技術總結
一種NMOS晶體管的形成方法，包括：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極結構、位于柵極結構兩側的半導體襯底中的源區(qū)和漏區(qū)；在半導體襯底上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述柵極結構、源區(qū)和漏區(qū)；在所述緩沖層上形成張應力層，所述張應力層的材料為氮化硅，其中，所述緩沖層用于阻擋形成張應力層過程中的氫擴散進入源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述張應力層后，對所述半導體襯底進行退火處理。所述緩沖層對氫向源區(qū)和漏區(qū)的擴散阻擋作用，確保源區(qū)、漏區(qū)中硼離子的穩(wěn)定，并且張應力層的張應力可以適量、穩(wěn)定保留在柵極、源區(qū)和漏區(qū)，尤其是柵極以下的溝道區(qū)中，有效穩(wěn)定了NMOS晶體管的閾值電壓，提升NMOS晶體管的性能。

技術研發(fā)人員：鮑宇
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201210477286
技術研發(fā)日：2012.11.21
技術公布日：2017.09.26