專利名稱：陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光顏色可在可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是未來(lái)最重要的顯示技術(shù)之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經(jīng)超過(guò)了 601m/W，壽命·達(dá)到了 2萬(wàn)個(gè)小時(shí)以上，極大地推動(dòng)了 WOLED的發(fā)展。如圖1中(a)所示，其中一種WOLED采用紅綠藍(lán)三基色摻雜成有機(jī)發(fā)光層102，使得有機(jī)發(fā)光層102發(fā)出白光,有機(jī)發(fā)光層102位于陰極101和陽(yáng)極103之間，發(fā)光層發(fā)出的白光通過(guò)陰極101反射后從陽(yáng)極103的一側(cè)出射。為了提高光的透過(guò)率，增大WOLED顯示裝置的亮度，在陽(yáng)極的一側(cè)，且對(duì)應(yīng)彩膜上每一種顏色濾光片的區(qū)域各設(shè)有半反半透層103 ',從而形成微腔結(jié)構(gòu)(microcavity structure),如圖1中(b)所示,微腔結(jié)構(gòu)是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級(jí)的結(jié)構(gòu)，其加強(qiáng)光的強(qiáng)度的原理為光線會(huì)在層中不斷反射，由于諧振作用，故最終從半反半透層射出的光線中特定波長(zhǎng)的光會(huì)得到加強(qiáng)，而該得到加強(qiáng)的波長(zhǎng)與微腔厚度有關(guān)。在白光有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中，不同像素單元是用于發(fā)出不同顏色的光的，因此不同像素單元中的微腔應(yīng)能使不同波長(zhǎng)的光(與微腔外對(duì)應(yīng)的彩膜顏色相同的光)獲得增強(qiáng)，即不同像素單元中的微腔厚度不同。如圖2和3所示為現(xiàn)有的兩種WOLED陣列基板的層次結(jié)構(gòu)示意圖，彩膜位于微腔結(jié)構(gòu)的外部，由上述原理可知彩膜上每種顏色對(duì)應(yīng)的微腔結(jié)構(gòu)厚度不一樣，如圖2中的300和圖3中的400。由于各色光的波長(zhǎng)不一樣，其對(duì)應(yīng)的微腔結(jié)構(gòu)也不盡相同，厚度的也不同。例如圖3中，Cathode為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極，Anode為陽(yáng)極，兩者之間為發(fā)白光的有機(jī)發(fā)光層(通常采用RGB三原色的有機(jī)材料混合而成)。R、G、B及W分別代表紅光、綠光、藍(lán)光及白光的出光區(qū)域，Red CF.Green CF和Blue CF分別為彩膜上紅色、綠色及藍(lán)色的濾光片。各色光的微腔結(jié)構(gòu)都包括位于OC層(保護(hù)層)上方的IZO或ITO層,對(duì)于R、G、B,還包括SiNx及SiOx (硅的氮化物及硅的氧化物)層，對(duì)于R和B還包括除了陽(yáng)極以外的IZO/ITO層，WOLED發(fā)出的白光透過(guò)上述各層后，對(duì)應(yīng)色光的透過(guò)率會(huì)增大。如圖4所示，點(diǎn)線對(duì)應(yīng)無(wú)微腔結(jié)構(gòu)時(shí)的透過(guò)率(即亮度)，實(shí)線對(duì)應(yīng)有微腔結(jié)構(gòu)的透過(guò)率，對(duì)于藍(lán)光透過(guò)率大約為原來(lái)的1. 6倍，對(duì)于綠光透過(guò)率大約為原來(lái)的2. 5倍，對(duì)于紅光透過(guò)率大約為原來(lái)的2. 2倍。由圖2和圖3可看出，雖然現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)增大了光的透過(guò)率，但現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)層次結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，而且每個(gè)顏色的濾光片對(duì)應(yīng)的區(qū)域制作不同厚度的微腔結(jié)構(gòu)，制作工藝較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何實(shí)現(xiàn)制作工藝簡(jiǎn)單的微腔結(jié)構(gòu)，從而增大WOLED顯示裝置的透過(guò)率。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述有機(jī)發(fā)光二極管在遠(yuǎn)離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、反射光線的第二電極；
半反半透層，位于所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述基板之間；彩膜，位于所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層之間；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上方的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二漏極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極電連接。其中，所述半反半透層形成在基板上，位于所述像素單元的像素區(qū)域以及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上還形成有鈍化層；所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽(yáng)極，且所述陽(yáng)極通過(guò)所述鈍化層的過(guò)孔連接第二漏極，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述發(fā)光二極管的陽(yáng)極位于所述彩膜上方。其中，所述半反半透層形成在基板上，位于所述像素單元的像素區(qū)域以及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上還形成有鈍化層；所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽(yáng)極，且所述陰極通過(guò)所述鈍化層的過(guò)孔連接第二漏極，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述發(fā)光二極管的陰極位于所述彩膜上方。其中，所述彩膜和所述第一電極之間還設(shè)有樹脂層，所述第一電極通過(guò)貫穿樹脂層及鈍化層的過(guò)孔連接所述第二漏極。其中，對(duì)應(yīng)像素單元的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域的半反半透層，分別位于所述第一柵極和第二柵極的下方，且所述半反半透層的圖形與所述第一柵極和所述第二柵極的圖形一致。其中，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。其中，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率為5°/Γ95%。其中，所述半反半透層厚度為1θΑ 200人 其中，所述彩膜的厚度為1000Α 40000人。其中，所述彩膜包括紅綠藍(lán)、紅綠藍(lán)黃或紅綠藍(lán)白模式的彩膜。本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟在基板上形成包括半反半透層、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元；在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形； 在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管，使彩膜位于所述有機(jī)發(fā)光二極管和所述半反半透層之間。其中，所述在基板上形成包括半反半透層、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元的步驟具體包括在所述基板上依次形成半反半透薄膜及柵金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極和半反半透層的圖形；依次形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的其它層級(jí)結(jié)構(gòu)，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成鈍化層的圖形。其中，所述在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形，使彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同的步驟具體包括形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形，且每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同。其中，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管具體包括通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上刻蝕形成過(guò)孔；形成透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機(jī)發(fā)光層； 形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。其中，形成半反半透層及彩膜的圖形后，形成有機(jī)發(fā)光二極管之前還包括形成樹脂層。其中，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管具體包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成貫穿所述樹脂層和鈍化層的過(guò)孔；形成透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機(jī)發(fā)光層；
形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。其中，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率為5°/Γ95%。其中，所述半反半透層厚度為1 οΑ 200Α,,其中，所述彩膜的厚度為1000人40000A0本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其特怔在于，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。(三)有益效果 本發(fā)明通過(guò)在基板上形成半反半透層，該半反半透層與有機(jī)發(fā)光二極管的反射電極(陰極或陽(yáng)極)之間形成微腔結(jié)構(gòu)，彩膜位于該微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)部，不但增大了光的透過(guò)率，而且對(duì)于每個(gè)像素單元，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。


圖1中(a)是現(xiàn)有的無(wú)微腔結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管示意圖，(b)是現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)原理示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種帶有微腔結(jié)構(gòu)的WOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有的另一種帶有微腔結(jié)構(gòu)的WOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是微腔結(jié)構(gòu)對(duì)透過(guò)率的提升曲線示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是制作圖5的陣列基板的方法流程中在基板上形成半反半透薄膜和柵金屬薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是制作圖5的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極和半反半透層的圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是制作圖5的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的結(jié)構(gòu)不意圖；圖9是在圖7的基板基礎(chǔ)上形成彩膜圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10在圖9的基板基礎(chǔ)上形成樹脂層圖形的結(jié)構(gòu)不意圖；圖11在圖10的基板基礎(chǔ)上形成陽(yáng)極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12在圖11的基板基礎(chǔ)上形成像素定義層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。如圖5所示，本實(shí)施例的陣列基板包括形成在基板I上的多條柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成的像素單元。像素單元包括形成在基板上方的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域(通常指像素單元中除薄膜晶體管以外的顯示區(qū)域)，即圖5中A區(qū)域。像素單元還包括彩膜9。有機(jī)發(fā)光二極管在遠(yuǎn)離基板I的方向上依次包括透明的第一電極11、發(fā)光層13、反射光線的第二電極14。為了實(shí)現(xiàn)微腔結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例陣列基板的像素單元中還包括半反半透層8。半反半透層8形成在基板I之上，且位于像素單元的像素區(qū)域A以及薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域(該區(qū)域存在半反半透層是由于在制作過(guò)程中與柵極采用同一次Mask形成導(dǎo)致的)。彩膜9位于有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8之間，且彩膜9中不同顏色濾光片的厚度不同。有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8形成微腔結(jié)構(gòu)，其中，彩膜9位于微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)部，具體位于有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8之間。因此可通過(guò)控制彩膜9的厚度調(diào)節(jié)微腔厚度；由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，不需要額外對(duì)某個(gè)顏色的像素單獨(dú)制作其它層來(lái)控制厚度，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡(jiǎn)單，成本低?！?br> 薄膜晶體管結(jié)構(gòu)具體如圖5所示，包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2〗及柵線(圖中未示出柵線，由于制作工序的不同，第一柵極2、第二柵極2 '及柵線下方可能存在半反半透層，且該半反半透層的圖形與第一柵極2和第二柵極2丨的圖形一致，如圖5中所示)，形成在第一柵極2、第二柵極2丨及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4 '，形成在第一有源層4和第二有源層4 '之上的絕緣層5，形成在絕緣層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管，第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4丨、絕緣層5及第二源漏層6丨形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。本實(shí)施例中，彩膜9形成在鈍化層7之上，有機(jī)發(fā)光二極管位于半反半透層8和彩膜9的上方,且通過(guò)像素定義層(Pixel Define layer, F1DL) 12形成在像素區(qū)域A。本實(shí)施例中，第一電極11為陽(yáng)極，第二電極14為陰極(也可以是第一電極11為陰極，第二電極14為陽(yáng)極)，第一電極11通過(guò)鈍化層7上的過(guò)孔連接第二漏極。第二電極14可以是由反射材料制作的反射電極，也可以是在第二電極14上涂有反射層形成反射電極。開關(guān)薄膜晶體管的柵極(第一柵極2)連接?xùn)啪€，源極(第一源極)連接數(shù)據(jù)線，漏極(第一漏極)連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極(第二柵極2丨)，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極(第二源極)連接電源電壓，漏極(第二漏極)連接有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11。白光有機(jī)發(fā)光層13發(fā)出的白光透過(guò)第一電極11及以下的各層后從基板I底部出射，如圖5所示。當(dāng)白光照射到半反半透層8后，一部分光線出射，一部分光線反射，反射的光線再經(jīng)過(guò)第二電極14反射，反射光在半反半透層8和第二電極14之間反射過(guò)程中，由于諧振作用，故最終從半反半透層8射出的光線中對(duì)應(yīng)顏色波長(zhǎng)的光會(huì)得到加強(qiáng)，從而增大透過(guò)率。為了增大微腔結(jié)構(gòu)的空間距離，進(jìn)一步增大透過(guò)率，在彩膜9和陽(yáng)極11之間還形成有樹脂層10，第一電極11通過(guò)貫穿鈍化層7和樹脂層10的過(guò)孔連接第二漏極。本實(shí)施例中，半反半透層8由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，其透過(guò)率為59Γ95% ;厚度為10人 200人。彩膜9的厚度為IOOOA 40000人,彩膜9可以為紅綠藍(lán)、紅綠藍(lán)黃或紅綠藍(lán)白模式的彩膜。本發(fā)明還提供了一種制作上述陣列基板的方法，包括步驟一在基板I上形成包括半反半透層8、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層7的圖形，以確定基板I上的多個(gè)像素單元。具體步驟如下
如圖6和7所示，在基板I上依次形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)半反半透薄膜及柵金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極和半反半透層的圖形。具體的，可以通過(guò)雙色調(diào)掩摸板(包括，半色調(diào)掩摸板或者灰色調(diào)掩摸板)同時(shí)制備薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的第一柵極、第二柵極和半反半透層的圖形。其中，半反半透薄膜由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，其厚度力10人 200A,透過(guò)率為59Γ95%。此處通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成半反半透層和第一柵極、第二柵極的圖形，顯然，第一柵極和第二柵極下方也存在半反半透層，其與所述第一柵極和第二柵極的圖形一致。依次形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的其它層級(jí)結(jié)構(gòu)，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。主要通過(guò)形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)相應(yīng)的膜層，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成相應(yīng)層的圖形，該步驟與現(xiàn)有的制作陣列基板的步驟基本相同，此處不再贅述。該步驟形成后的基板 如圖8所示，示出了一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域?yàn)榉窍袼貐^(qū)域，像素區(qū)域?yàn)棣?。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其中，由第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極層)形成開關(guān)薄膜晶體管；由第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4丨、絕緣層5及第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極層)形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。并在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上形成鈍化層7。步驟二 如圖9所示，在像素單元的像素區(qū)域A形成彩膜9的圖形，使彩膜9的不同顏色濾光片的厚度不同。該步驟具體包括彩膜9的形成是分多次(RGB為3次)形成，每一次形成一種顏色濾光片的圖形，逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形。具體方式為在鈍化層7上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝在像素區(qū)域A形成該顏色濾光片的圖形。按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形，且在形成每一種顏色濾光片的圖形時(shí)，所形成的每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同，從而使得最終形成的彩膜9的不同顏色濾光片的厚度不同。優(yōu)選的，彩膜9的厚度在IOOOA ~ 40000A之間；之所以彩膜的厚度范圍較大，是因?yàn)椴誓の挥谖⑶唤Y(jié)構(gòu)中，因此可通過(guò)調(diào)節(jié)彩膜的厚度而控制微腔厚度，從而使各像素單元中的微腔結(jié)構(gòu)增強(qiáng)與其彩膜9顏色相同的光。由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，不需要額外對(duì)某個(gè)顏色的像素單獨(dú)制作其它層來(lái)控制厚度，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。步驟三在像素單元的像素區(qū)域A形成有機(jī)發(fā)光二極管，使彩膜9位于有機(jī)發(fā)光二極管和半反半透層8之間。該步驟具體包括如圖10所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝在鈍化層7上刻蝕形成過(guò)孔。為了增大微腔結(jié)構(gòu)的空間距離，進(jìn)一步增大透過(guò)率，還可以在鈍化層7上形成樹脂層10，過(guò)孔貫穿鈍化層7和樹脂層10。如圖11所示，形成透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11的圖形，使第一電極11通過(guò)過(guò)孔連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具體連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極。如圖12所示，形成絕緣薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素定義層12的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在像素區(qū)域A ;
形成有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14，從而形成有機(jī)發(fā)光二極管，最終形成的陣列基板如圖5所示。第二電極14為反射電極，在制作時(shí)可采用反射材料形成，或在形成第二電極14之前形成反射層，再將第二電極14形成在反射層上，或形成第二電極14，再在第二電極14上形成反射層。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有 等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述有機(jī)發(fā)光二極管在遠(yuǎn)離基板的方向上依次包括透明的第一電極、 發(fā)光層、反射光線的第二電極；半反半透層，位于所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述基板之間；彩膜，位于所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層之間；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上方的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二漏極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層形成在基板上，位于所述像素單元的像素區(qū)域以及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上還形成有鈍化層；所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽(yáng)極，且所述陽(yáng)極通過(guò)所述鈍化層的過(guò)孔連接第二漏極，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述發(fā)光二極管的陽(yáng)極位于所述彩膜上方。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層形成在基板上，位于所述像素單元的像素區(qū)域以及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上還形成有鈍化層；所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽(yáng)極，且所述陰極通過(guò)所述鈍化層的過(guò)孔連接第二漏極，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同，所述發(fā)光二極管的陰極位于所述彩膜上方。
5.如權(quán)利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜和所述第一電極之間還設(shè)有樹脂層，所述第一電極通過(guò)貫穿樹脂層及鈍化層的過(guò)孔連接所述第二漏極。
6.如權(quán)利要求3和4所述的陣列基板，其特征在于，對(duì)應(yīng)像素單元的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極區(qū)域的半反半透層，分別位于所述第一柵極和第二柵極的下方，且所述半反半透層的圖形與所述第一柵極和所述第二柵極的圖形一致。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率為59Γ95%。
9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層厚度為10Α~200Α
10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜的厚度為IOOOA 40000Α。
11.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括紅綠藍(lán)、紅綠藍(lán)黃或紅綠藍(lán)白模式的彩膜。
12.—種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟在基板上形成包括半反半透層、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元；在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形；在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管，使彩膜位于所述有機(jī)發(fā)光二極管和所述半反半透層之間。
13.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成包括半反半透層、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元的步驟具體包括在所述基板上依次形成半反半透薄膜及柵金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極和半反半透層的圖形；依次形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的其它層級(jí)結(jié)構(gòu)，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成鈍化層的圖形。
14.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形，使彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同的步驟具體包括形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形，且每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同。
15.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管具體包括通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上刻蝕形成過(guò)孔；形成透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機(jī)發(fā)光層；形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。
16.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，形成半反半透層及彩膜的圖形后，形成有機(jī)發(fā)光二極管之前還包括形成樹脂層。
17.如權(quán)利要求16所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管具體包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成貫穿所述樹脂層和鈍化層的過(guò)孔；形成透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機(jī)發(fā)光層；形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。
18.如權(quán)利要求12 17中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過(guò)率為5% 95%。
19.如權(quán)利要求12 17中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述半反半透層厚度為IOA 200人
20.如權(quán)利要求12 17中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述彩膜的厚度為=IOOOA 40000人。
21.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求f Il中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，有機(jī)發(fā)光二極管在遠(yuǎn)離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、反射光線的第二電極；半反半透層，位于有機(jī)發(fā)光二極管與基板之間；彩膜，位于有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與半反半透層之間；有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。還公開了上述陣列基板的制作方法及包括上述陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明在陣列基板上實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)，制作工藝簡(jiǎn)單的微腔結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103022049SQ20121053775
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司