專利名稱：一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，具體可以涉及一種陣列基板及其制作方法，和一種顯示裝置。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)因其具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。對于TFT-1XD來說，陣列基板以及制造工藝決定了其產品性能、成品率和價格。
隨著液晶面板向大型化、高精細化、高頻率以及3D等方向的發(fā)展，業(yè)界需要開發(fā)低電阻的電極材料。由于電極材料電阻的減小，降低了阻抗容抗(RC)延遲，提高了開口率。 而且，驅動方式可由兩側驅動變?yōu)閱蝹闰寗?，因此驅動IC的數(shù)量可減半。
由于金屬銅的電阻僅為2μ Ω · cm，因此，其目前已經成為電極材料的首選。
但是當銅作為電極材料時，存在以下問題
銅的上表面容易在覆蓋其上的圖層薄膜沉積以及刻蝕工藝中受到損傷，導致像素區(qū)的充電不足和管腳(Pad)區(qū)域與外接電路的連接不良。發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，從而在沒有增加工藝步驟地情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。
本發(fā)明提供方案如下
本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括TFT，以及與所述TFT的漏極相連的像素電極，其特征在于，進 一步包括
形成于源漏金屬層之上的透明導電層；
形成于透明導電層之上的鈍化層。
優(yōu)選的，所述透明導電層與像素電極同層形成。
優(yōu)選的，所述源漏金屬層包括
第一緩沖層；
形成于第一緩沖層之上的銅層。
優(yōu)選的，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導電薄膜。
優(yōu)選的，所述鈍化層中設置有過孔。
優(yōu)選的，所述陣列基板還包括柵極圖形；
所述柵極圖形包括
第二緩沖層；
形成于第二緩沖層之上的銅層。
本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板制作方法，包括
形成包括源漏金屬層對應的圖形；
在所述源漏金屬層上，形成包括透明導電層對應的圖形；在透明導電層上，形成鈍化層對應的圖形。優(yōu)選的，在所述源漏金屬層上，形成包括透明導電層對應的圖形和像素電極的圖形。優(yōu)選的，形成源漏金屬層對應的圖形包括形成緩沖層的圖形；在所述緩沖層上，沉積一層銅，所述緩沖層與所述銅層構成所述源漏金屬層。優(yōu)選的，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導電薄膜。
優(yōu)選的，所述方法還包括在鈍化層預設位置處形成過孔。本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述本發(fā)明實施例提供的顯示面板。從以上所述可以看出，本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導電層，后在透明導電層之上，制備鈍化層及過孔，由于透明導電層具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。


圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法流程示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖一；圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖二 ；圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖三；圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖四；圖6為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖五；圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖六；圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖七；圖9為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖八。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板中具體可以包括TFT結構，以及與所述TFT的漏極相連的像素電極。進一步，該陣列基板具體還可以包括形成于源漏金屬層之上的透明導電層7 ；形成于透明導電層7之上的鈍化層8。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導電層7，后在透明導電層7之上，制備鈍化層8，由于透明導電層7具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。本發(fā)明實施例中，透明導電層7具體可以與像素電極同層形成。本發(fā)明實施例所涉及的源漏金屬層，具體可由緩沖層(BUFFER) 61以及形成于緩沖層之上的銅層62共同構成。并且，緩沖層中具體可以包括至少一層Ta (II)Xr (鉻)、Mo (鑰)、W (鶴)、Nb (銀)等金屬、或者合金、或者透明導電薄膜。即本發(fā)明實施例所提供的源漏金屬層具體可由多層金屬層構成。當然，可以理解的是，本發(fā)明實施例所涉及的源漏金屬層，也可完全由銅層構成。本發(fā)明實施例中，導通過孔具體可設置于鈍化層8中。同樣，由于鈍化層8與源漏金屬層之間間隔形成有不易損傷的透明導電層7，因此，在過孔刻蝕過程中，銅的表面并不會受到損傷。本發(fā)明實施例所提供的陣列基板，具體可以包括透明基板I ;在透明基板I與所述源漏金屬層之間，依次形成有柵極、柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5。而在一優(yōu)選實施例中，本發(fā)明實施例所涉及的柵極，同樣也可以由緩沖層(BUFFER) 21以及形成于緩沖層之上的銅層22共同構成。且構成柵金屬層的緩沖層21的材質，具體可與構成源漏金屬層的緩沖層61相同。本發(fā)明實施例所涉及的柵極，具體可以與包括柵線、柵極引線等柵金屬層圖形共同形成。在本發(fā)明實施例所提供的陣列基板中，源漏金屬層、透明導電層7中形成有溝道。本發(fā)明實施例所提供的陣列基板，具體可如附圖5或9所示。為了制作本發(fā)明實施例提供的陣列基板，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板制作方法，如附圖1所示，該方法具體可以包括步驟11，形成源漏金屬層對應的圖形；步驟12，在所述源漏金屬層上，形成透明導電層7對應的圖形；步驟13，在透明導電層7上，形成鈍化層8對應的圖形。由上述陳述可知，本發(fā)明實施例中，源漏金屬層具體可由緩沖層61和銅層62公共構成，因此，所述陣列基板已有圖層上，形成源漏金屬層對應的圖形的過程中，具體可以包括形成源漏金屬層所包括的緩沖層61的圖形；在所述緩沖層61的圖形上，沉積一層銅，所述緩沖層61與所述銅層62構成所述
源漏金屬層。本發(fā)明實施例中，形成源漏金屬層對應的圖形過程，具體可以包括在源漏金屬層薄膜(包括緩沖層61和銅層62)上涂覆一層光刻膠；經過曝光、顯影處理，使源漏金屬層對應的圖形所在位置陣列基板為完全保留光刻膠區(qū)域，而陣列基板的其他區(qū)域為無光刻膠區(qū)域；通過刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域中的源漏金屬層薄膜；去除剩余的光刻膠，從而形成源漏金屬層對應的圖層。本發(fā)明實施例中，源漏金屬層對應的圖形具體可以包括源漏電極、數(shù)據(jù)掃描線、TFT溝道、源漏極引出線、柵極引出線等等。本發(fā)明實施例所提供的方法中，具體還可以包括
在鈍化層8中預設位置處形成過孔。即本發(fā)明實施例中，過孔形成于鈍化層8中，由于鈍化層8與源漏金屬層之間間隔形成有不易損傷的透明導電層7，因此，在過孔刻蝕過程中，銅的表面并不會收到損傷。另外，本發(fā)明實施例所提供的方法，具體還可以還包括在透明基板I與源漏金屬層之間，形成柵極、柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5對應的圖形。且所述柵極形成過程與源漏金屬層形成過程類似，即可現(xiàn)在基板I上形成柵金屬層所包括的緩沖層21 ;然后再緩沖層21上沉積一層銅22，緩沖層21與銅層22構成柵極。本發(fā)明實施例所提供的陣列基板制作方法中，可采用成熟的方法，制備陣列基板 中的各圖層，即本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法，可無需更改現(xiàn)有制作工藝，從而可在沒有增加任何制作成本的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。以形成歐姆接觸層5對應的圖形為例進行說明。形成歐姆接觸層5對應的圖形的過程具體可以包括在基板已有的圖層上，沉積歐姆接觸層5薄膜；在歐姆接觸層5薄膜上涂覆一層光刻膠；對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影處理，使歐姆接觸層5的圖形所在位置處為完全保留光刻膠區(qū)域，而陣列基板的其他區(qū)域為無光刻膠區(qū)域；通過刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域的歐姆接觸層5薄膜；去除剩余的光刻膠，形成歐姆接觸層5對應的圖形。另外，本發(fā)明實施例所提供的陣列基板制作方法中，也可以將陣列基板多個圖層在一次MASK工藝中制備。下面對本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法的具體實施例的實現(xiàn)過程進行詳細的表述。該實施例具體可以包括以下步驟步驟1、形成柵極對應的圖形。該步驟具體可以包括首先，在基板I上，通濺射或熱蒸發(fā)等方法，沉積一層緩沖層21薄膜。本發(fā)明實施例中，成膜的方法具體還可以為等離子增強化學氣相形成(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法。本發(fā)明實施例中，緩沖層21薄膜的厚度約為100 1000A，緩沖層21薄膜的材質可以包括金屬Ta、Cr、Mo、W、Nb等金屬，或者合金,或者透明導電薄膜。然后，在緩沖層21薄膜上沉積銅層22薄膜。本發(fā)明實施例中，銅層22薄膜的厚度約為100(K5000l從而形成由多層金屬組成的柵極薄膜。由第一次光刻工藝形成柵極對應的圖層?？梢岳斫獾氖?，此步驟中，也可以同時形成如柵極、柵極引線等柵金屬層對應的圖形。第一次光刻工藝的過程具體可以包括在柵極薄膜上涂覆一層光刻膠；
對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影處理，使柵極對應的圖形所在位置為完全保留光刻膠區(qū)域，而陣列基板其他區(qū)域為無光刻膠區(qū)域；通過濕刻工藝，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域中的柵極薄膜；去除剩余的光刻膠，形成柵極對應的圖形。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖2所示。步驟2、形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5以及源漏金屬層對應的圖形。該步驟具體可以包括在完成步驟I的基板上，通過PECVD等方法形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5的薄膜。·其中，柵絕緣層3薄膜的厚度具體可為1000 ~ 4000 A#絕緣層3薄膜的材質具體可以包括氮化物SiNx或者氧氮化合物SiOxNx，或者是氮化物SiNx和氧氮化合物SiOxNx的復合物等。而半導體層4薄膜的厚度具體可為1000 ~ 3000A。歐姆接觸層5薄膜的厚度具體可為500 ~ 1000 A。接著通過派射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積上厚度約為〗00 ~丨000A金屬Ta、Cr、Mo、W、Nb等金屬、或合金、或者透明導電薄膜作為緩沖層61，然后再沉積厚度約為丨000 5000A的銅層62，由多層金屬組成源漏金屬層。后續(xù)，可采用半色調或灰色調掩模板曝光顯影工藝，經過多步刻蝕之后形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5以及源漏金屬層對應的圖形，例如TFT溝道、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線。上述曝光、顯影以及刻蝕工藝，可采用任一種成熟的方式實現(xiàn)。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖3所示。步驟3、形成透明導電層7對應的圖形。具體的，可在完成步驟2的陣列基板上，通過濺射或熱蒸發(fā)等方法沉積一層厚度約為300 ~ 1000 A的透明導電層7。透明導電層7的材質具體可以包括ΙΤ0、或者ΙΖ0、或者其它金屬及金屬氧化物。通過一次光刻、刻蝕工藝，形成透明導電層7對應的圖形。透明導電層7對應的圖形中，具體可以包括TFT中的透明導電層7以及顯示區(qū)域中的透明像素電極7。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖4所示。步驟4、形成鈍化層8對應的圖形以及形成于鈍化層8中的過孔。具體的，可在完成步驟3的陣列基板上通過PECVD等方法沉積厚度約為7OO ~ 5000 A的鈍化層8，并在鈍化層8形成過孔。本發(fā)明實施例中，鈍化層8的材質具體可以包括氧化物、氮化物或者氧氮化合物
坐寸ο此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖5所示。在另一具體實施例中，本發(fā)明實施例提供給陣列基板制作方法，還可以用于制作ADS型的陣列基板。 該實施例的具體實現(xiàn)過程具體可以包括
步驟1、形成柵極和公共電極對應的圖形。這里需要說明的是，ADS型的陣列基板中的公共電極位于顯示區(qū)域，因此，此實施例中，公共電極位置處的柵金屬層可僅包括緩沖層21 —層(即無需沉積銅22)，且緩沖層21的材質具體可為透明導電薄膜。而柵極對應的圖形，即可由緩沖層21和銅層22公共構成。該步驟具體可以包括首先，在基板I上，通濺射或熱蒸發(fā)等方法，沉積一層緩沖層21薄膜。本發(fā)明實施例中，緩沖層21薄膜的厚度約為100 ~ 1000人，緩沖層21薄膜的材質可以包括金屬Ta、Cr、Mo、W、Nb等金屬，或者合金,或者透明導電薄膜。然后，在柵極圖形所在位置處的緩沖層21薄膜上沉積銅層22薄膜。 本發(fā)明實施例中，銅層22薄膜的厚度約為1000_、.5000A 由第一次光刻工藝形成柵極對應的圖層。第一次光刻工藝的過程具體可以包括在柵極和公共電極的薄膜上涂覆一層光刻膠；對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影處理，使柵極和公共電極對應的圖形所在位置為完全保留光刻膠區(qū)域，而陣列基板其他區(qū)域為無光刻膠區(qū)域；通過濕刻工藝，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域中的薄膜；去除剩余的光刻膠，形成柵極和公共電極對應的圖形。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖6所示。步驟2、形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5以及源漏金屬層對應的圖形。該步驟具體可以包括在完成步驟I的基板上，通過PECVD等方法形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5的薄膜。其中，柵絕緣層3薄膜的厚度具體可為1000~4000 A，柵絕緣層3薄膜的材質具體可以包括氮化物SiNx或者氧氮化合物SiOxNx，或者是氮化物SiNx和氧氮化合物SiOxNx的復合物等。而半導體層4薄膜的厚度具體可為1000 ~ 3000A 歐姆接觸層5薄膜的厚度具體可為500 ~ 1000 A。接著通過派射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積上厚度約為100 ~ 10OOA金屬Ta、Cr、Mo、W、Nb等金屬、或合金、或者透明導電薄膜作為緩沖層61，然后再沉積厚度約為丨000 5000A的銅層62，由多層金屬組成源漏金屬層。后續(xù)，可采用半色調或灰色調掩模板曝光顯影工藝，經過多步刻蝕之后形成柵絕緣層3、半導體層4、歐姆接觸層5以及源漏金屬層對應的圖形，例如TFT溝道、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線。上述曝光、顯影以及刻蝕工藝，可采用任一種成熟的方式實現(xiàn)。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖7所示。步驟3、形成透明導電層7對應的圖形。具體的，可在完成步驟2的陣列基板上，通過濺射或熱蒸發(fā)等方法沉積一層厚度約為300 ~ 1000 A的透明導電層7。
透明導電層7的材質具體可以包括ΙΤ0、或者ΙΖ0、或者其它金屬及金屬氧化物。通過一次光刻、刻蝕工藝，形成透明導電層7對應的圖形。此實施例中所涉及的透明導電層7對應的圖形，具體可以包括TFT中的透明導電層7以及顯示區(qū)域中的透明像素電極7。此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖8所示。步驟4、形成鈍化層8對應的圖形以及形成于鈍化層8中的過孔。
具體的，可在完成步驟3的陣列基板上通過PECVD等方法沉積厚度約為700 ~ 5000 A的鈍化層8，并在鈍化層8形成過孔。本發(fā)明實施例中，鈍化層8的材質具體可以包括氧化物、氮化物或者氧氮化合物
坐寸ο此時本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的結構示意圖具體可如附圖9所示?；谏鲜霰景l(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法所制作的陣列基板，只要保證在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導電層7，后在透明導電層7之上，制備鈍化層8以及過孔，由于透明導電層7具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟地情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。陣列基板還可以有其他結構的變形，只要確保各金屬層彼此絕緣，且具有連接到外部的可導電部件(比如ITO材料制作的連接電極)即可?；谝陨媳景l(fā)明實施例提供的陣列基板，本發(fā)明實施例還可以提供一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括本發(fā)明實施例提供的陣列基板或顯示面板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED (有機發(fā)光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或部件。本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導電層，后在透明導電層之上，制備鈍化層及過孔，由于透明導電層具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟地情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。以上所述僅是本發(fā)明的實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種陣列基板，包括TFT，以及與所述TFT的漏極相連的像素電極，其特征在于，進一步包括形成于源漏金屬層之上的透明導電層；形成于透明導電層之上的鈍化層。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導電層與像素電極同層形成。
3.如權利要求2所述的陣列基板，所述源漏金屬層包括第一緩沖層；形成于第一緩沖層之上的銅層。
4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導電薄膜。
5.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層中設置有過孔。
6.如權利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括柵極圖形；所述柵極圖形包括第二緩沖層；形成于第二緩沖層之上的銅層。
7.—種陣列基板制作方法，其特征在于，包括形成包括源漏金屬層對應的圖形；在所述源漏金屬層上，形成包括透明導電層對應的圖形；在透明導電層上，形成鈍化層對應的圖形。
8.如權利要求7所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述源漏金屬層上，形成包括透明導電層對應的圖形和像素電極的圖形。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，形成源漏金屬層對應的圖形包括形成緩沖層的圖形；在所述緩沖層上，沉積一層銅，所述緩沖層與所述銅層構成所述源漏金屬層。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導電薄膜。
11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在鈍化層預設位置處形成過孔。
12.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1至6任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導電層，后在透明導電層之上，制備鈍化層及過孔，由于透明導電層具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。
文檔編號H01L29/786GK103000627SQ20121052133
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權日2012年12月6日
發(fā)明者張學輝 申請人:京東方科技集團股份有限公司