本技術涉及一種能夠改善滅點缺陷的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置和電子設備。

背景技術：
近年來，在用于圖像顯示的顯示裝置領域，已開發(fā)了采用諸如有機EL器件的電流驅(qū)動型發(fā)光器件作為像素的發(fā)光器件的顯示裝置并進行了商業(yè)化，在有機EL器件中，亮度根據(jù)器件中流過的電流的值而變化。不同于液晶器件等，有機EL器件是自發(fā)光器件。因此，由于采用有機EL器件的顯示裝置（有機EL顯示裝置）不需要光源（背光），這種顯示裝置與需要光源的液晶顯示裝置相比提供減小的厚度和更高的亮度。與液晶顯示裝置的情況相同，有機EL顯示裝置的驅(qū)動方案包括簡單（無源）矩陣方案和有源矩陣方案。簡單（無源）矩陣方案具有簡單的結構；然而，存在難以利用簡單（無源）矩陣方案來實現(xiàn)尺寸大且分辨率高的顯示裝置的問題。因此，現(xiàn)今已經(jīng)大力發(fā)展了有源矩陣方案。在此方案下，流過為各像素配備的發(fā)光器件的電流由在為各發(fā)光器件配備的驅(qū)動電路中設置的有源器件（通常是TFT（薄膜晶體管））控制。順便提及，有機EL器件具有這樣一種結構：包括發(fā)光層的有機層插設于陽極電極和陰極電極之間。如果在形成有機EL器件的過程中外來物質(zhì)進入采用具有上述結構的有機EL器件作為像素的發(fā)光器件的有機EL顯示裝置，則出現(xiàn)像素的亮度缺陷。具體地，由于在制造過程中外來物質(zhì)進入有機EL中，有機EL器件的陽極電極和陰極電極之間可能發(fā)生短路。當在有機EL器件的電極之間出現(xiàn)此短路時，有機EL停止發(fā)光，因此導致包括此有機EL器件的子像素被視覺識別成非發(fā)光像素的所謂“滅點（unlitspot）”的發(fā)光缺陷。作為針對這種源于外來物質(zhì)進入的發(fā)光缺陷的對策，提出了在一個子像素中設置多組包括有機EL器件的組成器件的技術（例如，見日本特開第2007-41574號公報）。利用此技術，即使一組中的有機EL器件由于電極間短路等成為缺陷，另一組中的組成器件也正常工作，以防止子像素成為滅點。

技術實現(xiàn)要素：
然而，上述對策使像素電路復雜化。期望提供一種能夠改善滅點缺陷而不使像素電路復雜化的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置和電子設備。根據(jù)本技術實施例的一種顯示面板設置有多個像素。每個像素都包括：相互并聯(lián)連接的多個發(fā)光器件，其中每個發(fā)光器件都包括透明電極、反射電極和介于透明電極與反射電極之間的有機層，該有機層具有發(fā)光層；驅(qū)動發(fā)光器件的像素電路；以及將每個發(fā)光器件與像素電路相互直接連接的多條布線，其中每條布線都設置在反射電極的同一平面內(nèi)且具有比反射電極的寬度小的寬度。根據(jù)本技術實施例的一種顯示裝置設置有顯示面板和驅(qū)動該顯示面板的驅(qū)動電路。顯示面板設置有多個像素。每個像素都包括：相互并聯(lián)連接的多個發(fā)光器件，其中每個發(fā)光器件都包括透明電極、反射電極和介于透明電極與反射電極之間的有機層，該有機層具有發(fā)光層；驅(qū)動發(fā)光器件的像素電路；以及將每個發(fā)光器件與像素電路相互直接連接的多條布線，其中每條布線都設置在反射電極的同一平面內(nèi)且具有比反射電極的寬度小的寬度。根據(jù)本技術實施例的一種電子設備設置有顯示裝置。顯示裝置設置有顯示面板和驅(qū)動該顯示面板的驅(qū)動電路。顯示面板設置有多個像素。每個像素都包括：相互并聯(lián)連接的多個發(fā)光器件，其中每個發(fā)光器件都包括透明電極、反射電極和介于透明電極與反射電極之間的有機層，該有機層具有發(fā)光層；驅(qū)動發(fā)光器件的像素電路；以及將每個發(fā)光器件與像素電路相互直接連接的多條布線，其中每條布線都設置在反射電極的同一平面內(nèi)且具有比反射電極的寬度小的寬度。在根據(jù)本技術的上述相應實施例的顯示面板、顯示裝置和電子設備中，將各發(fā)光器件與像素電路相互直接相連的各布線設置在反射電極的同一平面中，且在寬度上小于反射電極。利用此構造，例如，即使當任何發(fā)光器件由于電極間短路等成為缺陷而因此像素成為滅點缺陷時，可通過諸如激光照射（但不限于此）的方法來斷開直接連接成為缺陷的該有機EL器件和像素電路的布線而修復成為滅點缺陷的像素。根據(jù)本技術的上述相應實施例的顯示面板、顯示裝置和電子設備中，例如，即使當任何發(fā)光器件由于電極間短路等成為缺陷而因此像素成為滅點缺陷時，可通過諸如激光照射（但不限于此）的方法來斷開直接連接成為缺陷的該有機EL器件和像素電路的布線而修復成為滅點缺陷的像素。因此，可以改善滅點缺陷而不使像素電路復雜化。應理解，前面的概述和下面的詳述都是示例性的，且旨在提供對所要求保護的技術的進一步說明。附圖說明為了提供對本公開的進一步理解而包括了附圖，附圖并入本說明書中并構成其一部分。附圖示出了實施例，并與說明書一起用于解釋技術原理。圖1是示出根據(jù)本技術實施例的顯示裝置的示意性構造的圖。圖2是示出圖1中所示像素的示例電路構造的圖。圖3是示出圖2中所示陽極電極和布線的示例布局的圖。圖4是示出沿著圖3中示出的A-A箭頭方向截取且沿該方向觀看的示例剖面構造的圖。圖5是示出沿著圖3中示出的B-B箭頭方向截取且沿該方向觀看的示例剖面構造的圖。圖6是示出示出在圖2中所示的遮光層與陽極電極之間以及遮光層與布線之間的示例關系的圖。圖7是示出在圖2中所示的遮光層與陽極電極之間以及遮光層與布線之間的另一示例關系的圖。圖8是示出在圖1中所示的像素處出現(xiàn)的滅點缺陷的示例狀態(tài)的圖。圖9是示出布線斷開的示例狀態(tài)的圖。圖10是示出對布線施加激光的示例狀態(tài)的圖。圖11是示出沿著圖3中示出的A-A箭頭方向截取且沿該方向觀看的另一示例剖面構造的圖。圖12是用于說明圖11中所示布線的示例制造方法的平面圖。圖13A和13B是用于說明圖12中所示的后續(xù)步驟的剖面圖。圖14A和14B是用于說明圖13A和13B中所示的后續(xù)步驟的剖面圖。圖15A和15B是用于說明圖14A和14B中所示的后續(xù)步驟的剖面圖。圖16是示出上述實施例的任意一個的顯示裝置的應用例1的外觀的透視圖。圖17A是示出從正面觀看的應用例2的外觀的透視圖，以及圖17B是示出從背面觀看的應用例2的外觀的透視圖。圖18是示出應用例3的外觀的透視圖。圖19是示出應用例4的外觀的透視圖。圖20A是示出應用例5的非折疊狀態(tài)的正視圖，圖20B是其側(cè)視圖，圖20C是示出折疊狀態(tài)的正視圖，圖20D是左側(cè)視圖，圖20E是右側(cè)視圖，圖20F是俯視圖，圖20G是其仰視圖。具體實施方式參考附圖，下面將詳細說明本技術的實施例。要注意，說明將按下面的順序進行。1．實施例（顯示裝置）2．變形例（顯示裝置）3．應用例（電子設備）[1.實施例][構造]圖1示出了根據(jù)本技術的實施例的顯示裝置1的示意性構造。顯示裝置1包括顯示面板10和基于從外部輸入的圖像信號20A和同步信號20B來驅(qū)動顯示面板10的驅(qū)動電路20。驅(qū)動電路20例如包括時序生成電路21、圖像信號處理電路22、信號線驅(qū)動電路23、掃描線驅(qū)動電路24以及電源線驅(qū)動電路25。（顯示面板10）顯示面板10包括遍及顯示面板10的顯示區(qū)10A二維布置的多個像素11。像素11對應于作為構成顯示面板10的畫面的最小元素的點。在顯示面板10是彩色顯示面板的情況下，像素11是發(fā)射諸如紅光、綠光和藍光的單色光的子像素。在顯示面板10是單色顯示面板的情況下，像素11是發(fā)射白光的像素。當基于有源矩陣方案通過驅(qū)動電路20驅(qū)動像素11時，顯示面板10基于從外部輸入的圖像信號20A來顯示圖像。圖2示出了像素11的示例電路構造。各像素11包括彼此并聯(lián)的多個有機EL器件13、驅(qū)動各有機EL器件13的驅(qū)動電路12以及將各有機EL器件13與像素電路12彼此直接相連的多條布線14。具體地，每個像素11包括彼此并聯(lián)連接的兩個有機EL器件13、驅(qū)動有機EL器件13的一個像素電路12以及將各有機EL器件13與像素電路彼此直接相連的兩條布線14。例如，有機EL器件13具有這樣一種構造：有機層13C（稍后描述）插設于陽極電極13A與陰極電極13B之間。陰極電極13B是由對于有機層13C處生成的光透明且具有導電性的材料制成的透明電極。陰極電極13B材料的例子包括ITO(氧化銦錫)、SnO（氧化錫）、IZO（氧化銦鋅）等。例如，盡管未在圖中示出，有機層13C具有這樣一種疊層結構：空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層以及電子輸運層按此順序從陰極電極13B側(cè)疊置。要注意，必要時，有機層13C可包括除上述示例層以外的層，或者可能不包括空穴輸運層和電子輸運層的一個或兩者。這種情況下，空穴注入層提高了空穴注入效率。空穴輸運層提高了至發(fā)光層的空穴輸運效率。利用在陰極電極13B與陽極電極13A之間產(chǎn)生的電場，發(fā)光層使電子和空穴復合，以發(fā)光。電子輸運層提高了至發(fā)光層的電子輸運效率。圖3示出了陽極電極13A和布線14的示例布圖。圖4是示出沿著圖3中示出的A-A箭頭方向截取且沿該方向觀看的示例剖面構造的圖。圖5是示出沿著圖3中示出的B-B箭頭方向截取且沿該方向觀看的示例剖面構造的圖。陽極電極13A是以高反射率反射在有機層13C處生成的光的反射電極。陽極電極13A具有這樣一種構造：接觸有機層13C的第一導電層35A以及與第一導電層35A接觸且具有比第一導電層35A的反射率低的反射率的第二導電層35B彼此疊置。第一導電層35A由高反射率的材料制成。第一導電層35A材料的例子包括鋁、銀、鉑、金、鉻、鎢、鎳以及包括這些材料中任意材料的合金。優(yōu)選地，第二導電層35B由具有比第一導電層35A的反射率低的反射率的材料制成，且比第一導電層35A吸收更多的激光。第二導電層35B材料的例子包括鉬、鈦以及包括這些材料中任意材料的合金。布線14與陽極電極13A在同一平面內(nèi)形成。布線14具有與陽極電極13A...