專利名稱：有機電致發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種發(fā)光裝置，且特別是有關(guān)于ー種有機電致發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光裝置是ー種自發(fā)光性(Emissive)的顯示器。由于有機電致發(fā)光裝置具有廣視角、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、重量輕、可隨硬設(shè)備小型化及薄型化、高發(fā)光效率、高演色性(Color rendering index)以及面光源等特性。因此，有機電致發(fā)光裝置具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一世代的新穎平面顯示器。一般而言，有機電致發(fā)光裝置包括發(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)。發(fā)光區(qū)中會設(shè)置有機發(fā)光元件層。若是外界的水氣以及氧氣進入有機電致發(fā)光裝置中，水氣以及氧氣會與有機發(fā)光兀件層發(fā)生電化學反應(yīng)，損壞有機發(fā)光兀件層內(nèi)部的電極與有機發(fā)光材料，造成發(fā)光區(qū)產(chǎn)生暗點并影響有機電致發(fā)光裝置的效能。為了達到阻隔水氧的效果，一般會使用蓋板貼合至承載有機發(fā)光元件層的基板上。然而，貼上蓋板后，會使得整個有機電致發(fā)光裝置的厚度増加，而且使用蓋板的技術(shù)無法應(yīng)用在可撓式有機電致發(fā)光裝置中。承上所述，也可以使用阻水氧薄膜來覆蓋有機發(fā)光元件層以達到阻隔水氣以及氧氣的效果。一般而言，現(xiàn)有封裝薄膜技術(shù)是由無機/有機薄膜多層堆棧的方式構(gòu)成，其中無機材料的阻水性較佳，有機材料具有填平缺陷以及彈性較佳的優(yōu)點，因此使用封裝薄膜可以增加有機電致發(fā)光裝置封裝后的信賴性。目前無機/有機薄膜多采用真空鍍膜的制程。鍍膜制程會使位于非發(fā)光區(qū)的薄膜邊緣有陰影效應(yīng)(Shadow Effect)與圖案化覆蓋性差等問題，導(dǎo)致鍍膜邊緣的阻水氧性不佳，因此水氣以及氧氣易從非發(fā)光區(qū)的鍍膜邊緣滲入元件中造成有機電致發(fā)光裝置的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光裝置，其可延長水氣以及氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑以提聞阻水氧性。本發(fā)明提出一種有機電致發(fā)光裝置，包括基板、有機發(fā)光元件層、圖案化結(jié)構(gòu)層以及封裝薄膜。基板具有發(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)。有機發(fā)光元件層位于基板上并位于發(fā)光區(qū)中。圖案化結(jié)構(gòu)層位于基板上并位于非發(fā)光區(qū)中。封裝薄膜位于基板上且覆蓋有機發(fā)光元件層以及圖案化結(jié)構(gòu)層。位于圖案化結(jié)構(gòu)層上的封裝薄膜的表面為高低起伏表面。位于有機發(fā)光元件層上的封裝薄膜的表面為平坦表面。其中，該圖案化結(jié)構(gòu)層包括多個突起結(jié)構(gòu)。其中，該圖案化結(jié)構(gòu)層的厚度為O. 5 5微米。其中，該圖案化結(jié)構(gòu)層包括一阻水阻氧材料。其中，該封裝薄膜包括至少ー迭層，該迭層包括一第一無機層以及ー第二無機層；以及一有機層，位于該第一無機層以及該第二無機層之間。 其中，該圖案化結(jié)構(gòu)層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該第一無機層、該有機層及該第二無機層依序覆蓋該圖案化結(jié)構(gòu)層的該最外側(cè)的側(cè)表面。其中，該圖案化結(jié)構(gòu)層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該第一無機層覆蓋該圖案化結(jié)構(gòu)層的該最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層未覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界，且該第二無機層覆蓋該有機層的鍍膜邊界。其中，該第一無機層以及該第二無機層分別包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅。其中，該第一無機層以及該第二無機層的厚度分別介于300埃與I微米之間。其中，該有機層包括壓克カ、聚對ニ甲苯。其中，該有機層的厚度介于O. 5微米與2微米之間。本發(fā)明再提出一種有機電致發(fā)光裝置，包括基板、有機發(fā)光元件層、第一無機層、聚集增益層、有機層以及第ニ無機層?；寰哂邪l(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)。有機發(fā)光元件層位于基板上并位于發(fā)光區(qū)中。第一無機層覆蓋有機發(fā)光元件層且覆蓋位于非發(fā)光區(qū)的基板。聚集增益層(aggregated enhanced layer)覆蓋位于非發(fā)光區(qū)中的第一無機層。有機層覆蓋第一無機層以及聚集増益層。第二無機層覆蓋有機層。位于聚集增益層上的有機層以及第二無機層的表面為高低起伏表面，且位于有機發(fā)光元件層上的有機層以及第ニ無機層的表面為平坦表面。其中，該聚集增益層包括鈦、鎂或是鋁。其中，該第一無機層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層及該第二無機層依序覆蓋該第一無機層的該最外側(cè)的側(cè)表面。其中，該第一無機層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層未覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界，且該第二無機層覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界。其中，該第一無機層以及該第二無機層分別包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅。其中，該第一無機層以及該第二無機層的厚度分別介于300埃與I微米之間。其中，該有機層包括壓克カ、聚對ニ甲苯。其中，該有機層的厚度介于O. 5微米與2微米之間。基于上述，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置于非發(fā)光區(qū)中設(shè)置圖案化結(jié)構(gòu)層，而使位于圖案化結(jié)構(gòu)層上的封裝薄膜具有高低起伏的表面。另外，本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置于非發(fā)光區(qū)中設(shè)置聚集增益層，而使位于聚集增益層上的有機層以及第ニ無機層具有高低起伏的表面。當水氣以及進入非發(fā)光區(qū)中的封裝薄膜或有機層時，上述高低起伏的結(jié)構(gòu)可以延長水氣以及氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，以進一步提升本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的阻水氧性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。


圖I是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機電致發(fā)光裝置的上視示意圖。圖2是沿圖I中剖線1-1’的剖面示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。其中，附圖標記10 :基板12 :發(fā)光區(qū)14 :非發(fā)光區(qū)20 :有機發(fā)光元件層30:圖案化結(jié)構(gòu)層 30S :圖案化結(jié)構(gòu)層的最外側(cè)的側(cè)表面32 :突起結(jié)構(gòu)40 :封裝薄膜42 :第一無機層42S :第一無機層的最外側(cè)的側(cè)表面44 :有機層46 :第二無機層50 :聚集增益層100a、100b、100c、IOOd :有機電致發(fā)光裝置
具體實施例方式第一實施例圖I是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機電致發(fā)光裝置的上視示意圖。圖2是沿圖I中剖線1-1’的剖面示意圖。須說明的是，為清楚繪示有機電致發(fā)光裝置IOOa的結(jié)構(gòu)，圖I僅繪示基板10以及有機發(fā)光元件層20，而省略繪示其它構(gòu)件。請同時參照圖I以及圖2，有機電致發(fā)光裝置IOOa包括基板10、有機發(fā)光元件層20、圖案化結(jié)構(gòu)層30以及封裝薄膜40?；?0具有發(fā)光區(qū)12以及非發(fā)光區(qū)14，其中非發(fā)光區(qū)14圍繞發(fā)光區(qū)12。有機發(fā)光兀件層20位于基板10上并位于發(fā)光區(qū)12中。一般來說,有機發(fā)光兀件層20可包括第一電極、第二電極以及位于第一電極以及第ニ電極之間的有機發(fā)光材料。有機發(fā)光材料可包括紅色有機發(fā)光材料、緑色有機發(fā)光材料以及藍色有機發(fā)光材料或是混合各頻譜的光產(chǎn)生的不同顏色發(fā)光材料。使用不同顏色發(fā)光材料可使有機發(fā)光元件層20發(fā)出不同的色光。此外，有機發(fā)光元件層20可更包括電子輸入層、空穴輸入層、電子傳輸層以及空穴傳輸層等等。圖案化結(jié)構(gòu)層30位于基板10上并位于非發(fā)光區(qū)14中。圖案化結(jié)構(gòu)層30包括多個突起結(jié)構(gòu)32。突起結(jié)構(gòu)32圍繞有機發(fā)光元件層20設(shè)置。圖案化結(jié)構(gòu)層30的厚度為O. 5 5微米。圖案化結(jié)構(gòu)層30包括阻水阻氧材料，其可以減少水氣以及氧氣進入有機發(fā)光元件層20中。封裝薄膜40位于基板上且覆蓋有機發(fā)光元件層20以及圖案化結(jié)構(gòu)層30。詳細而言，由于圖案化結(jié)構(gòu)層30包括多個突起結(jié)構(gòu)32，因此當封裝薄膜40覆蓋在圖案化結(jié)構(gòu)層30之上時，封裝薄膜10的表面會隨著突起結(jié)構(gòu)32的設(shè)置而具有高低起伏的表面。另外，由于有機發(fā)光元件層20的表面為平坦表面，因此，位于有機發(fā)光元件層20上的40封裝薄膜的表面為沿著有機發(fā)光元件層20鍍制的平坦表面。承上所述，封裝薄膜40包括至少ー迭層，此迭層包括第一無機層42、第二無機層46以及有機層44。有機層44位于第一無機層42以及第二無機層46之間。第一無機層42以及第二無機層46分別包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅，且其厚度分別介于300埃與I微米之間。第一無機層42以及第二無機層46為具有阻水阻氧特性的材料。有機層44包括壓克力、聚對ニ甲苯(parylene)。有機層44的厚度介于O. 5微米與2微米之間。有機層44為具有可撓性的材料。在本實施例中，圖案化結(jié)構(gòu)層30具有最外側(cè)的側(cè)表面30S,且第一無機層42、有機層44以及第二無機層46依序覆蓋圖案化結(jié)構(gòu)層30的最外側(cè)的側(cè)表面30S。詳細而言，第一無機層42的鍍膜邊界大于圖案化結(jié)構(gòu)層30的邊界，有機層44的鍍膜邊界大于第一無機層42的鍍膜邊界，第二無機層46的鍍膜邊界大于有機層44的鍍膜邊界，例如，各膜層的鍍 膜邊界均接觸基板10。在此說明的是，上述迭層是以第一無機層42、有機層44、第二無機層46的順序依序覆蓋在圖案化結(jié)構(gòu)層30，因此上述迭層會因為圖案化結(jié)構(gòu)層30中的突起結(jié)構(gòu)32具有高低起伏的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實施例，第一無機層42、有機層44以及第二無機層46可采用真空鍍膜制程來制作。本發(fā)明不限定封裝薄膜40中迭層的數(shù)量以及迭層中無機層以及有機層的數(shù)量。舉例而言，在其它未繪示的實施例中，迭層也可以由多層無機層以及多層有機層依序堆棧。承上所述，當水氣和氧氣由封裝薄膜40的鍍膜邊緣進入位于圖案化結(jié)構(gòu)層30之上的有機層44吋，由于第一無機層42、有機層44以及第二無機層44具有高低起伏的結(jié)構(gòu)，其可延長水氣和氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，因此可以提升有機電致發(fā)光裝置IOOa的阻水性與阻氧性。第二實施例圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。請參照圖3，本實施例與上述圖2的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)說明。有機電致發(fā)光裝置IOOb包括基板10、有機發(fā)光元件層20、圖案化結(jié)構(gòu)層30以及封裝薄膜40。基板10具有發(fā)光區(qū)12以及非發(fā)光區(qū)14，其中非發(fā)光區(qū)14圍繞發(fā)光區(qū)12。有機發(fā)光兀件層20位于基板10上并位于發(fā)光區(qū)12中。圖案化結(jié)構(gòu)層30位于基板10上并位于非發(fā)光區(qū)14中。封裝薄膜40位于基板10上且覆蓋有機發(fā)光元件層20以及圖案化結(jié)構(gòu)層30。位于圖案化結(jié)構(gòu)層30上的封裝薄膜40的表面為高低起伏表面。位于有機發(fā)光元件層20上的封裝薄膜40的表面為沿著有機發(fā)光元件層20鍍制的平坦表面。本實施例有機電致發(fā)光裝置IOOb與第一實施例的有機電致發(fā)光裝置IOOa的結(jié)構(gòu)大致相同，以下針對其不同之處作進一步的說明。根據(jù)本實施例，圖案化結(jié)構(gòu)層30具有最外側(cè)的側(cè)表面30S，第一無機層42覆蓋圖案化結(jié)構(gòu)層30的最外側(cè)的側(cè)表面30S，有機層44覆蓋圖案化結(jié)構(gòu)層30的最外側(cè)的側(cè)表面30S但未覆蓋第一無機層42的鍍膜邊界，且第二無機層46覆蓋有機層44的鍍膜邊界，亦即無機層的鍍膜邊界必須大于有機層的鍍膜邊界。
承上所述，根據(jù)本實施例，第一無機層42、有機層44以及第二無機層46可采用真空鍍膜制程來制作。第一無機層42的鍍膜邊界大于圖案化結(jié)構(gòu)層30的邊界，有機層44的鍍膜邊界小于第一無機層42的鍍膜邊界，第二無機層46的鍍膜邊界等于第一無機層42的鍍膜邊界。與第一實施例類似地，上述迭層是以第一無機層42、有機層44、第二無機層46的順序依序覆蓋在圖案化結(jié)構(gòu)層30之上，因此上述迭層會因為圖案化結(jié)構(gòu)層30中的突起結(jié)構(gòu)32具有高低起伏的結(jié)構(gòu)。承上所述，當水氣和氧氣進入位于圖案化結(jié)構(gòu)層30之上的有機層44吋，由于第一無機層42、有機層44以及第二無機層44具有高低起伏的結(jié)構(gòu)，其可延長水氣和氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，因此可以提升有機電致發(fā)光裝置IOOb的阻水性與阻氧性。第三實施例圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。請參照圖4，有機電致發(fā)光裝置IOOc包括基板10、有機發(fā)光元件層20、第一無機層42、聚集增益層50、有機層44以及第二無機層46。基板10具有發(fā)光區(qū)12以及非發(fā)光區(qū)14，其中非發(fā)光區(qū)14圍繞發(fā)光區(qū)12。有機發(fā)光兀件層20位于基板10上并位于發(fā)光區(qū)12中。一般來說,有機發(fā)光兀件層20可包括第一電極、第二電極以及位于第一電極以及第ニ電極之間的有機發(fā)光材料。有機發(fā)光材料可包括紅色有機發(fā)光材料、緑色有機發(fā)光材料以及藍色有機發(fā)光材料或是混合各頻譜的光產(chǎn)生的不同顏色發(fā)光材料。使用不同顏色發(fā)光材料可使有機發(fā)光元件層20發(fā)出不同的色光。此外，有機發(fā)光元件層20可更包括電子輸入層、空穴輸入層、電子傳輸層以及空穴傳輸層等等。 第一無機層42覆蓋有機發(fā)光元件層20且覆蓋位于非發(fā)光區(qū)14的基板10。第一無機層42包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅，且其厚度分別介于300埃與I微米之間。第一無機層42為具有阻水阻氧特性的材料。聚集增益層50覆蓋位于非發(fā)光區(qū)14中的第一無機層42。聚集增益層50包括鈦、鎂或是鋁。有機層44覆蓋第一無機層42以及聚集增益層50。有機層44包括壓克力、聚對ニ甲苯。有機層44的厚度介于O. 5微米與2微米之間。有機層44為具有可撓性的材料。根據(jù)本實施例，有機層44與聚集增益層50之間的材料親和カ以及有機層44與第一無機層42之間的材料親和カ不同，當鍍制有機層44吋，因為聚集增益層50不易潤濕(wetting)，因此鍍制于增集增益層50之上的有機層44的表面會產(chǎn)生霧化而在非發(fā)光區(qū)14中形成高低起伏的表面。另外，位于第一無機層42之上的有機層44的表面不會產(chǎn)生霧化，而在發(fā)光區(qū)12中形成平坦表面。承上所述，根據(jù)本實施例，當鍍制第二無機層46吋，由于第二無機層46覆蓋有機層44，因此第二無機層46會沿著有機層44的表面成長。據(jù)此，位于非發(fā)光區(qū)中的第二無機層46的表面為高低起伏的表面，位于發(fā)光區(qū)中的第二無機層46的表面為平坦表面。第二無機層46包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅。第二無機層的厚度分別介于300埃與I微米之間。第二無機層46為具有阻水阻氧特性的材料。根據(jù)本實施例，第一無機層42、有機層44以及第二無機層46可采用真空鍍膜制程來制作。第一無機層42具有最外側(cè)的側(cè)表面42S,有機層44及第ニ無機層46依序覆蓋第一無機層42的最外側(cè)的側(cè)表面42S。詳細而言，有機層44的鍍膜邊界大于第一無機層42的鍍膜邊界，第二無機層46的鍍膜邊界大于有機層44的鍍膜邊界。承上所述，當水氣和氧氣進入位于聚集增益層50之上的有機層44吋，由于有機層44以及第二無機層44具有高低起伏的結(jié)構(gòu)，其可延長水氣和氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，因此可以提升有機電致發(fā)光裝置IOOc的阻水性與阻氧性。第四實施例圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機電致發(fā)光元件的剖面示意圖。請參照圖5，本實施例與上述圖4的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)說明。有機電致發(fā)光裝置IOOd包括基板10、有機發(fā)光元件層20、第一無機層42、聚集增益層50、有機層44以及第二無機層46?；?0具有發(fā)光區(qū)12以及非發(fā)光區(qū)14，其中非發(fā)光區(qū)14圍 繞發(fā)光區(qū)12。有機發(fā)光元件層20位于基板10上并位于發(fā)光區(qū)12中。第一無機層42覆蓋有機發(fā)光元件層20且覆蓋位于非發(fā)光區(qū)14的基板10。聚集增益層50覆蓋位于非發(fā)光區(qū)14中的第一無機層42。有機層44覆蓋第一無機層42以及聚集增益層50。第二無機層46覆蓋有機層44。位于聚集增益層50上的有機層44以及第二無機層46的表面為高低起伏表面，位于有機發(fā)光元件層20上的有機層44以及第二無機層46的表面為平坦表面。本實施例有機電致發(fā)光裝置IOOd與第三實施例的有機電致發(fā)光裝置IOOc的結(jié)構(gòu)大致相同，以下針對其不同之處作進一步的說明。根據(jù)本實施例，第一無機層42、有機層44以及第二無機層46可采用真空鍍膜制程來制作。在本實施例中，第一無機層42具有最外側(cè)的側(cè)表面42S,有機層44未覆蓋第一無機層42的最外側(cè)的側(cè)表面42S,且第二無機層46覆蓋第一無機層42的該最外側(cè)的側(cè)表面42S。詳細而言，有機層44的鍍膜邊界等于第一無機層42的鍍膜邊界，第二無機層46的鍍膜邊界大于有機層44的鍍膜邊界并覆蓋第一無機層42的最外側(cè)的側(cè)表面42S。承上所述，當水氣和氧氣進入位于聚集增益層50之上的有機層44吋，由于有機層44以及第二無機層46具有高低起伏的結(jié)構(gòu)，其可延長水氣和氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，因此可以提升有機電致發(fā)光裝置IOOd的阻水性與阻氧性。綜上所述，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置于非發(fā)光區(qū)中設(shè)置具有突起結(jié)構(gòu)的圖案化結(jié)構(gòu)層，而使位于非發(fā)光區(qū)的封裝薄膜具有高低起伏的表面。另外，本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置于非發(fā)光區(qū)中的第一無機層上設(shè)置聚集增益層，而使位于聚集增益層上的有機層產(chǎn)生霧化的表面，并使第二無機層具有高低起伏的表面。當水氣進入非發(fā)光區(qū)中的封裝薄膜或第ニ無機層時，上述高低起伏的結(jié)構(gòu)可以延長水氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，以進ー步提升本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的阻水性。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，包括 一基板，其具有一發(fā)光區(qū)以及一非發(fā)光區(qū)； 一有機發(fā)光元件層，位于該基板上并位于該發(fā)光區(qū)中； 一圖案化結(jié)構(gòu)層，位于該基板上并位于該非發(fā)光區(qū)中；以及 一封裝薄膜，位于該基板上且覆蓋該有機發(fā)光元件層以及該圖案化結(jié)構(gòu)層，其中位于該圖案化結(jié)構(gòu)層上的該封裝薄膜的表面為一高低起伏表面，且位于該有機發(fā)光元件層上的該封裝薄膜的表面為一平坦表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該圖案化結(jié)構(gòu)層包括多個突起結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該圖案化結(jié)構(gòu)層的厚度為O.5 5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該圖案化結(jié)構(gòu)層包括一阻水阻氧材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該封裝薄膜包括至少一迭層，該迭層包括 一第一無機層以及一第二無機層；以及 一有機層，位于該第一無機層以及該第二無機層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該圖案化結(jié)構(gòu)層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該第一無機層、該有機層及該第二無機層依序覆蓋該圖案化結(jié)構(gòu)層的該最外側(cè)的側(cè)表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該圖案化結(jié)構(gòu)層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該第一無機層覆蓋該圖案化結(jié)構(gòu)層的該最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層未覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界，且該第二無機層覆蓋該有機層的鍍膜邊界。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層以及該第二無機層分別包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層以及該第二無機層的厚度分別介于300埃與I微米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該有機層包括壓克力、聚對二甲苯。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該有機層的厚度介于O.5微米與2微米之間。
12.—種有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，包括 一基板，其具有一發(fā)光區(qū)以及一非發(fā)光區(qū)； 一有機發(fā)光元件層，位于該基板上并位于該發(fā)光區(qū)中； 一第一無機層，覆蓋該有機發(fā)光元件層且覆蓋位于該非發(fā)光區(qū)的該基板； 一聚集增益層，覆蓋位于該非發(fā)光區(qū)中的該第一無機層； 一有機層，覆蓋該第一無機層以及該聚集增益層；以及 一第二無機層，覆蓋該有機層，其中位于該聚集增益層上的該有機層以及該第二無機層的表面為高低起伏表面，且位于該有機發(fā)光元件層上的該有機層以及該第二無機層的表面為平坦表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該聚集增益層包括鈦、鎂或是招。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層及該第二無機層依序覆蓋該第一無機層的該最外側(cè)的側(cè)表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層具有一最外側(cè)的側(cè)表面，該有機層未覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界，且該第二無機層覆蓋該第一無機層的鍍膜邊界。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層以及該第二無機層分別包括金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或是氮化硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該第一無機層以及該第二無機層的厚度分別介于300埃與I微米之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該有機層包括壓克力、聚對二甲苯。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該有機層的厚度介于0.5微米與2微米之間。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光裝置，包括基板、有機發(fā)光元件層、圖案化結(jié)構(gòu)層以及封裝薄膜?；寰哂邪l(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)。有機發(fā)光元件層位于基板上并位于發(fā)光區(qū)中。圖案化結(jié)構(gòu)層位于基板上并位于非發(fā)光區(qū)中。封裝薄膜位于基板上且覆蓋有機發(fā)光元件層以及圖案化結(jié)構(gòu)層。位于圖案化結(jié)構(gòu)層上的封裝薄膜的表面為高低起伏表面，且位于有機發(fā)光元件層上的封裝薄膜的表面為平坦表面。本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置，當水氣以及進入非發(fā)光區(qū)中的封裝薄膜或有機層時，上述高低起伏的結(jié)構(gòu)可以延長水氣以及氧氣進入有機發(fā)光元件層的路徑，以進一步提升本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的阻水氧性。
文檔編號H01L51/50GK102664239SQ20121013575
公開日2012年9月12日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月2日
發(fā)明者張家豪, 張川修, 楊志仁, 王俊然 申請人:友達光電股份有限公司