技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括步驟：在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻；在源漏區(qū)上淀積第一金屬層；執(zhí)行第一退火，使得第一金屬層與源漏區(qū)反應(yīng)，外延生長(zhǎng)形成第一金屬硅化物；在第一金屬硅化物上淀積第二金屬層，第二金屬層的厚度大于第一金屬層的厚度；執(zhí)行第二退火，使得第二金屬層與第一金屬硅化物及源漏區(qū)反應(yīng)，形成第二金屬硅化物。2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，柵極側(cè)墻包括氧化物、氮化物及其組合。3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻的步驟進(jìn)一步包括：以柵...