專利名稱：檢測器的制造方法、放射線檢測裝置和放射線檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可被應(yīng)用于使用放射線的分析器、醫(yī)療圖像診斷裝置、和非破壞性檢查裝置的檢測器的制造方法，并且涉及檢測器、放射線檢測裝置和放射線檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)已被用于使用像素陣列的檢測器和放射線檢測裝置，所述像素陣列包含諸如薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)元件和諸如光電轉(zhuǎn)換元件的轉(zhuǎn)換元件。在這樣的檢測器中的一些中，在共同的處理中在基板上形成各像素的光電轉(zhuǎn)換元件和TFT (參見美國專利No. 6682960)，并且，該類型的檢測器在下面將被稱為平面型檢測器。美國專利No. 6682960公開了以下的技術(shù)。它通過同一掩模執(zhí)行，以形成將被形成為 TFT的源極和漏極電極的諸如Al (鋁)層的金屬層并且從將充當(dāng)TFT的溝道的區(qū)域去除雜質(zhì)半導(dǎo)體層。然后，通過另一掩模蝕刻光電轉(zhuǎn)換元件的諸如Al層的金屬層，以形成光電轉(zhuǎn)換元件的上電極。為了減小將被形成為源極和漏極電極的金屬層的電阻，使用Ium厚的Al膜作為金屬層。在美國專利No. 6682960中，金屬層為Iiim厚的Al膜。從減小電阻的觀點來看，金屬層可由有利地用作半導(dǎo)體器件中的布線材料并在300K具有小于3. Oy Q cm的比電阻(specific resistance)的諸如Al和Cu(銅)的金屬形成為0. 5 y m I y m的厚度。由于這些金屬不是惰性的，因此，它們可能容易由于制造工藝中使用的蝕刻劑的剩余成分或水分而被腐蝕。因此，用具有足夠的覆蓋范圍(coverage)的耐濕鈍化膜覆蓋源極和漏極電極變得重要。使用由通過CVD沉積硅氮化物(SiN)等形成的無機(jī)絕緣膜作為耐濕鈍化膜。由于通過CVD形成的無機(jī)絕緣膜是硬的，因此，如果它被形成為小的厚度，則它可能由于伴隨制造工藝中執(zhí)行的熱處理的熱膨脹和熱收縮而破裂。因此，為了用具有足夠的覆蓋范圍的無機(jī)絕緣膜覆蓋源極和漏極電極，無機(jī)絕緣膜被形成為等于源極和漏極電極的厚度的0. 5 y m I y m的厚度。但是，硬的無機(jī)絕緣膜具有高的應(yīng)力，并且可能導(dǎo)致基板翹曲。因此，不希望使無機(jī)絕緣膜形成為大的厚度。另外，由于通過諸如CVD的氣相沉積形成厚的無機(jī)絕緣膜花費長的時間，因此，生產(chǎn)量(throughput)降低。這在制造成本方面是不利的。在上面引用的美國專利No. 6682960中，光電轉(zhuǎn)換元件的上電極由金屬層制成。為了均勻地向整個光電轉(zhuǎn)換元件施加偏壓，光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層在寬的范圍上被金屬層覆蓋。但是，如果光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層在寬的范圍上被金屬層覆蓋，那么作為光可進(jìn)入的半導(dǎo)體層的面積與光電轉(zhuǎn)換元件的表面面積的比的開口率(aperture ratio)減小。此外，如果在不同的步驟中形成光電轉(zhuǎn)換元件的上電極以及TFT的源極和漏極電極，那么掩模的數(shù)量增加。因此，產(chǎn)量(yield)可能降低并且成本可能增加
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各方面在不伴隨掩模數(shù)量的增加而增加成本或降低產(chǎn)量的情況下提供包括在共同的處理中形成的具有高的開口率的光電轉(zhuǎn)換元件和耐腐蝕TFT的檢測器的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于制造檢測器的方法，所述檢測器包括光電轉(zhuǎn)換元件，其在基板上按照從基板開始的順序包含第一電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、與共同的電極布線電連接的第二電極；以及薄膜晶體管，其在基板上按照從基板開始的順序包含控制電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及包含第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件的第一和第二主電極。所述方法包括第一步驟，在基板之上沉積包含非惰性金屬的第二導(dǎo)電膜以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，并且從第二導(dǎo)電膜形成第一和第二主電極的第一導(dǎo)電部件以及電極布線。所述方法還包括第二步驟，在基板之上沉積透明導(dǎo)電氧化物膜以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜、電極布線和第一導(dǎo)電部件，從透明導(dǎo)電氧化物膜形成第一和第二主電極的第二導(dǎo)電部件以及第二電極，并且從雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層和光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電部件、第二電極、薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層在第二步驟中用同一掩模形成，并且，第一導(dǎo)電部件和電極布線 在第一步驟中用另一掩模形成。本發(fā)明的各方面能夠在不增加成本或降低產(chǎn)量的情況下提供包括在共同的處理中被形成的具有高的開口率的光電轉(zhuǎn)換元件和耐腐蝕TFT的平面型檢測器。參照附圖閱讀示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。


圖IA是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的檢測器的像素的平面圖，圖IB是沿圖IA中的線A-A'切取的斷面圖。圖2A、圖2C和圖2E是在根據(jù)第一實施例的檢測器的制造方法中使用的掩模圖案的示意性平面圖，圖2B、圖2D和圖2F是該方法的步驟中的檢測器的示意性斷面圖。圖3A、圖3C和圖3E是在該方法的各方面中使用的掩模圖案的示意性平面圖，圖3B、圖3D和圖3F是根據(jù)該方法的各方面的步驟中的檢測器的示意性斷面圖。圖4是本發(fā)明的實施例的檢測器的等效電路圖。圖5A是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的檢測器的像素的平面圖，圖5B是沿圖5A中的線VB-VB切取的斷面圖。圖6A、圖6C、圖6E和圖6G是在根據(jù)第二實施例的檢測器的制造方法中使用的掩模圖案的示意性平面圖，圖6B、圖6D、圖6F和圖6H是根據(jù)該方法的各方面的步驟中的檢測器的示意性斷面圖。圖7是包括根據(jù)本發(fā)明的實施例的檢測器的放射線檢測系統(tǒng)的概念圖。
具體實施例方式將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一些實施例。這里提到的放射線包括諸如a射線、P射線和Y射線的從通過放射線衰變(radioactive decay)發(fā)射的粒子(包含光子(photon))產(chǎn)生的射束和諸如X射線、微粒子射束(corpuscular beam)和宇宙射線(cosmicray)的具有相同或更大的能量的射束。首先將參照圖IA和圖IB描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的檢測器的像素的結(jié)構(gòu)。圖IA是檢測器的像素的平面圖，圖IB是沿圖IA中的線A-A'切取的斷面圖。本發(fā)明的實施例的檢測器的每個像素11包含將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換兀件12和根據(jù)光電轉(zhuǎn)換兀件12的電荷輸出電信號的薄膜晶體管(TFT) 13或開關(guān)兀件。光電轉(zhuǎn)換元件12具有MIS結(jié)構(gòu)，該MIS結(jié)構(gòu)是與TFT13相同的分層結(jié)構(gòu)。在諸如玻璃基板的絕緣基板100上在同一平面內(nèi)并排布 置光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13。在共同的處理中在基板100上形成光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13。光電轉(zhuǎn)換元件12在基板100上按照從基板開始的順序包含第一電極121、絕緣層122、半導(dǎo)體層123、雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)半導(dǎo)體層124、以及第二電極125。諸如Al的金屬的電極布線14與光電轉(zhuǎn)換元件12的第二電極125電連接。第二電極125由諸如ITO的透明導(dǎo)電氧化物制成，并且，在光電轉(zhuǎn)換元件12的其中設(shè)置了半導(dǎo)體層123和雜質(zhì)半導(dǎo)體層124的區(qū)域中，覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層124和電極布線14的整個表面。第二電極125有助于向整個光電轉(zhuǎn)換元件12施加均勻的偏壓，并允許光電轉(zhuǎn)換元件12具有聞的開口率。TFT13在基板100上按照從基板開始的順序包含控制電極131、絕緣層132、半導(dǎo)體層133、雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體層133的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)半導(dǎo)體層134、以及第一和第二主電極135。雜質(zhì)半導(dǎo)體層134與第一和第二主電極135部分地接觸，并且，在半導(dǎo)體層133的與雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的以下這樣的部分接觸的部分之間限定TFT的溝道區(qū)域雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的這些部分與第一和第二主電極135接觸?？刂齐姌O131與控制線15電連接。第一和第二主電極135中的一個與光電轉(zhuǎn)換元件12的第一電極121電連接，并且，另一個與信號線16電連接。在本實施例中，第一和第二主電極135的該電極通過使用同一導(dǎo)電層與信號線16—體化，并且，用作信號線16的一部分。信號線16以及第一和第二主電極135包含由諸如Al的金屬制成的第一導(dǎo)電部件136和由諸如ITO的透明導(dǎo)電氧化物制成的第二導(dǎo)電部件137。第一導(dǎo)電部件136被第二導(dǎo)電部件137覆蓋，并且被設(shè)置在第二導(dǎo)電部件137與雜質(zhì)半導(dǎo)體層134之間。從減小電阻的觀點來看，電極布線14和第一導(dǎo)電部件136由具有約Iiim的厚度的Al膜制成?？捎糜诘谝粚?dǎo)電部件136的其它材料包含諸如Cu的在300K具有小于3.0u Q cm的比電阻的金屬和主要包含這種金屬的合金。在本文的描述中，具有小于3.0u Q cm的比電阻的金屬和主要包含這種金屬的合金被稱為低電阻金屬。由于低電阻金屬不是惰性的，因此，它們可容易地由于制造工藝中使用的蝕刻劑的剩余成分或水分被腐蝕。惰性金屬指的是即使在熱力學(xué)(thermodynamic)意義上的腐蝕條件下該金屬也不腐蝕的狀態(tài)下的金屬，并且，金屬的腐蝕意味著金屬與使用環(huán)境反應(yīng)并且從表面開始變?yōu)榉墙饘贍顟B(tài)，并由此逐漸不見(lost)。低電阻金屬部件可在低電阻金屬部件上和下面具有比電阻高于低電阻金屬的比電阻的諸如Mo、Cr或Ti的金屬的膜。這些金屬膜意在防止Al等與其它部件的電阻接觸和Al等的擴(kuò)散，并且被稱為勢壘層或歐姆接觸層。即使在該結(jié)構(gòu)中，非惰性金屬也在通過蝕刻形成的電極布線14和第一導(dǎo)電部件136的側(cè)面處被露出?？紤]到電阻率(electric resistivity)和成膜(沉積)的精度，電極布線14和第一導(dǎo)電部件136可具有0.5 iim I Pm的厚度。第二電極125和第二導(dǎo)電部件137由諸如ITO的透明導(dǎo)電氧化物制成。除了 ITO以外，示例性的透明導(dǎo)電氧化物還包含Zn0、Sn0jPCuA102。透明導(dǎo)電氧化物是惰性的，因此具有比上述的低電阻金屬的耐腐蝕性高的耐腐蝕性。透明導(dǎo)電氧化物可通過濺射被沉積以形成具有低的硬度的膜，并且，該膜可以用比通過CVD沉積的無機(jī)膜的覆蓋范圍高的覆蓋范圍覆蓋第一導(dǎo)電部件136。通過用由惰性透明導(dǎo)電氧化物制成的第二導(dǎo)電部件137覆蓋由非惰性低電阻金屬制成的第一導(dǎo)電部件136，可對于TFT13形成高度地耐腐蝕的第一和第二主電極135。為了減少透明導(dǎo)電氧化物膜的因蝕刻導(dǎo)致的后退(retreat)量(側(cè)面蝕刻量(side etching amount)),透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度被設(shè)為約50nm?？紤]到光電轉(zhuǎn)換元件的開口率和根據(jù)開口率的S/N比，平面型檢測器要求光電轉(zhuǎn)換元件具有寬大地覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層并具有高的透光性的電極，并且要求TFT盡可能地小且具有高的操作速度。為了制備具有高的操作速度的TFT，增加溝道寬度(W)與溝道長度(L)的比(W/L比)是重要的。因此，對于具有高的操作速度的小的TFT，減小TFT的溝道長度。因此，考慮到由TFT提供的操作速度、光電轉(zhuǎn)換元件的開口率，根據(jù)要提供的W/L比，透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度可以為IOOnm或更小。另外，考慮到要由光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極125提供的電阻率，透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度可以為50nm或更大。此外，第二電極125 和第二導(dǎo)電部件137的厚度可小于共用電極布線14和第一導(dǎo)電部件136的厚度并且為其0. 02 0. I倍。通過用第二導(dǎo)電部件137覆蓋第一導(dǎo)電部件136，第二導(dǎo)電部件137限定第一和第二主電極135的端面。因此，由以減少的后退量被蝕刻的第二導(dǎo)電部件137確定TFT13的溝道長度，并由此可以減小TFT13的溝道長度。光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13被保護(hù)層147覆蓋?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2A 3F，將描述根據(jù)第一實施例的檢測器的制造方法。圖2A、圖2C、圖2E、圖3A、圖3C和圖3E分別是在對應(yīng)的步驟中使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖，圖2B、圖2D、圖2F、圖3B、圖3D和圖3F分別是沿與圖IA中的線A-A'對應(yīng)的線切取的在對應(yīng)的步驟中的斷面圖。在圖2A和圖2B所示的第一步驟中，通過濺射在絕緣基板100上沉積將被形成為第一導(dǎo)電層141的例如Al的第一導(dǎo)電膜。然后，第一導(dǎo)電膜通過圖2A所示的第一掩模被蝕刻成第一導(dǎo)電層141。第一導(dǎo)電層141將充當(dāng)圖IB所不的第一電極121和控制電極131。換句話說，第一電極121和控制電極131使用由同一個第一導(dǎo)電膜形成的第一導(dǎo)電層141。使用由同一個膜形成的層意味著通過例如蝕刻在處理中形成的膜而成形(shape)的不同的層被使用。隨后，在圖2C和圖2D所示的第二步驟中，通過等離子體CVD，硅氮化物等的絕緣膜142'和非晶硅等的半導(dǎo)體膜143'依次在絕緣基板100上被沉積，以覆蓋第一導(dǎo)電層141。絕緣膜142'和半導(dǎo)體膜143'用圖2C所示的第二掩模被蝕刻以形成接觸孔200。絕緣膜142'將用作絕緣層142，并且，半導(dǎo)體膜143'將用作半導(dǎo)體層143。換句話說，絕緣層122和132使用由同一絕緣膜142'形成的絕緣層142，并且，半導(dǎo)體層123和133使用由同一半導(dǎo)體膜143'形成的半導(dǎo)體層143。隨后，在圖2E和圖2F所示的第三步驟中，通過使用圖2E所示的第三掩模的干法蝕刻減小其中將形成TFT13的溝道的區(qū)域中的半導(dǎo)體膜143'的厚度。由此，可以減小TFT13的導(dǎo)通電阻。隨后，在圖3A和圖3B所示的第四步驟中，通過等離子體CVD，摻雜有諸如磷(phosphorus)的5價元素(pentavalent element)的非晶娃膜被沉積為雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144/以覆蓋絕緣膜142'和半導(dǎo)體膜143'。雖然在本實施例中使用摻雜有諸如磷的5價元素的非晶硅膜作為雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'，但是，摻雜劑(dopant)不限于5價元素。例如，雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'可以是摻雜有諸如硼(bOTon)的可表現(xiàn)Hall效應(yīng)的元素的非晶硅膜。隨后，通過使用Al的濺射，將用作第二導(dǎo)電層145的第二導(dǎo)電膜被形成以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'?？紤]到電阻率和成膜的精度，第二導(dǎo)電膜144'可被沉積為0.5pm Iym的厚度。在本實施例中，第二導(dǎo)電膜144'被沉積為Iym的厚度。可適當(dāng)?shù)厥褂玫碗娮杞饘僮鳛榈诙?dǎo)電膜144'的材料。低電阻金屬膜可在低電阻金屬膜上和下面具有比電阻高于低電阻金屬的比電阻的諸如Mo、Cr或Ti的金屬或者這些金屬的合金的膜。具有更高的比電阻的金屬膜意在防止低電阻金屬膜與其它部件的電阻接觸和低電阻金屬的擴(kuò)散。然后，第二導(dǎo)電膜通過圖3A所示的第四掩模經(jīng)受濕法蝕刻以形成電極布線14和將充當(dāng)TFT13的第一和第二主電極135的第一導(dǎo)電部件136的第二導(dǎo)電層145。換句話說，電極布線14和第一導(dǎo)電部件136使用由同一個第二導(dǎo)電膜形成的第二導(dǎo)電層145。此時，將充當(dāng)TFT13的溝道的半導(dǎo)體膜的區(qū)域之上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'保留不被去除。用于濕法蝕刻的蝕刻劑是通過向磷酸添加硝酸(nitric acid)和醋酸(acetic acid)而制備的混合物,并且,濕法蝕刻是各向同性的。第四步驟允許通過使用同一個第四掩模同時形成電極布線14和TFT13的第一和第二主電極135的第一導(dǎo)電部件136。因此，可以防止掩模數(shù)量和步驟數(shù)量的增加。
隨后，在圖3C和圖3D所示的第五步驟中，通過濺射，透明導(dǎo)電氧化物膜作為諸如ITO的透明導(dǎo)電氧化物的膜被沉積，以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'和第二導(dǎo)電層145。透明導(dǎo)電氧化物膜將用作第三導(dǎo)電層146?？紤]到要由TFT提供的操作速度和光電轉(zhuǎn)換元件的開口率，透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度可以為IOOnm或更小。另外，考慮到要由光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極125提供的電阻率，透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度可以為50nm或更大。由于透明導(dǎo)電氧化物膜的厚度為50 lOOnm，因此，它可以小于第二導(dǎo)電層145的厚度并且為其0. 02 0.1倍。在本實施例中，透明導(dǎo)電氧化物膜被沉積到50nm的厚度。隨后，透明導(dǎo)電氧化物膜通過與第四掩模不同的圖3D所示的第五掩模經(jīng)受濕法蝕刻，以形成光電轉(zhuǎn)換元件12的第二電極125和將充當(dāng)TFT13的第一和第二主電極135的第二導(dǎo)電部件137的第三導(dǎo)電層146。換句話說，第二電極125和第二導(dǎo)電部件137使用由同一個透明導(dǎo)電氧化物膜形成的第三導(dǎo)電層146。用于該濕法蝕刻的蝕刻劑是鹽酸(hydrochloric acid)與硝酸的混合物，并且濕法蝕刻是各向同性的。然后，在干燥處理中，通過第五掩模連續(xù)地蝕刻雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'和半導(dǎo)體膜143'的一部分。因此，通過同一第五掩模接連地(successively)形成將充當(dāng)雜質(zhì)半導(dǎo)體層124和134的雜質(zhì)半導(dǎo)體層144、以及第三導(dǎo)電層146。由此，雜質(zhì)半導(dǎo)體層124和134使用由同一個雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體層144。在不大大地增加掩模的數(shù)量和步驟的數(shù)量的情況下，第五步驟用同一第五掩模同時形成由第二電極125和雜質(zhì)半導(dǎo)體層124限定的光電轉(zhuǎn)換元件12的開口、以及TFT13的溝道。此外，將充當(dāng)TFT13的溝道的半導(dǎo)體層的區(qū)域之上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'在第五步驟中被去除。通過同一第五掩模，第五步驟可同時形成第二電極125以及耐腐蝕的第一和第二主電極，所述第二電極125能夠均勻地向整個光電轉(zhuǎn)換元件施加偏壓并具有高的透光性。在第五步驟中形成的TFT13的溝道由通過蝕刻透明導(dǎo)電氧化物膜形成的第三導(dǎo)電層146限定，第三導(dǎo)電層146具有比第二導(dǎo)電層145的厚度小的厚度并且不容易因蝕刻而后退。因此，變得容易形成具有減小的溝道長度的溝道，并且，可容易地形成具有高的操作速度和大的W/L比的TFT。隨后，在圖3E和圖3F所示的第六步驟中，采用圖3E所示的第六掩模，通過蝕刻而去除半導(dǎo)體膜143'和絕緣膜142'的不希望的部分以便元件隔離。因此，形成將充當(dāng)光電轉(zhuǎn)換元件12的半導(dǎo)體層123和TFT13的半導(dǎo)體層133的半導(dǎo)體層143、光電轉(zhuǎn)換元件的絕緣層122、以及TFT13的絕緣層132。然后，保護(hù)層147被形成以覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13。因此，在共同的制造工藝中形成圖IB所示的結(jié)構(gòu)。在以上的處理中形成的第二導(dǎo)電層145完全被第三導(dǎo)電層146覆蓋。由于第三導(dǎo)電層146由諸如ITO的耐腐蝕的透明導(dǎo)電氧化物制成，因此，保護(hù)層147不需要覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13的整個表面。保護(hù)層147可通過CVD由無機(jī)絕緣膜形成為可覆蓋半導(dǎo)體層143和雜質(zhì)半導(dǎo)體層144的側(cè)壁以及半導(dǎo)體層143的將充當(dāng)溝道的區(qū)域的厚度，例如，該厚度為比第二導(dǎo)電層145的厚度小的200nm的厚度。作為替代方案，作為無機(jī)絕緣膜的替代，具有更低的耐腐蝕性但可被形成為厚度比無機(jī)絕緣膜的厚度大的有機(jī)絕緣膜可被用于保護(hù)層147。
現(xiàn)在將參照圖4所示的示意圖描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的放射線檢測裝置的等效電路。雖然為了簡化描述，圖4表示的是3X3的等效電路，但是，根據(jù)本發(fā)明的各方面的等效電路不限于該布置，并且，放射線檢測裝置可沒有特別限制地具有nXm的像素陣列(n和m分別是2或更大的自然數(shù))。根據(jù)本實施例的檢測器在基板100的表面上包括光電轉(zhuǎn)換部分3。光電轉(zhuǎn)換部分3包含沿行方向和列方向布置的多個像素。每個像素I包含將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換兀件12、以及根據(jù)光電轉(zhuǎn)換兀件12的電荷而輸出電信號的TFT13。將放射線轉(zhuǎn)換成具有可被光電轉(zhuǎn)換兀件感測的波長的可見光的突光體(未示出)被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換部分3的與光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極125鄰近的表面(第一表面)上。各電極布線14分別與該布置的同一列中的各光電轉(zhuǎn)換元件12的第二電極125連接。各控制線15分別與該布置的同一行中的TFT13的控制電極131連接，并且與驅(qū)動電路2電連接。通過依次或同時向沿列方向布置的控制線15施加驅(qū)動脈沖，從像素向沿行方向布置的信號線16以行為單位并行地輸出電信號。各信號線16分別與該布置的同一列中的TFT13的第二主電極136連接，并且與讀取電路4電連接。讀取電路4對于各信號線16包含用于積分和放大來自信號線16的電信號的積分放大器5以及用于采樣和保持在積分放大器5中被放大并從積分放大器5輸出的電信號的米樣保持電路6。讀取電路4還包含用于將從采樣保持電路并行輸出的電信號轉(zhuǎn)換成串行電信號的多路復(fù)用器7以及用于將輸出的電信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的A/D轉(zhuǎn)換器8。從電源電路9向積分放大器5的非反相輸入端子供給基準(zhǔn)電勢Vref。電源電路9與沿行方向布置的電極布線14電連接，并且，向光電轉(zhuǎn)換元件12的第二電極125供給偏壓電勢Vs或初始化電勢Vr。以下將描述本實施例的放射線檢測裝置的操作。通過TFT13向光電轉(zhuǎn)換元件12的第一電極121施加基準(zhǔn)電勢Vref，并且，向第二電極125施加偏壓電勢Vs。因此，向光電轉(zhuǎn)換元件12施加可耗盡(deplete)半導(dǎo)體層123的偏壓。在該狀態(tài)下，向被檢體發(fā)射的放射線在衰減的同時透射通過被檢體，并且通過熒光體被轉(zhuǎn)換成可見光?？梢姽膺M(jìn)入光電轉(zhuǎn)換元件12并被轉(zhuǎn)換成電荷。當(dāng)TFT13通過從驅(qū)動電路2向控制線15施加的驅(qū)動脈沖而進(jìn)入電氣導(dǎo)通(electrical continuity)時,根據(jù)電荷的電信號被輸出到信號線16,并且,通過讀取電路4作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被讀取到外部。然后，通過將共用電極布線14的電勢從偏壓電勢Vs轉(zhuǎn)換成初始化電勢Vr并使TFT13進(jìn)入電氣導(dǎo)通，在光電轉(zhuǎn)換元件12中產(chǎn)生和保留的正載流子被去除。然后，通過將共用電極布線14的電勢從初始化電勢Vr轉(zhuǎn)換成偏壓電勢Vs并使TFT13進(jìn)入電氣導(dǎo)通，光電轉(zhuǎn)換元件12被初始化。雖然本實施例描述了其中控制電極131與控制線15電連接并且第一和第二主電極135中的一個與光電轉(zhuǎn)換元件12的第一電極121電連接的結(jié)構(gòu)，但是，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)。例如，在各像素中，第一和第二主電極135中的一個可與電極布線14電連接，并且，第一電極121可對于光電轉(zhuǎn)換元件121是共用的。在該情形下，參照圖2C描述的接觸孔是不必要的?，F(xiàn)在將參照圖5A和圖5B描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的檢測器的像素的結(jié)構(gòu)。圖5A是檢測器的像素的平面圖，圖5B是沿圖5A中的線A-A'切取的斷面圖。與第一實施例中的部分相同的部分由相同的附圖標(biāo)記表示，并因此省略其描述。除了第一實施例的結(jié)構(gòu)以外，本實施例的檢測器還包括覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件12的半導(dǎo)體層123和TFT13的半導(dǎo)體層133的側(cè)壁的層間絕緣層148、以及覆蓋半導(dǎo)體層123的 將充當(dāng)TFT13的溝道的區(qū)域的蝕刻阻止層149。該結(jié)構(gòu)提高光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13的側(cè)壁的耐水性。另外，由于在控制線15和信號線16之間設(shè)置兩個絕緣層，因此，可減少向信號線16施加的寄生電容，并可因此減少噪聲?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖6A 6H，將描述根據(jù)第二實施例的檢測器的制造方法。圖6A、圖6C、圖6E和圖6G分別是在對應(yīng)的步驟中使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖，圖6B、圖6D、圖6F和圖6H分別是沿與圖5A中的線A-A'對應(yīng)的線切取的對應(yīng)的步驟中的斷面圖。第一到第三步驟與第一實施例中的相同，因此省略它們的描述。在圖6A和圖6B所示的第四步驟中，通過采用圖6A所示的第四掩模的蝕刻，去除半導(dǎo)體膜143'和絕緣膜142'的不希望的部分以便元件隔離。因此，形成將充當(dāng)光電轉(zhuǎn)換元件12的半導(dǎo)體層123和TFT13的半導(dǎo)體層133的半導(dǎo)體層143、光電轉(zhuǎn)換元件的絕緣層122、以及TFT13的絕緣層132。隨后，在圖6C和圖6D所示的第五步驟中，通過等離子體CVD，將充當(dāng)層間絕緣層148和蝕刻阻止層149的諸如硅氮化物膜的層間絕緣膜在絕緣基板100之上被沉積以便覆蓋半導(dǎo)體層143。通過用圖6D所示的第五掩模蝕刻硅氮化物膜，形成層間絕緣層148和蝕刻阻止層149。隨后，在圖6E和圖6F所示的第六步驟中，通過等離子體CVD，將充當(dāng)雜質(zhì)半導(dǎo)體層144的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'被沉積以便覆蓋絕緣層142、半導(dǎo)體層143、層間絕緣層148、以及蝕刻阻止層149。隨后，通過使用Al的濺射，將充當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層145的第二導(dǎo)電膜被沉積以便覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'。在本實施例中，該第二導(dǎo)電膜被沉積到Ium的厚度。然后，通過使用圖6E所示的第六掩模，第二導(dǎo)電膜經(jīng)受濕法蝕刻以形成電極布線14和將充當(dāng)TFT13的第一和第二主電極的第一導(dǎo)電部件136的第二導(dǎo)電層145。換句話說，電極布線14和第一導(dǎo)電部件136使用由同一第二導(dǎo)電膜形成的第二導(dǎo)電層145。此時，半導(dǎo)體膜的將充當(dāng)TFT13的溝道的區(qū)域之上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'保留不被去除。用于濕法蝕刻的蝕刻劑是通過向磷酸添加硝酸和醋酸而制備的混合物，并且，濕法蝕刻是各向同性的。該第六步驟允許通過使用同一第六掩模來同時形成電極布線14以及TFT13的第一和第二主電極135的第一導(dǎo)電部件136。由此，可以防止掩模數(shù)量和步驟數(shù)量的增加。隨后，在圖6G和圖6H所示的第七步驟中，通過濺射，透明導(dǎo)電氧化物膜作為ITO等的膜被沉積，以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'和第二導(dǎo)電層145。透明導(dǎo)電氧化物膜將充當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)電層146。在本實施例中，透明導(dǎo)電氧化物膜被沉積到50nm的厚度。隨后，透明導(dǎo)電氧化物膜經(jīng)受采用與第六掩模不同的圖6G所示的第七掩模的濕法蝕刻，以形成光電轉(zhuǎn)換元件12的第二電極125和將充當(dāng)TFT13的第一和第二主電極135的第二導(dǎo)電部件137的第三導(dǎo)電層146。換句話說，第二電極125和第二導(dǎo)電部件137使用從同一透明導(dǎo)電氧化物膜形成的第三導(dǎo)電層146。用于該濕法蝕刻的蝕刻劑是鹽酸與硝酸的混合物，并且濕法蝕刻是各向同性的。然后，在干燥處理中，用第七掩模連續(xù)地蝕刻雜質(zhì)半導(dǎo)體膜144'和半導(dǎo)體層143的一部分。因此，通過同一第七掩模接連地形成將充當(dāng)雜質(zhì)半導(dǎo)體層124和134的雜質(zhì)半導(dǎo)體層144、以及第三導(dǎo)電層146。在不大大增加掩模數(shù)量和步驟數(shù)量的情況下，通過同一第七掩模，第七步驟同時形成由第二電極125和雜質(zhì)半導(dǎo)體層124限定的光電轉(zhuǎn)換元件12的開口、以及TFT13的溝道。此外，半導(dǎo)體層143的將充當(dāng)TFT13的溝道的區(qū)域之上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜在第七步驟中被去除。通過同一第七掩模，第七步驟可同時形成能夠均勻地向整個光電轉(zhuǎn)換元件施加偏壓并具有高的透光性的第二電極125、以及耐腐蝕的第一和第二主電極。在第七步驟中形成的TFT13的溝道由通過蝕刻透明導(dǎo)電氧化物膜而形成的第三導(dǎo)電層146限定，第三導(dǎo)電層146具有比第二導(dǎo)電層145的厚度小的厚度并且不容易由于蝕刻而后退。因此，變得容易形成具有減小的溝道長度的溝道，并且，可容易地形成具有 高的操作速度和大的W/L比的TFT。半導(dǎo)體層123的表面和側(cè)表面被層間絕緣層148和第三導(dǎo)電層146覆蓋。因此，半導(dǎo)體層123的側(cè)壁不被暴露于用于蝕刻的蝕刻劑，因此，可以防止半導(dǎo)體層123的側(cè)壁中的漏電流(leakage current)。半導(dǎo)體層133的表面和側(cè)表面被層間絕緣層148、第三導(dǎo)電層146和蝕刻阻止層149覆蓋。特別地，半導(dǎo)體層133的將充當(dāng)TFT13的溝道的區(qū)域被第三導(dǎo)電層146和蝕刻阻止層149覆蓋。因此，半導(dǎo)體層133的將充當(dāng)TFT13的溝道的區(qū)域不被暴露于用于蝕刻的蝕刻劑，因此可以減少TFT13的溝道中的漏電流。然后，保護(hù)層147被形成為覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件12和TFT13。因此，在共同的制造處理中形成圖5B所示的結(jié)構(gòu)。在本實施例中，保護(hù)層147由可被容易地形成為4iim 6iim的大的厚度的有機(jī)絕緣膜形成。保護(hù)層147提供均勻的表面，并且，可通過沉積而在均勻的表面上形成例如CsI的具有柱晶結(jié)構(gòu)的突光體(未不出)。這同樣適用于第一實施例。現(xiàn)在將參照圖7描述包括本發(fā)明的實施例的檢測器的放射線檢測系統(tǒng)。從X射線管6050或放射線源產(chǎn)生的X射線6060貫穿患者或被檢者6061的胸部6062，并進(jìn)入放射線檢測裝置6040，在該放射線檢測裝置6040中，在光電轉(zhuǎn)換部分3中的光電轉(zhuǎn)換元件12上方設(shè)置熒光體。入射的X射線包含患者身體內(nèi)部的信息。熒光體發(fā)射與X射線的入射對應(yīng)的光。該光在光電轉(zhuǎn)換部分3中被轉(zhuǎn)換成電信號，并因此產(chǎn)生電信息。該信息被轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，并然后通過作為信號處理設(shè)備的圖像處理器6070被圖像處理。因此，可在控制室中的作為顯示單元的顯示器6080上觀察信息。另外，患者的信息可通過諸如電話線6090的傳送設(shè)備被傳送到遠(yuǎn)程位置，并因此可在另一位置中的醫(yī)生室等中在作為顯示單元的顯示器6081上被顯示，或者被存儲于諸如光盤的記錄設(shè)備中。因此，該系統(tǒng)允許遠(yuǎn)程位置的醫(yī)生進(jìn)行診斷。該信息可通過用作記錄設(shè)備的膠片處理器6100被存儲于作為記錄介質(zhì)的膠片6110中。雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開的示例性實施例。以下的權(quán)利要求的范 圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種用于制造檢測器的方法，所述檢測器包括光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件在基板上按照從基板開始的順序包含第一電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及與電極布線電連接的第二電極；以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管在基板上按照從基板開始的順序包含控制電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及包含第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件的第一和第二主電極， 所述方法包括 第一步驟，在基板之上沉積包含非惰性金屬的第二導(dǎo)電膜，以便覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，并且從第二導(dǎo)電膜形成第一和第二主電極的第一導(dǎo)電部件以及所述電極布線；以及 第二步驟，在第一步驟之后在基板之上沉積透明導(dǎo)電氧化物膜，以便覆蓋所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜、所述電極布線和所述第一導(dǎo)電部件，從所述透明導(dǎo)電氧化物膜形成第一和第二主電極的第二導(dǎo)電部件以及所述第二電極，并且從所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成所述薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層和所述光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，其中，第二導(dǎo)電部件、第二電極、所述薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及所述光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層在第二步驟中用同一 掩模被形成，并且其中，所述第一導(dǎo)電部件和所述電極布線在第一步驟中用另一掩模被形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，還包括在沉積雜質(zhì)半導(dǎo)體膜之前沉積半導(dǎo)體膜的步驟；以及，在沉積半導(dǎo)體膜和沉積雜質(zhì)半導(dǎo)體膜之間在所述絕緣膜和所述半導(dǎo)體膜中形成接觸孔的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，還包括在形成接觸孔之后從所述半導(dǎo)體膜形成所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，還在形成接觸孔和形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜之間包括以下步驟 從所述半導(dǎo)體膜形成所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層；和 從沉積以便覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的層間絕緣膜形成層間絕緣層和蝕刻阻止層，所述層間絕緣層覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層的側(cè)表面和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的側(cè)表面，所述蝕刻阻止層覆蓋將充當(dāng)所述薄膜晶體管的溝道的半導(dǎo)體層的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被沉積為比第二導(dǎo)電膜的厚度小的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，第二導(dǎo)電膜被沉積為0.5 y m I y m的厚度，并且，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被形成為50nm IOOnm的厚度。
7.一種放射線檢測裝置，包括 通過如權(quán)利要求I中闡述的方法制造的檢測器；和 被設(shè)置在所述檢測器的光電轉(zhuǎn)換元件上方的熒光體。
8.一種放射線檢測系統(tǒng)，包括 如權(quán)利要求7中闡述的放射線檢測裝置； 處理來自所述放射線檢測裝置的信號的信號處理設(shè)備； 記錄來自所述信號處理設(shè)備的信號的記錄設(shè)備； 顯示來自所述信號處理設(shè)備的信號的顯示單元；和 傳送來自所述信號處理設(shè)備的信號的傳送設(shè)備。
9.一種用于制造檢測器的方法，所述檢測器包括光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件在基板上按照從基板開始的順序包含第一電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及與電極布線電連接的第二電極；以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管在基板上按照從基板開始的順序包含控制電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及包含第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件的第一和第二主電極， 所述方法包括 第一步驟，用第一掩模從沉積于基板上的第一導(dǎo)電膜形成所述第一電極和所述控制電極； 第二步驟，在基板之上依次沉積絕緣膜和半導(dǎo)體膜，以便覆蓋所述第一電極和所述控制電極； 第三步驟，在基板之上依次沉積雜質(zhì)半導(dǎo)體膜和包含非惰性金屬的第二導(dǎo)電膜，以便覆蓋所述半導(dǎo)體膜，并且，用第二掩模從第二導(dǎo)電膜形成所述電極布線以及第一和第二主電極的第一導(dǎo)電部件； 第四步驟，在基板之上沉積透明導(dǎo)電氧化物膜，以便覆蓋所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜、所述電極布線和所述第一導(dǎo)電部件； 第五步驟，用第三掩模從所述透明導(dǎo)電氧化物膜形成第一和第二主電極的第二導(dǎo)電部件以及所述第二電極，并且從所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成所述薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層和所述光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層；以及 第六步驟，在第五步驟之后，用第四掩模從所述半導(dǎo)體膜形成所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還在第二步驟和第三步驟之間包括在所述絕緣膜和所述半導(dǎo)體膜中形成接觸孔的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被沉積為比第二導(dǎo)電膜的厚度小的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，第二導(dǎo)電膜被沉積為0.5 iim Iiim的厚度，并且，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被形成為50nm IOOnm的厚度。
13.一種放射線檢測裝置，包括 通過如權(quán)利要求9中闡述的方法制造的檢測器；和 被設(shè)置在所述檢測器的光電轉(zhuǎn)換元件上方的熒光體。
14.一種放射線檢測系統(tǒng)，包括 如權(quán)利要求13中闡述的放射線檢測裝置； 處理來自所述放射線檢測裝置的信號的信號處理設(shè)備； 記錄來自所述信號處理設(shè)備的信號的記錄設(shè)備； 顯示來自所述信號處理設(shè)備的信號的顯示單元；和 傳送來自所述信號處理設(shè)備的信號的傳送設(shè)備。
15.一種用于制造檢測器的方法，所述檢測器包括光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件在基板上按照從基板開始的順序包含第一電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及與電極布線電連接的第二電極；以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管在基板上按照從基板開始的順序包含控制電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層、以及包含第一導(dǎo)電部件和第二導(dǎo)電部件的第一和第二主電極， 所述方法包括 第一步驟，通過第一掩模從沉積于基板上的第一導(dǎo)電膜形成所述第一電極和所述控制電極； 第二步驟，在基板之上依次沉積絕緣膜和半導(dǎo)體膜，以便覆蓋所述第一電極和所述控制電極； 第三步驟，用第二掩模從所述半導(dǎo)體膜形成所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層； 第四步驟，用第三掩模從沉積于基板之上以便覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的層間絕緣膜形成層間絕緣層和蝕刻阻止層，所述層間絕緣層覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層的側(cè)表面和所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的側(cè)表面，所述蝕 刻阻止層覆蓋所述薄膜晶體管的將充當(dāng)所述薄膜晶體管的溝道的區(qū)域； 第五步驟，在基板之上依次沉積雜質(zhì)半導(dǎo)體膜和包含非惰性金屬的第二導(dǎo)電膜，以便覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層、所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層、所述層間絕緣層和所述蝕刻阻止層，并且用第四掩模從所述第二導(dǎo)電膜形成所述電極布線以及第一和第二主電極的第一導(dǎo)電部件； 第六步驟，在基板之上沉積透明導(dǎo)電氧化物膜，以便覆蓋所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜、所述電極布線和所述第一導(dǎo)電部件；以及 第七步驟，用第五掩模從所述透明導(dǎo)電氧化物膜形成第一和第二主電極的第二導(dǎo)電部件以及第二電極，并且，從所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成所述薄膜晶體管的雜質(zhì)半導(dǎo)體層和所述光電轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還在第二步驟和第三步驟之間包括在所述絕緣膜和所述半導(dǎo)體膜中形成接觸孔的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被沉積為比第二導(dǎo)電膜的厚度小的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，所述第二導(dǎo)電膜被沉積為0.5 iim Iym的厚度，并且，所述透明導(dǎo)電氧化物膜被形成為50nm IOOnm的厚度。
19.一種放射線檢測裝置，包括 通過如權(quán)利要求15中闡述的方法制造的檢測器；和被設(shè)置在所述檢測器的光電轉(zhuǎn)換元件上方的熒光體。
20.一種放射線檢測系統(tǒng)，包括 如權(quán)利要求19中闡述的放射線檢測裝置； 處理來自所述放射線檢測裝置的信號的信號處理設(shè)備； 記錄來自所述信號處理設(shè)備的信號的記錄設(shè)備； 顯示來自所述信號處理設(shè)備的信號的顯示單元；和 傳送來自所述信號處理設(shè)備的信號的傳送設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及檢測器的制造方法、放射線檢測裝置和放射線檢測系統(tǒng)。提供一種用于在不伴隨掩模數(shù)量的增加而增加成本或降低產(chǎn)量的情況下制造高性能平面型檢測器的方法。該方法包括從在基板上沉積的第一導(dǎo)電膜形成第一電極和控制電極的第一步驟；在第一步驟之后依次沉積絕緣膜和半導(dǎo)體膜的第二步驟；在第二步驟之后依次沉積雜質(zhì)半導(dǎo)體膜和第二導(dǎo)電膜并且從第二導(dǎo)電膜形成共用電極布線和第一導(dǎo)電部件的第三步驟；以及用同一掩模從在第三步驟之后形成的透明導(dǎo)電氧化物膜形成第二電極和第二導(dǎo)電部件并從雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層的第四步驟。
文檔編號H01L27/146GK102751297SQ201210114879
公開日2012年10月24日 申請日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月18日
發(fā)明者和山弘, 大藤將人, 川鍋潤, 望月千織, 橫山啟吾, 渡邊實, 藤吉健太郎 申請人:佳能株式會社