技術(shù)編號(hào)：11868267
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝，尤其涉及一種相變存儲(chǔ)器的制作方法。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、多值實(shí)現(xiàn)等諸多方面較快閃存儲(chǔ)器（FLASH）都具有較大的優(yōu)越性，成為目前不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)研究的焦點(diǎn)。在相變存儲(chǔ)器（PCRAM）中，可以通過對(duì)記錄了數(shù)據(jù)的相變層進(jìn)行熱處理，而改變存儲(chǔ)器的值。構(gòu)成相變層的相變材料會(huì)由于所施加電流的加熱效果而進(jìn)入結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)。當(dāng)相變層處于結(jié)晶狀態(tài)時(shí)，相變存儲(chǔ)器的電阻較低，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“0”。當(dāng)相變層處于非晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。