技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種四元AlGaInP發(fā)光二極管芯片及其制造方法，其特征在于整個(gè)芯片制程完全或絕大部分無金化，此方法適用于多種波長(zhǎng)的四元發(fā)光二極管，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。采用此制程方法的四元發(fā)光二極管芯片p面采用高透過率導(dǎo)電膜ITO代替Au/AuBe/Au與表層帶有C元素重?fù)诫s層的GaP窗口層形成良好的歐姆接觸，同時(shí)嚴(yán)格控制ITO膜的厚度，使之實(shí)現(xiàn)良好的電流擴(kuò)展的同時(shí)，將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高10?20%。p面焊線電極采用以金屬Al為主的純Al或表面包金電極，同時(shí)芯片N面采用含金屬Ge的非金材料代替Au/AuGe/Au。此四元二極管制作方法至少減少芯片制程黃金消耗90%，可有效地大幅降低成本。

技術(shù)研發(fā)人員：肖志國(guó);薛蕾;劉麗;武勝利
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大連美明外延片科技有限公司
文檔號(hào)碼：201210462411
技術(shù)研發(fā)日：2012.11.16
技術(shù)公布日：2016.11.16