本發(fā)明涉及到一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，本發(fā)明還涉及一種局電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是制造功率整流器件的基本結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體器件被大量使用在電源管理和電源應(yīng)用上，特別涉及到肖特基結(jié)的半導(dǎo)體器件已成為器件發(fā)展的重要趨勢(shì)，肖特基器件具有正向開(kāi)啟電壓低開(kāi)啟關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)肖特基器件也具有反向漏電流大，不能被應(yīng)用于高壓環(huán)境等缺點(diǎn)。肖特基二極管可以通過(guò)多種不同的布局技術(shù)制造，最常用的為平面布局，傳統(tǒng)的平面肖特基二極管在漂移區(qū)具有突變的電場(chǎng)分布曲線(xiàn)，影響了器件的反向擊穿特性，同時(shí)傳統(tǒng)的平面肖特基二極管具有較高的導(dǎo)通電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題提出，提供一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置及其制造方法。一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：襯底層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，位于襯底層之上，為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；多個(gè)溝槽，位于漂移層第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料中，溝槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，溝槽內(nèi)上部側(cè)壁設(shè)置有絕緣材料；肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料表面。一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成襯底層表面形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣介質(zhì)；進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質(zhì)，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；在溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，進(jìn)行反刻蝕；在半導(dǎo)體材料表面形成一種絕緣介質(zhì)，干法刻蝕絕緣介質(zhì)；淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。當(dāng)半導(dǎo)體裝置接一定的反向偏壓時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料可以形成電荷補(bǔ)償，提高器件的反向擊穿電壓。因?yàn)殡姾裳a(bǔ)償結(jié)構(gòu)的存在，從而可以提高漂移區(qū)的雜質(zhì)摻雜濃度，也可以降低器件的正向?qū)娮?，改善器件的正向?qū)ㄌ匦?。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的第二種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置剖面示意圖。其中，1、襯底層；2、二氧化硅；3、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；4、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；5、肖特基勢(shì)壘結(jié)；6、第二類(lèi)型肖特基勢(shì)壘結(jié)；7、歐姆接觸區(qū)；8、電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)；10、上表面金屬層；11、下表面金屬層。具體實(shí)施方式實(shí)施例1圖1為本發(fā)明的一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置剖面圖，下面結(jié)合圖1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過(guò)下表面金屬層11引出電極；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3中，為P傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，硼原子的摻雜濃度為1E16/CM3，其表面具有較高的離子摻雜濃度；肖特基勢(shì)壘結(jié)5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料與勢(shì)壘金屬形成的硅化物；歐姆接觸區(qū)7，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4的表面；二氧化硅2，位于溝槽內(nèi)側(cè)壁上部；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后外延形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，注入硼離子退火氧化，形成二氧化硅2；第二步，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第三步，在溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，進(jìn)行第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3反刻蝕；第四步，進(jìn)行熱氧化工藝，形成二氧化硅2，干法刻蝕去除二氧化硅2；第五步，在半導(dǎo)體材料表面淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)5，然后在表面淀積金屬形成上表面金屬層10；第六步，進(jìn)行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，如圖1所示。實(shí)施例2圖2為本發(fā)明的一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置剖面圖，下面結(jié)合圖2詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過(guò)下表面金屬層11引出電極；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3中，為P傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，硼原子的摻雜濃度為1E16/CM3；肖特基勢(shì)壘結(jié)5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料與勢(shì)壘金屬形成的硅化物；第二類(lèi)型肖特基勢(shì)壘結(jié)6，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4的表面；二氧化硅2，位于溝槽內(nèi)側(cè)壁上部；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后外延形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，進(jìn)行熱氧化工藝，在表面形成二氧化硅2；第二步，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第三步，在溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，進(jìn)行第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3反刻蝕；第四步，進(jìn)行熱氧化工藝，形成二氧化硅2，干法刻蝕去除二氧化硅2；第五步，在半導(dǎo)體材料表面淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)5和第二類(lèi)型肖特基勢(shì)壘結(jié)6，然后在表面淀積金屬形成上表面金屬層10；第六步，進(jìn)行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，如圖2所示。通過(guò)上述實(shí)例闡述了本發(fā)明，同時(shí)也可以采用其它實(shí)例實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)例，因此本發(fā)明由所附權(quán)利要求范圍限定。