專利名稱：陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光顏色可在可見光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是未來最重要的顯示技術(shù)之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經(jīng)超過了 601m/W，壽命達(dá)到了 2萬個(gè)小時(shí)以上，極大地推動(dòng)了 WOLED的發(fā)展。
如圖1所示,為現(xiàn)有的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu),具體示出了一個(gè)像素單元的示意圖， 由下至上包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2丨及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6丨之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6' 形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管位于像素單元的非像素區(qū)域B，即薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一源漏層6和第二源漏層6 ' 之上依次為鈍化層7、彩膜9、黑矩陣15、樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中,第一電極11為透明電極， 有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機(jī)發(fā)光二極管位于陣列基板的像素單元的像素區(qū)域A (除薄膜晶體管結(jié)構(gòu)區(qū)域以外的顯示區(qū)域)。
黑矩陣15具體位于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，即區(qū)域B，且形成在彩膜9上的背離薄膜晶體管結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面 ，其作用是阻擋有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光線對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，使顯示效果更好。如圖2所示(RGB彩膜各色光的波長(zhǎng)及混合后的光c light的波長(zhǎng)與透過率關(guān)系圖)，研究發(fā)現(xiàn)對(duì)于WOLED發(fā)出的光線中主要是波長(zhǎng)較短的光， (如藍(lán)光，尤其是在400nm以下的藍(lán)光)對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，會(huì)產(chǎn)生光照漏電流，導(dǎo)致顯示效果不好。因此只需要避免波長(zhǎng)較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的影響即可。發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何避免波長(zhǎng)較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響。
(二)技術(shù)方案
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，所述像素單元還包括位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的遮光層，所述遮光層用于阻擋藍(lán)色光線。
其中，所述遮光層用于阻擋波長(zhǎng)為400nm以下的藍(lán)色光線。
其中，所述遮光層為紅色濾光片。
其中，所述紅色濾光片的厚度為5000A 400001
其中，所述遮光層為綠色濾光片。
其中，所述綠色濾光片的厚度為5000A - 40000An
其中，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。
其中，所述紅綠濾光片疊層的厚度為5000A 80000人。
其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；
所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。
本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟
在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元;
形成彩膜及遮光層的圖形；
在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管。
其中，所述形成彩膜及遮光層的圖形具體包括
形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形；并在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域形成所述遮光層的圖形，形成所述遮光層的圖形具體包括
在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的紅色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一紅色濾光片的圖形，以形成所述遮光層；或
在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的綠色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一綠色濾光片的圖形，以形成所述遮光層；或
在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的紅色濾光片和綠色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成紅綠濾光片疊層的圖形，以形成所述遮光層。
其中，單色的所述彩色濾光薄膜厚度為5000A 40000人
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
(三)有益效果
本發(fā)明通過彩膜上且位于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域形成用于阻擋藍(lán)光的遮光層， 阻擋了藍(lán)光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長(zhǎng)較短的光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導(dǎo)致的顯示效果不好的缺陷。


圖1是現(xiàn)有的一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖2是RGB彩膜各色光的波長(zhǎng)及混合后的光的波長(zhǎng)與透過率關(guān)系圖3是本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖4是制作圖3的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管及鈍化層結(jié)構(gòu)的不意圖5是在圖4的基板基礎(chǔ)上形成彩膜和遮光層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖6在圖5的基板基礎(chǔ)上形成樹脂層及過孔圖形的結(jié)構(gòu)示意圖7在圖6的基板基礎(chǔ)上形成有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極圖形的結(jié)構(gòu)示意圖8在圖7的基板基礎(chǔ)上形成像素定義層的圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
如圖3所示，本實(shí)施例的陣列基板包括形成在基板I上的多條柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成的像素單元。像素單元由下至上包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2'及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、 第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層 3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管位于像素單元的非像素區(qū)域B，即薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一源漏層6和第二源漏層6 '之上依次為鈍化層7、彩膜9、遮光層8、樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機(jī)發(fā)光二極管為W0LED，位于陣列基板的像素單元的像素區(qū)域A。
由于只是阻擋WOLED發(fā)出的光中波長(zhǎng)較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，本實(shí)施例中，遮光層8用于阻擋藍(lán)光，尤其是波長(zhǎng)為400nm以下的藍(lán)光透過，可以為所述遮光層8為和彩膜相同材料的厚度為5000A 40000A紅色濾光片、厚度為5000A 40000A綠色濾光片或厚度為5000A 80000A紅綠疊層濾光片，從而避免藍(lán)光通過。
遮光層8阻擋了 WOLED發(fā)出的光中波長(zhǎng)為400nm以下的藍(lán)色光線對(duì)氧化物薄膜晶體管特性的影響，波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光(如紅光和綠光)仍能透過，同時(shí)增大了透過率。
本發(fā)明還提供了一種制作上述陣列基板的方法，包括
步驟一在基板I上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層7的圖形，以確定基板I上的多個(gè)像素單元。該步驟主要通過形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)相應(yīng)的膜層，然后通過構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝) 形成相應(yīng)層的圖形，該步驟與現(xiàn)有的制作陣列基板的步驟基本相同，此處不再贅述。該步驟形成后的基板如圖4所示，示出了一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域?yàn)榉窍袼貐^(qū)域，像素區(qū)域?yàn)锳。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其中， 由第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極層)形成開關(guān)薄膜晶體管；由第二柵極2 '、柵絕緣層3、第二有源層4 '、絕緣層5及第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極層)形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上為鈍化層7。
步驟二 如圖5所示，形成彩膜9和遮光層8的圖形。該步驟具體包括
彩膜9的形成是分多次(RGB為3次)形成，每一次形成一種顏色濾光片的圖形，逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形。具體方式為在鈍化層上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形。在通過構(gòu)圖工藝形成彩膜的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域B形成遮光層8的圖形。具體形成遮光層8過程可以為在通過上述構(gòu)圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域B形成另一紅色濾光片的圖形，以形成遮光層8，即在鈍化層7上形成紅色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的紅色濾光片的圖形。
具體形成遮光層8過程還可以為在通過上述構(gòu)圖工藝形成彩膜9的綠色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一綠色濾光片的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的綠色濾光片的圖形。
具體形成遮光層8過程還可以為在通過構(gòu)圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片和綠色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成紅綠濾光片疊層的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的綠色濾光片的圖形；形成紅色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的紅色濾光片的圖形，從而形成紅綠疊層的濾光片(形成紅綠疊層中的各層時(shí)不分先后)。
步驟三在像素單元的像素區(qū)域A形成有機(jī)發(fā)光二極管。該步驟具體包括
如圖6所示，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層7上刻蝕形成過孔。還可以在彩膜9及遮光層8上形成樹脂層10，過孔穿過鈍化層7和樹脂層10。
如圖7所示，形成透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極 11的圖形，使第一電極11通過過孔連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具體連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極。
如圖8所示，形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層12的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在像素區(qū)域A。
形成有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14，從而形成有機(jī)發(fā)光二極管， 最終形成的陣列基板如圖3所示。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，其特征在于，所述像素單元還包括位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的遮光層，所述遮光層用于阻擋藍(lán)色光線。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層用于阻擋波長(zhǎng)為400nm以下的藍(lán)色光線。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅色濾光片。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述紅色濾光片的厚度為 5000A 40000A
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為綠色濾光片。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述綠色濾光片的厚度為 5000人 40000人
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述紅綠濾光片疊層的厚度為 5000A 80000A
9.如權(quán)利要求Γ8中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括 形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。
10.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個(gè)像素單元；形成彩膜及遮光層的圖形；在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光二極管。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述形成彩膜及遮光層的圖形具體包括形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形；并在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域形成所述遮光層的圖形，形成所述遮光層的圖形具體包括在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的紅色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一紅色濾光片的圖形，以形成所述遮光層；或在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的綠色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一綠色濾光片的圖形，以形成所述遮光層；或在通過所述構(gòu)圖工藝形成彩膜的紅色濾光片和綠色濾光片的圖形的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成紅綠濾光片疊層的圖形，以形成所述遮光層。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，單色的所述彩色濾光薄膜厚度為5000人 400001
13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求廣9中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，所述像素單元還包括位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的藍(lán)光遮光層。還公開了上述陣列基板的制作方法及包括上述陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明在陣列基板上形成藍(lán)光遮光層阻擋了藍(lán)光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長(zhǎng)較短的光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導(dǎo)致的顯示效果不好的缺陷。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103000661SQ20121053713
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司