技術總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導體器件制造方法，包括步驟：在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻；在源漏區(qū)上淀積第一金屬層；執(zhí)行第一退火，使得第一金屬層與源漏區(qū)反應，外延生長形成第一金屬硅化物；在第一金屬硅化物上淀積第二金屬層；執(zhí)行第二退火，使得第二金屬層與第一金屬硅化物及源漏區(qū)反應，形成第二金屬硅化物。依照本發(fā)明的半導體器件制造方法，通過在源漏區(qū)上外延生長超薄的金屬硅化物，減小或者消除了硅化物晶粒之間的晶界，限制了金屬擴散速度和方向，從而抑制了金屬硅化物的橫向生長，進一步提高了器件的性能。

技術研發(fā)人員：羅軍;鄧堅;趙超;李俊峰;陳大鵬
受保護的技術使用者：中國科學院微電子研究所
文檔號碼：201210147554
技術研發(fā)日：2012.05.11
技術公布日：2017.09.05