技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種肖特基半導(dǎo)體裝置，其中具有電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，當(dāng)半導(dǎo)體裝置接一定的反向偏壓時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料可以形成電荷補(bǔ)償，提高器件的正向?qū)ɑ蚍聪蜃钄嗵匦?；本發(fā)明還提供了一種肖特基半導(dǎo)體裝置的制備方法。

技術(shù)研發(fā)人員：朱江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朱江
文檔號(hào)碼：201210141953
技術(shù)研發(fā)日：2012.04.28
技術(shù)公布日：2017.02.08