可撓式電子裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種可撓式電子裝置及其制造方法。該可撓式電子裝置包括一第一可撓式襯底、一電子元件、一第一接口層以及一第一阻障(barrier)層。第一接口層的材質(zhì)包括一或多種金屬元素及一或多種無(wú)機(jī)金屬氧化物的組合。電子元件設(shè)置于第一可撓式襯底上，第一接口層形成于電子元件上，第一阻障層形成于第一界面層上。
【專利說(shuō)明】可撓式電子裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本
【發(fā)明內(nèi)容】
是有關(guān)于一種可撓式電子裝置及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有阻隔水氧的阻障結(jié)構(gòu)的可撓式電子裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]軟性有機(jī)發(fā)光二極管顯示器無(wú)法采用玻璃襯底(硬式襯底)對(duì)玻璃襯底的封裝方式制作，必須采用可撓式襯底封裝。然而，可撓式襯底(例如是塑料襯底)對(duì)于阻隔水氣與氧氣的效果較差，有機(jī)發(fā)光二極管對(duì)于水氣又十分敏感，因此需要在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中增加阻隔水氣的結(jié)構(gòu)。
[0003]一般常見的方式是在可撓式襯底上設(shè)置阻障層以達(dá)到阻隔水氣的效果。然而，若是設(shè)置厚度較高的單層阻障層，雖然具有良好的阻隔水氣的效果，但因?yàn)閼?yīng)力較強(qiáng)，顯示器彎曲時(shí)可能會(huì)發(fā)生斷裂。若是設(shè)置多層結(jié)構(gòu)的阻障層，卻有工藝繁雜且耗時(shí)較長(zhǎng)的問(wèn)題。因此，如何提供一種具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化工藝且能保持良好阻隔水氣的效果的軟性有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，乃為相關(guān)從業(yè)人員努力的課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本
【發(fā)明內(nèi)容】
是有關(guān)于一種可撓式電子裝置及其制造方法?？蓳鲜诫娮友b置中，經(jīng)由形成接口層于電子元件和阻障層之間或可撓式襯底和阻障層之間，可增加電子元件和阻障層之間或可撓式襯底和阻障層之間的附著性，因此無(wú)須設(shè)置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。
[0005]根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一實(shí)施例，提出一種可撓式(flexible)電子裝置?？蓳鲜诫娮友b置包括一第一可撓式襯底、一電子元件、一第一接口層以及一第一阻障(barrier)層。第一接口層的材質(zhì)包括一或多種金屬元素及一或多種無(wú)機(jī)金屬氧化物的組合。電子元件設(shè)置于第一可撓式襯底上，第一接口層形成于電子兀件上，第一阻障層形成于第一界面層上。
[0006]根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的另一實(shí)施例，提出一種可撓式電子裝置的制造方法。可撓式電子裝置的制造方法包括:提供一第一可撓式襯底；設(shè)置一電子元件于第一可撓式襯底上；以一熱蒸鍍工藝(thermal evaporation process)形成一第一接口層于電子元件上；以及形成一第一阻障層于第一界面層上。
[0007]為了對(duì)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的上述及其他方面有更好的了解，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下:
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1A繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第一實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0009]圖1B繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第二實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0010]圖2繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第三實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0011]圖3繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第四實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。[0012]圖4繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第五實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0013]圖5繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第六實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0014]圖6繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第七實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0015]圖7繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第八實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。
[0016]圖8A至圖8D繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種可撓式電子裝置的制造方法示意圖。
[0017]圖9A至圖9C繪示依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種可撓式電子裝置的制造方法示意圖。
[0018]圖1OA至圖1OC繪示依照本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種可撓式電子裝置的制造方法示意圖。
[0019]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0020]100、100’、200、300、 300’、500、600、600’:可撓式電子裝置
[0021]110:第一可撓式襯底
[0022]120:電子元件
[0023]120a:陰極
[0024]130、130’:第一界面層
[0025]140:第一阻障層
[0026]150:封裝膠材層
[0027]160:第二可撓式襯底
[0028]230:第二界面層
[0029]240:第二阻障層
[0030]370、670:功能性膜
[0031]530:第三界面層
[0032]540:第三阻障層
【具體實(shí)施方式】
[0033]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實(shí)施例中，可撓式電子裝置中，經(jīng)由形成接口層于電子元件和阻障層之間或可撓式襯底和阻障層之間，可增加電子元件和阻障層之間或可撓式襯底和阻障層之間的附著性，因此無(wú)須設(shè)置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。以下參照所附附圖詳細(xì)敘述本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實(shí)施例。附圖中相同的標(biāo)號(hào)用于標(biāo)示相同或類似之部分。需注意的是，附圖是已簡(jiǎn)化以利于清楚說(shuō)明實(shí)施例的內(nèi)容，實(shí)施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)僅為舉例說(shuō)明之用，并非對(duì)本
【發(fā)明內(nèi)容】
欲保護(hù)的范圍做限縮。具有通常知識(shí)的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)可以依據(jù)實(shí)際實(shí)施形式的需要對(duì)該些結(jié)構(gòu)加以修飾或變化。
[0034]圖1A繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第一實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，可撓式電子裝置100包括第一可撓式(flexible)襯底110、電子元件120、第一接口層130及第一阻障(barrier)層140。電子元件120設(shè)置于第一可撓式襯底上，第一接口層130形成于電子元件120上，第一阻障層140形成于第一界面層130上。第一接口層130的材質(zhì)包括一或多種金屬元素及一或多種無(wú)機(jī)金屬氧化物的組合。第一接口層130形成于電子元件120和第一阻障層140之間，可以增加電子元件120和第一阻障層140之間的附著性，提高電子元件120和第一阻障層140的密封性，進(jìn)而提升第一阻障層140阻隔水氣與氧氣的效果，延長(zhǎng)電子元件120的使用壽命。并且，經(jīng)由第一接口層130形成于電子元件120和第一阻障層140之間，無(wú)須設(shè)置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。
[0035]實(shí)施例中，如圖1A所示，第一接口層130例如是包覆電子元件120，第一阻障層140形成于第一界面層130且包覆第一接口層130及電子元件120。第一阻障層140并未接觸于電子元件120。
[0036]實(shí)施例中，第一可撓式襯底110例如是塑料聚合物襯底或具有可撓性的金屬襯底。實(shí)施例中，電子元件120例如是有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)晶體管或有機(jī)太陽(yáng)能電池等等的有機(jī)電子元件。
[0037]實(shí)施例中，金屬元素例如是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)或前述任兩種以上的金屬的合金。實(shí)施例中，無(wú)機(jī)金屬氧化物例如是銦錫氧化物(ITO)、氧化銀(Ag2O)、氧化銅(CuO)、氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈦(TiO2)、氧化釩(V2O5)或前述任兩種以上的材料的組合。實(shí)施例中，至少氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)及氧化釩(V2O5)可以經(jīng)由熱蒸鍍工藝(thermal evaporation process)形成于電子元件120上。
[0038]一實(shí)施例中，第一接口層130的材質(zhì)例如還可包括一種或多種無(wú)機(jī)非金屬元素。實(shí)施例中，無(wú)機(jī)非金屬元素例如是硒(Se)、硫(S)、銻(Te)或前述任兩種以上的金屬的合金。
[0039]一實(shí)施例中，第一接口層130的材質(zhì)例如還可包括一種或多種有機(jī)金屬化合物。實(shí)施例中，有機(jī)金屬化合物例如是銥錯(cuò)合物(iridium complex)、鋨錯(cuò)合物(osmiumcomplex)、錸錯(cuò)合物(rhenium complex)或前述任兩種以上的材料的組合。實(shí)施例中，有機(jī)金屬化合物是經(jīng)由熱蒸鍍工藝形成于電子元件120上，如此則有機(jī)金屬化合物不會(huì)在形成第一接口層130的過(guò)程中分解，而能夠保持有機(jī)金屬化合物形成于電子元件120上所具有的化合物結(jié)構(gòu)。
[0040]實(shí)施例中，如前所述，第一接口層130的材質(zhì)可以是包括多種前述材料的復(fù)合材料，因此除了可以增加電子元件120和第一阻障層140之間的附著性，尚能夠經(jīng)由復(fù)合材料具有的不同材質(zhì)而具有特殊的特性。舉例來(lái)說(shuō)，第一接口層130所包括的復(fù)合材料也可以具有導(dǎo)電特性，例如是氧化鑰/銀(MoO3Ag)復(fù)合材料、氧化鑰/銅(Mo03/Cu)復(fù)合材料或氧化鋁/鋁(Al2O3Al)復(fù)合材料。
[0041]以電子元件120是上發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode,0LED)為例，如圖1A所示，有機(jī)發(fā)光二極管最上層具有陰極(cathode) 120a，其厚度較薄，結(jié)構(gòu)較脆弱，導(dǎo)電特性也較不好。當(dāng)?shù)谝唤涌趯?30的材質(zhì)包括一導(dǎo)電材料時(shí)，例如是金、銀或銅的導(dǎo)電性金屬元素，或者是氧化鑰/銀、氧化鑰/銅或氧化鋁/鋁的導(dǎo)電性復(fù)合材料，則相當(dāng)于增加了陰極120a的厚度，其導(dǎo)電特性提升，進(jìn)而使得元件壽命大幅延長(zhǎng)。
[0042]一實(shí)施例中，也可以選擇性地在第一接口層130和第一阻障層140之間再設(shè)置一層阻障層(未繪示)，如此一來(lái)，兩層阻障層搭配一層接口層可以達(dá)到更好的阻隔水氣與氧氣的效果。本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實(shí)施例中，僅需一層或兩層阻障層搭配一層接口層，便可以達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。
[0043]實(shí)施例中，第一阻障層140的材質(zhì)例如是無(wú)機(jī)陶瓷材料，例如是金屬氧化物或金屬氮化物，且不具有導(dǎo)電性。舉例來(lái)說(shuō)，第一阻障層140的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。實(shí)施例中，第一阻障層140的材質(zhì)與第一接口層130的材質(zhì)為不同。
[0044]如圖1A所示，可撓式電子裝置100還可包括封裝膠材層(encapsulationadhesive layer) 150及第二可撓式襯底160,封裝膠材層150形成于第一阻障層140上,第二可撓式襯底160形成于封裝膠材層150上。
[0045]實(shí)施例中，封裝膠材層150的材質(zhì)是高分子材料，例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMS)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)或環(huán)氧樹脂(epoxy),封裝膠材層150用于黏合第二可撓式襯底160。實(shí)施例中,封裝膠材層150由有機(jī)材質(zhì)形成，因此也可以視作一有機(jī)層，搭配單層結(jié)構(gòu)的第一阻障層140時(shí)，有助于舒緩整體結(jié)構(gòu)的應(yīng)力，防止斷裂。
[0046]實(shí)施例中，第二可撓式襯底160例如是軟性蓋板，其材質(zhì)例如塑料聚合物或具有可撓性的金屬材料，可以是透明、半透明或不透明的。
[0047]圖1B繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第二實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，本實(shí)施例與圖1A的實(shí)施例的差別在于，可撓式電子裝置100’中，第一接口層130’形成于電子元件120的上表面，第一接口層130’并未完全包覆電子元件120。第一阻障層140形成于第一界面層130’上且包覆第一接口層130’及電子元件120。第一阻障層140接觸于電子元件120的側(cè)面。實(shí)施例中，第一接口層130’的材質(zhì)同前述實(shí)施例中關(guān)于第一接口層130的敘述，在此不再贅述。
[0048]圖2繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第三實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本實(shí)施例與圖1A的實(shí)施例的差別在于，可撓式電子裝置200還包括第二接口層230及第二阻障層240，第二界面層230形成于第一可撓式襯底110上，第二阻障層240形成于第二接口層230和電子元件120之間。
[0049]如圖2所示，實(shí)施例中，第二接口層230形成于第一可撓式襯底110和第二阻障層240之間，可以增加第一可撓式襯底110和第二阻障層240之間的附著性，提高兩者的密封性，進(jìn)而提升第二阻障層240阻隔水氣與氧氣的效果，延長(zhǎng)電子元件120的使用壽命。并且，經(jīng)由第二接口層230形成于第一可撓式襯底110和第二阻障層240之間，無(wú)須設(shè)置多層阻障層于第一可撓式襯底110上就能夠達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。本實(shí)施例中與前述實(shí)施例相同的元件沿用同樣的元件標(biāo)號(hào)，且相同元件的相關(guān)說(shuō)明請(qǐng)參考前述，在此不再贅述。
[0050]實(shí)施例中，第二接口層230的材質(zhì)同前述實(shí)施例中關(guān)于第一接口層130的敘述，在此不再贅述。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，第一界面層130和第二接口層230可以選用相同或不同的材質(zhì)。
[0051]實(shí)施例中，第二阻障層240的材質(zhì)同前述實(shí)施例中關(guān)于第一阻障層140的敘述，在此不再贅述。實(shí)施例中，第二阻障層240的材質(zhì)與第二接口層230的材質(zhì)為不同。
[0052]圖3繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第四實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖，圖4繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第五實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3?圖4，第四實(shí)施例及第五實(shí)施例與圖2的實(shí)施例的差別在于，可撓式電子裝置300、300’還包括功能性膜(functionalfilm) 370，功能性膜370形成于第一可撓式襯底110和電子元件120之間。
[0053]第四實(shí)施例中，如圖3所示，功能性膜370形成于第二阻障層240和電子元件120之間。第五實(shí)施例中，如圖4所示，功能性膜370形成于第一可撓式襯底110和第二接口層230之間。實(shí)施例中，功能性膜370例如是彩色濾光片或觸控式面板。
[0054]圖5繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第六實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，本實(shí)施例與圖3的實(shí)施例的差別在于，可撓式電子裝置500還包括第三接口層530及第三阻障層540，第三界面層530形成于第二可撓式襯底160上，第三阻障層540形成于第三接口層530和封裝膠材層150之間。
[0055]如圖5所示，實(shí)施例中，第三接口層530形成于第二可撓式襯底160和第三阻障層540之間，可以增加第二可撓式襯底160和第三阻障層540之間的附著性，提高兩者的密封性，進(jìn)而提升第三阻障層540阻隔水氣與氧氣的效果，延長(zhǎng)電子元件120的使用壽命。并且，經(jīng)由第三接口層530形成于第二可撓式襯底160和第三阻障層540之間，無(wú)須設(shè)置多層阻障層于第二可撓式襯底160上就能夠達(dá)到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。本實(shí)施例中與前述實(shí)施例相同的元件沿用同樣的元件標(biāo)號(hào)，且相同元件的相關(guān)說(shuō)明請(qǐng)參考前述，在此不再贅述。
[0056]實(shí)施例中，第三接口層530的材質(zhì)同前述實(shí)施例中關(guān)于第一接口層130的敘述，在此不再贅述。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，第一界面層130、第二接口層230及第三接口層530可以選用相同或不同的材質(zhì)。
[0057]實(shí)施例中，第三阻障層540的材質(zhì)同前述實(shí)施例中關(guān)于第一阻障層140的敘述，在此不再贅述。實(shí)施例中，第三阻障層540的材質(zhì)與第三接口層530的材質(zhì)為不同。
[0058]圖6繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第七實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖，圖7繪示本
【發(fā)明內(nèi)容】
的第八實(shí)施例的可撓式電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6?圖7，第七實(shí)施例及第八實(shí)施例與圖5的實(shí)施例的差別在于，可撓式電子裝置600、600’還包括功能性膜670，功能性膜670形成于第二可撓式襯底160和封裝膠材層150之間。
[0059]第七實(shí)施例中，如圖6所示，功能性膜670形成于第三阻障層540和封裝膠材層150之間。第八實(shí)施例中，如圖7所示，功能性膜670形成于第二可撓式襯底160和第三接口層530之間。實(shí)施例中，功能性膜670例如是彩色濾光片或觸控式面板。
[0060]以下就實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明。以下實(shí)施例及比較例I?2中，列出簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)配置，其中比較例I的結(jié)構(gòu)不包括第一接口層130，比較例2的結(jié)構(gòu)不包括第一接口層130及封裝膠材層150。然而以下的實(shí)施例僅為例示說(shuō)明之用，而不應(yīng)被解釋為本
【發(fā)明內(nèi)容】
實(shí)施的限制。
[0061](I)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)配置:第一可撓式襯底110/電子元件120/第一接口層130/阻障層/第一阻障層140/封裝膠材層150。
[0062](2)比較例I的結(jié)構(gòu)配置:第一可撓式襯底110/電子元件120/阻障層/第一阻障層140/封裝膠材層150。
[0063](3)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)配置:第一可撓式襯底110/電子元件120/阻障層/第一阻障層 140。
[0064]以下表I中，實(shí)施例及比較例I?2的樣品的水氣穿透率(WVTR)數(shù)據(jù)于60°C/90%相對(duì)濕度(relative humidity, RH)的條件下所測(cè)得，其中折彎操作(bendingoperation)的條件為折彎曲率半徑5公分且折彎次數(shù)為100次。
[0065]以下表2的數(shù)據(jù)是將實(shí)施例及比較例2的樣品靜置固定時(shí)間后測(cè)得的單位像素發(fā)光區(qū)域面積縮小的比例。
【權(quán)利要求】
1.一種可撓式電子裝置，其特征在于，包括: 一第一可撓式襯底； 一電子元件設(shè)置于該第一可撓式襯底上； 一第一接口層形成于該電子元件上，其中該第一接口層的材質(zhì)包括一或多種金屬元素及一或多種無(wú)機(jī)金屬氧化物的組合；以及一第一阻障層形成于該第一界面層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，該金屬元素選自于由金、銀、銅、鋁、鑰、鎢及其組合所構(gòu)成的群組，該無(wú)機(jī)金屬氧化物選自于由銦錫氧化物、氧化銀、氧化銅、氧化鑰、氧化鎢、氧化鈦、氧化釩及其組合所構(gòu)成的群組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，該第一接口層的材質(zhì)還包括一或多種無(wú)機(jī)非金屬元素，該無(wú)機(jī)非金屬元素選自于由硒、硫、銻及其組合所構(gòu)成的群組。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，該第一接口層的材質(zhì)還包括一或多種有機(jī)金屬化合物，該有機(jī)金屬化合物選自于由銥錯(cuò)合物、鋨錯(cuò)合物、錸錯(cuò)合物及其組合所構(gòu)成的群組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，該第一接口層的材質(zhì)包括一導(dǎo)電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括一功能性膜形成于該第一可撓式襯底和該電子元件之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 一第二界面層形成于該第一可撓式襯底上；以及 一第二阻障層形成于該第二接口層和該電子元件之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 一封裝膠材層形成于該第一阻障層上；以及 一第二可撓式襯底形成于該封裝膠材層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 一第三界面層形成于該第二可撓式襯底上；以及 一第三阻障層形成于該第三接口層和該封裝膠材層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括一功能性膜形成于該第二可撓式襯底和該封裝膠材層之間。
11.一種可撓式電子裝置的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一可撓式襯底； 設(shè)置一電子元件于該第一可撓式襯底上； 以一熱蒸鍍工藝形成一第一接口層于該電子元件上；以及 形成一第一阻障層于該第一界面層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其特征在于，該第一接口層的材質(zhì)包括一或多種金屬兀素、一或多種無(wú)機(jī)非金屬兀素、一或多種無(wú)機(jī)金屬氧化物、一或多種有機(jī)金屬化合物或前述任兩種以上的組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可撓式電子裝置的制造方法，其特征在于，該無(wú)機(jī)金屬氧化物選自于由銦錫氧化物、氧化銀、氧化銅、氧化鑰、氧化鎢、氧化鈦、氧化釩及其組合所構(gòu)成的群組。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置的制造方法，其特征在于，還包括: 形成一功能性膜于該第一可撓式襯底和該電子元件之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 形成一第二界面層于該第一可撓式襯底上；以及 形成一第二阻障層于該第二接口層和該電子元件之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 形成一封裝膠材層于該第一阻障層上；以及 形成一第二可撓式襯底于該封裝膠材層上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 形成一第三界面層于該第二可撓式襯底上；以及 形成一第三阻障層于該第三接口層和該封裝膠材層之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可撓式電子裝置，其特征在于，還包括: 形成一功能性膜于該第二`可撓式襯底和該封裝膠材層之間。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103779379SQ201210489100
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月22日
【發(fā)明者】施秉彝, 彭依濠 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院