專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，尤其涉及一種可防止顯示面板劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
顯示各種信息的顯示器正朝著提供更薄、更輕、便攜和高性能的方向發(fā)展。由此，可降低重量和體積(陰極射線管(CRT)的缺點(diǎn))的有機(jī)電致發(fā)光顯示器等引起人們的注 意。有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，即在電極之間具有薄發(fā)光層的自發(fā)光器件，具有能將顯示器制作成紙張一樣薄的優(yōu)點(diǎn)。在OLED中，存在有源矩陣OLED (AMOLED)和無(wú)源矩陣OLED (PMOLED)。在這種情況下，有源矩陣OLED(AMOLED)具有像素矩陣，每個(gè)像素都具有用于顯示圖像的R，G，B三色子像素。每個(gè)子像素都具有有機(jī)電致發(fā)光器件以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光器件的單元驅(qū)動(dòng)器。單元驅(qū)動(dòng)器具有用于供給掃描信號(hào)的柵極線、用于供給視頻數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線、用于供給公共電源信號(hào)的公共電源線、至少兩個(gè)薄膜晶體管、以及存儲(chǔ)電容器。有機(jī)電致發(fā)光器件具有陽(yáng)極、陰極以及在陽(yáng)極與陰極之間的公共層。公共層包括空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL、發(fā)光層、電子注入層EIL以及電子傳輸層ETL。如圖I中所示，公共層依次堆疊在同一位置。如果在包括公共層的基板上沉積陰極10，則陰極10在公共層的前表面B處具有平坦均勻的厚度，但是由于公共層的臺(tái)階覆蓋，陰極10在公共層的側(cè)表面A處具有非均勻的厚度。因而，盡管前表面B上沉積的陰極10具有均勻厚度，但因?yàn)閭?cè)面A上沉積的陰極10具有非均勻厚度，所以陰極10的電阻隨其位置而變化，發(fā)生顯示器的劣化。

發(fā)明內(nèi)容
提供了一種可防止顯示面板劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法。為了獲得該優(yōu)點(diǎn)和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和廣義描述的，一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板包括形成在基板上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的第一電極、其中形成有用于暴露所述第一電極的堤岸孔的堤岸絕緣膜、具有堆疊在所述堤岸孔中的多個(gè)公共層的有機(jī)公共層、以及形成在所述有機(jī)公共層上的第二電極，其中所述多個(gè)有機(jī)公共層以交錯(cuò)方式形成，從而所述有機(jī)公共層的側(cè)邊緣一同形成階梯形。在一個(gè)實(shí)施方式中，使用遮蔽掩模形成所述多個(gè)有機(jī)公共層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多個(gè)有機(jī)公共層包括第一到第五公共層，其中所述第一公共層為空穴注入層(HIL)，所述第二公共層為空穴傳輸層(HTL)，所述第三公共層為紅色、綠色或藍(lán)色發(fā)光層(EML)，所述第四公共層為電子傳輸層(ETL)，所述第五公共層為電子注入層(EIL)。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板可進(jìn)一步包括形成在所述第一電極與所述有機(jī)公共層之間的緩沖膜。所述有機(jī)公共層形成階梯形。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述有機(jī)公共層包含在子像素區(qū)域內(nèi)，從而每個(gè)子像素區(qū)域都具有以階梯形堆疊的有機(jī)公共層。在其他實(shí)施方式中，第一、第二、第四和第五公共層形成階梯形并延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域。根據(jù)所述實(shí)施方式，所述第三公共層也可延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域，或者可包含在子像素區(qū)域內(nèi)，從而每個(gè)子像素區(qū)域都具有其自己的第三公共層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一公共層堆疊在所述第一電極上。所述第二公共層的一個(gè)側(cè)邊緣位于距所述第一公共層的左側(cè)邊緣向左一定距離處，從而所述第二公共層在所述左側(cè)上包覆所述第一公共層。所述第三公共層位于距所述第一和第二公共層的右側(cè)邊緣向右一定距離處，從而所述第三公共層在第一和第二公共層的右側(cè)上包覆所述第一和第 二公共層。所述第四公共層位于距所述第二和第三公共層的左側(cè)邊緣向左一定距離處，從而所述第四公共層在第二和第三公共層的左側(cè)上包覆所述第二和第三公共層。所述第五公共層位于距所述第三和第四公共層的右側(cè)邊緣向右一定距離處，從而所述第五公共層在第三和第四公共層的右側(cè)上包覆所述第三和第四公共層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二和第四公共層的所述左側(cè)邊緣從所述第一公共層的左邊緣向左延伸10 50 i! m。所述第三和第五公共層的所述右側(cè)邊緣從所述第一公共層的右邊緣向右延伸10 50iim。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二公共層的右(或“內(nèi)”)邊緣位于距所述第一公共層的右邊緣向左一定距離處。所述第三公共層的左(或“內(nèi)”)邊緣位于距所述第一公共層的左側(cè)邊緣向右一定距離處。所述第四公共層的右邊緣位于距所述第一公共層的右邊緣向左一定距離處。所述第五公共層的左邊緣位于距所述第一公共層的左邊緣向右一定距離處。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述有機(jī)公共層的左側(cè)上的側(cè)邊緣的每個(gè)都包覆下方層的左側(cè)邊緣，且所述有機(jī)公共層的右側(cè)上的右側(cè)邊緣的每個(gè)都延伸越過上方層的右側(cè)邊緣。在其他實(shí)施方式中，可以預(yù)見到側(cè)邊緣延伸越過或包覆其他有機(jī)公共層的其他側(cè)邊緣的其他形式。所述有機(jī)公共層的左右定位的選擇是任意的，在另一實(shí)施方式中可以顛倒。在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特征的一部分從下面的描述對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說(shuō)明書、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對(duì)要求保護(hù)的內(nèi)容提供進(jìn)一步的解釋。


給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說(shuō)明書一部分的附解了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說(shuō)明書一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中圖I圖解了常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件的剖面圖；圖2圖解了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的R，G，B子像素區(qū)域的等效電路圖3圖解了具有圖2中R，G，B子像素區(qū)域的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖；圖4圖解了圖3的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中的有機(jī)電致發(fā)光器件的放大圖；圖5圖解了比較現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)公共層的劣化不良率和階梯形有機(jī)公共層的劣化不良率的圖表；圖6A到6H圖解了顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式制造有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法步驟的剖面圖；圖7A到7E圖解了用于描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式形成有機(jī)公共層的方法的透視圖；圖8是根據(jù)第二個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖；圖9是根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖；圖10是根據(jù)第四個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖；·圖11是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些例子。在任何時(shí)候，在整個(gè)附圖中將使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部件。需要引起注意的是，如果確定公知的技術(shù)會(huì)導(dǎo)致誤解本發(fā)明，則將省略對(duì)公知技術(shù)的詳細(xì)描述。第一個(gè)實(shí)施方式將參照?qǐng)D2到7E描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。圖2圖解了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的R，G，B子像素區(qū)域的等效電路圖，圖3圖解了具有圖2中R，G，B子像素區(qū)域的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖，圖4圖解了圖3的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中的有機(jī)電致發(fā)光器件的放大圖。參照?qǐng)D2，有機(jī)電致發(fā)光顯示面板包括由彼此交叉的柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和電源線PL限定的多個(gè)像素區(qū)域。每個(gè)像素區(qū)域都具有有機(jī)電致發(fā)光器件和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光器件的單元驅(qū)動(dòng)器200。所述多個(gè)像素區(qū)域具有紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍(lán)色子像素區(qū)域。紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍(lán)色子像素區(qū)域以矩陣形式布置，用于顯示圖像。單元驅(qū)動(dòng)器200包括與柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL連接的開關(guān)薄膜晶體管TS、連接在開關(guān)薄膜晶體管TS、電源線PL和有機(jī)電致發(fā)光器件的第一電極222之間的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD、以及連接在電源線PL與開關(guān)薄膜晶體管TS的漏極電極110之間的存儲(chǔ)電容器C。開關(guān)薄膜晶體管TS具有與柵極線GL連接的柵極電極、與數(shù)據(jù)線DL連接的源極電極、和與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的柵極電極和存儲(chǔ)電容器C連接的漏極電極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD具有與電源線PL連接的源極電極、與有機(jī)電致發(fā)光器件的第一電極222連接的漏極電極。存儲(chǔ)電容器C連接在電源線PL與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的柵極電極之間。當(dāng)給柵極線GL施加掃描脈沖時(shí)，開關(guān)薄膜晶體管TS導(dǎo)通，以將數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)線DL供給到存儲(chǔ)電容器C和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的柵極電極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD響應(yīng)于供給到柵極電極的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制從電源線PL供給到有機(jī)電致發(fā)光器件的電流I，從而控制有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光。在供給下一幀的數(shù)據(jù)信號(hào)之前，即使開關(guān)薄膜晶體管TS關(guān)斷，通過從存儲(chǔ)電容器C供給恒定電流I，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD也可保持有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光。
將參照?qǐng)D3描述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD。參照?qǐng)D3，在基板101上形成第一緩沖膜116，在每個(gè)子像素區(qū)域處的第一緩沖膜116上形成有源層114。有源層114具有注入n+摻雜的源極和漏極區(qū)域114S和114D、以及在源極和漏極區(qū)域114S和114D之間的溝道區(qū)域114C。在包括有源層114的基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣膜112。在有源層114的溝道區(qū)域114C上方的柵極絕緣膜112上形成柵極電極106。在包括柵極電極的基板上形成層間絕緣膜126，層間絕緣膜126具有源極接觸孔124S和漏極接觸孔124D，源極接觸孔124S和漏極接觸孔124D穿過層間絕緣膜126和柵極絕緣膜112以暴露源極和漏極區(qū)域114S和114D。在層間絕緣膜上形成源極電極108和漏極電極110。源極電極108和漏極電極110分別通過源極接觸孔124S和漏極接觸孔124D與有源層114的源極區(qū)域114S和漏極區(qū)域114D連接。有源層114可在溝道區(qū)域114C與源極和漏極區(qū)域114S和114D之間進(jìn)一步設(shè)置注入有η—摻雜的輕摻雜的漏極LLD區(qū)域(未示出)，以減小關(guān)斷電流。盡管針對(duì)一種類型進(jìn)行 了描述，但在其他實(shí)施方式中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD可以是P型或η型的。在包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的基板上形成有機(jī)絕緣材料的有機(jī)保護(hù)膜119?；蛘?，該保護(hù)膜可具有無(wú)機(jī)材料的無(wú)機(jī)保護(hù)膜和有機(jī)絕緣材料的有機(jī)保護(hù)膜的兩層。將參照?qǐng)D3和4描述有機(jī)電致發(fā)光器件。參照?qǐng)D3和4，在有機(jī)保護(hù)膜119上形成第一電極132,第一電極132與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的漏極電極110連接。在包括第一電極132的基板上形成具有暴露第一電極132的堤岸孔135的堤岸絕緣膜130。在第一電極132上形成第二緩沖膜136。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二緩沖膜136由有機(jī)材料形成。在第二緩沖膜136上形成由多個(gè)公共層150a到150e構(gòu)成的有機(jī)公共層150。在有機(jī)公共層150上形成第二電極152，使第二電極在至少三側(cè)上包覆有機(jī)公共層。當(dāng)在第一電極132與第二電極152之間施加電壓時(shí)，第二電極152產(chǎn)生電子，第一電極132產(chǎn)生空穴，于是產(chǎn)生了激子。電子和空穴均注入到第三公共層150c (發(fā)光層)中并在此處復(fù)合。結(jié)果，當(dāng)激子下降到基態(tài)時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光。第一電極132，即陽(yáng)極，例如由諸如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)的透明導(dǎo)電材料形成。因?yàn)榈谝浑姌O132由透明導(dǎo)電材料形成，所以來(lái)自第三公共層150c(發(fā)光層)的光通過第一電極132發(fā)射到底表面。第二電極152，即陰極，由諸如鋁Al的反射金屬形成。如圖3中所示，盡管本發(fā)明提出底部發(fā)光，但根據(jù)第一和第二電極132和152的材料，底部發(fā)光、正面發(fā)光或兩側(cè)發(fā)光都是可以的。有機(jī)公共層150包括第一到第五公共層150a到150e，它們?cè)趦蓚?cè)邊緣上具有階梯形。第一公共層150a形成為空穴注入層HIL,第二公共層150b形成為空穴傳輸層HTL,第三公共層150c形成為R, G, B發(fā)光層EML,第四公共層150d形成為電子傳輸層ETL,第五公共層150e形成為電子注入層EIL。第三公共層150c可在R子像素區(qū)域形成為發(fā)射紅光的紅色發(fā)光層，在G子像素區(qū)域形成為發(fā)射綠光的綠色發(fā)光層，或者在B子像素區(qū)域形成為發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。其他顏色的發(fā)光層也是可以預(yù)見到的。參照?qǐng)D4，第一公共層150a形成在第二緩沖膜136上，第二公共層的右(或“內(nèi)”)邊緣150b-l位于距第一公共層的右邊緣150a-l向左一定距離處。第三公共層的左(或“內(nèi)”)邊緣150C-2位于距第一公共層的左邊緣150a-2向右一定距離處。第四公共層的右邊緣150d-l位于距第一公共層的右邊緣150a-l向左一定距離處。第五公共層的左邊緣150e_2位于距第一公共層的左邊緣150a_2向右一定距離處。
在該實(shí)施方式中，第二和第四公共層的右邊緣150b_l和150d-l位于距第一公共層的右邊緣150a-l向左10 50iim處，優(yōu)選在30iim處。第三和第五公共層的左邊緣150c-2和150e-2位于距第一公共層的左邊緣150a_2向右10 50 處，優(yōu)選在30 y m處。因?yàn)檫@些邊緣沒有延伸越過第一公共層的上述邊緣(150a_l或150a_2，隨有機(jī)公共層而定)，所以這些邊緣稱為內(nèi)邊緣。第二公共層150b的左邊緣150b_2定位成包覆第一公共層150a的左邊緣150a_2。左邊緣150b-2延伸越過第一公共層150a的左邊緣150a-2達(dá)10 50 y m，優(yōu)選30 u m。第三公共層150c的右邊緣150c-l定位成包覆第一和第二公共層150a和150b的右邊緣150a_l和150b-l。右邊緣150c-l延伸越過第一公共層150a的右邊緣150a_l達(dá)10 50iim，優(yōu)選30 ii m。第四公共層150d的左邊緣150d-2定位成包覆第二和第三公共層150b和150c 的左邊緣150b-2和150c-2。左邊緣150d-2延伸越過第二公共層150b的左邊緣150b_2達(dá)10 50 ii m，優(yōu)選30 u m。第五公共層150e的右邊緣150e_l定位成包覆第三和第四公共層150c和150d的右邊緣150c-l和150d-l。右邊緣150e_l延伸越過第三公共層150c的右邊緣 150c-l 達(dá) 10 50 ii m，優(yōu)選 30 u m。有機(jī)公共層的邊緣的左右定位的指定是任意的，在其他實(shí)施方式中可以顛倒。因而，有機(jī)公共層150彼此相對(duì)形成在不同位置中，從而在側(cè)邊緣處形成階梯形。當(dāng)沉積第二電極152時(shí)，在有機(jī)公共層150的邊緣處形成階梯形使在有機(jī)公共層150上堆疊均勻厚度的第二電極152成為可能。均勻厚度堆疊使第二電極152在第一與第五公共層之間具有基本一致(或恒定)的厚度。例如，第二電極152在第三公共層的側(cè)面上的厚度基本與其在第一、第二、第四和第五公共層的側(cè)面上的厚度相同。均勻厚度堆疊防止在有機(jī)公共層150與第二電極152之間發(fā)生劣化。圖5圖解了比較現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)公共層150的劣化不良率和本發(fā)明的階梯形有機(jī)公共層的劣化不良率的圖表。盡管現(xiàn)有技術(shù)的依次堆疊在同一位置的公共層HIL，HTL，EML，ETL和EIL具有平均3. 9%的劣化故障率，但本發(fā)明的以階梯形堆疊在不同位置的第一到第五公共層150a到150e具有0%的劣化故障率，即不存在。這在下面進(jìn)行解釋?，F(xiàn)有技術(shù)的依次堆疊在同一位置的公共層HIL，HTL，EML，ETL和EIL具有不均勻沉積的陰極10。就是說(shuō)，如圖I中所示，盡管沉積在公共層HIL，HTL，EML，ETL和EIL疊層正面上的陰極10具有均勻厚度，但沉積在公共層HIL，HTL, EML, ETL和EIL疊層側(cè)面上的陰極10較薄，不能適當(dāng)?shù)爻练e。據(jù)此，盡管沉積在公共層HIL，HTL, EML, ETL和EIL正面上的陰極10具有均勻厚度，沉積在公共層HIL，HTL，EML，ETL和EIL側(cè)面上的陰極10較薄，厚度隨位置而變化。因?yàn)殛帢O的厚度隨位置而變化，所以發(fā)生劣化。就是說(shuō)，因?yàn)槌练e在現(xiàn)有技術(shù)的公共層HIL，HTL, EML, ETL和EIL側(cè)面上的陰極的厚度比沉積在公共層HIL，HTL, EML, ETL和EIL正面上的陰極的厚度薄，使得側(cè)面的電阻較高，因此發(fā)生劣化。然而，本發(fā)明的有機(jī)公共層150具有以不同堆疊位置的階梯形堆疊的多個(gè)公共層150a到150e，使得陰極(或第二電極)152均勻沉積在側(cè)面上。據(jù)此，因?yàn)槌练e在有機(jī)公共層150正面上的陰極152的厚度和沉積在有機(jī)公共層150側(cè)面上的陰極152的厚度是均勻的，所以不會(huì)發(fā)生劣化。覆蓋層154具有防止?jié)駳夂脱鯕鉂B透的至少兩層，如圖3中所示，覆蓋層154可由無(wú)機(jī)膜154a和有機(jī)膜154b、或者多個(gè)無(wú)機(jī)膜154a和有機(jī)膜154b形成。
圖6A到6H圖解了顯示制造圖3中所示的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的方法步驟的剖面圖。參照?qǐng)D6A，在基板101的整個(gè)表面上形成第一緩沖膜116，并在每個(gè)子像素區(qū)域上方的緩沖膜116上形成多個(gè)有源層114。詳細(xì)地說(shuō)，通過諸如CVD和PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的沉積方法，在基板101的整個(gè)表面上由諸如SiO2的無(wú)機(jī)絕緣材料形成第一緩沖膜116。在第一緩沖膜116上形成非晶硅層，由激光束將非晶硅層結(jié)晶，從而將非晶硅層變?yōu)槎嗑Ч鑼?。使用第一掩模通過光刻選擇性蝕刻多晶硅層，以在第一緩沖膜116上形成有源層114?？稍诩す馐Y(jié)晶之前額外進(jìn)行脫氫步驟，以從非晶硅膜移除氫原子。參照?qǐng)D6B，通過PECVD或CVD，在具有有源層114的第一緩沖膜116的整個(gè)表面上由諸如SiO2的無(wú)機(jī)絕緣材料形成柵極絕緣膜112。然后，通過諸如濺射的沉積方法在柵極絕緣膜112上形成柵金屬層。柵金屬層為鑰Mo、鋁Al或鉻Cr、或它們的合金的單層或者雙 層。然后，通過光刻和蝕刻將柵金屬層構(gòu)圖，從而形成柵極電極106。通過使用柵極電極106作為掩模將n+摻雜注入有源層114中，從而在有源層中形成n+摻雜的源極和漏極區(qū)域114S和114D以及溝道區(qū)域114C。參照?qǐng)D6C，通過PECVD或CVD，在其上形成有柵極電極106的柵極絕緣膜112的整個(gè)表面上由諸如氧化硅和氮化硅的無(wú)機(jī)絕緣材料形成層間絕緣膜126。然后，使用第三掩模通過光刻和蝕刻形成穿過柵極絕緣膜112和層間絕緣膜126的源極和漏極接觸孔124S和124D。源極和漏極接觸孔124S和124D分別暴露源極和漏極區(qū)域114S和114D或214S和214D。參照?qǐng)D6D，在層間絕緣膜126上形成源極電極和漏極電極108和110。詳細(xì)地說(shuō)，例如通過濺射在層間絕緣膜126上沉積源極和漏極金屬層，并使用第四掩模通過光刻和蝕刻使源極和漏極金屬層構(gòu)圖，從而形成源極電極108和漏極電極110。源極電極108和漏極電極110分別通過源極和漏極接觸孔124S和124D與有源層114中的源極區(qū)域114S和漏極區(qū)域114D接觸。參照?qǐng)D6E，在其上形成有源極和漏極電極108和110的基板101上形成具有像素接觸孔120的保護(hù)膜119。詳細(xì)地說(shuō)，通過PECVD或CVD，在其上形成有源極和漏極電極108和110的基板101上形成保護(hù)膜119。保護(hù)膜119可由無(wú)機(jī)絕緣材料、或有機(jī)絕緣材料、或無(wú)機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料的兩層形成。使用第五掩模通過光刻和蝕刻將保護(hù)膜119構(gòu)圖，從而形成穿過保護(hù)膜119的像素接觸孔120。像素接觸孔120暴露漏極電極110。參照?qǐng)D6F，形成與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的漏極電極110直接接觸的有機(jī)電致發(fā)光器件的第一電極132。詳細(xì)地說(shuō)，通過諸如濺射的沉積方法，在保護(hù)膜119上由諸如TC0(透明導(dǎo)電氧化物)、ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)的透明導(dǎo)電材料形成透明導(dǎo)電電極層，并使用第六掩模通過光刻和蝕刻將透明導(dǎo)電電極層構(gòu)圖，從而形成第一電極132。參照?qǐng)D6G，在其上形成有第一電極132的基板101上形成具有堤岸孔135的堤岸絕緣膜130。詳細(xì)地說(shuō)，通過非旋涂或旋涂，在其上形成有第一電極132的基板101的整個(gè)表面上涂布諸如丙烯基樹脂的有機(jī)絕緣材料，并使用第七掩模通過光刻和蝕刻將該有機(jī)絕緣材料構(gòu)圖，從而形成穿過堤岸絕緣膜130而暴露第一電極132的堤岸孔135。參照?qǐng)D6H，在第一電極132上形成第二緩沖膜136、具有多個(gè)公共層150a到150e的有機(jī)公共層150、以及第二電極152。詳細(xì)地說(shuō)，在堤岸孔135中形成第二緩沖膜136，使用遮蔽掩模(shadow mask)在第二緩沖膜136上依次堆疊第一到第五公共層150a到150e，從而形成有機(jī)公共層150。如圖7A中所示，遮蔽掩模180包括多個(gè)開口 184和阻擋區(qū)域182，多個(gè)開口 184與像素區(qū)域的各個(gè)尺寸(例如，將要形成的有機(jī)公共層的尺寸)匹配，用于使沉積材料在沉積時(shí)穿過，阻擋區(qū)域182用于在沉積時(shí)阻擋沉積材料。將參照?qǐng)D7A到7E描述形成第一到第五公共層150a到150e的方法。圖7A到7E圖解了用于描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式形成有機(jī)公共層的方法的透視圖。
參照?qǐng)D7A,通過遮蔽掩模180的開口 184,在第一電極132上形成第一公共層150a。使用遮蔽掩模180在第一公共層150a上形成第二公共層150b。如圖7B中所示，將遮蔽掩模180相對(duì)于第一公共層150a的位置向左(例如,第一方向)移動(dòng)10 50 μ m。例如，可自遮蔽掩模180中開口 184的側(cè)邊緣測(cè)量該距離。通過遮蔽掩模180中的開口 184，在第一公共層150a上形成第二公共層150b。第一公共層150a上形成的第二公共層150b相對(duì)于第一公共層150a向左移位。使用同一遮蔽掩模180在第二公共層150b上形成第三公共層150c。如圖7C中所不，將遮蔽掩模180相對(duì)于第一公共層150a的位置向右(例如，第二方向)移動(dòng)10 50 μηι。通過遮蔽掩模180中的開口 184,在第一和第二公共層上形成第三公共層150c。第一和第二公共層上形成的第三公共層150c相對(duì)于第一公共層150a向右移位。使用同一遮蔽掩模180在第三公共層150c上形成第四公共層150d。如圖7D中所不，將遮蔽掩模180相對(duì)于第一公共層150a的位置向左移動(dòng)10 50 μ m。通過遮蔽掩模180中的開口 184，在第二和第三公共層150c上形成第四公共層150d。第二和第三公共層150c上形成的第四公共層150d相對(duì)于第一公共層150a向左移位。使用同一遮蔽掩模180在第四公共層150d上形成第五公共層150e。如圖7E中所不，將遮蔽掩模180相對(duì)于第一公共層150a的位置向右移動(dòng)10 50 μ m。通過遮蔽掩模180中的開口 184，在第三和第四公共層上形成第五公共層150e。第三和第四公共層150d上形成的第五公共層150e相對(duì)于第一公共層150a向右移位。如上所述，相對(duì)于有機(jī)公共層的疊層的左右選擇是任意的，在其他實(shí)施方式中可以顛倒。在第二緩沖膜136上形成第一公共層150a。在形成有機(jī)公共層之后，在其上形成有有機(jī)公共層150的基板101上沉積具有高反射率的諸如鋁Al的材料的第二電極152以及覆蓋層154，由此包覆有機(jī)公共層。在一個(gè)實(shí)施方式中，這通過在具有有機(jī)公共層150的基板的整個(gè)表面上進(jìn)行沉積來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過諸如CVD和PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的沉積方法，在第二電極152的整個(gè)表面上由諸如氮化硅膜、氧化硅膜、金屬或金屬氧化物膜的無(wú)機(jī)膜154a和丙烯酸脂等的有機(jī)膜154b形成覆蓋層154。第二個(gè)實(shí)施方式第一個(gè)實(shí)施方式圖解了其中有機(jī)公共層對(duì)每個(gè)子像素區(qū)域而言形成為分離且不同的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明并不限于該特定構(gòu)造。在其他實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)有機(jī)公共層可形成為延伸橫跨不只一個(gè)子像素區(qū)域。圖8是根據(jù)第二個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。在第二個(gè)實(shí)施方式中，總共五個(gè)有機(jī)公共層150中的四個(gè)是不只一個(gè)子像素區(qū)域共用的，且中間的有機(jī)公共層，即EML或第三有機(jī)公共層150c對(duì)每個(gè)子像素而言形成為分離且不同的。結(jié)果，可設(shè)計(jì)每個(gè)子像素的EML為不同，以發(fā)射不同顏色的光(例如，紅色、綠色和藍(lán)色)。在該實(shí)施方式中，在每個(gè)像素中，第一電極132與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的漏極電極110連接。第一電極132形成在保護(hù)膜119上。如圖3和4中所示，在每個(gè)像素的前表面上形成具有暴露第一電極132的堤岸孔135的堤岸絕緣膜130。如上所述，所述面板包括形成在各個(gè)像素的第一電極132上的有機(jī)公共層150a-e。在頂部有機(jī)公共層150上形成多個(gè)像素共用的第二電極152。有機(jī)公共層150包括以階梯形形成的第一到第五公共層150a到150e。如上所述， 空穴注入層(HIL)形成為第一公共層150a,空穴傳輸層(HTL)形成為第二公共層150b, R,G和B發(fā)光層(EML)形成為第三公共層150c,電子傳輸層(ETL)形成為第四公共層150d,電子注入層(EIL)形成為第五公共層150e。第一、第二、第四和第五公共層150a, 150b, 150d和150e形成為橫跨面板前表面上的多個(gè)像素(和/或子像素)區(qū)域而被共用。與第一個(gè)實(shí)施方式形成對(duì)比，在各個(gè)像素區(qū)域的每一個(gè)處單獨(dú)形成第三公共層150c。結(jié)果，第三公共層150c可用作發(fā)射紅光的R子像素區(qū)域的紅光發(fā)射層、用作發(fā)射綠光的G子像素區(qū)域的綠光發(fā)射層、或用作發(fā)射藍(lán)光的B子像素區(qū)域的藍(lán)光發(fā)射層。第二公共層150b的左側(cè)邊緣形成在從第一公共層150a的左側(cè)邊緣向右移動(dòng)距離10 50i!m(優(yōu)選30i!m)的位置處。第三公共層150c形成在每個(gè)子像素區(qū)域中的第二公共層150b上。第四公共層150d的右側(cè)邊緣形成在從第一公共層150a的右側(cè)邊緣向左移動(dòng)距離10 50 y m(優(yōu)選30 u m)的位置處。第五公共層150e的左側(cè)邊緣形成在從第二公共層150b的左側(cè)邊緣向右移動(dòng)距離10 50 y m(優(yōu)選30 u m)的位置處。如上所述，由于第一、第二、第四和第五公共層150a, 150b, 150d和150e的左右側(cè)邊緣的不同位置，有機(jī)公共層150的兩個(gè)側(cè)表面均為階梯形。有機(jī)公共層150形成階梯形側(cè)邊緣使得第二電極152以均勻厚度沉積在有機(jī)公共層150上。具有更加均勻厚度的第二電極152降低了有機(jī)公共層150與第二電極152之間劣化的發(fā)生。除了可使用兩個(gè)不同遮蔽掩模形成有機(jī)公共層之外，形成第二個(gè)實(shí)施方式中的有機(jī)公共層150的方法與參照?qǐng)D6A到6H以及圖7A到7E描述的方法類似?？墒褂玫谝徽诒窝谀?未示出)形成第一、第二、第四和第五有機(jī)公共層。可使用在與子像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置處形成有開口 184的第二遮蔽掩模180 (例如，與圖7中所述相同的遮蔽掩模)形成第三有機(jī)公共層。第三個(gè)實(shí)施方式與第二個(gè)實(shí)施方式類似，第三個(gè)實(shí)施方式是其中一個(gè)或多個(gè)有機(jī)公共層可形成為延伸橫跨不只一個(gè)子像素區(qū)域的另一種情形。圖9是根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的單色有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。在第三個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)像素中第一電極132也與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TD的漏極電極110連接。第一電極132形成在保護(hù)膜119上。如圖3和4中所示，在每個(gè)像素的前表面上形成具有暴露第一電極132的堤岸孔135的堤岸絕緣膜130。如上所述，所述面板包括形成在各個(gè)像素的第一電極132上的有機(jī)公共層150a-e。在頂部有機(jī)公共層150上形成多個(gè)像素共用的第二電極 152。 有機(jī)公共層150包括以階梯形形成的第一到第五公共層150a到150e。如上所述，空穴注入層(HIL)形成為第一公共層150a,空穴傳輸層(HTL)形成為第二公共層150b,單色發(fā)光層(EML)形成為第三公共層150c，電子傳輸層(ETL)形成為第四公共層150d，電子注入層(EIL)形成為第五公共層150e。在該實(shí)施方式中，所有五個(gè)公共層150a，150b，150c，150d和150e在面板前表面上橫跨子像素區(qū)域共用地形成。第二公共層150b的左側(cè)邊緣位于從第一公共層150a的左側(cè)邊緣向右移動(dòng)距離10 50 μπι(優(yōu)選30 μπι)的位置處。第三公共層150c位于第一公共層150a的左側(cè)邊緣與第二公共層150b的右側(cè)邊緣之間。在該實(shí)施例中，第三有機(jī)公共層150c的左側(cè)邊緣包覆第二有機(jī)公共層150b的左側(cè)邊緣，但并不包覆第一有機(jī)公共層150a的左側(cè)邊緣。第三有機(jī)公共層150c的右側(cè)邊緣沒有延伸越過第二有機(jī)公共層150b的右側(cè)邊緣。第四公共層150d的右側(cè)邊緣位于從第一公共層150a的右側(cè)邊緣向左移動(dòng)距離10 50 μ m (優(yōu)選30 μ m)的位置處。第五公共層150e的左側(cè)邊緣位于從第二公共層150b的左側(cè)邊緣向右移動(dòng)距離10 50 μ m(優(yōu)選30 μ m)的位置處。因?yàn)榈谌袡C(jī)公共層150c為多個(gè)子像素區(qū)域共用，所以使用該公共層不會(huì)實(shí)現(xiàn)顏色區(qū)分。反之，使用該實(shí)施方式形成的顯示器為黑白顯示器?；蛘?，可通過在第三有機(jī)公共層與顯示面板的前表面之間給每個(gè)子像素增加濾色器來(lái)形成單個(gè)的綠色、藍(lán)色和紅色子像素。在一個(gè)實(shí)施方式中，在基板101與顯示面板的前表面之間增加濾色器。如上所述，由于第一、第二、第四和第五公共層150a, 150b, 150d和150e的左右側(cè)邊緣的不同位置，有機(jī)公共層150的兩個(gè)側(cè)表面均為階梯形。有機(jī)公共層150形成階梯形側(cè)邊緣使得第二電極152以均勻厚度沉積在有機(jī)公共層150上。具有更加均勻厚度的第二電極152降低了有機(jī)公共層150與第二電極152之間劣化的發(fā)生。除了用于形成有機(jī)公共層的遮蔽掩模具有延伸橫跨多個(gè)像素和/或子像素區(qū)域的開口 184之外，形成第三個(gè)實(shí)施方式中的有機(jī)公共層150的方法與參照?qǐng)D6A到6H以及圖7A到7E描述的方法類似。在一個(gè)實(shí)施方式中，遮蔽掩模開口 184足夠大以對(duì)顯示面板的所有像素同時(shí)形成有機(jī)公共層。第四個(gè)實(shí)施方式第三個(gè)實(shí)施方式描述了第三公共層150c，即發(fā)光層的側(cè)邊緣沒有延伸越過其下方的有機(jī)公共層的側(cè)邊緣。除了第三有機(jī)公共層150c的至少一個(gè)側(cè)邊緣延伸越過其下方的有機(jī)公共層的側(cè)邊緣之外，第四個(gè)實(shí)施方式與第三個(gè)實(shí)施方式相同。圖10是根據(jù)第四個(gè)實(shí)施方式的單色有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。第五個(gè)實(shí)施方式第一到第四個(gè)實(shí)施方式解釋了有機(jī)公共層形成為使每層的側(cè)邊緣與前一層的側(cè)邊緣以交替方式交疊，從而一個(gè)側(cè)邊緣與前一層交疊，另一側(cè)邊緣不與前一層交疊。相反，在第五個(gè)實(shí)施方式，在一側(cè)(例如，左側(cè))上的所有側(cè)邊緣都不與前一層的側(cè)邊緣交疊，在另一側(cè)(例如，右側(cè))上的所有側(cè)邊緣都與前一層的側(cè)邊緣交疊。具有不同交疊形式的其他實(shí)施方式也是可以預(yù)見到的。不管側(cè)邊緣的交疊形式如何，都保持有機(jī)公共層的階梯形，從而第二電極152在所有層處都具有相對(duì)均勻的厚度。圖11是根據(jù)第五個(gè)實(shí)施方式的單色有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的剖面圖。盡管圖11圖解了第一到第五公共層150a 150e向右順序移位，但反過來(lái)也是可以的。就是說(shuō)，第一到第五公共層150a 150e可改為向左順序移位。額外考虎事項(xiàng)如上所述，有機(jī)電致發(fā)光顯示面板使多個(gè)有機(jī)公共層在不同堆疊位置處堆疊以具有階梯形兩側(cè)，從而適度地形成兩側(cè)。結(jié)果，有機(jī)公共層上沉積的陰極在其正面和兩側(cè)上都具有均勻的厚度。陰極在其正面和兩側(cè)上的均勻厚度使陰極電阻相同，由此防止發(fā)生劣化。沒有劣化的有機(jī)電致發(fā)光器件能提高器件的壽命和亮度。
在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED),包括 形成在基板上的第一電極； 形成在所述基板上方的多個(gè)有機(jī)公共層，所述有機(jī)公共層具有多個(gè)側(cè)邊緣，所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣一同形成階梯形；和 形成在所述有機(jī)公共層上的第二電極，所述第二電極包覆所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣，所述第二電極在每個(gè)有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣上包括基本恒定的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中在第一有機(jī)公共層之后的每個(gè)有機(jī)公共層都包覆形成在所述每個(gè)有機(jī)公共層下方的前一有機(jī)公共層的至少一個(gè)側(cè)邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中在所述第一基板上形成有緩沖膜，所述多個(gè)有機(jī)公共層形成在所述緩沖膜上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中在第一有機(jī)公共層上方的有機(jī)公共層的側(cè)邊緣延伸越過形成在所述有機(jī)公共層下方但在所述第一有機(jī)公共層上方的前一有機(jī)公共層的側(cè)邊緣一定距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED，其中所述距離為10到50Pm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED，其中所述距離為30ym。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中第一有機(jī)公共層的第一側(cè)邊緣延伸越過形成在所述第一有機(jī)公共層上方的下一有機(jī)公共層的內(nèi)邊緣一定距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中所述有機(jī)公共層至少包括 第一有機(jī)公共層； 形成在所述第一有機(jī)公共層上的第二有機(jī)公共層； 形成在所述第二有機(jī)公共層上的第三有機(jī)公共層； 形成在所述第三有機(jī)公共層上的第四有機(jī)公共層；和 形成在所述第四有機(jī)公共層上的第五有機(jī)公共層， 其中所述第二和第四有機(jī)公共層每一個(gè)的第一側(cè)邊緣都延伸越過所述第一有機(jī)公共層的第一側(cè)邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED，其中所述第一有機(jī)公共層的第二側(cè)邊緣延伸越過所述第二和第四有機(jī)公共層每一個(gè)的第二側(cè)邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED，其中所述第一有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣延伸越過所述第三和第五有機(jī)公共層每一個(gè)的第一內(nèi)邊緣，且其中所述第三和第五有機(jī)公共層每一個(gè)的第二側(cè)邊緣延伸越過所述第一有機(jī)公共層的第二側(cè)邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中由所述有機(jī)公共層形成的所述階梯形包含在單個(gè)子像素區(qū)域中。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中由所述有機(jī)公共層形成的所述階梯形延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的OLED，其中所述有機(jī)公共層中的一個(gè)是發(fā)光層，所述發(fā)光層包含在每個(gè)子像素區(qū)域中。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的OLED，其中所述有機(jī)公共層中的一個(gè)是發(fā)光層，所述發(fā)光層延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的OLED，其中所述發(fā)光層的所述第一側(cè)邊緣包覆所述第二有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣，且其中所述第一有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣延伸越過所述發(fā)光層的所述第一側(cè)邊緣。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的OLED，其中所述發(fā)光層的所述第一側(cè)邊緣包覆所述第一和 第二有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED，其中所述有機(jī)公共層的第一側(cè)上的側(cè)邊緣的每個(gè)都包覆下方層的側(cè)邊緣，且其中所述有機(jī)公共層的第二側(cè)上的側(cè)邊緣的每個(gè)都延伸越過上方層的側(cè)邊緣。
18.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的方法，包括 在基板上形成第一電極； 使用遮蔽掩模在所述基板上方形成多個(gè)有機(jī)公共層，所述有機(jī)公共層具有多個(gè)側(cè)邊緣，所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣一同形成階梯形；和 在所述有機(jī)公共層上形成第二電極，所述第二電極包覆至少一些所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣，所述第二電極在每個(gè)有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣上包括基本恒定的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成多個(gè)有機(jī)公共層包括 在所述基板上方形成第一有機(jī)公共層； 移動(dòng)所述遮蔽掩模，從而所述遮蔽掩模的第一邊緣重新定位到所述第一有機(jī)公共層的第一側(cè)邊緣的所述第一側(cè)； 形成包覆所述第一有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣的第二有機(jī)公共層； 移動(dòng)所述遮蔽掩模，從而所述遮蔽掩模的第二邊緣重新定位到所述第一和第二有機(jī)公共層的第二側(cè)邊緣的所述第二側(cè)； 形成包覆所述第一和第二有機(jī)公共層的所述第二側(cè)邊緣的第三有機(jī)公共層； 移動(dòng)所述遮蔽掩模，從而所述遮蔽掩模的所述第一邊緣重新定位到所述第二和第三有機(jī)公共層的第一側(cè)邊緣的所述第一側(cè)； 形成包覆所述第二和第三有機(jī)公共層的所述第一側(cè)邊緣的第四有機(jī)公共層； 移動(dòng)所述遮蔽掩模，從而所述遮蔽掩模的所述第二邊緣重新定位到所述第三和第四有機(jī)公共層的第二側(cè)邊緣的所述第二側(cè)；以及 形成包覆所述第三和第四有機(jī)公共層的所述第二側(cè)邊緣的第五有機(jī)公共層。
20.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的方法，包括 在基板上形成第一電極； 使用第一遮蔽掩模在所述基板上方形成多個(gè)有機(jī)公共層，所述有機(jī)公共層具有多個(gè)側(cè)邊緣，所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣一同形成階梯形；以及 使用第二遮蔽掩模在所述基板上方形成發(fā)光層，所述發(fā)光層形成在所述有機(jī)公共層之間； 在所述有機(jī)公共層上形成第二電極，所述第二電極包覆至少一些所述有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣，所述第二電極在每個(gè)有機(jī)公共層的所述側(cè)邊緣上包括基本恒定的厚度。
全文摘要
公開了一種可防止顯示面板劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板包括形成在基板上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的第一電極、其中形成有用于暴露所述第一電極的堤岸孔的堤岸絕緣膜、具有堆疊在所述堤岸孔中的多個(gè)公共層的有機(jī)公共層、以及形成在所述有機(jī)公共層上的第二電極，其中所述多個(gè)有機(jī)公共層具有彼此不同的堆疊位置，從而它們的側(cè)邊緣在兩側(cè)上形成階梯形。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102969452SQ201210114878
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者李丞桓 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司