包括塊體金屬的扇出封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種含塊體金屬的扇出封裝件。器件包括：聚合物；器件管芯，位于聚合物中；和多個組件通孔(TAV)，從聚合物的頂面延伸到聚合物的底面。塊體金屬部件位于聚合物中且其所具有的頂視圖尺寸大于多個TAV中的每一個TAV的頂視圖尺寸。塊體金屬部件是電浮動。聚合物、器件管芯、多個TAV和塊體金屬部件是封裝件的部分。
【專利說明】包括塊體金屬的扇出封裝件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開總體上涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及一種包括塊體金屬的扇出封裝件。【背景技術(shù)】
[0002]在封裝含集成電路的器件管芯的過程中，可以在晶圓級的模塑料中模制器件管芯，并且形成重布線以連接至器件管芯。為了在模塑料中模制器件管芯，要先將器件管芯安裝在玻璃晶圓上。將組合的玻璃晶圓、器件管芯和模塑料用作復(fù)合晶圓，然后進行傳送。在對復(fù)合晶圓進行工藝步驟的過程中，和常規(guī)的半導(dǎo)體晶圓一樣，復(fù)合晶圓被固定在工作盤上。
[0003]因為模塑料的熱膨脹系數(shù)(CTE)和玻璃晶圓的CTE存在明顯的差異，所以復(fù)合晶圓具有翅曲度(warpage)。翅曲度可能高達大約1.5mm或更高。這就給拿起和傳送復(fù)合晶圓的工具造成了麻煩。例如，可以使用吸入壓頭拿起復(fù)合晶圓，然后將其放置在工作盤上。由于翹曲度，所以在吸入壓頭和復(fù)合晶圓之間很難形成真空，以利用真空將復(fù)合晶圓吸附在吸入壓頭上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種封裝件，包括:聚合物；器件管芯，位于聚合物中；多個組件通孔(TAV)，從聚合物的頂面延伸到聚合物的底面；以及第一塊體金屬部件，位于聚合物中，并且從上向下看時，第一塊體金屬部件的尺寸大于多個TAV中的每一個的尺寸。
[0005]其中，第一塊體金屬部件鄰近封裝件的邊緣。
[0006]其中，第一塊體金屬部件的邊緣與封裝件的邊緣對準。
[0007]其中，從上向下看時，封裝件中的所有塊體金屬部件的總面積大于封裝件的總面積的大約5%。
[0008]該封裝件進一步包括:位于聚合物中的第二塊體金屬部件，第二塊體金屬部件電接地。
[0009]其中，多個TAV的頂端與器件管芯的電連接件的頂端和第一塊體金屬部件的頂端基本平齊，并且多個TAV的底端與第一塊體金屬部件的底端平齊。
[0010]其中，多個TAV的頂端與器件管芯的電連接件的頂端基本平齊，第一塊體金屬部件的頂端低于多個TAV的頂端，并且多個TAV的底端與第一塊體金屬部件的底端平齊。
[0011]該封裝件進一步包括:載體，位于器件管芯和聚合物的下方；以及多個器件管芯，位于聚合物中，從上往下看時，第一塊體金屬部件的尺寸基本等于載體的尺寸，并且第一塊體金屬部件連續(xù)在多個器件管芯之間延伸。
[0012]此外，還提供給了一種封裝件，包括:聚合物；器件管芯，位于聚合物中；多個組件通孔(TAV)，每個TAV均從聚合物的頂面延伸到聚合物的底面；以及第一塊體金屬部件，位于聚合物中，第一塊體金屬部件的邊緣與封裝件的邊緣對準。[0013]其中，多個TAV的頂端、器件管芯的電連接件的頂端和第一塊體金屬部件的頂端彼此基本平齊，并且多個TAV的底端和第一塊體金屬部件的底端彼此基本平齊。
[0014]其中，第一塊體金屬部件電浮置，并且器件進一步包括位于聚合物中的第二塊體金屬部件，第二塊體金屬部件電接地。
[0015]該封裝件進一步包括:載體，位于器件管芯和聚合物的下方；以及多個器件管芯，位于聚合物中，第一塊體金屬部件連續(xù)在多個器件管芯之間延伸。
[0016]其中，從上往下看時，封裝件中的所有塊體金屬部件的總面積大于封裝件的總面積的大約5%。
[0017]其中，多個TAV和第一塊體金屬部件具有相同的組分。
[0018]該封裝件進一步包括:粘合劑，位于第一塊體金屬部件的下方并且與第一塊體金屬部件接觸，不存在位于多個TAV下方并與多個TAV接觸的粘合劑。
[0019]此外，還提供了一種方法，包括:在載體的上方形成多個組件通孔(TAV);在載體的上方放置器件管芯，器件管芯包括電連接件；在聚合物中模制多個TAV、器件管芯和塊體金屬部件，其中，從上往下看時，塊體金屬部件的尺寸大于多個TAV中的每一個的尺寸；減薄聚合物，以露出多個TAV和器件管芯的電連接件；以及在多個TAV和器件管芯的電連接件的上方形成重布線層(RDL)，并且RDL連接至多個TAV和器件管芯的電連接件。
[0020]其中，在減薄聚合物之后，露出塊體金屬部件。
[0021]其中，在減薄聚合物之后，通過聚合物的層覆蓋塊體金屬部件。
[0022]該方法進一步包括:在聚合物中模制多個TAV、器件管芯和塊體金屬部件的步驟之前，在載體的上方形成圖案化的光刻膠；在圖案化的光刻膠的開口中同時噴鍍塊體金屬部件和多個TAV;以及去除圖案化的光刻膠，在去除圖案化的光刻膠之后進行放置器件管芯的步驟。
[0023]該方法進一步包括:在聚合物中模制多個TAV、器件管芯和塊體金屬部件的步驟之前，在載體的上方形成圖案化的光刻膠；在圖案化的光刻膠的開口中噴鍍多個TAV;去除圖案化的光刻膠；以及在去除圖案化的光刻膠之后，在載體的上方粘合塊體金屬部件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更全面地理解實施例及其優(yōu)勢，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進行的描述作為參考，其中:
[0025]圖1至圖9示出了根據(jù)一些示例性實施例的制造包括被模制在聚合物中的器件管芯的封裝件的中間階段的截面圖，其中，通過鍍工藝，在聚合物中形成塊體金屬(bulkmetal)部件；
[0026]圖9B示出了圖9A中所示結(jié)構(gòu)的頂視圖；
[0027]圖10至圖16示出了根據(jù)可選的示例性實施例的制造含被模制在聚合物中的器件管芯的封裝件的中間階段的截面圖，其中，通過放置工藝，在聚合物中形成塊體金屬部件；以及
[0028]圖12B示出了圖12A中所示結(jié)構(gòu)的頂視圖。
【具體實施方式】[0029]下面，詳細討論本公開各實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0030]根據(jù)各種示例性實施例，本申請?zhí)峁┝朔庋b件結(jié)構(gòu)及其形成方法。示出了形成封裝件結(jié)構(gòu)的中間階段。討論了實施例的變化。通過各種視圖和示出的實施例，相同的參考數(shù)字用于表示相同的元件。
[0031]圖1至圖9示出了根據(jù)一些示例性實施例的制造封裝件結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖。根據(jù)一些實施例，封裝件結(jié)構(gòu)可以是封裝層疊(Package-on_Package,PoP)結(jié)構(gòu)。參見圖1，提供載體20，并且，在載體20上形成粘結(jié)層22。載體20可以是玻璃載體、陶瓷載體或其他。粘結(jié)層22可以由粘合劑(如紫外光(UV)膠)形成。
[0032]在一些實施例中，在粘結(jié)層22的上方形成聚合物層24。例如，聚合物層24可以是聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、或其他。例如，通過物理氣相沉積(PVD)，在聚合物層24上形成鍍晶種層26。晶種層26可以包括銅、鋁、和/或其他。聚合物層24當作用于鍍晶種層26的基膜。在可選的實施例中，不會形成聚合物層24，在粘結(jié)層22上形成晶種層26。在晶種層26的上方形成光刻膠28，然后圖案化光刻膠28。因此，在光刻膠28中形成開口 30，通過開口 30露出晶種層26的一些部分。
[0033]如圖2所示，通過鍍工藝(可以是電鍍或無電鍍)，在光刻膠28中形成金屬部件32和34。在晶種層26的露出部分上鍍金屬部件32和34。通過整個描述，金屬部件32被稱為組件通孔(through assembly via) (TAV) 32,且金屬部件34被稱為塊體金屬部件34。TAV 32的頂視圖形狀可以是矩形、正方形、圓形或其他形狀。塊體金屬部件34的尺寸遠大于TAV 32的尺寸。例如，塊體金屬部件34的寬度Wl可以是TAV 32的寬度W2的大約1.25倍、2.25倍或5.0倍。雖然沒有示出，但是，在圖2所示的結(jié)構(gòu)的頂視圖中，TAV 32和塊體金屬部件34的長度分別等于或大于寬度Wl和W2。在一些實施例中，寬度Wl介于大約100 μ m和大約500 μ m的范圍內(nèi)，或大約300 μ m和大約400 μ m的范圍內(nèi)，并且寬度W2可以介于大約400 μ m和大約800 μ m的范圍內(nèi)。
[0034]然后去除光刻膠28。因此，露出被光刻膠28覆蓋的晶種層26的一些部分。然后進行蝕刻步驟，以去除晶種層26的露出部分。另一方面，沒有蝕刻與TAV 32和塊體金屬部件34重疊的晶種層26的部分。所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)如圖3所示。在圖3中，因為形成晶種層26的材料可以與形成相應(yīng)的上覆TAV 32和塊體金屬部件34的材料相似或相同，所以不再顯示晶種層26，并且晶種層26與上覆的TAV 32和塊體金屬部件34融合，并且成為其的部分。TAV 32和塊體金屬部件34同時形成，因此它們由相同的材料形成,并且具有相同的材料組分。在一些實施例中，TAV 32的頂面32A與塊體金屬部件34的頂面34A平齊。在可選的實施例中，TAV 32的頂面32A高于塊體金屬部件34的頂面34A。
[0035]圖4示出了(例如，使用粘結(jié)層38)在聚合物層24上布置封裝組件36。在一些實施例中，封裝組件36包括器件管芯，該器件管芯可以是邏輯管芯、存儲管芯或其他。器件管芯也可以包括有源器件(未示出)(如晶體管)、無源器件(未示出)(如電阻器、電容器和/或其他)。封裝組件36也可以是包括器件管芯、中介層、封裝襯底(未示出)、和/或其他的封裝件。
[0036]電連接件40 (如銅柱)用作封裝組件36的頂部，并且電連接到封裝組件36中的器件。在一些實施例中，電連接件40凸出于封裝組件36的剩余部分之上。在可選的實施例中，在封裝組件36的頂面上形成介電層42，而電連接件40所具有的至少較低部分位于介電層42中。介電層42的頂面也可以與電連接件40的頂端大致平齊。
[0037]參見圖5，在封裝組件36、TAV 32和塊體金屬部件34上模制聚合物44。聚合物44填充于封裝組件36、TAV 32和塊體金屬部件34之間的間隙，并且可以與聚合物層24接觸。聚合物44可以包括模塑料、模制底層填料、或環(huán)氧樹脂。聚合物44的頂面高于電連接件40、TAV 32和塊體金屬部件34的頂端。接著，進行減薄步驟，可以是研磨步驟，以減薄聚合物44，直到露出電連接件40和TAV 32。在一些實施例中，露出塊體金屬部件34的頂面。所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)如圖6所示。由于減薄步驟，TAV 32的頂端/面32A和塊體金屬部件34的頂端34A與電連接件40的端部/面40A大致平齊，并且與聚合物44的頂面44A大致平齊。在可選的實施例中，減薄步驟之后，塊體金屬部件34的頂端沒有露出并且被聚合物44的剩余層覆蓋。在這些實施例中，虛線34C表示塊體金屬部件34的頂端的位置，并且，可用聚合物44填滿區(qū)域37。通過整個描述，圖6中所示的結(jié)構(gòu)被稱為復(fù)合晶圓52，該復(fù)合晶圓52可具有硅晶圓的頂視圖形狀且其尺寸接近硅晶圓的尺寸。
[0038]圖7示出了重布線(RDL) 46、介電層48和電連接件50的形成。在聚合物44的上方形成RDL 46，以連接到電連接件40和TAV 32，并且可以使電連接件40和TAV 32互連，或者也可以不使其互連。在一些實施例中，通過沉積金屬層形成RDL 46，然后圖案化該金屬層。在可選的實施例中，使用波形花紋(damascene)工藝形成RDL 46和介電層48。RDL46可以包括鋁、銅、鎢、和/或其合金。
[0039]圖7也示出了電連接件50的形成。在一些示例性實施例中，連接件50的形成包括在RDL 46的露出部分上放置焊料球，然后回流該焊料球。在可選的實施例中，連接件50的形成包括進行鍍步驟，以在RDL 46上形成焊料區(qū)域，然后回流該焊料區(qū)域。連接件50也可以包括金屬柱，或金屬柱和焊料帽，它們還可以通過鍍工藝形成。
[0040]圖8示出了頂封裝組件54與連接件50的接合。頂層填料56分布在頂封裝組件54和底封裝件58之間的空間里。頂封裝組件54可以是封裝件、器件管芯或其他。在后續(xù)的工藝步驟中，去除載體20、粘結(jié)層22和聚合物層24，且所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)如圖9A中所示。RDL62和連接件64可以與RDL46和連接件50基本相同，并且可以形成在TAV 32的底側(cè)和電連接到TAV32。介電層60也可以形成在TAV 32的底側(cè)上。
[0041 ] 沿著劃線66A或66B將所得到的結(jié)構(gòu)鋸切成封裝件58，其中，每個封裝件58均包括與底封裝件58接合的頂封裝組件54。底封裝件58包括封裝組件36、TAV 32、塊體金屬部件34、聚合物44、RDL 46、介電層48、RDL 62和連接件64。在一些實施例中，沿著劃線66A進行鋸切，因此塊體金屬部件34與封裝件58的邊緣58B稍微地分隔。在可選的實施例中，沿著劃線66B進行鋸切，因此塊體金屬部件34的邊緣與封裝件58的相應(yīng)邊緣58B對準。
[0042]在RDL 46的形成中，例如，可以將圖7和圖8中所示的復(fù)合晶圓52拿起并傳送到工作盤上(未示出)。用于拿起和傳送復(fù)合晶圓52的工具可以是吸入壓頭(未示出)，該吸入壓頭與載體20的底面形成真空。此外，通過真空，工作盤可以將復(fù)合晶圓52固定住。這就要求復(fù)合晶圓52的翹曲度很低。雖然聚合物44的熱膨脹系數(shù)(CTE)可以明顯小于載體20的CTE，但是復(fù)合晶圓52的翹曲度可以是明顯的。另一方面，塊體金屬部件34的CTE大于載體20的CTE。塊體金屬部件34的高CTE補償了聚合物44的低CTE，因此，使得包含聚合物44和塊體金屬部件34的組合結(jié)構(gòu)的整體CTE接近載體20的CTE。因此，復(fù)合晶圓52的翹曲度變小，并且更容易進行圖7和圖8中所示的步驟。
[0043]圖9B示出了封裝件58的頂視圖，其包括封裝組件36、聚合物44、TAV 32、和塊體金屬部件34。在一些實施例中，鄰近封裝件58的邊緣58B處形成塊體金屬部件34。塊體金屬部件34的一個或多個邊緣34B也可以與封裝件58的相應(yīng)邊緣58B對準。在示出的實施例中，塊體金屬部件34包括兩個部分，每個部分均沿著封裝件58的一個邊緣58B延伸。塊體金屬部件34的長度可以接近或等于封裝件58的相應(yīng)邊緣58B的長度。在可選的實施例中，封裝件58可以包括一個、三個、四個或更多個塊體金屬部件34。也可以在遠離封裝件58的邊緣處形成一些塊體金屬部件34。
[0044]塊體金屬部件34可以是虛擬部件，其是電浮動并且與TAV 32和RDL46不相連(如圖9A)。此外，塊體金屬部件34可以與其他集成電路和RDL46物理分隔。例如，塊體金屬部件34的頂面和底面可以與介電材料相接觸。一些塊體金屬部件34也可以用作接地的接地連接件。
[0045]封裝件58中的塊體金屬部件34的整個頂視圖面積大于TAV 32的整個頂視圖面積，并且可以是TAV 32的整個頂視圖面積的兩倍、四倍或更多倍。封裝件58中的塊體金屬部件34的整個頂視圖面積也可以大于封裝件58的頂視圖面積的大約5%、大約10%或更高的百分比。
[0046]圖10到圖16示出了根據(jù)可選的實施例的形成封裝件結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖。除非有特定說明，否則這些實施例中的組件的材料和形成方法基本上與相同組件的一樣，用圖1到圖9B所示實施例中的參考數(shù)字來表示。在圖1到圖9B中所示實施例的討論中可以找到關(guān)于圖10到圖16中所示組件的形成工藝和材料的詳細內(nèi)容。
[0047]參見圖10，提供載體20，并且在載體20的上方形成粘結(jié)層22、聚合物層24和晶種層26。然后形成光刻膠28并對其進行圖案化。接著，如圖11所示，形成TAV 32，然后去除光刻膠28并且蝕刻晶種層26(圖10)。此外，在所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)中，晶種層26的剩余部分被認為是TAV 32的部分。
[0048]在圖12A中，通過粘合劑35將預(yù)先形成的塊體金屬部件34粘結(jié)在聚合物層24上。TAV和塊體金屬部件34可以由相同的材料形成且具有相同的組分，或可以由不同的材料形成。圖12B示出了圖12A中所示結(jié)構(gòu)的頂視圖，其中，從圖12B中的平面交叉線12A-12A得到圖12A中所示的截面圖。如圖12B所示，塊體金屬部件34所具有的尺寸可以接近載體20的尺寸，其上包括多個封裝組件36。圖12B中的矩形代表封裝組件36和TAV 32。塊體金屬部件34也繼續(xù)地在封裝組件36和TAV 32之間延伸。
[0049]圖13到16中示出了根據(jù)這些實施例的剩下的工藝步驟。后續(xù)工藝步驟的詳情基本上與圖5到圖9B中所示的相同，因此，此處無需重復(fù)介紹。圖16示出了產(chǎn)生的示例性封裝件58。
[0050]通過塊體金屬部件34的形成，復(fù)合晶圓52的翹曲度(圖8和圖15)可以明顯減小。在模擬情況下，當沒有形成塊體金屬部件時，相應(yīng)的復(fù)合晶圓的翹曲度是大約1.55 μ m。當形成圖8中所示的實施例時,復(fù)合晶圓52的翅曲度減小到大約1.12 μ m。當形成圖15所示的實施例時，復(fù)合晶圓52的翹曲度減小到大約1.39 μ m。隨著翹曲度的減小，在進行工藝時，工藝難度也會降低。
[0051]根據(jù)實施例，一種器件包括:聚合物；器件管芯；位于聚合物中；和多個TAV，從聚合物的頂面延伸到聚合物的底面。塊體金屬部件位于聚合物中，且所具有的頂視圖尺寸大于多個TAV中的每一個的頂視圖尺寸。塊體金屬部件是電浮動。聚合物、器件管芯、多個TAV以及塊體金屬部件是封裝件的部分。
[0052]根據(jù)其他實施例，一種器件包括:聚合物；和器件管芯，位于聚合物中。多個TAV從聚合物的頂面延伸到聚合物的底面。塊體金屬部件位于聚合物中，其中，聚合物、器件管芯、多個TAV以及塊體金屬部件包含在封裝件中。塊體金屬部件的一個邊緣與封裝件的一個邊緣對準。
[0053]根據(jù)其他實施例，一種方法包括:在載體的上方形成多個TAV ;和在載體的上方放置器件管芯，其中，器件管芯包括電連接件。多個TAV、器件管芯和塊體金屬部件模制在聚合物中，其中，塊體金屬部件所具有的頂視圖尺寸大于多個TAV中每一個的頂視圖尺寸。減薄聚合物，以露出多個TAV和器件管芯的電連接件。重布線形成在多個TAV和器件管芯的電連接件的上方并且與之連接。在載體的上方可以鍍或粘合塊體金屬部件。
[0054]盡管已經(jīng)詳細地描述了實施例及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的實施例主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本公開，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本公開所采用的所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)構(gòu)的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟本屆本公開可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本公開的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種封裝件，包括: 聚合物； 器件管芯，位于所述聚合物中； 多個組件通孔(TAV)，從所述聚合物的頂面延伸到所述聚合物的底面；以及第一塊體金屬部件，位于所述聚合物中，并且從上向下看時，所述第一塊體金屬部件的尺寸大于所述多個TAV中的每一個的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述第一塊體金屬部件鄰近所述封裝件的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝件，其中，所述第一塊體金屬部件的邊緣與所述封裝件的邊緣對準。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝件，其中，從上向下看時，所述封裝件中的所有塊體金屬部件的總面積大于所述封裝件的總面積的大約5%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，進一步包括:位于所述聚合物中的第二塊體金屬部件，所述第二塊體金屬部件電接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述多個TAV的頂端與所述器件管芯的電連接件的頂端和所述第一塊體金屬部件的頂端基本平齊，并且所述多個TAV的底端與所述第一塊體金屬部件的底端平齊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述多個TAV的頂端與所述器件管芯的電連接件的頂端基本平齊，所述第一塊體金屬部件的頂端低于所述多個TAV的頂端，并且所述多個TAV的底端與所述第一塊體金屬部件的底端平齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，進一步包括: 載體，位于所述器件管芯和所述聚合物的下方；以及 多個器件管芯，位于所述聚合物中，從上往下看時，所述第一塊體金屬部件的尺寸基本等于所述載體的尺寸，并且所述第一塊體金屬部件連續(xù)在所述多個器件管芯之間延伸。
9.一種封裝件,包括: 聚合物； 器件管芯，位于所述聚合物中； 多個組件通孔(TAV)，每個TAV均從所述聚合物的頂面延伸到所述聚合物的底面；以及第一塊體金屬部件，位于所述聚合物中，所述第一塊體金屬部件的邊緣與所述封裝件的邊緣對準。
10.一種方法，包括: 在載體的上方形成多個組件通孔(TAV)； 在所述載體的上方放置器件管芯，所述器件管芯包括電連接件； 在聚合物中模制所述多個TAV、所述器件管芯和塊體金屬部件，其中，從上往下看時，所述塊體金屬部件的尺寸大于所述多個TAV中的每一個的尺寸； 減薄所述聚合物，以露出所述多個TAV和所述器件管芯的所述電連接件；以及在所述多個TAV和所述器件管芯的所述電連接件的上方形成重布線層(RDL)，并且所述RDL連接至所述多個TAV和所述器件管芯的所述電連接件。
【文檔編號】H01L23/31GK103681533SQ201210489072
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月5日
【發(fā)明者】胡延章, 黃昶嘉, 蕭景文, 陳承先 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司