專利名稱：一種吸收電容結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及吸收電容器，特別是ー種應(yīng)用在橋式逆變回路上的一體化吸收電容結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
商用電磁爐通常采用半橋或全橋逆變拓撲結(jié)構(gòu)，在高頻逆變過程中為了實現(xiàn)開關(guān)器件的軟開關(guān)，通常需要増加吸收電容做緩沖電路，以降低關(guān)斷時刻的開關(guān)損耗。由于處于高的關(guān)斷電流條件下，吸收電容自身發(fā)熱嚴重?，F(xiàn)有的吸收電容通常為分立結(jié)構(gòu)，吸收電容與IGBT的CE極比較遠，引腳比較長，雜散電感較大，吸收效果比較差；另外由于受到IGBT封裝模塊的影響，吸收電容安裝不方便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有的問題而提供ー種吸收電容結(jié)構(gòu)，可以降低引腳的雜散電感，提高吸收電容的吸收效果，同時提高系統(tǒng)的可裝配性，降低吸收電容的溫度，增加吸收電容的可靠性。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是ー種吸收電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，其為兩個一體化封裝結(jié)構(gòu)的電容，且設(shè)有能與IGBT管腳一一對應(yīng)分別直接連接的端子。上述吸收電容包括第一電容芯子、第二電容芯子、第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子通過焊點與第一電容芯子的下端面相連；第二端子通過焊點與第二電容芯子的下端面相連；第三端子分別通過焊點與第一電容芯子的上端面、第二電容芯子上端面相連。上述吸收電容通過填充物灌封于電容外殼中，所述端子從電容外殼中弓I出。使用吋，將本發(fā)明的第一端子、第二端子、第三端子分別與IGBT的三個管腳直接連接，形成本發(fā)明與IGBT直接并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果是，將電容模塊做一體化設(shè)計，通過內(nèi)部封裝，引出與IGBT管腳一一對應(yīng)的三根端子，直接并聯(lián)在IGBT的模塊上，具有裝配方便，同時電容與IGBT模塊等高，可以很方便地固定在IGBT模塊的散熱器上，有利于器件的散熱。


圖I為本發(fā)明的整體與IGBT連接的示意 圖2為本發(fā)明展開的具體結(jié)構(gòu)示意 圖3為本發(fā)明展開的另ー視角具體結(jié)構(gòu)示意 圖4為本發(fā)明灌封完成后的結(jié)構(gòu)示意 圖5為本發(fā)明與IGBT連接的電氣原理圖。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明作進ー步說明。如圖2、圖3、圖4所不,本發(fā)明包括有第一電容芯子14、第二電容芯子15、第一端子11、第二端子12、第三端子13、電容外殼16和填充物17 ;第一端子11通過焊點143與第一電容芯子14的下端面相連；第二端子12通過焊點153與第二電容芯子15的下端面相連；第三端子13通過焊點142與第一電容芯子14的上端面相連，通過焊點152與第二電容芯子15上端面相連；然后通過填充物17灌封于電容外殼16中，第一端子11、第二端子12、第三端子13從電容外殼16中引出，構(gòu)成兩個一體化封裝結(jié)構(gòu)的電容結(jié)構(gòu)，本實施例中，填充物17米用環(huán)氧樹脂。本發(fā)明使用時，如圖I、圖5所示，它的第一端子 11、第二端子12、第三端子13分別與對應(yīng)的IGBT模塊2的第一管腳21、第二管腳22、第三23直接相連。本發(fā)明通過將逆變電路中，IGBT兩端的吸收電容進行一體化封裝，使吸收電容的端子與IGBT的管腳一一對應(yīng)，方便裝配，同時此種結(jié)構(gòu)吸收電容的引線相對比較短，可以有效地降低雜散電感；另外，吸收電容還可以直接固定在散熱片上，其與IGBT等高的一體化設(shè)計，可以很方便的利用IGBT散熱器對吸收電容進行散熱，降低吸收電容的溫升，有效地提高吸收電容的可靠性。
權(quán)利要求
1.ー種吸收電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，其為兩個一體化封裝結(jié)構(gòu)的電容，且設(shè)有能與IGBT管腳一一對應(yīng)分別直接連接的端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的吸收電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容包括第一電容芯子(14)、第二電容芯子(15)、第一端子(11)、第二端子(12)和第三端子(13)，所述第一端子(11)通過焊點(143)與第一電容芯子(14)的下端面相連；第二端子(12)通過焊點(153)與第二電容芯子(15)的下端面相連；第三端子(13)分別通過焊點(142、152)與第一電容芯子(14)的上端面、第二電容芯子(15)上端面相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的吸收電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容通過填充物(17)灌封于電容外殼(16)中，所述端子從電容外殼(16)中引出。
全文摘要
本發(fā)明是一種吸收電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，其為兩個一體化封裝結(jié)構(gòu)的電容，且設(shè)有能與IGBT管腳一一對應(yīng)分別直接連接的端子。使用時，將本發(fā)明的端子分別與IGBT對應(yīng)的管腳直接連接，形成本發(fā)明與IGBT直接并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果是，將電容做一體化設(shè)計，通過內(nèi)部封裝，引出與IGBT管腳一一對應(yīng)的端子，直接并聯(lián)在IGBT的模塊上，具有裝配方便，同時電容與IGBT模塊等高，可以很方便地固定在IGBT模塊的散熱器上，有利于器件的散熱，降低吸收電容的溫升，有效地提高吸收電容的可靠性。
文檔編號H01G4/224GK102693839SQ20121012584
公開日2012年9月26日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月26日
發(fā)明者李彥棟, 金紅旗, 黎捷勇 申請人:美的集團有限公司