專利名稱：光伏器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
各實(shí)施例涉及光伏器件。
背景技術(shù)：
在光伏器件中，可以通過將n型(或p型)摻雜劑摻入p型(或n型)襯底而形成發(fā)射極，從而形成p-n結(jié)。在這種器件的操作中，(由接收的光形成的)電子空穴對被分離。然后，電子可以被n型區(qū)域的電極收集，并且空穴可以被p型區(qū)域的電極收集，從而產(chǎn)生電力。

發(fā)明內(nèi)容
各實(shí)施例致力于一種光伏器件，該光伏器件包括:襯底，所述襯底具有基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)，所述基極區(qū)具有第一寬度，并且所述發(fā)射極區(qū)具有第二寬度；與所述基極區(qū)相接觸并電連接至所述基極區(qū)的第一電極，在所述第一電極覆在所述基極區(qū)上的位置所述第一電極具有第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度，使得所述第一電極在所述基極區(qū)的至少一側(cè)處懸垂在所述基極區(qū)上；以及與所述發(fā)射極區(qū)相接觸并且電連接至所述發(fā)射極區(qū)的第二電極，在所述第二電極覆在所述發(fā)射極區(qū)上的位置所述第二電極具有第四寬度，所述第三寬度與所述第四寬度的比率為大約0.3至大約3.4。所述第三寬度與所述第四寬度的比率可以為大約0.4至大約2.5。所述襯底可以包括多個(gè)基極區(qū)和多個(gè)發(fā)射極區(qū)，所述多個(gè)基極區(qū)和所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)被布置為交替的條紋，所述第一電極可以包括多個(gè)第一部分，所述第一電極的多個(gè)第一部分分別對應(yīng)于所述多個(gè)基極區(qū)，并且所述第二電極可以包括多個(gè)第一部分，所述第二電極的多個(gè)第一部分分別對應(yīng)于所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)。所述第一電極的第一部分中的每一個(gè)可以具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第三寬度，并且所述下部分具有小于所述第三寬度的第五寬度，所述第五寬度對應(yīng)于所述下部分與對應(yīng)的基極區(qū)的接觸界面，并且所述第二電極的第一部分中的每一個(gè)可以具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第四寬度，并且所述下部分具有小于所述第四寬度的第六寬度，所述第六寬度對應(yīng)于所述下部分與對應(yīng)的發(fā)射極區(qū)的接觸界面。所述第一電極的第一部分可以通過所述第一電極的第二部分連接，并且所述第二電極的第一部分可以通過所述第二電極的第二部分連接。所述第一電極的第一部分與所述第二電極的第一部分可交替布置。所述基極區(qū)可以摻有第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，所述發(fā)射極區(qū)可以摻有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，并且所述襯底可以摻有與所述基極區(qū)相同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)可以形成在所述襯底中，或者所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)可以形成在所述襯底上。所述第一電極的懸垂在所述基極區(qū)上的側(cè)部可以也與相鄰的發(fā)射極區(qū)的一部分重疊。所述第二寬度可以大于所述第一寬度。
所述光伏器件可以進(jìn)一步包括介于所述第一電極的所述側(cè)部與相鄰的發(fā)射極區(qū)的所述一部分之間的絕緣層。所述絕緣層包括可以第一層和第二層。所述第一層和所述第二層可以由不同的材料形成。所述第一層可以由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二層可以由聚合物形成。所述第一層可以具有大約500A到大約3000A的厚度，并且所述第二層可以具有大約0.5 Ii m到大約30 ii m的厚度。所述第一層可以由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二層可以由氧化硅或氮化硅形成。所述第一層可以具有大約500A到大約3000A的厚度，并且所述第二層可以具有大約500A到大約3000A的厚度。所述絕緣層可以是具有大約8000A或更大厚度的單層。 所述第一電極可以通過所述絕緣層中的接觸孔接觸所述基極區(qū)，并且所述第二電極可以通過所述絕緣層中的另一接觸孔接觸所述發(fā)射極區(qū)。所述襯底的與所述第一電極和所述第二電極相對的前表面上可以具有鈍化層，所述鈍化層由摻雜的非晶半導(dǎo)體材料形成。


通過結(jié)合附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，各特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得明顯，附圖中:圖1示出根據(jù)示例實(shí)施例的光伏器件的示意性透視圖，并且圖2示出沿圖1的線I1-1I截取的剖視圖。圖3示出用于解釋寬度比C的概念性示意圖。圖4示出顯示根據(jù)第一電極與第二電極的寬度比的串聯(lián)電阻的曲線圖。圖5至圖7示出根據(jù)其它示例實(shí)施例的光伏器件的示意性剖視圖。圖8A至圖12示出制造根據(jù)示例實(shí)施例的光伏器件的方法的各階段的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將結(jié)合附圖在下文中更充分地描述示例實(shí)施例；然而這些實(shí)施例可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所闡明的實(shí)施例。確切地說，這些實(shí)施例被提供為使得該公開內(nèi)容全面完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。這里所使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例，而不是意在限制示例性實(shí)施例。如這里所使用的，單數(shù)形式“一 / 一個(gè)”和“該/所述”旨在還包括復(fù)數(shù)形式(多個(gè))，除非上下文清晰地給出其它指示。將進(jìn)一步理解，詞語“包括”在本說明書中使用時(shí)指明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的出現(xiàn)，但是并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的出現(xiàn)或附加。諸如“第一”和“第二”之類的詞語在這里僅用于描述多種構(gòu)成元件，但是這些構(gòu)成元件不受這些詞語的限制。這些詞語僅用于將一個(gè)構(gòu)成元件與另一構(gòu)成元件區(qū)分開來。
在附圖中，為了清晰起見，可以放大層、區(qū)域和膜的厚度。還可以理解，當(dāng)一層被提及“位于”另一層或襯底“上”時(shí)，該層可以“直接位于”該另一層或襯底“上”，或者也可以出現(xiàn)中間層。相反，當(dāng)一構(gòu)成元件被描述為“直接位于”另一構(gòu)成元件“上”時(shí)，該構(gòu)成元件應(yīng)當(dāng)被解釋為直接連接至該另一構(gòu)成元件，而在該構(gòu)成元件與該另一構(gòu)成元件之間沒有插入任何其它構(gòu)成元件。相似的附圖標(biāo)記始終指代相似的元件。圖1示出根據(jù)示例實(shí)施例的光伏器件的示意性透視圖，并且圖2示出沿圖1的線I1-1I截取的剖視圖。參見圖1和圖2，根據(jù)本示例實(shí)施例的光伏器件100可以包括半導(dǎo)體襯底110、形成在半導(dǎo)體襯底110第一表面上的鈍化層120和抗反射層130、形成在半導(dǎo)體襯底110第二表面中的基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150、電連接至基極區(qū)140的第一電極160以及電連接至發(fā)射極區(qū)150的第二電極170。包括第一絕緣層181和第二絕緣層182的絕緣層180可以提供在基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150與第一電極160和第二電極170之間?？商娲?，基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)可以形成在半導(dǎo)體襯底上。半導(dǎo)體襯底110可以由晶體硅或化合物半導(dǎo)體形成。例如，硅晶圓可以用作半導(dǎo)體襯底110。半導(dǎo)體襯底110可以摻有n型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。P型雜質(zhì)可以是諸如硼(B)和鋁(Al)的III族化合物。n型雜質(zhì)可以是諸如磷(P)的V族化合物。半導(dǎo)體襯底110可以具有第一表面和與第一表面相對的第二表面。第一表面可以是光接收表面，并且發(fā)射極電極和基極電極(第一電極160和第二電極170)可以提供在第二表面上。鈍化層120可以提供在半導(dǎo)體襯底110的第一表面上，并且可以通過阻止半導(dǎo)體襯底110所產(chǎn)生的載流子的表面復(fù)合而提高載流子的收集效率。例如，鈍化層120可以防止載流子移動(dòng)到半導(dǎo)體襯底110的第一表面，從而可以防止電子與空穴在半導(dǎo)體襯底110第一表面處或附近復(fù)合。鈍化層120可以是例如本征半導(dǎo)體層或摻雜半導(dǎo)體層。在一實(shí)施方式中，鈍化層120可以形成為例如氧化硅層或氮化硅層。在鈍化層120是本征半導(dǎo)體層或摻雜半導(dǎo)體層時(shí)，鈍化層120可以由沉積在半導(dǎo)體襯底110上的非晶硅形成。例如，鈍化層120可以由摻雜了與半導(dǎo)體襯底110相同的第一導(dǎo)電類型的非晶硅形成。鈍化層120可以摻雜比半導(dǎo)體襯底110更高的濃度，以便形成用于防止表面復(fù)合的前表面場(FSF)?？狗瓷鋵?30可以形成在鈍化層120上。抗反射層130可以防止由于太陽光入射時(shí)光的反射而導(dǎo)致的光伏器件100的光吸收損耗，從而可以提高光伏器件100的效率?？狗瓷鋵?30可以形成為例如氧化硅層或氮化硅層。例如，抗反射層130可以形成為單個(gè)氧化硅層，或者形成為包括具有不同折射率的氧化硅層和氮化硅層的復(fù)合層。在本示例實(shí)施例中，鈍化層120和抗反射層130形成為分立的層。在另一實(shí)施例中，鈍化層120和抗反射層130可以形成為一層。例如，單個(gè)氮化硅層可以形成為使得可同時(shí)獲得鈍化效果和抗反射效果。基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150可以形成在半導(dǎo)體襯底110的第二表面中?；鶚O區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150可以交替形成。例如，基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150可以以條紋圖案形成并且彼此平行。發(fā)射極區(qū)150可以形成為具有大于基極區(qū)140的寬度的寬度。在一實(shí)施方式中，發(fā)射極區(qū)150的寬度W2形成為大于基極區(qū)140的寬度W1，從而可以增大短路電流Jsc。
基極區(qū)140可以摻有與半導(dǎo)體襯底110相同的雜質(zhì)類型。發(fā)射極區(qū)150可以摻有與半導(dǎo)體襯底110不同的雜質(zhì)類型。例如，當(dāng)半導(dǎo)體襯底110包括n型雜質(zhì)時(shí)，作為n+區(qū)的基極區(qū)140可以包括大量的n型雜質(zhì)，使得所生成的電子可以容易地收集在第一電極160處，并且作為P+區(qū)域的發(fā)射極區(qū)150可以包括大量的p型雜質(zhì)，使得所生成的空穴可以容易地收集在第二電極170處。在另一實(shí)施例中，基極區(qū)140可以是p+區(qū)，而發(fā)射極區(qū)150可以是n+區(qū)。第一電極160可以包括第一匯流條162和以梳狀布置形成為與第一匯流條162垂直的多個(gè)第一指狀電極161。第一指狀電極161可以布置在基極區(qū)140上以收集載流子。第一匯流條162可以連接至第一指狀電極161，以向外傳遞被第一指狀電極161收集的載流子。第一電極160可以由銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)或其組合物形成。在一實(shí)施方式中，第一指狀電極161和第一匯流條162可以是整體。第二電極170可以包括第二匯流條172和以梳狀布置形成為與第二匯流條172垂直的多個(gè)第二指狀電極171。第二指狀電極171可以布置在發(fā)射極區(qū)150上以收集載流子。第二匯流條172可以連接至第二指狀電極171，以向外傳遞被第二指狀電極171收集的載流子。第二電極170可以由銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)或其組合物形成。在一實(shí)施方式中，第二指狀電極171和第二匯流條172可以是整體。第一指狀電極161和第二指狀電極171可以交替形成，并且交替的基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150可以與基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150上的第一指狀電極161和第二指狀電極171形成交叉梳狀結(jié)構(gòu)。第一電極160，具體來說是第一指狀電極161可以電連接至基極區(qū)140。第二電極170，具體來說是第二指狀電極171可以電連接至發(fā)射極區(qū)150。第一指狀電極161中每一個(gè)的寬度Ml與第二指狀電極171中每一個(gè)的寬度M2之間的比率C(C=M1/M2)可以在大約0.3到大約3.4的范圍內(nèi)。詳細(xì)地說，寬度比C可以在大約0.4到大約2.5的范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，寬度比C可以是1.0，使得第一指狀電極161中每一個(gè)的寬度Ml與第二指狀電極171中每一個(gè)的寬度M2可具有基本相同的值。以下結(jié)合圖3和圖4給出對寬度比C的詳細(xì)描述。第一指狀電極161中每一個(gè)的寬度Ml可以形成為大于基極區(qū)140的寬度W1。第二指狀電極171中每一個(gè)的寬度M2可以形成為小于發(fā)射極區(qū)150的寬度W2。由于第一指狀電極161中每一個(gè)的寬度Ml被形成為大于基極區(qū)140的寬度W1，因此會存在第一指狀電極161與發(fā)射極區(qū)150重疊的區(qū)域0L。由于重疊區(qū)域OL中的第一指狀電極161與發(fā)射極區(qū)150具有相反的導(dǎo)電類型，因此會發(fā)生分流，并提供絕緣層180來防止這種分流。在本實(shí)施例中，并且在該公開內(nèi)容中其它處描述的實(shí)施例中，重疊區(qū)域OL的寬度可以描述為0L< (Ml-Wl)/2。如上所述，絕緣層180可以位于發(fā)射極區(qū)150與基極電極(第一電極160和第二電極170)之間，以防止分流。然而，在發(fā)射極區(qū)150與基極電極之間發(fā)生分流的可能性會隨著OL值增大而增大。為了最小化這種可能性，并防止光伏器件的效率降低，可以減小Ml。例如，分流的可能性可以在M1〈M2的條件下降低。絕緣層180可以包括第一絕緣層181和第二絕緣層182。第一絕緣層181和第二絕緣層182可以形成在基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150之上且第一電極160和第二電極170之下，從而防止具有相反導(dǎo)電類型的構(gòu)成元件之間的分流。第一絕緣層181和第二絕緣層182可以包括通孔，第一電極160和第二電極170可以通過通孔分別直接接觸基極區(qū)140和發(fā)射極區(qū)150。第一電極160可以通過通孔電連接至基極區(qū)140。第二電極170可以通過通孔電連接至發(fā)射極區(qū)150。第一絕緣層181和第二絕緣層182可以形成為例如氧化硅(SiOx)層或氮化硅(SiNx)層。例如，第一絕緣層181可以形成為氧化硅層，并且第二絕緣層182可以形成為氮化硅層。在另一實(shí)施方式，第一絕緣層181可以形成為氮化硅層，并且第二絕緣層182可以形成為氧化硅層。第一絕緣層181和第二絕緣層182均可以形成為具有大約500A到大約3000人的厚度。在另一示例實(shí)施例中，第一絕緣層181可以形成為氧化硅(SiOx)層或氮化硅(SiNx)層，并且第二絕緣層182可以由聚酰亞胺形成?？商娲?，第二絕緣層182可以由乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)形成。第一絕緣層181可以形成為具有大約500A到大約3000A的厚度，并且第二絕緣層182可以形成為具有大約0.5 ii m到大約30 ii m的厚度。在根據(jù)本示例實(shí)施例的光伏器件100中，發(fā)射極區(qū)150的寬度W2形成為大于基極區(qū)140的寬度，以增大短路電流Jsc。并且，為了減小串聯(lián)電阻，第一電極160和第二電極170,具體是第一指狀電極161和第二指狀電極171形成為具有第一指狀電極161與第二指狀電極171之間的合適的寬度比C。當(dāng)?shù)谝恢笭铍姌O161與第二指狀電極171的寬度比C不在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，第一指狀電極161和第二指狀電極171之一或兩者的電阻會增大，這會引起光伏器件100的總效率的降低?，F(xiàn)在將結(jié)合圖3和圖4描述根據(jù)本示例實(shí)施例的光伏器件100的第一指狀電極161的寬度Ml與第二指狀電極171的寬度M2之間的比率C (C=M1/M2)。圖3示出用于解釋寬度比C的概念性示意圖。圖4示出顯示根據(jù)第一電極與第二電極的寬度比C (=M1/M2)的串聯(lián)電阻R的曲線圖。盡管在圖3中第 一指狀電極161和第二指狀電極171的數(shù)目是2，但這僅僅是光伏器件100 —部分的圖示，并且第一指狀電極161和第二指狀電極171的數(shù)目不限于此。圖3中的參數(shù)如下。Dn:第一指狀電極161的寬度，Dn=MlDp:第二指狀電極171的寬度，Dp=M2Sn:基極區(qū)140的寬度，Sn=WlSp:發(fā)射極區(qū)150的寬度，Sp=W2Nn:第一指狀電極161的數(shù)目Np:第二指狀電極171的數(shù)目L:第一指狀電極161和第二指狀電極171中每一個(gè)的長度，L Dn, DpW:光伏器件100的寬度相應(yīng)地，W=SnX (基極區(qū)的數(shù)目)+SpX (發(fā)射極區(qū)的數(shù)目)單元間距:Sn+Sp具有長度L的第一指狀電極161的功率損耗Pn可以由方程(I)表示:
權(quán)利要求
1.一種光伏器件，所述光伏器件包括: 襯底，所述襯底具有基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)，所述基極區(qū)具有第一寬度，并且所述發(fā)射極區(qū)具有第二寬度； 與所述基極區(qū)相接觸并電連接至所述基極區(qū)的第一電極，在所述第一電極覆在所述基極區(qū)上的位置所述第一電極具有第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度，使得所述第一電極在所述基極區(qū)的至少一側(cè)處懸垂在所述基極區(qū)上；以及 與所述發(fā)射極區(qū)相接觸并且電連接至所述發(fā)射極區(qū)的第二電極，在所述第二電極覆在所述發(fā)射極區(qū)上的位置所述第二電極具有第四寬度，所述第三寬度與所述第四寬度的比率為 0.3 至 3.4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中所述第三寬度與所述第四寬度的比率為0.4至 2.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中: 所述襯底包括多個(gè)基極區(qū)和多個(gè)發(fā)射極區(qū)，所述多個(gè)基極區(qū)和所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)被布置為交替的條紋， 所述第一電極包括多個(gè)第一部分，所述第一電極的多個(gè)第一部分分別對應(yīng)于所述多個(gè)基極區(qū)，并且 所述第二電極包括多個(gè)第一部分，所述第二電極的多個(gè)第一部分分別對應(yīng)于所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光伏器件，其中: 所述第一電極的第一部分中的每一個(gè)具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第三寬度，并且所述下部分具有小于所述第三寬度的第五寬度，所述第五寬度對應(yīng)于所述下部分與對應(yīng)的基極區(qū)的接觸界面，并且 所述第二電極的第一部分中的每一個(gè)具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第四寬度，并且所述下部分具有小于所述第四寬度的第六寬度，所述第六寬度對應(yīng)于所述下部分與對應(yīng)的發(fā)射極區(qū)的接觸界面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光伏器件，其中所述第一電極的第一部分通過所述第一電極的第二部分連接，并且所述第二電極的第一部分通過所述第二電極的第二部分連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光伏器件，其中所述第一電極的第一部分與所述第二電極的第一部分交替布置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中所述基極區(qū)摻有第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，所述發(fā)射極區(qū)摻有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，并且所述襯底摻有與所述基極區(qū)相同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)形成在所述襯底中，或者所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)形成在所述襯底上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中所述第一電極的懸垂在所述基極區(qū)上的側(cè)部也與相鄰的發(fā)射極區(qū)的一部分重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光伏器件，其中所述第二寬度大于所述第一寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光伏器件，所述光伏器件進(jìn)一步包括介于所述第一電極的所述側(cè)部與相鄰的發(fā)射極區(qū)的所述一部分之間的絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光伏器件，其中所述絕緣層包括第一層和第二層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光伏器件，其中所述第一層和所述第二層由不同的材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所 述的光伏器件，其中所述第一層由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二層由聚合物形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光伏器件，其中所述第一層具有500A到3000A的厚度，并且所述第二層具有0.5 μ m到30 μ m的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光伏器件，其中所述第一層由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二層由氧化硅或氮化硅形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光伏器件，其中所述第一層具有500A到3000人的厚度，并且所述第二層具有500人到3000A的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光伏器件，其中所述絕緣層是具有8000A或更大厚度的單層。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光伏器件，其中所述第一電極通過所述絕緣層中的接觸孔接觸所述基極區(qū)，并且所述第二電極通過所述絕緣層中的另一接觸孔接觸所述發(fā)射極區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中所述襯底的與所述第一電極和所述第二電極相對的前表面上具有鈍化層，所述鈍化層由摻雜的非晶半導(dǎo)體材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光伏器件，該光伏器件包括襯底，所述襯底具有基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)，所述基極區(qū)具有第一寬度，并且所述發(fā)射極區(qū)具有第二寬度；與所述基極區(qū)相接觸并電連接至所述基極區(qū)的第一電極，在所述第一電極覆在所述基極區(qū)上的位置所述第一電極具有第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度，使得所述第一電極在所述基極區(qū)的至少一側(cè)處懸垂在所述基極區(qū)上；以及與所述發(fā)射極區(qū)相接觸并且電連接至所述發(fā)射極區(qū)的第二電極，在所述第二電極覆在所述發(fā)射極區(qū)上的位置所述第二電極具有第四寬度，所述第三寬度與所述第四寬度的比率為大約0.3至大約3.4。
文檔編號H01L31/04GK103165691SQ201210521008
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者金英水, 牟燦濱 申請人:三星Sdi株式會社