技術(shù)總結(jié)
一種相變存儲器的制作方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括相變存儲器區(qū)和外圍電路區(qū)，所述外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體襯底上具有外圍電路晶體管的柵極；形成相變存儲器的底部電極的下電極部和外圍電路晶體管的第一接觸孔；形成所述相變存儲器的底部電極的上電極部和外圍電路晶體管的第二接觸孔，所述上電極部位于所述下電極部上并互相連通，所述第二接觸孔位于所述第一接觸孔上并互相連通，所述上電極部的徑寬小于所述下電極部的徑寬；形成所述相變存儲器的相變層；形成連接所述第二接觸孔的溝槽和部分暴露所述相變層的通孔。這樣的相變存儲器的制作方法能確保第二接觸孔中填充的導(dǎo)電材料不會出現(xiàn)填充空洞，保證了器件的有效工作。

技術(shù)研發(fā)人員：李瑩;朱南飛;吳關(guān)平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201210492217
技術(shù)研發(fā)日：2012.11.27
技術(shù)公布日：2017.05.17