技術(shù)特征：
1.一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：襯底層，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，位于襯底層之上，為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；多個(gè)溝槽，位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料中，溝槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，溝槽內(nèi)上部側(cè)壁表面設(shè)置有絕緣材料，同時(shí)槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與襯底層相連；肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于溝槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料上表面，低于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層上表面，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與勢(shì)壘金屬形成的結(jié)；溝槽之間第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料上表面為歐姆接觸區(qū)或第二類型肖特基勢(shì)壘結(jié)，其中第二類型肖特基勢(shì)壘結(jié)位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料上表面；溝槽之間第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與溝槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料形成電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層包括為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料層和低濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料層的疊加層。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)下部填充第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料的長(zhǎng)度占據(jù)溝槽長(zhǎng)度的絕大部分。5.如權(quán)利要求1所述的一種具有電荷補(bǔ)償肖特基半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：1)在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成襯底層表面形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣介質(zhì)；2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質(zhì)，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；3)在溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，進(jìn)行反刻蝕；4)在半導(dǎo)體材料表面形成一種絕緣介質(zhì)，干法刻蝕絕緣介質(zhì)；5)淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。