專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法以及太陽能電池的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置、基板處理方法以及太陽能電池的制造方法。
背景技術：
太陽能發(fā)電作為利用化石燃料進行火力發(fā)電的替代能源被期待，太陽能發(fā)電系統(tǒng)的生產量在逐年增加。因此，以硅基板作為原材料的大容量太陽能電池出現硅片供不應求的局面，擔心因硅基板的價格急劇上升而導致生產成本增高。因此，在玻璃基板上形成硅膜的薄膜硅太陽能電池受到關注。在使用了玻璃基板的薄膜硅太陽能電池中，作為將通過玻璃基板入射的太陽光高效率地用于發(fā)電的方法，存在如下方法在形成于玻璃基板上的透明導電膜的表面形成被稱為紋理的凹凸形狀使入射光散射，以增長在發(fā)電層內的光路長度，從而得到高發(fā)電電流。另外，作為使薄膜硅太陽能電池的入射光散射的其他方法，還存在在玻璃基板的表面形成凹凸形狀的方法。作為在玻璃基板表面形成凹凸形狀的方法，存在將玻璃基板浸在氫氟酸水溶液中進行濕式蝕刻的方法、使用噴砂的方法(參照專利文獻I)。在使用了濕式蝕刻或噴砂法的情況下，很難進行玻璃基板表面的凹凸形狀的形狀控制，在其上面制作了太陽能電池的情況下，存在不容易得到穩(wěn)定的太陽能電池特性的問題。另一方面，作為使用了 HF氣體的氣相蝕刻裝置，已知的有半導體設備用的氣相蝕刻裝置。在專利文獻2中記載有如下技術在半導體制造裝置中，在處理室內，在載置晶片基板的工作臺部的上方，配置被形成為直徑大于工作臺部的圓筒形的蓋部。具體而言，將晶片基板載置在工作臺部之后，使工作臺部上升，在工作臺部與蓋部之間形成密閉空間，從供給口向該密閉空間內供給HF氣 體并從排出口排出密閉空間內的環(huán)境氣體。并且，若結束向密閉空間內供給HF氣體，則使供給口和排出口都處于關閉狀態(tài)，通過工作臺部的旋轉，在密閉空間內一邊攪拌HF氣體一邊對晶片基板進行蝕刻處理。因此，根據專利文獻2，供給所需的最小限度的HF氣體，在晶片基板的整個表面均勻地進行蝕刻處理，從而可以除去晶片基板的自然氧化膜。在專利文獻3中記載有如下技術在干式蝕刻裝置中，由薄膜半導體層和絕緣層形成多層結構，在將形成了該多層結構的玻璃基板固定在試樣臺上時，在玻璃基板的背面與試樣臺的上表面之間具有間隙地用銷進行固定，從氣體噴淋部朝向玻璃基板的表面噴射蝕刻氣體的同時，從試樣臺上的噴射孔朝向玻璃基板的背面噴射惰性氣體。因此，根據專利文獻3，防止蝕刻氣體繞到玻璃基板的背面。專利文獻1:日本特開平9-199745號公報專利文獻2 :日本特開2005-142461號公報專利文獻3 :日本特開平5-315300號公報專利文獻2中所述的技術都是以對基板上的氧化膜進行蝕刻為前提。另一方面，使用專利文獻2所述的技術，難以進行用于在基板本身的表面形成凹凸形狀的蝕刻處理。即，在使用專利文獻2和專利文獻3所述的裝置對薄膜硅太陽能電池用的玻璃基板進行蝕刻以便在基板表面形成凹凸形狀的情況下，在玻璃基板的整個表面都形成凹凸形狀。因此，在形成了組件的情況下，在周緣部也存在凹凸形狀，因此，存在水分從組件端面的密封部進入的不良情況。另外，在嵌合框架時等，在應力作用于周緣部的情況下，存在發(fā)生開裂的不良情況。因此，在使用專利文獻2和專利文獻3所述的裝置對玻璃基板進行了蝕刻的情況下，有可能導致組件的可靠性明顯降低。另外，在使用專利文獻2所述的裝置的情況下，由于是使用工作臺部的旋轉來攪拌HF氣體，因此，根據其離心力，越接近玻璃基板的端面，HF氣體的濃度越容易提高，與玻璃基板表面的中心附近相比，在端面附近的周緣部容易形成明顯的凹凸形狀。另外，在使用專利文獻3所述的裝置的情況下，氣體噴淋部的噴射孔設置成到達玻璃基板的端面附近，而試樣臺上的噴射孔設置在玻璃基板的端面內側，因此，HF氣體容易到達玻璃基板表面的端面附近的周緣部，在玻璃基板表面的端面附近的周緣部容易形成明顯的凹凸形狀?！ぴ诿黠@的凹凸形狀形成在玻璃基板表面的端面附近的周緣部的情況下，玻璃基板的強度降低，有可能導致抗沖擊性明顯下降。另外，不僅是玻璃基板，硅基板等其他基板也是一樣，因基板端面附近的周緣部利用反應性氣體被蝕刻，或在基板端面附近的周緣部附著膜，因此，有可能產生不良情況。例如，已知存在如下情況在硅基板的表面存在在周緣部被倒角的斜角部，附著在該部分的膜在蝕刻工序中剝離，導致成品率降低。另外，在使用專利文獻3所述的裝置的情況下，氣體噴淋部的噴射孔設置成到達玻璃基板的端面附近，而試樣臺上的噴射孔設置在玻璃基板的端面的內側，因此，HF氣體有可能繞到玻璃基板的端面或背面，有可能導致明顯的凹凸形狀形成至玻璃基板的端面或背面。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述狀況而作出的，其目的在于得到一種基板處理裝置、基板處理方法以及太陽能電池的制造方法，可以抑制基板的背面、端面以及基板的表面內的周緣部暴露在氣體中，從而可以使用氣體對基板表面的除周緣部以外的處理面進行處理。為了解決上述課題以實現上述目的，本發(fā)明的一個方案的基板處理裝置的特征在于，具有真空容器；基板臺，所述基板臺配置在所述真空容器內并載置基板；氣體供給部，所述氣體供給部從與所述基板臺相對的位置供給對所述基板進行處理的氣體；延伸部，所述延伸部以在從與所述基板的處理面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋所述基板的處理面的周緣部的方式配置，并且從所述真空容器的所述氣體供給部側的內壁朝向所述基板臺延伸；距離調節(jié)機構，在處理所述基板時，所述距離調節(jié)機構使所述基板的處理面的周緣部與所述延伸部的距離接近，以使由所述氣體供給部、所述延伸部以及所述基板的處理面包圍的第一空間和所述第一空間外側的第二空間彼此分離，在更換所述基板時，所述距離調節(jié)機構使所述基板的處理面的周緣部與所述延伸部的距離變遠；第一排氣口，所述第一排氣口與第一排氣裝置連接，在處理所述基板時，對所述第一空間進行減壓；以及第二排氣口，所述第二排氣口與第二排氣裝置連接，在處理所述基板時，對所述第二空間進行減壓。
根據本發(fā)明，在使延伸部接近基板表面的周緣部以使基板的處理面所面對的第一空間和第一空間外側的第二空間彼此分離的狀態(tài)下，向基板的處理面供給氣體，因此，可以抑制基板的背面、端面以及基板表面內的周緣部暴露在氣體中，從而可以使用氣體對基板表面的除周緣部以外的處理面進行處理。


圖1是用于說明第一實施方式的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖。圖2是用于說明使用了第一實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的剖面示意圖。圖3是用于說明使用了第一實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的流程圖。圖4 (a)、(b)是用于說明使用第一實施方式的氣相蝕刻裝置在玻璃基板的表面形成了凹凸形狀的薄膜硅太陽能電池和太陽能電池組件的結構的剖面示意圖。圖5 (a)、(b)是用于說明使用第一實施方式的氣相蝕刻裝置對硅基板表面的二氧化硅膜進行了蝕刻時的結構的剖面示意圖。圖6是用于說明第一實施方式的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖。圖7是用于說明第二實施方式的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖。圖8是用于說明使用了第二實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的流程圖。圖9 (a)、(b)是用于說明第三實施方式的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖和控制系統(tǒng)示意圖。圖10是用于說明使 用了第三實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的流程圖。圖11 (a)是用于說明第四實施方式的氣相蝕刻處理方法的俯視圖和(b) (d)剖面圖。圖12是用于說明使用了第五實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的流程圖。圖13是用于說明第六實施方式的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖。圖14是用于說明使用了第六實施方式的氣相蝕刻裝置的處理方法的流程圖。圖15是用于說明在透明導電膜表面形成了凹凸形狀的薄膜硅太陽能電池的結構的剖面示意圖。圖16是用于說明在玻璃基板表面形成了凹凸形狀的薄膜硅太陽能電池的結構的剖面示意圖。圖17是用于說明基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置的剖面示意圖。附圖標記說明1、11、1」非晶硅太陽能電池，2、21、2」玻璃基板，2&1、2&」凹凸形狀，2bj平坦形狀，3、31、3 j第一透明導電膜，3a、3a1、3aj凹凸形狀，3b j平坦形狀，4P型非晶硅膜，51型非晶硅膜，6N型非晶硅膜，7非晶硅電池，8第二透明導電膜，9金屬電極膜，10氣相蝕刻裝置，11真空容器，12排氣通道，13、13a、13b、13c流量控制裝置，14噴淋頭，14a、114a相對面，15基板臺，16硅基板，17 二氧化硅膜，19工藝氣體供給機構，20上下移動機構，21氣體供給口，22HF氣體供給配管，23H20氣體供給配管，24填充材料，100氣相蝕刻裝置，110排氣通道，111真空容器，112閘閥，113基板輸送機構，114噴淋頭，114c,214c延伸部，115基板臺，120延伸部，121氣體供給口，130密封部件，140排氣通道，200氣相蝕刻裝置，212排氣通道，221惰性氣體供給機構，222b、242b調節(jié)閥，240排氣通道，300氣相蝕刻裝置，330控制部，340壓力調節(jié)機構，430框架，500氣相蝕刻處理裝置，520延伸部，522通孔，CH反應室，SPlOl第一空間，SP102第二空間
具體實施例方式以下基于附圖對作為本發(fā)明的基板處理裝置的氣相蝕刻裝置的實施方式進行詳細說明。另外，本發(fā)明不限于該實施方式。第一實施方式對需要用第一實施方式的氣相蝕刻裝置100形成的薄膜硅太陽能電池的基本結構進行說明。在使用了玻璃基板的薄膜硅太陽能電池中，作為將通過玻璃基板入射的太陽光高效率地用于發(fā)電的方法，存在如下方法在形成于玻璃基板上的透明導電膜的表面形成被稱為紋理的凹凸形狀使入射光散射，以增長在發(fā)電層內的光路長度，從而得到高發(fā)電電流。作為薄膜硅太陽能電池的一個例子，圖15表示發(fā)電層使用了非晶硅的非晶硅太陽能電池I的剖面示意圖。在玻璃基板2上形成表面具有凹凸形狀3a的第一透明導電膜3，在其上形成由P型非晶硅膜4、作為發(fā)電層的I型非晶硅膜5以及N型非晶硅膜6形成的非晶硅電池7。在非晶硅電池7上形成有第二透明導電膜8和金屬電極膜9。S卩，在玻璃基板2上形成包括第一透明導電膜3、非晶硅電池7、第二透明導電膜8和金屬電極膜9的太陽能電池元件SCE。在薄膜硅太陽能電池中，為了將通過玻璃基板入射的太陽光高效率地用于發(fā)電，在形成于玻璃基板2上的第一透明導電膜3的表面形成被稱為紋理的凹凸形狀3a使入射光散射，以增長在發(fā)電層(I型非晶硅膜5)內的光路長度，從而可以得到高發(fā)電電流。作為形成凹凸形狀的第一透明導電膜3的材料，通常使用氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)等金屬氧化物材料。作為形成凹凸形狀的方法，存在如下方法使用熱CVD將這些膜形成數百nm IOOOnm左右，從而在晶粒的生長過程中在膜表面形成凹凸形狀。另外，還存在在形成了這些膜之后，將這些膜浸在鹽酸水溶液等酸性藥液中，對膜表面進行濕式蝕刻而形成凹凸形狀的方法等。另外，作為使薄膜硅太陽能電池的入射光散射的其他方法，還存在在玻璃基板的表面形成凹凸形狀的方法。在圖16所示的非晶硅太陽能電池Ii中，事先在玻璃基板2i的表面形成凹凸形狀2ai，在該玻璃基板2i上形成第一透明導電膜31、P型非晶硅膜4、I型非晶娃膜5、N型非晶娃膜6、第二透明導電膜8和金屬電極膜9。S卩，在玻璃基板2i上形成包括第一透明導電膜31、非晶硅電池7、第二透明導電膜8和金屬電極膜9的太陽能電池元件SCEi。在該結構中，由于與玻璃基板2i表面的凹凸形狀2ai對應的凹凸形狀3ai形成在第一透明導電膜3i的表面，因此，與圖15所示的結構同樣地，利用光散射效應可以延長在發(fā)電層(I型非晶硅膜5)內的光路長度。 作為在玻璃基板表面形成凹凸形狀的方法，存在將玻璃基板浸在氫氟酸水溶液中進行濕式蝕刻的方法、使用噴砂的方法或使HF氣體(氟化氫氣體)在真空中與玻璃表面接觸以進行氣相蝕刻的方法。在使用濕式蝕刻或噴砂法的情況下，難以進行玻璃基板表面的凹凸形狀的形狀控制，在其上面制作了太陽能電池的情況下，存在難以得到穩(wěn)定的太陽能電池特性的問題。因此，作為用于制造具有穩(wěn)定的太陽能電池特性的薄膜硅太陽能電池的裝置，氣相蝕刻裝置被期待。以下，對第一實施方式的氣相蝕刻裝置的基本形態(tài)進行說明。作為使用HF氣體的氣相蝕刻裝置，已知的有在硅基板上進行制作的半導體設備用的氣相蝕刻裝置。圖17表示基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10的剖面示意圖。氣相蝕刻裝置10具有真空容器11、基板臺15、排氣通道(第二排氣口)12、工藝氣體(process gas)供給機構19以及噴淋頭(氣體供給部)14。真空容器11形成氣相蝕刻裝置10的外壁，并且形成反應室CH作為可以進行抽真空排氣的空間?；迮_15配置在真空容器11內(即反應室CH內)。在基板臺15上，載置表面形成有二氧化娃膜17的娃基板16。排氣通道12貫穿真空容器11。真空容器11內通過排氣通道12使用真空泵(未圖示)進行抽真空排氣。在排氣通道12上連接未圖示的壓力調節(jié)閥和真空泵，可以將真空容器11內的壓力調節(jié)到所希望的壓力。工藝氣體供給機構19通過噴淋頭14朝向真空容器11內的二氧化硅膜17供給工藝氣體。工藝氣體供給機構19具有HF氣體供給配管22、H20氣體供給配管23以及流量控制裝置13。流量控制裝置13調節(jié)用于向二氧化硅膜17供給的工藝氣體的流量。例如，流量控制裝置13a調節(jié)從HF氣體供給源(未圖示)通過HF氣體供給配管22供給的HF氣體的流量，將調節(jié)流量后的HF氣體向噴淋頭14供給。例如，流量控制裝置13b調節(jié)從H2O氣體供給源(未圖示)通過H2O氣體供給配管23供給的H2O (水蒸氣)氣體的流量，將調節(jié)流量后的H2O (水蒸氣)氣體向噴淋頭14供給。噴淋頭14的至少一部分配置在真空容器11內(即反應室CH內)，向真空容器11內的硅基板16供給工藝氣體。例如，也可以構成為，噴淋頭14的一部分形成氣相蝕刻裝置10的上壁，另一部分在真空容器11內與基板臺15相對。即，噴淋頭14具有與基板臺15相對的相對面14a。另外，噴淋頭14具有導入室14b，該導入室14b從流量控制裝置13a、13b被導入工藝氣體(HF氣體、H2O (水蒸氣)氣體)。在相對面14a上形成有連通導入室14b和反應室CH的多個氣體供給口 21。為了將工藝氣體向硅基板16均勻地導入，多個氣體供給口 21例如大致同樣地配置在相對面14a的與硅基板16對應的區(qū)域。由此，向導入室14b被導入的工藝氣體(HF氣體、H2O (水蒸氣)氣體)通過多個氣體供給口 21向硅基板16供給，蝕刻除去形成在硅基板16表面的二氧化硅膜17?；拘螒B(tài)的氣相蝕刻裝置10以對硅基板16上的規(guī)定膜(例如二氧化硅膜17)進行HF蝕刻為前提。另一方面，使用基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10，難以進行用于在玻璃基板2i的表面形成凹凸形狀的蝕刻。即，基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10是用于對形成在硅基板16表面的規(guī)定膜(例如二氧化硅膜或氮化硅膜)進行蝕刻的裝置，在使用基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10對薄膜硅太陽能電池用的玻璃基板2i進行蝕刻以在基板表面形成凹凸形狀2ai的情況下，如圖16所示，在玻璃基板2i的整個表面和端面以及一部分背面都形成凹凸形狀2ai。因此，按理說有可能導致向玻璃基板2i入射的光被散射而導致太陽能電池特性局部變差。另夕卜，在形成了組件的情況下，在周緣部也存在凹凸形狀2ai，因此，存在水分從組件端面的密封部進入的不良情況。另外，在嵌合框架時等，在應力作用于周緣部的情況下，存在發(fā)生開裂的不良情況。因此，在使用基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10對玻璃基板2ai進行了蝕刻的情況下，有可能導致組件的性能和可靠性明顯降低。以下，使用圖1對第一實施方式的氣相蝕刻裝置100的結構進行說明。圖1是表示氣相蝕刻裝置100的結構的剖面示意圖。以下，以與基本形態(tài)的氣相蝕刻裝置10 (參照圖17)不同的部分為中心進行說明。氣相蝕刻裝置100具有與真空容器11連結的真空容器111。真空容器111通過設置在真空容器11的壁上的開口部被連結，在開口部設置有閘閥112。在真空容器111內設置有用于載置需要處理的基板并從真空容器111向真空容器11輸送的基板輸送機構113 ;排氣通道110。另外，真空容器111具有開口部，該開口部設置有用于插入未圖示的基板的閘閥。另外，氣相蝕刻裝置100具有基板臺115、上下移動機構(距離調節(jié)機構)20、噴淋頭114、延伸部120、排氣通道(第二排氣口)140以及基板輸送機構(基板更換機構)113?；迮_115的表面朝向第一空間SP101，側面朝向第二空間SP102。反應室CH100包括第一空間SPlOl和第二空間SP102。在基板臺115上載置玻璃基板2j?；迮_115例如具有加熱機構(未圖示)，對所載置的玻璃基板2j進行加熱。上下移動機構20設置在基板臺115的下方，可以使基板臺115整體上下移動。例如，在處理玻璃基板2j時，上下移動機構20使基板臺115上升，以使其接近噴淋頭114，而在更換玻璃基板2j時，使基板臺115下降，以使其遠離噴淋頭114。噴淋頭114具有相對面114a和延伸部120。相對面114a是噴淋頭114的與基板臺115相對的面。在相對面114a上形成有連通導入室114b和第一空間SPlOl的多個氣體供給口 121。為了將工藝氣體均勻地向玻璃基板2j導入，多個氣體供給口 121例如大致同樣地配置在相對面114a的與玻璃基板2j對應的區(qū)域。延伸部120從噴淋頭114的相對面114a的邊緣部114al (即真空容器11的噴淋頭114側的內壁)朝向基板臺115包圍玻璃基板2 j地延伸。S卩，延伸部120以在從與玻璃基板2j的表面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋玻璃基板2j表面的周緣部的方式配置。延伸部120具有與玻璃基板2j對應的形狀，在玻璃基板2j為大致長方形時，具有大致方形筒形狀。密封部件130設置在延伸部120的前端面(即與基板臺115相對的面)以便與玻璃基板2j表面的周緣部密接。即，密封部件130具有連續(xù)面130a作為與玻璃基板2j相對的面。密封部件130的材料優(yōu)選對于HF具有耐受性且在高溫下也不劣化的材料。另外，基板臺115上升，為了使玻璃基板2j表面的周緣部與密封部件130密接，密封部件130的材料優(yōu)選彈性好的材料，優(yōu)選特氟龍(注冊商標)或聚丙烯或丁基橡膠等樹脂材料或橡膠材料。排氣通道140貫穿延伸部120，進一步貫穿真空容器11，延伸到真空容器11的外部。排氣通道140是與排氣通道12不同的另一個系統(tǒng)的排氣通道，貫穿延伸部120和真空容器11。由此，排氣通道140不經 由第二空間SP102地連通第一空間SPlOl和真空容器11外部。在排氣通道140上連接未圖示的壓力調節(jié)機構(第二壓力調節(jié)機構)和真空泵(第二排氣裝置)，在處理玻璃基板2j時，可以將由噴淋頭114、延伸部120、密封部件130以及玻璃基板2j包圍的第一空間SPlOl調節(jié)到所希望的壓力。 另外，在排氣通道12上連接未圖示的壓力調節(jié)機構(第一壓力調節(jié)機構)和真空泵(第一排氣裝置)，在處理玻璃基板2j時，可以將第一空間SPlOl外側的第二空間SP102調節(jié)到所希望的壓力。基板輸送機構113在更換玻璃基板2j時，在利用上下移動機構20使玻璃基板2j表面的周緣部與延伸部120的距離變遠了的狀態(tài)下，通過在真空容器11的處于基板臺115側方的內壁設置的開口部，更換基板臺115上的玻璃基板2j。以下，使用圖2和圖3對氣相蝕刻裝置100的動作和在玻璃基板2j表面形成凹凸形狀的處理步驟進行說明。首先，將真空容器111向大氣敞開，將玻璃基板2j設置在基板輸送機構113上，對真空容器11內進行抽真空排氣(S1.1)。真空容器11的抽真空排氣結束后，打開閘閥112，使用基板輸送機構113向真空容器11輸送玻璃基板2j (S1. 2)。此后，將玻璃基板2j載直在基板臺115上(S1. 3)。基板輸送機構113返回真空容器111,關閉閘閥112后,基板臺115利用上下移動機構20上升，以使延伸部120的相對面與玻璃基板2j接近(S1. 4)。此時，設置在延伸部120的相對面的密封部件130與玻璃基板2j表面的周緣部密接。接著，從噴淋頭114供給含有HF氣體的工藝氣體(S1. 5)，將由噴淋頭114、密封部件130以及玻璃基板2j包圍的第一空間SPlOl的壓力調節(jié)到規(guī)定的壓力(S1. 6)。此時，玻璃基板2j吸附HF氣體，從而玻璃基板2j表面的除周緣部以外的區(qū)域(處理面)被蝕刻，形成凹凸形狀2aj (參照圖4 (a))。此時，玻璃基板2j表面的周緣部保持平坦形狀2b j (參照圖4 (a))。而且，通過排氣通道140排出反應生成物和未反應氣體。此后，在蝕刻處理進行了規(guī)定時間之后(S1. 7)，停止供給含有HF氣體的工藝氣體并結束蝕刻(S1. 8)。對真空容器11內(即第一空間SPlOl內)的殘留氣體和反應生成物進行真空排氣之后(S1. 9)，使延伸部120和密封部件130自玻璃基板2j分離(S1. 10)，取出表面形成有凹凸形狀2aj的玻璃基板2j(Sl. 11)。如上所述，至少在向真空容器11內供給含有HF氣體的工藝氣體期間，使設置在延伸部120前端面的密封部件130與玻璃基板2j表面的周緣部接觸(密接)，以分離成第一空間SPlOl和第二空間SP102。如上所述，在第一實施方式中，在氣相蝕刻裝置100中，延伸部120以在從與玻璃基板2j的表面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋玻璃基板2j表面的周緣部的方式配置，從相對面114a的周緣部114al (真空容器11的噴淋頭114側的內壁)朝向基板臺115延伸。密封部件130設置在延伸部120的前端面，作為與玻璃基板2j的表面相對的面，具有連續(xù)面130a。由此，至少在向真空容器11內供給HF氣體期間，可以使密封部件130與玻璃基板2j表面的周緣部密接，從而可以抑制向玻璃基板2j表面的周緣部供給HF氣體。即，在使延伸部120接近玻璃基板2j表面的周緣部以使玻璃基板2j的處理面所面對的第一空間SPlOl和第一空間SPlOl外側的第二空間SP102彼此分離的狀態(tài)下，向玻璃基板2j的處理面供給氣體，因此，可以抑制玻璃基板2j的背面、端面以及基板表面內的周緣部暴露在氣體中，從而可以使用氣體處理玻璃基板2j表面的除周緣部以外的處理面。由此，可以抑制在玻璃基板2j表面的周緣部形成凹凸形狀，并可以抑制在玻璃基板2j的端面、背面形成凹凸形狀，從而可以在玻璃基板2j表面的除周緣部以外的區(qū)域形成凹凸形狀(參照圖4 (a))。另外，對殘留氣體或反應生成物進行抽真空排氣后(S1. 9)，也可以重復進行S1. 5至S1.9的操作。通過如上所述進行處理，反應生成物被除去，可以提高蝕刻速率。另外，通過改變重復次數，可以改變凹凸的大小，因此，也具有能夠得到所希望大小的凹凸的效果。以下使用圖4對使用第一實施方式的基板處理裝置制成的太陽能電池組件進行說明。若使用第一實施方式的基板處理裝置對玻璃基板2 j進行蝕刻，則形成在表面的周緣部具有平坦形狀2bj的玻璃基板2j。另外，在側面和背面也不會形成凹凸，側面和背面也都具有平坦形狀。通過濺射等在該玻璃基板上形成第一透明導電膜3j。第一透明導電膜3j也在表面的周緣部的內側具有與凹凸形狀2aj對應的凹凸形狀3aj,并且在表面的周緣部具有與平坦形狀2b j對應的平坦形狀3b j。進而，在其上面使用CVD裝置等形成P型非晶硅膜4、I型非晶硅膜5以及N型非晶硅膜6，進而使用濺射裝置等形成第二透明導電膜8和金屬電極膜9。這些膜也同樣地在表面的周緣部具有與平坦形狀2bj對應的平坦形狀9bj。通過上述步驟可以得到非晶硅太陽能電池lj。使用圖4 (b)對非晶硅太陽能電池Ij的組件化進行說明。非晶硅太陽能電池Ij通過激光劃片加工槽進行串聯，并連接有從基板兩端的電力導出區(qū)域向外部導出電力的引
線(未圖示)。通過EVA或PVB等填充材料24粘貼非晶硅太陽能電池Ij和由玻璃或后座(back seat)形成的保護部件2k,從而形成太陽能電池組件10j。在該結構中，在周緣部,在與通過平坦形狀9bj相接的EVA等填充材料24之間不容易形成間隙。因此，在將非晶硅太陽能電池Ij形成了組件的情況下，可以抑制水分從組件端面的密封部進入。另外，由于在端面沒有形成凹凸，因此，可以保持玻璃的強度，可以提高組件的抗沖擊性。而且，由于在背面沒有形成凹凸，因此，向玻璃基板入射的光不容易散射，可以抑制太陽能電池特性局部變差，可以得到高性能的太陽能電池組件。另外，作為配置在玻璃基板2j上的太陽能電池元件，不限于上述的薄膜硅類，也可以是化合物類或有機類等其他材料類型，也可以是使用了結晶基板等的兀件。另外，使用圖5說明使用第一實施方式的基板處理裝置對硅基板16上的二氧化硅膜17進行蝕刻的情況。若使用第一實施方式的基板處理裝置對硅基板16上的二氧化硅膜17進行蝕刻，則如圖5所示，形成只有基板周緣部16a和斜角部16b的二氧化硅膜17a、17b不被蝕刻而殘留的形狀。由此，可以抑制蝕刻工序中的斜角部16b的膜剝落，從而可以抑制成品率降低。另外，在第一實施方式中，排氣通道140是不同于排氣通道12的另一系統(tǒng)的排氣通道，貫穿延伸部120和真空容器11。由此，排氣通道140不經由第二空間SP102地連通第一空間SPlOl和真空容器11外部。因此，在第一空間SPlOl產生的殘留氣體或反應生成物不經由第二空間SP102和排氣通道12就可以向真空容器11外排出。另外，在第一實施方式中，在氣相HF蝕刻處理方法中，使基板臺115向噴淋頭114側移動，以使設置在延伸部120前端面的密封部件130與玻璃基板2j表面的周緣部密接。由此，可以抑制向玻璃基板2j表面的周緣部供給HF氣體，與此同時，可以分離第一空間SPlOl和第二空間SP102，防止工藝氣體從第一空間SPlOl向第二空間SP102泄漏。另外，在第一實施方式中，密封部件130由具有抗HF性、耐熱性、彈性的樹脂材料或橡膠材料形成。由此，可以有效地使玻璃基板2j表面的周緣部與密封部件130密接。另外，延伸部120相比基板臺115從真空容器11的噴淋頭114側的內壁以包圍玻璃基板2j的處理面的方式延伸即可。即，以在從與玻璃基板2j的表面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋玻璃基板2j表面的周緣部的方式進行配置即可。例如，延伸部120也可以是變形例即圖6所示的結構。延伸部120只要構成為在將玻璃基板2j向基板臺115上輸送時不成為阻礙即可。另外，使用噴淋頭114作為從與基板臺115相對的位置供給對玻璃基板2j進行處理的氣體的氣體供給部，因此,可以均勻地向基板面內供給氣體,但并不限于此，也可以形成將氣體供給配管的開口部設置在真空容器11的與基板臺115相對的位置的結構。另外，由于基板的翹曲，有可能在密封部件130與玻璃基板2j之間形成間隙或玻璃基板2j開裂等而導致HF等工藝氣體從第一空間SPlOl泄漏。與此相對，在第一實施方式中，由于設置第二空間SP102和排氣通道12而形成雙重結構，因此，可以防止工藝氣體向外部泄漏。第二實施方式接著，對第二實施方式的氣相蝕刻裝置200進行說明。以下，以與第一實施方式不同的部分為中心進行說明。在第一實施方式的裝置結構中，通過使密封部件130與玻璃基板2j表面的周緣部密接，來謀求抑制供給到第一空間SPlOl的工藝氣體向周緣部供給HF氣體以及向真空容器11內的第二空間SP102供給HF氣體，但由于玻璃的翹曲或壓力差，雖然只是少量，但仍導致HF氣體向玻璃基板2j的緣部、第二空間SP102泄漏，從而有可能導致表面的緣部、端面、背面被蝕刻。 因此，在第二實施方式中，向第二空間SP102供給惰性氣體。具體而言，如圖7所示，氣相蝕刻裝置200還具有惰性氣體供給機構221。惰性氣體供給機構221例如在處理玻璃基板2j時，向第二空間SP102供給惰性氣體。惰性氣體例如可以使用N2、Ar等氣體。另外，如圖8所不,氣相蝕刻裝置200的動作在以下方面與第一實施方式不同。與第一實施方式同樣地，在進行了 S1.1至S1. 4的處理之后，通過噴淋頭114向第一空間SPlOl供給工藝氣體并通過惰性氣體供給機構221向第二空間SP102供給惰性氣體(S2. 5)。此后，與第一實施方式同樣地進行了 S1. 6至S1. 8的處理之后,對第一空間SPlOl內的殘留氣體和反應生成物進行抽真空排氣并對第二空間SP102內的惰性氣體進行抽真空排氣(S2. 9)。此后，與第一實施方式同樣地進行S1. 10至S1. 11的處理。這樣，在第二實施方式中，惰性氣體供給機構221例如在處理玻璃基板2 j時，向第二空間SP102供給惰性氣體。由此，在處理玻璃基板2j時從第一空間SPlOl泄漏到第二空間SP102的少量的工藝氣體，可以利用從惰性氣體供給機構221供給的惰性氣體進行稀釋。其結果是，可以進一步抑制在玻璃基板2j表面的周緣部、端面、背面形成凹凸形狀。第三實施方式接著，對第三實施方式的氣相蝕刻裝置300進行說明。以下，以與第一和第二實施方式不同的部分為中心進行說明。在第一和第二實施方式的裝置結構中，供給到第一空間SPlOl的工藝氣體有可能因壓力差而向第二空間SP102泄漏。另外，玻璃基板2j有可能因壓力差而開裂。因此，在第三實施方式中，在處理玻璃基板2 j時，進行控制以使第一空間SPlOl的壓力低于第二空間SP102的壓力。具體而言，如圖9 (a)所示，氣相蝕刻裝置300還具有調節(jié)第一空間SPlOl的壓力和第二空間SP102的壓力的壓力調節(jié)機構340。壓力調節(jié)機構340分別檢測第一空間SPlOl的壓力和第二空間SP102的壓力，根據檢測結果，分別調節(jié)從第一空間SPlOl通過排氣通道240的排氣量和從第二空間SP102通過排氣通道212的排氣量，以使第一空間SPlOl的壓力低于第二空間SP102的壓力。更具體地說，如圖9 (b)所示，壓力調節(jié)機構340具有壓力計PU P2、控制部330、流量控制裝置13a、13b、13c以及調節(jié)閥222b、242b。壓力計Pl例如設置在排氣通道240上的調節(jié)閥222b和第一空間SPlOl之間，檢測第一空間SPlOl的壓力，并將檢測結果向控制部330提供。壓力計P2例如設置在排氣通道212上的調節(jié)閥242b和第二空間SP102之間，檢測第二空間SP102的壓力，并將檢測結果向控制部330提供。控制部330從壓力計PU P2分別接收壓力的檢測結果?？刂撇?30根據壓力計Pl的檢測結果和壓力計P2的檢測結果，求出流量控制裝置13a、13b、13c需要控制的流量、調節(jié)閥222b、242b各自需要控制的開度。即，為了使第一空間SPlOl的壓力低于第二空間SP102的壓力，控制部330求出通過流量控制裝置13a、13b向第一空間SPlOl供給的目標流量、從第一空間SPlOl通過排氣通道240排出的目標排氣量、通過流量控制裝置13c向第二空間SP102供給的目標流量以及從第二空間SP102通過排氣通道212排出的目標排氣量，為了分別獲得各目標值，生成與各目標值相應的控制信號?？刂撇?30向流量控制裝置13a、13b、13c、調節(jié)閥222b、242b分別提供所生成的控制信號。 流量控制裝置13a、13b分別從控制裝置330接收控制信號，根據控制信號調節(jié)用于向第一空間SPlOl供給的工藝氣體的流量。流量控制裝置13c從控制裝置330接收控制信號，根據控制信號調節(jié)用于向第二空間SP102供給的惰性氣體的流量。調節(jié)閥222b從控制部330接收控制信號，根據控制信號改變其開度。調節(jié)閥242b從控制部330接收控制信號，根據控制信號改變其開度。另外，如圖10所不,氣相蝕刻裝置300的動作在以下方面與第一實施方式不同。與第一實施方式同樣地，在進行了 S1.1至S1. 4的處理之后，通過惰性氣體供給機構221向第二空間SP102供給惰性氣體(S3. 5)，通過噴淋頭114向第一空間SPlOl供給工藝氣體(S3. 6)。此時，在比開始向第一空間SPlOl供給工藝氣體更早的時刻，開始向第二空間SP102供給惰性氣體，通過控制部330 —邊控制壓力一邊供給這兩種氣體，以便總是構成為“第一空間SPlOl的壓力”〈“第二空間SP102的壓力”(S3. 7)。此后，與第一實施方式同樣地進行了 S1. 7至S1. 8的處理之后，對第一空間SPlOl內的殘留氣體和反應生成物進行抽真空排氣并對第二空間SP102內的惰性氣體進行抽真空排氣(S2. 9)。此后，與第一實施方式同樣地進行S1. 10至S1. 11的處理。這樣，在第三實施方式中，壓力調節(jié)機構340例如在處理玻璃基板2 j時，進行控制以使第一空間SPlOl的壓力低于第二空間SP102的壓力。由此，在第一空間SPlOl被供給了工藝氣體時，可以防止工藝氣體從第一空間SPlOl向第二空間SP102泄漏。
另外，第一空間的壓力Pl和第二空間的壓力P2構成為P1〈P2即可，進一步優(yōu)選其
壓力差為IOOOPa以下。例如,在基板尺寸為ImX lm、厚度為4mm的玻璃基板的情況下,在基
板產生的最大彎曲應力Omax=P q *a2/t2 ( O max:最大彎曲應力，0 :應力系數，q:壓力
差，a :短邊長度，t :基板厚度)約為27MPa，在玻璃的允許應力以下，從而可以抑制基板開m
^lPC o第四實施方式接著，對第四實施方式的氣相蝕刻處理方法進行說明。以下，以與第一至第三實施方式不同的部分為中心進行說明。在第一至第三實施方式的裝置結構中，在反應生成物等雜物附著在密封部件的與玻璃基板相對的相對面上的情況下，工藝氣體有可能從第一空間SPlOl向第二空間SP102泄漏。另外，在欲除去上述雜物的情況下，需要使真空容器11向大氣敞開，該操作非常復雜。因此，在第四實施方式中，代替密封部件，將覆蓋玻璃基板表面的周緣部的框架事先安裝在玻璃基板上并導入到裝置中。例如，如圖11 Ca)所示，在玻璃基板2j的緣部載置由樹脂材料形成的框架430?？蚣?30具有與 玻璃基板2j對應的形狀?？蚣?30的截面形狀可以考慮例如圖11 (b) (d)所示的形狀。圖11 (b) (d)分別是表示用A-A’線剖開圖11 (a)的框架430時的剖面圖。例如如圖11 (b)所示，為了與玻璃基板2j密接，框架430的截面形狀也可以形成為扁平的圓形或方形?；蛘?，例如如圖11 (c)所示，為了抑制框架的錯位，框架430的截面形狀可以是在一部分或整周覆蓋端面的形狀，或者，例如如圖11 (d)所示，也可以是覆蓋到背面的形狀。與第一至第三實施方式同樣，在基板臺115上升以使延伸部120與玻璃基板2j的距離接近了時，框架430被延伸部120和玻璃基板2j夾持，從而可以分離第一空間SPlOl和第二空間SP102。這樣，在第四實施方式中，可以使框架430與玻璃基板2j表面的周緣部密接，可以抑制向玻璃基板2j表面的周緣部供給HF氣體以及抑制向真空容器11內的第二空間SP102供給HF氣體。因此，可以抑制在玻璃基板2j表面的周緣部形成凹凸形狀，而且，可以抑制在玻璃基板2j的端面、背面形成凹凸形狀。另外，處理后的玻璃基板2j每次送出到裝置外后對框架430進行清洗即可，與在裝置內設置了密封部件的情況不同，可以降低使真空容器11向大氣敞開的必要性。第五實施方式接著，對第五實施方式的氣相蝕刻處理方法進行說明。以下，以與第一至第三實施方式不同的部分為中心進行說明。在第一至第三實施方式所述的處理方法中，一邊總是進行工藝氣體的供給、排出，一邊保持為一定壓力地進行蝕刻處理，但由于總是使氣體流動，因此，氣體消耗量增加。因此，在第五實施方式中，為了降低氣體消耗量而進行密封處理，在該密封處理中，供給工藝氣體直到達到所希望的壓力后，使工藝氣體的供給、抽真空排氣停止。具體而言，如圖12所示，氣相蝕刻裝置200的動作在以下方面與第一至第三實施方式不同。
在與第三實施方式同樣地進行了 S1.1至S3. 7的處理之后，使向第一空間SPlOl的工藝氣體的供給以及從第一空間SPlOl的抽真空排氣停止(S5. 8)。此后，在停止了工藝氣體的供給和抽真空排氣的狀態(tài)下即密封的狀態(tài)下，進行規(guī)定時間的蝕刻處理(S5. 9)。此后，對第一空間SPlOl內的殘留氣體和反應生成物進行抽真空排氣并對第二空間SP102內的惰性氣體進行抽真空排氣(S2. 9)。此后，與第一實施方式同樣地進行S1. 10至S1. 11的處理。這樣，在第五實施方式中，可以使用密封處理降低氣體消耗量，并可以抑制在玻璃基板2j表面的周緣部、端面、背面形成凹凸形狀。另外，在第五實施方式中，容易使蝕刻處理時的工藝氣體的壓力穩(wěn)定且均勻，因此，可以提高凹凸形狀的控制性。此外，也可以縮短與玻璃基板2j表面垂直的方向上的延伸部120的長度，以縮短噴淋頭114的相對面114a與玻璃基板2j的表面之間的距離。在這種情況下，可以縮小第一空間SPlOl的體積，因此，可以進一步減少供給的氣體量。另外，也可以組合第四實施方式和第五實施方式。即，在第五實施方式中，也可以代替密封部件，將覆蓋玻璃基板表面的周緣部的框架事先安裝在玻璃基板上并導入到裝置中。第六實施方式接著，對第六實施方式的氣相蝕刻裝置500進行說明。以下，以與第一至第三實施方式不同的部分為中心進行說明。在第一至第三實施方 式所述的裝置結構中，為了抑制在基板表面的緣部、基板的端面、背面形成凹凸形狀，需要另行設置排氣通道，存在裝置價格昂貴、成本增高的問題。因此，需要抑制對組件的可靠性影響最大的在表面的緣部形成凹凸形狀，簡化裝置結構。于是，在第六實施方式中，使第一空間SPlOl與第二空間SP102連通來代替設置排氣通道240 (參照圖1)。具體而言，如圖13所示，在氣相蝕刻處理裝置500中，延伸部520具有多個通孔522。各通孔522連通第一空間SPlOl和第二空間SP102。第一空間SPlOl是由使密封部件130與玻璃基板2j表面的緣部密接時的噴淋頭114、密封部件130以及玻璃基板2j包圍的空間。第二空間SP102是到達排氣通道12的空間。另外，如圖14所示，氣相蝕刻裝置的動作在以下方面與第一實施方式不同。在與第一實施方式同樣地進行了 S1.1至S1. 5的處理之后，將第一空間SPlOl的壓力和第二空間SP102的壓力分別調節(jié)到規(guī)定的壓力(S6. 5)。此時，為了使工藝氣體從第一空間SPlOl順暢地向第二空間SP102排出，也可以調節(jié)為保持“第一空間SPlOl的壓力”〉“第二空間SP102的壓力”。此后，與第一實施方式同樣地，在進行了 S1. 7至S1. 8的處理之后，通過通孔522和第二空間SP102對第一空間SPlOl進行抽真空排氣(S6. 8)。此后，與第一實施方式同樣地，進行S1. 10至S1. 11的處理。這樣，在第六實施方式中，可以簡化裝置的結構，因此，可以低成本地制作太陽能電池。另外，在上述的第一至第六實施方式中，對作為工藝氣體的含有HF氣體和H2O氣體的工藝氣體進行了例示性說明，但并不限于此。例如，對于用于促進蝕刻反應的H2O氣體，也可以使用乙醇或甲醇，或者這兩種的混合氣體。另外，在上述的第一至第六實施方式中，以薄膜硅太陽能電池的玻璃基板為例進行了說明，但并不限于此，只要是在玻璃的單面形成凹凸形狀并密封端面而使用的光伏發(fā)電裝置，例如也可以是結晶硅類或化合物半導體的太陽能電池等其他結構。另外，不限于玻璃基板，硅基板等其他基板也是一樣，因反應性氣體也有可能由于緣部被蝕刻或膜附著在緣部而導致產生不良情況。根據本發(fā)明的基板處理裝置和基板處理方法，可以抑制這樣的不良情況。例如已知存在如下情況在硅基板存在在邊緣被倒角的斜角部，附著在該部分的膜在蝕刻工序中剝離，導致成品率降低。根據本發(fā)明，不用制作蝕刻掩模就可以防止邊緣的膜被蝕刻，可以提高生產的成品率。另外，如果將本發(fā)明應用于成膜裝置，由于在邊緣不形成膜，因此，可以防止產生這樣的問題。例如，也可以應用于使用臭氧和TEOS的CVD裝置、利用臭氧進行表面處理等。工業(yè)實用性如上所述，本發(fā)明的氣相蝕刻裝置以及氣相HF蝕刻方法對包含薄膜硅太陽能電池的光伏發(fā)電裝置的制造是有用的。`
權利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有 真空容器； 基板臺，所述基板臺配置在所述真空容器內并載置基板； 氣體供給部，所述氣體供給部從與所述基板臺相對的位置供給對所述基板進行處理的氣體； 延伸部，所述延伸部以在從與所述基板的表面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋所述基板的表面的周緣部的方式配置，并且從所述真空容器的所述氣體供給部側的內壁朝向所述基板臺延伸； 距離調節(jié)機構，在處理所述基板時，所述距離調節(jié)機構使所述基板的表面的周緣部與所述延伸部的距離接近，以使由所述氣體供給部、所述延伸部以及所述基板的處理面包圍的第一空間和所述第一空間外側的第二空間彼此分離，在更換所述基板時，所述距離調節(jié)機構使所述基板的表面的周緣部與所述延伸部的距離變遠； 第一排氣口，所述第一排氣口與第一排氣裝置連接，在處理所述基板時，對所述第一空間進行減壓；以及 第二排氣口，所述第二排氣口與第二排氣裝置連接，在處理所述基板時，對所述第二空間進行減壓。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有設置在所述延伸部的前端面、由樹脂材料形成的密封部件。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有調節(jié)所述第一空間的壓力和所述第二空間的壓力的壓力調節(jié)機構。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有在處理所述基板時，向所述第二空間供給惰性氣體的第二氣體供給部。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有基板更換機構，所述基板更換機構在更換所述基板時，在利用所述距離調節(jié)機構使所述基板的表面的周緣部與所述延伸部的距離變遠了的狀態(tài)下，通過在所述真空容器的所述基板臺側方的內壁設置的開口部，更換所述基板臺上的所述基板。
6.一種基板處理方法，其特征在于，具有 向配置在真空容器內的基板臺載置基板的工序； 使以在從與所述基板的表面垂直的方向透視的情況下選擇性地覆蓋所述基板的表面的周緣部的方式配置且從所述真空容器的氣體供給部側的內壁朝向所述基板臺延伸的延伸部，與所述基板的表面的周緣部接近，以使由所述氣體供給部、所述延伸部以及所述基板的處理面包圍的第一空間和所述第一空間外側的第二空間彼此分離的工序； 對所述第一空間和所述第二空間分別進行減壓的工序； 從所述氣體供給部向所述第一空間供給氣體以便對所述基板進行處理的工序；以及 使所述基板的表面的周緣部與所述延伸部的距離變遠，以便更換所述基板臺上的所述基板的工序。
7.根據權利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，在對所述基板進行處理的工序中進行控制，以使所述第一空間的壓力低于所述第二空間的壓力。
8.根據權利要求6或7所述的基板處理方法，其特征在于，在向配置在真空容器內的基板臺載置基板的工序中，在所述基板的表面的周緣部安裝由樹脂材料形成的框架，并載置所述基板， 在使所述第一空間和所述第二空間彼此分離的工序中，使用所述延伸部和所述基板的表面的周緣部夾持所述框架，以使所述第一空間和所述第二空間彼此分離。
9.根據權利要求6或7所述的基板處理方法，其特征在于，對所述基板進行處理的工序包括從所述氣體供給部向所述第一空間供給氣體的工序以及使向所述第一空間的氣體供給和從所述第一空間的排氣停止的工序。
10.根據權利要求6或7所述的基板處理方法，其特征在于，所述基板是含有鈉和鈣中的至少一方的玻璃基板， 用于處理所述基板的氣體含有HF氣體， 在對所述基板進行處理的工序中，利用所述HF氣體對所述基板的處理面進行蝕刻處理以加工成粗糙面。
11.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，具有 利用權利要求10所述的基板處理方法對玻璃基板進行處理的工序；以及 在被處理后的所述玻璃基板上形成太陽能電池元件的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供基板處理裝置、基板處理方法及太陽能電池的制造方法。在玻璃基板表面的除緣部以外的區(qū)域形成凹凸形狀。處理裝置具有真空容器；基板臺，配置在真空容器內并載置基板；氣體供給部，從與基板臺相對的位置供給處理基板的氣體；延伸部，在從與處理面垂直的方向透視時，選擇性覆蓋處理面周緣部地配置且從真空容器的內壁朝基板臺延伸；距離調節(jié)機構，在處理基板時使周緣部與延伸部的距離接近以使由氣體供給部、延伸部及處理面包圍的第一空間和其外側的第二空間彼此分離，在更換基板時使周緣部與延伸部遠離；第一排氣口，與第一排氣裝置連接，在處理基板時對第一空間減壓；及第二排氣口，與第二排氣裝置連接，在處理基板時對第二空間減壓。
文檔編號H01L21/3065GK103035507SQ20121036527
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權日2011年9月29日
發(fā)明者今村謙, 津田睦, 折田泰, 友久伸吾, 新谷賢治 申請人:三菱電機株式會社