本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法，特別是涉及一種有效控制金屬硅化物側(cè)向延伸以及降低源漏接觸電阻的半導(dǎo)體器件制造方法。

背景技術(shù)：
IC集成度不斷增大需要器件尺寸持續(xù)按比例縮小，然而電器工作電壓有時(shí)維持不變，使得實(shí)際MOS器件內(nèi)電場強(qiáng)度不斷增大。高電場帶來一系列可靠性問題，使得器件性能退化。例如，MOSFET源漏區(qū)之間的寄生串聯(lián)電阻會(huì)使得等效工作電壓下降，容易造成器件性能降低。一種能有效降低源漏電阻的器件結(jié)構(gòu)是在襯底中利用自對準(zhǔn)硅化工藝(SALICIDE)形成金屬硅化物，通常為Ni、NiPt、NiCo、NiPtCo等鎳基金屬的相應(yīng)硅化物。制造方法通常是在器件中柵極堆疊結(jié)構(gòu)上和柵極側(cè)墻兩側(cè)的襯底上濺射鎳基金屬，然后進(jìn)行較低溫度(例如450～550℃)的快速熱退火，使得鎳基金屬與襯底中的硅反應(yīng)形成具有較低薄膜電阻的鎳基金屬硅化物，并且以此直接作為器件的源漏區(qū)，從而有效降低源漏接觸、寄生電阻。然而，由于鎳基金屬不僅位于襯底待形成源漏區(qū)的位置上還位于柵極側(cè)墻和柵極堆疊上，以及在上述SALICIDE工藝期間執(zhí)行快速熱退火，上述鎳基金屬不僅與暴露出的襯底反應(yīng)，而且還會(huì)有一部分?jǐn)U散進(jìn)入柵極側(cè)墻下方，使得形成的鎳基金屬硅化物橫向擴(kuò)散、侵犯到柵極側(cè)墻下方，甚至進(jìn)入溝道區(qū)。而隨著器件工藝發(fā)展到亞50nm節(jié)點(diǎn)，上述鎳基金屬硅化物的橫向擴(kuò)展將導(dǎo)致重大問題，例如增大了柵極泄漏電流、降低了器件可靠性、源漏區(qū)可能接合短路、柵極對于溝道區(qū)的控制減弱，最終造成器件失效。特別地，由于SOI頂Si層較薄，較少的Si含量可能使得金屬硅化物橫向擴(kuò)散問題更嚴(yán)重。針對這種橫向擴(kuò)散問題，一種方案是采用兩步退火法。具體地，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)和柵極側(cè)墻兩側(cè)以及兩側(cè)的襯底上沉積鎳基金屬層，執(zhí)行溫度較低的第一退火，例如約300℃，使得鎳基金屬層與襯底中Si反應(yīng)形成富鎳相的金屬硅化物，由于該第一退火溫度足夠低，抑制了Ni基金屬的擴(kuò)散，使得反應(yīng)形成的富鎳相金屬硅化物較少延展到柵極側(cè)墻下方、更不會(huì)突入溝道區(qū)中。剝除未反應(yīng)的鎳基金屬層之后，執(zhí)行溫度較高的第二退火，例如450～500℃，使得富鎳相的金屬硅化物轉(zhuǎn)化為具有較低電阻的鎳基金屬硅化物。然而在上述方法中，由于鎳基金屬層剝除不完全而在柵極側(cè)墻上有殘留、或者是由于富鎳相鎳基金屬硅化物中鎳基金屬含量較高，在第二退火時(shí)，仍然有少量的鎳基金屬硅化物會(huì)突入柵極側(cè)墻下方，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)M(jìn)入溝道區(qū)乃至連通源漏區(qū)，造成器件性能下降或者失效。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中難以完全抑制鎳基金屬硅化物的橫向延伸，嚴(yán)重制約了器件性能的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
由上所述，本發(fā)明的目的在于提供一種能有效抑制金屬硅化物橫向延伸的半導(dǎo)體器件制造方法。為此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括步驟：在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻；在源漏區(qū)上淀積第一金屬層；執(zhí)行第一退火，使得第一金屬層與源漏區(qū)反應(yīng)，外延生長形成第一金屬硅化物；在第一金屬硅化物上淀積第二金屬層；執(zhí)行第二退火，使得第二金屬層與第一金屬硅化物及源漏區(qū)反應(yīng)，形成第二金屬硅化物。其中，柵極側(cè)墻包括氧化物、氮化物及其組合。其中，形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻的步驟進(jìn)一步包括：以柵極堆疊結(jié)構(gòu)為掩膜，執(zhí)行第一源漏離子注入，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成輕摻雜的源漏延伸區(qū)；在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上形成柵極側(cè)墻；以柵極側(cè)墻為掩膜，執(zhí)行第二源漏離子注入，在柵極側(cè)墻兩側(cè)的襯底中形成重?fù)诫s源漏區(qū)；退火，激活摻雜離子。其中，襯底包括體Si、SOI。其中，第一金屬層和/或第二金屬層為鎳基金屬層，包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。其中，第一金屬層中非Ni元素的總含量小于等于10％。其中，第一金屬層厚度為0.5～5nm。其中，第二金屬層厚度為1～100nm。其中，第一金屬硅化物厚度為1～9nm。其中，第一金屬硅化物包括NiSi2-y、...