專利名稱：具有改進的可測試性的半導(dǎo)體封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有改進的可測試性(testability)的半導(dǎo)體封裝件(半導(dǎo)體封裝)。
背景技術(shù)：
在制造過程中或制造之后進行測試，以確保半導(dǎo)體封裝件和芯片(裸片，dies)能夠符合某些嚴格的操作需求和標準。可以在半導(dǎo)體封裝件上執(zhí)行的示例性測試包括各種對封裝件內(nèi)的有源芯片的測試，例如電信號定時測試、電壓和電流水平測試、全速測試、直流測試、老化測試、室溫/低溫測試，以及熱分選測試。半導(dǎo)體封裝件將包括至少一個有源芯片，具有提供給半導(dǎo)體封裝件的底面的接口觸點(界面接觸)?？梢岳媒涌谟|點來規(guī)則地操作半導(dǎo)體封裝件(即，在場中之外的操作)。除了接口觸點以外，有源芯片可包括也提供給半導(dǎo)體封裝件的底面的專用測試觸點(接觸)。利用這些專用測試觸點來進行測試，但是，并不是用于規(guī)則地操作半導(dǎo)體封裝件。為了測試半導(dǎo)體封裝件，可以將其與測試設(shè)備或裝置電連接。示例性的測試設(shè)備或裝置可以包括底部和頂部，其中，底部可以容納半導(dǎo)體封裝件的所有接口觸點和專用測試觸點，并可以利用頂部將半導(dǎo)體封裝件物理地保持在測試設(shè)備或裝置的底部上。然后，可以為了嚴格的操作需求和標準而測試并篩選半導(dǎo)體封裝件。隨后，可以在場中使用半導(dǎo)體封裝件，對其進行規(guī)則的操作。

發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容涉及一種 具 有改進的可測試性的半導(dǎo)體封裝件，基本上如至少一張附圖所示和/或結(jié)合至少一張附圖所描述的，并且，如在權(quán)利要求書中更完全地闡述的。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種可測試半導(dǎo)體封裝件(可測試性半導(dǎo)體封裝件)，包括:有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點；中介片(中介板，中介層，interposer)，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點和所述可測試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述可測試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，將所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)耦接至封裝件頂部測試連接部(封裝頂部測試連接部)。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述封裝件頂部測試連接部包括焊球。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電通路(通孔)。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，在上中介片中形成所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個頂部金屬層部分，所述至少一個頂部金屬層部分在至少一個所述專用測試觸點與所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，使所述接口觸點與封裝件底部連接部(封裝底部連接部)電連接。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述封裝件底部連接部包括焊球。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括包圍所述有源芯片的模具。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種可測試半導(dǎo)體封裝件，包括:有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點和所述可測試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述可測試半導(dǎo)體封裝件的側(cè)壁之間提供電連接。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個頂部金屬層部分，所述至少一個頂部金屬層部分在至少一個所述專用測試觸點與所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。根據(jù)本發(fā)明的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括包圍所述有源芯片的模具。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種用于測試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括:半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括:有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點與所述半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接；頂部測試插口，通過所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)與所述至少一個所述專用測試觸點連接。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，其中，將所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)耦接至封裝件頂部測試連接部。 根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，其中，通過焊球，將所述頂部測試插口與所述至少一個所述專用測試觸點連接。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，包括與至少一個封裝件底部連接部連接的底部測試插口。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，其中，通過所述中介片將至少一個所述接口觸點與所述封裝件底部連接部電連接。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，包括與所述至少一個所述專用測試觸點連接的彈簧針


圖1示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖2示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件的示例性橫截面圖。圖3示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。

圖4A示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的分割(切割，singulation)之前的可測試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。
圖4B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的分割之后的可測試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖5示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的用于測試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)的示例性截面圖。
具體實施例方式以下描述包含與本公開內(nèi)容中的實施方式相關(guān)的特定信息。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，可以以與這里特別討論的方式不同的方式實現(xiàn)本公開內(nèi)容。本申請中的附圖及其所附詳細描述涉及僅示例性的實施方式。除非另外指出，否則可以用相似或相應(yīng)的參考數(shù)字來表示圖中相似或相應(yīng)的元件(要素)。此外，本申請中的附圖和示圖通常不是成比例的，并且不旨在與實際的相對尺寸相應(yīng)。圖1提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件100 (也叫做“封裝件100”)。封裝件100包括有源芯片(active die)102，中介片(中介板，插入物，中介層，interposer) 104 (或更一般地叫做“基板104”)，導(dǎo)電介質(zhì)106a和106b,封裝件頂部測試連接部(連接點，接點)108a和108b (也統(tǒng)稱作“封裝件頂部測試連接部108”)，封裝件底部連接部110a，110b，110c，IlOd和IlOe (也統(tǒng)稱作“封裝件底部連接部110，，)，以及模具(moulding) 132。有源芯片102具有接口觸點112a，112b和112c (也統(tǒng)稱作“接口觸點112”)以及專用測試觸點114a和114b (也統(tǒng)稱作“專用測試觸點114”)。有源芯片102可以包括，例如，集成電路(1C)，以及其他與接口觸點112和專用測試觸點114連接的電氣部件。如圖1所示，在本實施方式中，至少一些接口觸點112和專用測試觸點114包括焊球(例如微凸塊)，作為一個實例。利用接口觸點112來規(guī)則地操作封裝件100。換句話說，接口觸點112用于場中之外的規(guī)則操作。至少一些接口觸點112可以具有額外的用途，例如用于測試封裝件100。然而，專用測試觸點114用于測試，但是并不用于規(guī)則地操作封裝件100。雖然將接口觸點112和`專用測試觸點114示出為與有源芯片102的底面116a耦接，但是，任何接口觸點112和專用測試觸點114可與包括頂面116b的有源芯片102的不同表面耦接。在這種實施方式中，接口觸點112和專用測試觸點114可以包括接合線或其他連接裝置。而且，雖然圖1中僅示出了有源芯片102，但是，在一些實施方式中，封裝件100包括額外的有源芯片。該額外的模具可以具有額外的接口觸點112和專用測試觸點114。在封裝件100中，中介片104位于有源芯片102的底面116a附近。中介片104在接口觸點112和封裝件100的底面118a之間提供電連接。在本實施方式中，中介片104包括基板芯部120，頂部金屬層部分122a，122b，122c，122d和122e (也統(tǒng)稱作“頂部金屬層部分122”)，頂部焊接掩模124，底部金屬層部分126a，126b，126c，126d和126e(也統(tǒng)稱作“底部金屬層部分126”)，底部焊接掩模128，以及通路130a和130b (也統(tǒng)稱作“通路130”)。在一些實施方式中，通路130是通過半導(dǎo)體通路(TSV)?；?04包括，例如，有機基板，層壓基板和陶瓷基板。在本實施方式中，基板104包括層壓基板。將基板104不出為具有頂部金屬層部分122和底部金屬層部分126,但是可以包括多于兩層的金屬部分。而且，在封裝件100中，將接口觸點112通過中介片104與封裝件底部連接部110電連接。將封裝件底部連接部Iio與至少一些底部金屬層部分126電連接。在本實施方式中，至少一些封裝件底部連接部110是焊球，并可以形成球柵陣列(BGA)。然而，在各種實施方式中，封裝件100可以包括不同類型的封裝件底部連接部110，或不包括封裝件底部連接部110。在本實施方式中，封裝件底部連接部110位于至少一些底部金屬層部分126上，通過底部焊接掩模128中的相應(yīng)開口。應(yīng)注意，中介片104可以具有許多不同的形式，并作為一個實例而提供。封裝件100進一步包括在專用測試觸點114和封裝件100的頂面118b之間提供電連接的導(dǎo)電介質(zhì)106。例如，導(dǎo)電介質(zhì)106a在專用測試觸點114a和頂面118b之間提供電連接，并且導(dǎo)電介質(zhì)106b在專用測試觸點114b和頂面118b之間提供電連接。因此，專用測試觸點114可用于在封裝100的頂面118b上測試。在一些情況中，將底面118a認為是非常有價值的封裝區(qū)域。例如，可以期望對底面118a提供所有或大部分接口觸點112，以規(guī)則地操作封裝件100。作為一個實例，可以更容易地在場中之外布置封裝件100。然而，具有提供給底面118a的專用測試觸點114可以，例如，阻止對底面118a提供一些接口觸點112。通過對封裝件100的頂面118b，而不是對封裝件100的底面118a，提供專用測試觸點114，可在底面118a上產(chǎn)生額外的空間，例如，用于接口觸點112或用于其他目的。同樣地，在一些實施方式中，可以更容易地對底面118a提供所有或大部分接口觸點112，以規(guī)則地操作封裝件100。此外，可以對底面118a提供額外的接口觸點112，從而增強封裝件100的功能性。另外，可以減小封裝件100的總覆蓋面積或封裝尺寸。在本實施方式中，頂部金屬層部分122在專用測試觸點114和導(dǎo)電介質(zhì)106之間提供電連接。例如，頂部金屬層部分122a在專用測試觸點114a和導(dǎo)電介質(zhì)106a之間提供電連接。將導(dǎo)電介質(zhì)106與相應(yīng)的封裝件頂部測試接部108耦接。將封裝件頂部測試連接部108示出為焊球。然而，一些實施方式不包括封裝件頂部測試連接部108或包括不同類型的封裝件頂部測試連接部108。而且，在本實施方式中，導(dǎo)電介質(zhì)106包括位于模具132內(nèi)的通過模具通路(TMV)105a和105b(也統(tǒng)稱作“導(dǎo)電通路105a”和“導(dǎo)電通路105b”)，模具132包圍有源芯片102。在所不的實施方式中，導(dǎo)電介質(zhì)106橫過有源芯片102的底面116a和頂面116b。形成導(dǎo)電介質(zhì)106可以包括，例如，形成通過模具132和頂部焊接掩模124的通路(通孔)，并用導(dǎo)電材料填充通路，該導(dǎo)電材料可包括，例如，金屬或金屬合金，以形成TMV105a和105b。雖然未示出，但是可對頂面118b上的任何地方提供專用測試觸點114，包括直接在有源芯片102上。在一些實施方式中，至少一些專用測試觸點114在有源芯片102的頂面116b上，并利用任何合適的導(dǎo)電介質(zhì)(例如TMV)提供給頂面118b。在各種實施方式中，封裝件100可以是，例如，細球柵陣列(FBGA)封裝件，倒裝芯片(FC)封裝件，方形扁平無引腳(QFN)封裝件，頂部探針中介片封裝件，晶圓級封裝件，疊成封裝(PoP)類型的封裝件，或其他類型的未在這里特別描述的封裝件。雖然這里示出的實施方式包括模具132，但是其他實施方式并不包括模具132。此外，導(dǎo)電介質(zhì)106可采用許多與圖1所示的形狀不同的形狀。作為另一實例，圖2提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件200 (也稱 作“封裝件200”)。封裝件200與圖1中的封裝件100相對應(yīng)。因此，并未相對于圖2特別描述圖1和圖2之間的至少一些相似和/或相同的元件。封裝件200包括有源芯片202，導(dǎo)電介質(zhì)206a和206b，專用測試觸點214a和214b，底面216a，頂面216b，頂面218b，頂部金屬層部分222a和222e，以及模具232，其分別與圖1中的有源芯片102，導(dǎo)電介質(zhì)106a和106b，專用測試觸點114a和114b，底面116a，頂面116b，頂面118b，頂部金屬層部分122a和122e，以及模具132相對應(yīng)。在圖2中，導(dǎo)電介質(zhì)206a包括導(dǎo)電塊234a，使用焊料236a將其附接至頂部金屬層部分222a。類似地，導(dǎo)電介質(zhì)206b包括導(dǎo)電塊234b，利用焊料236b將其附接至頂部金屬層部分222e。導(dǎo)電塊234a和234b可包括導(dǎo)電材料,例如金屬或金屬合金,并可具有任何適當?shù)男螤睢Ｔ谝粋€實施方式中，導(dǎo)電塊234a和234b是銅塊。形成封裝件200可以包括，例如，將導(dǎo)電塊234a和234b焊接至相應(yīng)的頂部金屬層部分222a和222e，然后在導(dǎo)電塊234a和234b上形成模具232。雖然未示出，但是，在一些實施方式中，至少一些專用測試觸點(例如，專用測試觸點214a和214b)在有源芯片202的頂面216b上，并使用例如銅塊將其提供給頂面218b。作為另一實例，圖3提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的可測試半導(dǎo)體封裝件300(也稱作“封裝件300”)。封裝件300與圖1中的封裝件100相對應(yīng)。因此，并未相對于圖3特別描述圖1和圖3之間的至少一些相似和/或相同的元件。封裝件300包括有源芯片302，下中介片304 (或更一般地叫做“下基板304”)，導(dǎo)電介質(zhì)306a和306b，封裝件頂部測試連接部308a和308b，專用測試觸點314a和314b，底面316a，頂面316b，頂面318b，頂部金屬層部分322a和322e，以及模具332，其分別與圖1中的有源芯片102，中介片104，導(dǎo)電介質(zhì)106a和106b，封裝件頂部測試連接部308a和308b，專用測試觸點114a和114b，底面116a，頂面116b，頂面118b，頂部金屬層部分122a和122e，以及模具132相對應(yīng)。封裝件300還包括位于有源芯片302的頂面316b附近的上中介片340 (或更一般地叫做“上基板3 40”)。上中介片340可以是，例如，硅中介片，層壓基板等。由于在本實施方式中上中介片340是硅中介片，所以，上中介片340包括基板芯部342，頂部金屬層部分346a和346b，頂部焊接掩模(或鈍化部分)348，底部金屬層部分350a和350b，底部焊接掩模(或鈍化部分)352，以及通路354a，354b和354c。在本實施方式中，通路354a，354b和354c是通過半導(dǎo)體通路(TSV)。上中介片340可以是與圖3所示的下中介片304相似類型的中介片或基板，或者可以是與下中介片304不同類型的中介片或基板。在圖3所示的實施方式中，在上中介片340中形成導(dǎo)電介質(zhì)306a的至少一部分。另外,在上中介片340中形成導(dǎo)電介質(zhì)306b的至少一部分。例如，導(dǎo)電介質(zhì)306a包括頂部金屬層部分346a，底部金屬層部分350a，通路354a，以及互連焊球344a。導(dǎo)電介質(zhì)306b包括頂部金屬層部分346b，底部金屬層部分350b，通路354b和354c，以及互連焊球344b。在上中介片340中形成頂部金屬層部分346a和346b，底部金屬層部分350a和350b，以及通路 354a,354b 和 354c。在所示的實施方式中，互連焊球344a將上中介片340的底部金屬層部分350a與下中介片304的頂部金屬層部分322a電連接。封裝件頂部測試連接部308a位于頂部金屬層部分346a上并通過頂部焊接掩模348中的開口與其電連接。類似地，互連焊球344b將上中介片340的底部金屬層部分350b與下中介片304的頂部金屬層部分322e電連接。封裝件頂部測試連接部308b位于頂部金屬層部分346b上，并通過頂部焊接掩模348中的開口與其電連接。通過在上中介片340中形成導(dǎo)電介質(zhì)306a和306b的至少一部分，封裝件300可容易地支持對頂面318b提供專用測試觸點314a和314b的魯棒選路能力。相對于圖1,圖2和圖3描述的實施方式表明，至少一個導(dǎo)電介質(zhì)在至少一個專用測試觸點和可測試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。另外地，或相反地，在一些實施方式中，至少一個導(dǎo)電介質(zhì)在至少一個專用測試觸點和可測試半導(dǎo)體封裝件的側(cè)壁之間提供電連接。例如，圖4A提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的包括分割之前的可測試半導(dǎo)體封裝件400和470的結(jié)構(gòu)460。圖4B提供了沿著劃線462和464從結(jié)構(gòu)460分割之后的可測試半導(dǎo)體封裝件400 (也稱作“封裝件400”)。封裝件400與圖1中的封裝件100相對應(yīng)。因此，并未相對于圖4A和圖4B特別描述圖1與圖4A和圖4B之間的至少一些相似和/或相同的元件。圖4A和圖4B示出了與圖1中的有源芯片102，導(dǎo)電介質(zhì)106a和106b，專用測試觸點114a和114b，頂面116b，頂面118b，以及頂部金屬層部分122a和122e相對應(yīng)的有源芯片402，導(dǎo)電介質(zhì)406a和406b，專用測試觸點414a和414b，頂面416b，頂面418b，以及頂部金屬層部分422a和422e。如圖4A所示，結(jié)構(gòu)460包括導(dǎo)電塊466a和466b，其可與圖2中的銅塊234a和234b類似。因此，例如，導(dǎo)電塊466a和466b可以包括與導(dǎo)電塊234a和234b相似的材料，并且可以分別類似地焊接至頂部金屬層部分422a和422b。然后，可在導(dǎo)電塊466a和466b上形成模具432。如圖4A所示，將導(dǎo)電塊466b連接至封裝件400的頂部金屬層部分422e和可測試半導(dǎo)體封裝件470 (其可與半導(dǎo)體封裝件400相似)的頂部金屬層部分468。在沿著劃線462和464分割封裝件400之后，導(dǎo)電塊466a和466b在封裝件400的側(cè)壁472a和472b上，如圖4B所不。導(dǎo)電介質(zhì)406a包括導(dǎo)電塊466a,并且導(dǎo)電介質(zhì)406b包括導(dǎo)電塊466b。因此，圖4A和圖4B示出了這樣一個實例，其中至少一個導(dǎo)電介質(zhì)(例如導(dǎo)電介質(zhì)406a)在至少一個專用測試觸點(例如專用測試觸點414a)和可測試半導(dǎo)體封裝件(例如可測試半導(dǎo)體封裝件400)的側(cè)壁(例如側(cè)壁472a)之間提供電連接。圖4A另外包括在專用測試觸點414b和可測試 半導(dǎo)體封裝件400的側(cè)壁472b之間提供電連接的導(dǎo)電介質(zhì)406b。應(yīng)注意，在一些實施方式中，至少一些專用測試觸點414在有源芯片402的頂面416b上，并利用任何適當?shù)膶?dǎo)電介質(zhì)(例如銅塊)提供給側(cè)壁472a和/或側(cè)壁472b。如上所述，封裝件400可以進一步包括，例如，至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，代替導(dǎo)電介質(zhì)406a或除了導(dǎo)電介質(zhì)406a以外，導(dǎo)電介質(zhì)406a在例如專用測試觸點414a和封裝件400的頂面418b之間提供電連接。在各種實施方式中，至少一個導(dǎo)電介質(zhì)可與圖1，圖2和圖3中的任何導(dǎo)電介質(zhì)106a, 206a和306a相似或不同。此外，圖4A和圖4B提供了用于制造封裝件400的一個有效的實例。然而，可用許多不同的方式制造封裝件400，并且，導(dǎo)電介質(zhì)406a和40b不限于所示的實施方式。在各種實施方式中，封裝件400可提供一些與以上相對于封裝件100，200和300描述的相似的優(yōu)點?，F(xiàn)在參考圖5，圖5提供了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的用于測試半導(dǎo)體封裝件500(也稱作“封裝件500”)的系統(tǒng)580。系統(tǒng)580包括封裝件500，頂部測試插口 582a和底部測試插口 582b。封裝件500可與任何之前描述的封裝件100，200，300和400相對應(yīng)，并可與這里并未特別描述的封裝相應(yīng)。在所示的實施方式中，封裝件500最接近地相當于圖1中的封裝件100。
將頂部測試插口 582a通過導(dǎo)電介質(zhì)506a與專用測試觸點514a電連接，用于測試封裝件500。在所示的實施方式中，將頂部測試插口 582a通過封裝件頂部測試連接部508a(其是焊球)與專用測試觸點514a電連接。如圖5所示，頂部測試插口 582a具有用于接觸封裝件500的頂部探針584a和584b。更特別地，將頂部探針584a與專用測試觸點514a連接，并將頂部探針584b與專用測試觸點514b連接。在本實施方式中，頂部探針584a和584b是彈簧針。將底部測試插口 582b與封裝件底部連接部510連接。如圖5所示，底部測試插口582b具有用于接觸封裝件500的底部探針586a，586b，586c，586d和586e (也統(tǒng)稱作“底部探針586”)。在本實施方式中，底部探針586是彈簧針。在一些實施方式中，將至少一些底部探針586與封裝件底部連接部510電連接，用于測試封裝件500。在一些實施方式中，將至少一些底部探針586與封裝件底部連接部510連接，僅用于對封裝件500進行結(jié)構(gòu)支撐。此外，雖然將每個封裝件底部連接部510示出為具有相應(yīng)的底部探針586，但是，在一些實施方式中，至少一個封裝件底部連接部510并不直接接觸底部測試插口 582b。例如，可去除底部探針586b。通過這樣做，在測試封裝件500的過程中，不太可能損壞封裝件底部連接部510。特別地，可去除用于相應(yīng)的未用來測試的接口觸點(例如，接口觸點512a)的底部探針586。在一些實施方式中，封裝件500不包括至少一個封裝件頂部測試連接部508，并且頂部探針584可直接接觸導(dǎo)電介質(zhì)506。類似地，在一些實施方式中，封裝件500不包括封裝件底部連接部510。此外，頂部探針584和/或底部探針586可適于這樣的實施方式，其中至少一個導(dǎo)電介質(zhì)在至少一個專用測試觸點和可測試半導(dǎo)體封裝件(例如封裝件400)的側(cè)壁之間提供電連接。從以上描述中，顯而易見的是，在不背離本申請中描述的概念的范圍的前提下，可使用各種技術(shù)來實現(xiàn)那些概念。此外，雖然已經(jīng)參考某些實施方式特別描述了這些概念，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員將認識到，在不背離那些概念的精神和范圍的前提下，可對形式和細節(jié)進行改變。同樣地，將所述實施方式在所有方面中認為是說明性的，而不是限制性的。還應(yīng)理解，本申請并不限于這里描述的特定實施方式，而是，在不背離本公開內(nèi)容的范圍的前提下，許多重置、修改和替代是可能的。
權(quán)利要求
1.一種可測試半導(dǎo)體封裝件，包括: 有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點； 中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點和所述可測試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接； 至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述可測試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)被耦接至封裝件頂部測試連接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電通路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，在上中介片中形成所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)的至少一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個頂部金屬層部分，所述至少一個頂部金屬層部分在至少一個所述專用測試觸點與所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。
6.一種可測試半導(dǎo)體封裝件，包括: 有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點； 中介片，位于所述有源芯片的底 面附近，所述中介片在所述接口觸點和所述可測試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接； 至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述可測試半導(dǎo)體封裝件的側(cè)壁之間提供電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可測試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個頂部金屬層部分，所述至少一個頂部金屬層部分在至少一個所述專用測試觸點與所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。
9.一種用于測試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括: 有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點； 中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點與所述半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接； 至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接； 頂部測試插口，通過所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)與所述至少一個所述專用測試觸點連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個導(dǎo)電介質(zhì)被耦接至封裝件頂部測試連接部。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有改進的可測試性的半導(dǎo)體封裝件。該半導(dǎo)體封裝件包括有源芯片，具有接口觸點和專用測試觸點；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點和所述可測試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個所述專用測試觸點與所述可測試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。
文檔編號H01L23/544GK103227166SQ201210365269
公開日2013年7月31日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月31日
發(fā)明者趙子群, 胡坤忠, 桑帕施·K·V·卡里卡蘭, 雷佐爾·拉赫曼·卡恩, 彼得·沃倫坎普, 陳向東 申請人:美國博通公司