技術(shù)特征：
1.一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括相變存儲(chǔ)器區(qū)和外圍電路區(qū)，所述外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體襯底上具有外圍電路晶體管的柵極；同時(shí)形成相變存儲(chǔ)器的底部電極的下電極部和外圍電路晶體管的第一接觸孔；同時(shí)形成所述相變存儲(chǔ)器的底部電極的上電極部和外圍電路晶體管的第二接觸孔，所述上電極部位于所述下電極部上并與所述下電極部連通，所述第二接觸孔位于所述第一接觸孔上并與所述第一接觸孔連通，所述上電極部的徑寬小于所述下電極部的徑寬；形成所述相變存儲(chǔ)器的相變層；形成連接所述第二接觸孔的溝槽和暴露所述相變層的第三通孔。2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述形成相變存儲(chǔ)器的底部電極的下電極部和外圍電路晶體管的第一接觸孔的工藝包括：在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋過(guò)所述外圍電路晶體管的柵極；在所述第一介質(zhì)層上形成光刻膠，然后利用光刻和刻蝕工藝形成第一通孔，所述第一通孔用于形成所述下電極部和第一接觸孔；在所述第一通孔中填充導(dǎo)電材料以形成所述下電極部和第一接觸孔。3.如權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述形成相變存儲(chǔ)器的底部電極的上電極部和外圍電路晶體管的第二接觸孔的工藝包括：在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層上形成光刻膠，然后利用光刻和刻蝕工藝形成第二通孔，所述第二通孔用于形成所述上電極部和第二接觸孔；在所述第二通孔中填充導(dǎo)電材料以形成所述上電極部和第二接觸孔。4.如權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的厚度小于所述第一介質(zhì)層。5.如權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，形成所述相變存儲(chǔ)器的相變層的工藝包括：在所述第二介質(zhì)層上沉積相變材料，形成相變材料層；在所述相變材料層上形成光刻膠，然后利用光刻和刻蝕工藝在所述上電極部上形成所述相變層。6.如權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，在所述相變材料層上形成光刻膠之前還包括在所述相變材料層上形成阻擋層的步驟。7.如權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，相變材料包括硫族化合物。8.如權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述形成連接所述第二接觸孔的溝槽和暴露所述相變層的第三通孔的工藝包括：在所述第二介質(zhì)層上形成第三介質(zhì)層；在所述第三介質(zhì)層上形成光刻膠，然后利用光刻和刻蝕工藝形成暴露第二接觸孔的溝槽和暴露所述相變層上表面的所述第三通孔；所述制作方法還包括：在所述溝槽和第三通孔中填充導(dǎo)電材料以形成連接所述第二接觸孔的金屬層和相變存儲(chǔ)器的頂部電極。9.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述上電極部的徑寬為下電極部的一半。10.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述上電極部的徑寬和所述第二接觸孔的徑寬相同。