專利名稱：一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，具體說，是涉及一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
集成電路通常都是在硅片或其它半導體材料基板上制造，然后進行封裝與測試。當封裝時，必須先對集成電路進行切割(saw)。切割的機械力可能導致邊緣處形成微小裂痕，尤其是接近邊角處。所形成的裂痕可能會朝向集成電路的中心電路區(qū)域推進而造成其中的電路區(qū)域毀壞。為了保護集成電路中心的電路區(qū)域，一般會在集成電路芯片上介于電路區(qū)域以及其切割道之間，配置密封環(huán)(seal ring)。密封環(huán)可以防止任何裂痕(例如，因切割集成電路時的應力(stress)所導致的裂痕)侵入集成電路內(nèi)部的電路區(qū)域。此外，密 封環(huán)亦可避免濕氣滲入，或是避免其它化學物質(zhì)進入而損壞集成電路內(nèi)部的電路區(qū)域。傳統(tǒng)的密封環(huán)是由摻雜的襯底，金屬連接線和通孔及介質(zhì)材料組成的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。雖然此密封環(huán)可以防止芯片切割產(chǎn)生的裂痕及濕氣滲入，但其可能會傳導不同電路區(qū)域中的噪聲至其它電路或者傳導外部干擾電磁訊號至芯片內(nèi)部的集成電路，進而影響到整體集成電路的運作。對射頻芯片而言，由于其具有低噪聲放大器(LNA)，更容易受來自密封環(huán)傳播的噪聲的影響。為了抑制噪聲的傳播，現(xiàn)已使用一些間歇中斷的密封環(huán)來解決這一問題；雖然其有助于降低噪聲的傳播，但對可靠性存在一定風險。尤其在一些苛刻的環(huán)境條件下，水氣可經(jīng)由密封環(huán)的中斷處進入集成電路芯片的內(nèi)部使芯片加速老化。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種既可防止水氣的穿透，又能減少來自密封環(huán)傳遞的噪聲對集成電路影響的用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)的至少一個側(cè)邊為雙邊結(jié)構(gòu)，且至少一個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊(與芯片上的集成電路相鄰接的側(cè)邊)上設有至少I個開口。作為一種優(yōu)選方案，所述密封環(huán)的相鄰兩側(cè)邊均為雙邊結(jié)構(gòu)，且每一個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上均設有2個開口。作為另一種優(yōu)選方案，所述密封環(huán)的相對兩側(cè)邊均為雙邊結(jié)構(gòu)，且每一個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上均設有2個開口。作為進一步優(yōu)選方案，所述密封環(huán)為雙環(huán)結(jié)構(gòu)，其中的外環(huán)為一密閉環(huán)，其中的內(nèi)環(huán)采用上述結(jié)構(gòu)。作為進一步優(yōu)選方案，至少一個內(nèi)側(cè)邊上因開口而被斷開的區(qū)段通過金屬線與地線焊盤相連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過將密封環(huán)的至少ー個側(cè)邊設為雙邊結(jié)構(gòu)，并且在與芯片上的集成電路相鄰接的至少ー個內(nèi)側(cè)邊上設有至少I個開ロ，實現(xiàn)了既可以防止水氣的穿透，又能減少來自密封環(huán)傳遞的噪聲對集成電路的影響，可降低噪聲耦合，防止電磁訊號干擾敏感電路運作等，且結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，具有極強的實用性，可廣泛推廣應用。


圖I是實施例I提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是實施例2提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3是實施例3提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是實施例4提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖5是實施例5提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖。圖中1、密封環(huán)；2、集成電路；3、雙側(cè)邊；31、內(nèi)側(cè)邊；32、開ロ ；4、金屬線；5、夕卜環(huán)。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明作進ー步詳細、完整地說明。實施例I如圖I所示本實施例提供的一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)I共有四個側(cè)邊,其中ー個側(cè)邊3為雙邊結(jié)構(gòu)，且所述雙邊中的內(nèi)側(cè)邊31 (與芯片上的集成電路2相鄰接的側(cè)邊)上設有2個開ロ 32。所述開ロ 32可用來屏蔽噪聲的干擾；此外，采用外封閉的密封環(huán)I可以防止芯片不被應力破壞以及切割芯片導致的裂紋，并且可避免水氣的滲入。實施例2如圖2所示，本實施例與實施例I的不同之處僅在于將內(nèi)側(cè)邊31上因開ロ而被斷開的區(qū)段通過金屬線4與地線焊盤(圖中未示出)相連接，即，進行接地連接(groundconnection),以更好地屏蔽噪聲電流或信號。實施例3如圖3所示，本實施例與實施例I的不同之處僅在于密封環(huán)的相鄰兩側(cè)邊均采用雙邊結(jié)構(gòu),且每個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊31上均設有2個開ロ 32。實施例4如圖4所示，本實施例與實施例I的不同之處僅在于密封環(huán)的相對兩側(cè)邊均采用雙邊結(jié)構(gòu),且每個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊31上均設有2個開ロ 32。實施例5如圖5所示，本實施例與實施例I的不同之處僅在于所述密封環(huán)為雙環(huán)結(jié)構(gòu)，其中的外環(huán)5為ー密閉環(huán)，其中的內(nèi)環(huán)結(jié)構(gòu)與實施例I所述相同。此實施例増加的外環(huán)可更有效防止芯片切割產(chǎn)生裂紋或水氣滲入內(nèi)部。本發(fā)明中所述的雙邊結(jié)構(gòu)數(shù)量、開ロ數(shù)量及外環(huán)數(shù)量均可根據(jù)所需求的屏蔽效果進行相應地組合和増加。因此，有必要在此說明的是以上實施例只用于對本發(fā)明的技術(shù)方案作進ー步詳細地說明，不能理解為對本發(fā)明保護范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi)容作出的一些非本質(zhì)的改 進和調(diào)整均屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)的至少ー個側(cè)邊為雙邊結(jié)構(gòu),且至少ー個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上設有至少I個開ロ。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)的相鄰兩側(cè)邊均為雙邊結(jié)構(gòu),且每ー個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上均設有2個開ロ。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)的相對兩側(cè)邊均為雙邊結(jié)構(gòu),且每一個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上均設有2個開ロ。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述密封環(huán)為雙環(huán)結(jié)構(gòu)，其中的外環(huán)為ー密閉環(huán)，其中的內(nèi)環(huán)為權(quán)利要求I至3中任一項所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于至少ー個內(nèi)側(cè)邊上因開ロ而被斷開的區(qū)段通過金屬線與地線焊盤相連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于集成電路芯片的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，所述密封環(huán)的至少一個側(cè)邊為雙邊結(jié)構(gòu)，且至少一個雙邊結(jié)構(gòu)中的內(nèi)側(cè)邊上設有至少1個開口。本發(fā)明既可以防止水氣的穿透，又能減少來自密封環(huán)傳遞的噪聲對集成電路的影響，可降低噪聲耦合，防止電磁訊號干擾敏感電路運作等，且結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，具有極強的實用性，可廣泛推廣應用。
文檔編號H01L23/552GK102832178SQ201210348189
公開日2012年12月19日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者何佳, 鄭祺 申請人:上海工程技術(shù)大學