制造流程上，首先準(zhǔn)備一金屬板，其是一平坦且未加工過(guò)的金屬板體，接著，對(duì)所述金屬板的一第一表面進(jìn)行第一次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而形成一芯片承座及數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳的預(yù)設(shè)凸島狀構(gòu)形，其中所述數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳以單組或多組方式環(huán)繞排列在所述芯片承座的周圍。在第一次半蝕刻作業(yè)后，對(duì)所述金屬板的第二表面進(jìn)行第二次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而使所述芯片承座及所述內(nèi)延伸腳的凸島狀構(gòu)形彼此分離，因而形成一四方扁平無(wú)外引腳型的導(dǎo)線架條(Ieadframestrip)或小外形無(wú)外引腳型的導(dǎo)線架條,其中每一內(nèi)延伸腳的底部對(duì)應(yīng)蝕刻出一外接點(diǎn)，同時(shí)各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰內(nèi)延伸腳暫時(shí)以一切割道連接框條連接在一起。在完成二次半蝕刻作業(yè)后，將所述芯片固定在所述芯片承座上，且利用所述數(shù)條導(dǎo)線或數(shù)個(gè)凸塊進(jìn)行打線作業(yè)，以將所述芯片上的數(shù)個(gè)接墊分別電性連接到所述數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳上。在打線作業(yè)后，另利用所述封裝膠體進(jìn)行封膠作業(yè)，以包埋保護(hù)所述芯片、所述數(shù)條導(dǎo)線或數(shù)個(gè)凸塊及所述金屬板的第一表面?zhèn)龋龇庋b膠體將裸露出突出狀的所述外接點(diǎn)(及芯片承座)。在封膠作業(yè)后，利用切割刀具至少切除大部份的所述切割道連接框條，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造過(guò)程，其中所述封裝膠體的下表面裸露出所述外接點(diǎn)的下表面，其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的內(nèi)延伸腳會(huì)對(duì)應(yīng)所述外接點(diǎn)而裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上。在上述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造或小外形無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造)中，在切割成型時(shí)，由于切割刀具與金屬摩擦，進(jìn)而延展產(chǎn)生毛邊(bur)，相鄰引腳的毛邊若意外相接觸則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，并為了防止此現(xiàn)象發(fā)生，必須降低切割速度，但也因此導(dǎo)致切割效率降低；再者，切割刀具與金屬基材之間的摩擦也容易加速切割刀具的耗損。故，有必要提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的切割過(guò)程所產(chǎn)生的問(wèn)題，并利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過(guò)程的的數(shù)道工藝。本發(fā)明的主要目的在于提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，其可以避免切割刀具與金屬過(guò)度摩擦，進(jìn)而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過(guò)度而容易損壞，進(jìn)而提高切割效率。
本發(fā)明的次要目的在于提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，其可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過(guò)程的的數(shù)道工藝。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述制造方法包含步驟(a)提供一導(dǎo)線架條，包含一外框、數(shù)條連接支架、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層；每一所述導(dǎo)線架單元具有數(shù)個(gè)接點(diǎn)，且所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)及連接支架的一內(nèi)表面，所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道；(b)提供一芯片，并將所述芯片固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)；(c)利用數(shù)個(gè)電性連接元件來(lái)電性連接所述芯片與所述接點(diǎn)上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；(d)利用一封裝膠材來(lái)包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；(e)蝕刻所述切割道，以形成一蝕刻槽，所述蝕刻槽裸露出所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及(f)切割位在所述切割槽的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及封裝膠材，以分離成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。再者，本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其中所述導(dǎo)線架條包含一外框、數(shù)條連接支架、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述數(shù)條連接支架交錯(cuò)排列在所述外框的范圍內(nèi)。所述數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元排列在所述連接支架定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元包含數(shù)個(gè)接點(diǎn)。所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)連接在所述連接支架上。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)及連接支架的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面，并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道。另外，本發(fā)明又一實(shí)施例提供一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一導(dǎo)線架單元、一芯片、數(shù)個(gè)電性連接元件及一封裝膠材。所述導(dǎo)線架單元包含數(shù)個(gè)接點(diǎn)、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面。所述芯片固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)。所述數(shù)個(gè)電性連接元件電性連接所述芯片至所述接點(diǎn)上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述一封裝膠材包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，以構(gòu)成一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材裸露每一所述接點(diǎn)的外抗蝕預(yù)鍍金屬層及至少一蝕刻凹陷側(cè)面。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，這樣不但可避免切割刀具與金屬過(guò)度摩擦，進(jìn)而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過(guò)度而容易損壞，進(jìn)而提高切割效率；再者，亦可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過(guò)程的的數(shù)道工藝。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的上視立體圖。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo) 體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的側(cè)視剖面圖。圖3是本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的側(cè)視剖面圖。圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的側(cè)視剖面圖。圖5A-5E是本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法的步驟。
具體實(shí)施例方式以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如上、下、頂、底、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面、周圍、中央、水平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2所示，本發(fā)明一實(shí)施例的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條是一條狀板體，其通常系由銅、鐵、鋁、鎳或等效金屬或合金所制成，并經(jīng)由半蝕刻(half-etching)、沖壓(punching)或其他等效方法加工形成下列細(xì)部構(gòu)造,其中所述導(dǎo)線架條主要包含一外框10、數(shù)條連接支架11、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元12、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14。所述數(shù)條連接支架11成十字狀，交錯(cuò)排列在所述外框的范圍內(nèi)。所述數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元12排列在所述連接支架11支撐、區(qū)隔及定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元12包含數(shù)個(gè)接點(diǎn)121。所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)121連接在所述連接支架11上。所述抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點(diǎn)121及所述連接支架11的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14覆蓋所述接點(diǎn)121的一外表面，并裸露所述連接支架11的一外表面以定義一切割道111。所述導(dǎo)線架單元12另包含一芯片承座122，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14可以是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高所述接點(diǎn)121和金屬導(dǎo)線(wire)、凸塊(bump)及焊錫的結(jié)合度。在現(xiàn)有制作過(guò)程中，凸塊區(qū)域內(nèi)若形成的金太厚，則會(huì)有離子遷移(migration)的現(xiàn)象至焊料凸塊，造成表面接合不佳；然而，在打線區(qū)域內(nèi)若金過(guò)薄，則其金屬線接合能力會(huì)降低，鎳則會(huì)有少部分金屬遷移至金，會(huì)造成打線接合度有問(wèn)題。又在現(xiàn)有制作過(guò)程中，形成錫層，仍會(huì)有離子遷移的問(wèn)題，亦會(huì)造成表面接合力不佳，使得制作成本浪費(fèi)，故，鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層是在所述接點(diǎn)121上依序鍍上鎳層、鈀層及金層，其可以使得所述導(dǎo)線架條的打線結(jié)合度可以提升。另外，所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13還可以提高所述接點(diǎn)121和封膠材料的結(jié)I=I /又 O除此，所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14裸露所述連接支架11的一外表面以定義一切割道111，其作用在后文中介紹制作方法時(shí)，可以利用其抗蝕性當(dāng)作一抗蝕刻掩膜，當(dāng)蝕刻時(shí)可解省成本又可以簡(jiǎn)化現(xiàn)有蝕刻過(guò)程中需施加一圖案化抗蝕刻掩膜的步驟。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明一實(shí)施例的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要包含一導(dǎo)線架單元12、一芯片15、數(shù)個(gè)電性連接元件16、一封裝膠材17。所述導(dǎo)線架單元12包含數(shù)個(gè)接點(diǎn)121、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點(diǎn)121的一內(nèi)表面。及所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14，覆蓋所述接點(diǎn)121的一外表面。所述芯片15固定在所述導(dǎo)線架單元12的區(qū)域內(nèi)，例如固定在所述芯片承座122上。所述數(shù)個(gè)電性連接元件16電性連接所述芯片15至所述接點(diǎn)121上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13。所述封裝膠材17包覆所述芯片15、所述電性連接元件16以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13，以構(gòu)成一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材17裸露每一所述接點(diǎn)121的外抗蝕預(yù)鍍金屬層14及至少一蝕刻凹陷側(cè)面，較佳地，所述封裝膠材17裸露每一所述接點(diǎn)121的外 抗蝕預(yù)鍍金屬層14及兩個(gè)蝕刻凹陷側(cè)面；所述導(dǎo)線架單元12另包含所述芯片承座122，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高和金屬導(dǎo)線、凸塊及焊錫的結(jié)合度。請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，本發(fā)明另一實(shí)施例的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造相似于本發(fā)明圖3實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號(hào)，但本實(shí)施例的差異特征在于本實(shí)施例的封裝構(gòu)造進(jìn)一步增設(shè)一焊錫層20覆蓋所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14及所述蝕刻凹陷側(cè)面111。上述特征的優(yōu)點(diǎn)在于由于一小部分的所述接點(diǎn)121的金屬基材會(huì)裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上，故利用所述焊錫層20可保護(hù)裸露在所述蝕刻凹陷側(cè)面111的所述接點(diǎn)121，以保護(hù)裸露的金屬基材(例如銅)免于銹蝕并可提升所述接點(diǎn)121實(shí)施表面固定技術(shù)(SMT)時(shí)的焊錫接合性。本發(fā)明將于下文利用圖5A至5E逐一詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其主要包含下列步驟首先請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，提供一導(dǎo)線架條，包含一外框10、數(shù)條連接支架11、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元12、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14 ;每一所述導(dǎo)線架單元12具有數(shù)個(gè)接點(diǎn)121，且所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點(diǎn)121及所述連接支架12的一內(nèi)表面；所述導(dǎo)線架單元12另包含一芯片承座122，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14分別覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高和金屬導(dǎo)線及凸塊的結(jié)合度。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5A所示，提供一芯片15，并將所述芯片15固定在所述導(dǎo)線架單元12的區(qū)域內(nèi)，例如固定在所述芯片承座122上；之后，再利用數(shù)個(gè)電性連接元件15 (導(dǎo)線或是凸塊，如圖5A所示為一金屬導(dǎo)線)來(lái)電性連接所述芯片15與所述接點(diǎn)121上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D5B所示，利用一封裝膠材17來(lái)包覆所述芯片15、所述電性連接元件16以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13，所述封裝膠材17例如是選自環(huán)氧樹脂模造塑料，其泛指常用的封裝材料，在此步驟之后，另可進(jìn)行打標(biāo)印字(marking)工藝，打標(biāo)印字于所述封裝膠材17上(未繪示)，打標(biāo)印字過(guò)程可通過(guò)激光打標(biāo)或油墨印字。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D5C所示，由于在所述接點(diǎn)121的外表面覆蓋了所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14，裸露出所述連接支架11，其有抗蝕刻作用，故可直接利用蝕刻液蝕刻所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14所定義的所述切割道111。故在此步驟時(shí)可省下現(xiàn)有技術(shù)需要鍍上一光刻膠膜或是置放一機(jī)械掩膜板已定義所述切割道111的步驟及材料成本。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D所示，蝕刻所述切割道111的結(jié)果是形成一蝕刻槽201，所述蝕刻槽201裸露出所述抗內(nèi)蝕預(yù)鍍金屬層13，由于預(yù)先形成的所述蝕刻槽201已去除金屬基 材，故可減少此步驟之后切割刀具的磨損及增進(jìn)切割工藝的效率。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D5E所示，利用一切割刀具30切割位在所述切割槽201的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及封裝膠材17，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造過(guò)程，如圖3所示。另外，在此步驟中，由于所述連接支架11已被預(yù)先蝕刻去除，故亦使得采用激光切割工藝切割所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及封裝膠材17變得可行。其中所述封裝膠體的下表面裸露出所述接點(diǎn)121的下表面，其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的所述接點(diǎn)121會(huì)裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上，故可以在蝕刻步驟之后，再電鍍一焊錫層20于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14上以及所述接點(diǎn)121面對(duì)所述蝕刻槽201的至少一蝕刻凹陷側(cè)面，較佳地，電鍍所述焊錫層20于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14上以及所述接點(diǎn)121面對(duì)所述蝕刻槽201的兩個(gè)蝕刻凹陷側(cè)面，如圖4所示。所述焊錫層20例如為各種現(xiàn)有無(wú)鉛焊錫合金。本發(fā)明的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條適用在任何無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，即可以適用于四邊具有引腳的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，例如四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-lead package, QFN),還可以適用在兩邊具有引腳的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，例如小外形無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(small outline no-lead, SON),或者一邊、三邊具有引腳的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。如上所述，相較于現(xiàn)有無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，本發(fā)明的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，不但可避免切割刀具與金屬過(guò)度摩擦，進(jìn)而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過(guò)度而容易損壞，進(jìn)而提高切割效率；再者，亦可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過(guò)程的的數(shù)道工藝。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于所述制造方法包含 (a)提供一導(dǎo)線架條，包含一外框、數(shù)條連接支架、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層；每一所述導(dǎo)線架單元具有數(shù)個(gè)接點(diǎn)，且所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)及所述連接支架的一內(nèi)表面，所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道； (b)提供一芯片，并將所述芯片固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)； (C)利用數(shù)個(gè)電性連接元件來(lái)電性連接所述芯片與所述接點(diǎn)上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層； (d)利用一封裝膠材來(lái)包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層； (e)蝕刻所述切割道，以形成一蝕刻槽，所述蝕刻槽裸露出所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及 (f)切割位在所述切割槽的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及封裝膠材，以分離成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述在步驟(e)及(f)之間，另包含 (g)電鍍一焊錫層于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層上以及所述接點(diǎn)面對(duì)所述蝕刻槽的至少一蝕刻凹陷側(cè)面。
3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)排列于所述芯片承座的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層分別覆蓋所述芯片承座的一內(nèi)表面及一外表面。
4.如權(quán)利要求1所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層是鎳/鈀/金預(yù)鍍層、鈀/金預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。
5.如權(quán)利要求1所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述制造方法在步驟(d)后另包含 (h)打標(biāo)印字于所述封裝膠材上。
6.如權(quán)利要求5所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述步驟(h)是通過(guò)激光打標(biāo)或油墨印字。
7.如權(quán)利要求1所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 所述步驟(f)的切割是采用切割刀或激光切割工藝。
8.一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述導(dǎo)線架條包含 一外框； 數(shù)條連接支架，交錯(cuò)排列在所述外框的范圍內(nèi)； 數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元，排列在所述連接支架定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元包含 數(shù)個(gè)接點(diǎn)，連接在所述連接支架上； 一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點(diǎn)及連接支架的一內(nèi)表面 '及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面，并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道。
9.如權(quán)利要求8所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于 所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)排列于所述芯片承座的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層分別覆蓋所述芯片承座的一內(nèi)表面及一外表面。
10.如權(quán)利要求8所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層是鎳/鈀/金預(yù)鍍層、鈀/金預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。
11.一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一導(dǎo)線架單元，包含數(shù)個(gè)接點(diǎn)；一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點(diǎn)的一內(nèi)表面；及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點(diǎn)的一外表面；一芯片，固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)；數(shù)個(gè)電性連接元件，電性連接所述芯片至所述接點(diǎn)上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及一封裝膠材，包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，以構(gòu)成一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材裸露每一所述接點(diǎn)的外抗蝕預(yù)鍍金屬層及至少一蝕刻凹陷側(cè)面。
12.如權(quán)利要求11所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層及所述蝕刻凹陷側(cè)面另覆蓋有一焊錫層。
13.如權(quán)利要求11所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，所述數(shù)個(gè)接點(diǎn)排列于所述芯片承座的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層分別覆蓋所述芯片承座的一內(nèi)表面及一外表面。
14.如權(quán)利要求11所述的無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層是鎳/鈀/金預(yù)鍍層、鈀/金預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法與導(dǎo)線架條，制造方法是提供一導(dǎo)線架條，包含數(shù)條連接支架、數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層；每一導(dǎo)線架單元具有數(shù)個(gè)接點(diǎn)，且內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋接點(diǎn)及連接支架的一內(nèi)表面，外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋接點(diǎn)的一外表面并裸露連接支架的一外表面以定義一切割道；提供一芯片，并將芯片固定在導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)；利用數(shù)個(gè)電性連接元件連接芯片與接點(diǎn)上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；利用一封裝膠材包覆芯片、電性連接元件及內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；蝕刻切割道，以形成一蝕刻槽，蝕刻槽裸露出內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及切割位在切割槽的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及封裝膠材，以分離成數(shù)個(gè)封裝構(gòu)造。
文檔編號(hào)H01L23/495GK103021879SQ201210581590
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
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