專(zhuān)利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多個(gè)方面涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)已經(jīng)應(yīng)用在諸如數(shù)字相機(jī)、攝像機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個(gè) 人數(shù)字助理(PDA)、智能電話、超薄電視、超纖薄膝上型電腦、平板電腦和柔性顯示裝置的電子/電氣產(chǎn)品中。當(dāng)分別從陽(yáng)極和陰極注入的空穴和電子在有機(jī)發(fā)射層中復(fù)合時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示彩色圖像。有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有包括陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)射層的堆疊結(jié)構(gòu)。然而，利用這種結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率，因而，可選地在有機(jī)發(fā)射層與每個(gè)電極之間設(shè)置包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的其他中間層。這里，根據(jù)驅(qū)動(dòng)方法，可以將有機(jī)發(fā)光顯示裝置分為無(wú)源矩陣(PM) OLED和有源矩陣(AM)OLED。AM OLED包括用作開(kāi)關(guān)的薄膜晶體管(TFT)。期望的是，提高可靠性并降低多晶硅TFT在斷開(kāi)狀態(tài)下的漏電性能。為了提高可靠性并降低TFT的漏電性能，已經(jīng)使用了輕摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。在具有LDD結(jié)構(gòu)的TFT中，形成柵電極，然后摻雜用于形成LDD結(jié)構(gòu)的低劑量雜質(zhì)。然后，為了形成TFT的源區(qū)和漏區(qū)，通過(guò)光刻工藝進(jìn)一步摻雜高劑量雜質(zhì)。然而，具有LDD結(jié)構(gòu)的TFT具有減小的驅(qū)動(dòng)電流，并使用更多的掩模來(lái)制成。因此，降低了良品率，并提聞了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多個(gè)方面提出一種通過(guò)在TFT中選擇性地形成柵極疊置的輕摻雜漏極(GOLDD)結(jié)構(gòu)而具有降低的驅(qū)動(dòng)電流和優(yōu)異的漏電性能的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括在基底上形成半導(dǎo)體有源層；在所述基底和所述半導(dǎo)體有源層上形成柵極絕緣層；形成包括位于所述柵極絕緣層上的下柵電極和位于所述下柵電極上的上柵電極的柵電極；使用所述柵電極作為掩模在所述半導(dǎo)體有源層處形成源區(qū)和漏區(qū)；在所述基底上形成層間絕緣層，并蝕刻所述層間絕緣層，以產(chǎn)生暴露所述源區(qū)的部分和所述漏區(qū)的部分的接觸孔；在所述基底上形成源/漏電極原料，并蝕刻所述源/漏電極原料，以形成源電極和漏電極；在所述半導(dǎo)體有源層處通過(guò)注入雜質(zhì)離子形成具有輕摻雜漏極(LDD)區(qū)的柵極疊置的輕摻雜漏極(GOLDD)結(jié)構(gòu)；在所述基底上沉積保護(hù)層；以及在所述基底上形成顯示器件。
可以蝕刻所述層間絕緣層，當(dāng)蝕刻所述層間絕緣層時(shí)，可以暴露所述上柵電極的邊緣部分。當(dāng)蝕刻所述源/漏電極原料時(shí)，所述上柵電極的所述邊緣部分可以與所述源/漏電極原料并發(fā)地(例如，同時(shí)地)被蝕刻，以暴露所述下柵電極的邊緣部分。所述上柵電極的長(zhǎng)度可以比所述下柵電極的長(zhǎng)度短。在蝕刻所述源/漏電極原料之后，可以將所述源電極電連接到所述源區(qū)，并可以將所述漏電極電連接到所述漏區(qū)，其中，所述源電極和所述漏電極可以圍繞所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層的側(cè)壁，并且所述接觸孔的部分可以保持為空。形成GOLDD結(jié)構(gòu)的步驟可以包括通過(guò)所述下柵電極的所述邊緣部分注入雜質(zhì)離子，從而可以在所述半導(dǎo)體有源層的與所述下柵電極的所述邊緣部分垂直對(duì)應(yīng)的一部分處形成具有低雜質(zhì)離子濃度的LDD區(qū)。 所述下柵電極的所述邊緣部分和具有低雜質(zhì)離子濃度的所述LDD區(qū)可以彼此疊置。所述下柵電極可以包括透明導(dǎo)電膜。所述上柵電極可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括從由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au組成的組中選擇的一種，所述多層結(jié)構(gòu)包括Mo、Moff, Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au的混合物。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括半導(dǎo)體有源層，位于基底上并具有源區(qū)和漏區(qū)、輕摻雜漏極(LDD)區(qū)以及溝道區(qū)；柵極絕緣層，位于所述半導(dǎo)體有源層上；柵電極，包括位于所述柵極絕緣層上的下柵電極和位于所述下柵電極上的上柵電極；層間絕緣層，位于所述柵電極上并具有接觸孔；源電極和漏電極，經(jīng)由所述接觸孔分別電連接到所述源區(qū)和所述漏區(qū)；保護(hù)層，位于所述層間絕緣層上；以及顯示器件，位于所述基底上，其中，所述上柵電極的長(zhǎng)度比所述下柵電極的長(zhǎng)度短，以使所述下柵電極的邊緣部分與所述LDD區(qū)疊置，用所述源電極和所述漏電極填充所述接觸孔的部分，使得所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層的側(cè)壁被圍繞，覆蓋所述源電極和所述漏電極的保護(hù)層沉積在所述接觸孔的其它部分中。所述半導(dǎo)體有源層的不同區(qū)域中的摻雜的雜質(zhì)離子的濃度可以按照所述源區(qū)和所述漏區(qū)、所述LDD區(qū)以及所述溝道區(qū)的順序?yàn)橄鄬?duì)高到相對(duì)低。所述下柵電極可以包括透明導(dǎo)電膜。所述上柵電極可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括從由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au組成的組中選擇的一種，所述多層結(jié)構(gòu)包括Mo、Moff, Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au的混合物。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征及方面將變得更加明顯，在附圖中圖IA是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖視圖，其中，半導(dǎo)體有源層、柵極絕緣層和柵電極形成在基底上；圖IB是在圖IA中的半導(dǎo)體有源層上形成源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)構(gòu)的剖視圖IC是在圖IA中的基底上形成層間絕緣層的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖ID是在圖IC中的基底中形成接觸孔的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖IE是在圖ID中的基底上形成源/漏電極原料的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖IF是在圖IE中的基底上形成源/漏電極的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖IG是在圖I中F的基底上形成GOLDD結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖IH是在圖IG中的基底上形成顯示器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式因?yàn)楸景l(fā)明允許各種改變和許多實(shí)施例，所以將在附圖中示出特定的實(shí)施例，并 式，而是應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明中包括不脫離本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等價(jià)物和替代物。在本發(fā)明的描述中，當(dāng)認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)的某些詳細(xì)解釋會(huì)不必要地使本發(fā)明的本質(zhì)變得模糊時(shí)，則將它們省略。盡管可以使用如“第一”、“第二”等的此類(lèi)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種組件，但是這樣的組件決不局限于以上術(shù)語(yǔ)。以上術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)組件與另一個(gè)組件區(qū)分開(kāi)。在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)描述特定的實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明。以單數(shù)形式使用的表述包括復(fù)數(shù)的表述，除非其在上下文中具有明顯不同的含義。在本說(shuō)明書(shū)中，應(yīng)當(dāng)理解的是，諸如“包括”或“具有”等的術(shù)語(yǔ)旨在表示存在說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部件或它們的組合，并不旨在排除可以存在或可以添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部件或它們的組合的可能性。在下文中，將參照附圖更充分地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。圖IA至圖IH是用于順序地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的方法的示圖。參照?qǐng)D1A，準(zhǔn)備基底101。基底101可以是諸如玻璃基底或塑料基底的絕緣基底。在基底101上形成緩沖層102。緩沖層102可以具有包括有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料或者交替地堆疊的有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的結(jié)構(gòu)。緩沖層102阻擋氧和濕氣，防止?jié)駳饣螂s質(zhì)從基底101擴(kuò)散，或在半導(dǎo)體有源層103的晶化過(guò)程中控制熱傳輸速率，從而有助于半導(dǎo)體的晶化。然后，在緩沖層102上形成厚度為大約300A至大約700A的半導(dǎo)體有源層103。如果使用多晶硅形成半導(dǎo)體有源層103，則通過(guò)準(zhǔn)備非晶硅、將非晶硅晶化為多晶硅并將多晶硅圖案化來(lái)形成半導(dǎo)體有源層103。可以通過(guò)使用諸如快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)、超晶粒硅(SGS)或連續(xù)橫向結(jié)晶(SLS)的各種適當(dāng)方法來(lái)執(zhí)行非晶硅的晶化。然后，在基底101上方的半導(dǎo)體有源層103上沉積柵極絕緣層104。柵極絕緣層104可以具有包括SiO2的單層結(jié)構(gòu)或包括SiO2和SiNx的雙層結(jié)構(gòu)，并可以具有大約800A至大約1200A的總厚度。
然后，在柵極絕緣層104上形成柵電極105。沉積柵電極105并將柵電極105圖案化為具有包括下柵電極106和上柵電極107的雙層結(jié)構(gòu)。下柵電極106可以包括諸如ITO層或IZO層的透明導(dǎo)電層(或透明導(dǎo)電膜)，上柵電極107可以包括在蝕刻過(guò)程中具有選擇比的材料。上柵電極107可以包括一種或多種金屬，并可以具有包括Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Cu、Ti、Ag、Ni、W、Au的單層結(jié)構(gòu)或者包括它們的任何混合物的多層結(jié)構(gòu)。例如，可以通過(guò)將ITO沉積為大約300A的厚度來(lái)形成下柵電極106，并可以通過(guò)將Mo/Al/Mo沉積為1000/3000/1000A或1000/4000/1000A的厚度來(lái)形成上柵電極107。然后，如圖IB所示，使用柵電極105作為掩模將N型或P型雜質(zhì)離子摻雜在半導(dǎo)體有源層103上，以形成源區(qū)108和漏區(qū)109。源區(qū)108和漏區(qū)109之間的其上未摻雜有雜質(zhì)的區(qū)域被用作溝道區(qū)110。然后，在基底101上方形成層間絕緣層111，如圖IC所示。層間絕緣層111可以具 有包括SiO2的單層結(jié)構(gòu)或包括SiO2和SiNx的雙層結(jié)構(gòu)。層間絕緣層111的總厚度在大約4000A至大約7000A的范圍內(nèi)。然后，如圖ID所示，蝕刻層間絕緣層111，以選擇性地去除柵極絕緣層104和層間絕緣層111，從而形成接觸孔112。通過(guò)形成接觸孔112，暴露了源區(qū)108的一部分和漏區(qū)109的一部分。這里，暴露上柵電極107的一部分。即，當(dāng)蝕刻層間絕緣層111時(shí)，上柵電極107的邊緣部分113未被層間絕緣層111覆蓋而是被暴露。因此，在接觸孔112中未形成層間絕緣層111。然后，如圖IE所示，在基底101上方沉積源/漏金屬原料114。將源/漏金屬原料114沉積為具有Mo/Al/Mo結(jié)構(gòu)，并且該結(jié)構(gòu)的厚度在大約1000/4000/1000 A至大約1000/6000/1000 A的范圍內(nèi)。沉積源/漏金屬原料114，以覆蓋接觸孔112、層間絕緣層111以及上柵電極107的邊緣113。然后，在源/漏金屬原料114上涂覆光致抗蝕劑(未示出)，并蝕刻源/漏金屬原料114。通過(guò)蝕刻源/漏金屬原料114，形成經(jīng)由接觸孔112電連接到源區(qū)108的源電極115和經(jīng)由接觸孔112連接到漏區(qū)109的漏電極116，如圖IF所示。在這方面，源電極115和漏電極116未完全填充整個(gè)接觸孔112。S卩，接觸孔112的一部分填充有源電極115和漏電極116，從而堆疊的柵極絕緣層104和層間絕緣層111的側(cè)壁被源電極115和漏電極116圍繞，并且接觸孔112的其它部分保持為空。具體地說(shuō)，當(dāng)蝕刻源/漏金屬原料(圖IE中的114)時(shí)，因?yàn)樯蠔烹姌O107的邊緣部分113未被層間絕緣層111覆蓋且被暴露，所以上柵電極107的邊緣部分113(圖1E)與源/漏金屬原料114并發(fā)地(例如，同時(shí)地)被蝕刻。因此，上柵電極107和源/漏金屬原料114可以由相同的材料形成。在這方面，可以使用蝕刻上柵電極107的邊緣部分113和源/漏金屬原料114但不蝕刻下柵電極106的蝕刻劑。因此，蝕刻上柵電極107的邊緣部分113，從而暴露下柵電極106的邊緣部分117。在并發(fā)地(例如，同時(shí)地)蝕刻源/漏金屬原料114和上柵電極107的邊緣部分113時(shí)，上柵電極107的長(zhǎng)度LI比下柵電極106的長(zhǎng)度L2短。
然后，如圖IG所示，通過(guò)注入N型或P型雜質(zhì)離子形成輕摻雜漏極(LDD)區(qū)120，使得摻雜劑的濃度小于源區(qū)108和漏區(qū)109的濃度。換言之，因?yàn)橄聳烹姌O106的長(zhǎng)度L2大于上柵電極107的長(zhǎng)度LI，所以經(jīng)由下柵電極106的從上柵電極107延伸出的邊緣部分117將雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體有源層上，以形成LDD區(qū)120。因此，半導(dǎo)體有源層的不同區(qū)域中的摻雜的雜質(zhì)離子的濃度可按照源區(qū)108和漏區(qū)109、LDD區(qū)120和溝道區(qū)110的順序?yàn)閺南鄬?duì)高變化到相對(duì)低。這樣，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，形成柵電極105和LDD區(qū)120彼此疊置的柵極疊置的輕摻雜漏極(GOLDD)結(jié)構(gòu)。如上所述，因?yàn)樯蠔烹姌O107的長(zhǎng)度比下柵電極106的長(zhǎng)度短，所以可以在沒(méi)有使用掩模的情況下形成GOLDD結(jié)構(gòu)。然后，如圖IH所示，形成具有像素單元的顯示器 件，在像素單元中，GOLDD結(jié)構(gòu)形成在薄膜晶體管(TFT)單元中。如果對(duì)用于形成顯示器件的每個(gè)功能層(例如，像素單元的陽(yáng)極)應(yīng)用5-掩模工藝，則每個(gè)功能層可以在形成TFT單元的柵電極105時(shí)并發(fā)地(例如，同時(shí)地)形成，或者可使用用于形成薄層的單獨(dú)工藝來(lái)形成用于形成顯示器件的每個(gè)功能層(例如，像素單元的陽(yáng)極)。然而，該方法不限于此。在下文中，將描述使用形成薄層的單獨(dú)工藝形成的顯示器件的每個(gè)功能層。將有機(jī)發(fā)光顯示裝置描述為顯示器件，但是還可以在不受限制的情況下使用各種顯示器件。在其上形成有源電極115和漏電極116的基底101上方沉積保護(hù)層121。保護(hù)層(例如，鈍化層和/或平坦化層)121可以包括諸如壓克力、苯并環(huán)丁烯(BCB)和聚酰亞胺(PI)的有機(jī)材料或諸如SiNx的無(wú)機(jī)材料，并可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。也可以將其它變型應(yīng)用到保護(hù)層。因此，保護(hù)層121覆蓋源電極115和漏電極116，并填充接觸孔112的剩余空間，從而保護(hù)TFT。然后，蝕刻像素單元的保護(hù)層121，并經(jīng)由接觸孔122將源電極115和漏電極116中的一個(gè)電連接到用作陽(yáng)極的第一電極123。第一電極123是有機(jī)發(fā)光顯不器件的電極之一,并可以包括各種導(dǎo)電材料。第一電極123可以是透明電極或反射電極?？梢允褂忙│肠?、IZO、ZnO或In2O3形成透明電極，可以通過(guò)使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們的任何化合物形成反射層并在反射層上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3來(lái)形成反射電極。然后，通過(guò)使用絕緣材料在第一電極123上形成像素限定層124，以暴露第一電極123的至少一部分。然后，在第一電極123的暴露部分上形成包括發(fā)射層的中間層125。中間層125可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，可以將中間層125形成為包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)組成的組中選擇的至少一個(gè)層的單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。如果使用低分子量有機(jī)材料，則可以使用諸如銅酞菁(CuPc)、N，N ' -二(萘-I-基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等的各種有機(jī)材料。可以通過(guò)使用掩模的真空沉積來(lái)形成這些低分子量有機(jī)材料。當(dāng)使用高分子量有機(jī)材料時(shí)，中間層125通?？梢园℉TL和EML。在這方面，可以使用PEDOT形成HTL，并且可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷使用聚苯撐乙烯(PPV)和聚芴來(lái)形成EML。然后，將用作陰極的第二電極126形成為面向第一電極123，其中，中間層125位于第二電極126和第一電極123之間。第二電極126可以是透明電極或反射電極。透明電極可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它們的任何化合物的層以及在由用于形成透明電極的材料(例如，ITO, IZO, ZnO或In2O3)形成的層上形成的輔助電極或匯流電極線。當(dāng)?shù)诙姌O126被形成為反射電極時(shí)，在第二電極126的整個(gè)表面上沉積 Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg 或它們的化合物。根據(jù)上面描述的方法來(lái)制備有機(jī)發(fā)光顯示裝置100。如上所述，根據(jù)基于本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，可以提高TFT的熱載流子可靠性或漏電性能。另外，可以在5-掩模工藝過(guò)程中在未使用另外的掩模的情況下形成GOLDD結(jié)構(gòu)，因此，可以降低制造成本。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求書(shū)及其等價(jià)物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在這里做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括 在基底上形成半導(dǎo)體有源層； 在所述基底和所述半導(dǎo)體有源層上形成柵極絕緣層； 形成包括位于所述柵極絕緣層上的下柵電極和位于所述下柵電極上的上柵電極的柵電極； 使用所述柵電極作為掩模在所述半導(dǎo)體有源層處形成源區(qū)和漏區(qū)； 在所述基底上形成層間絕緣層，并蝕刻所述層間絕緣層，以產(chǎn)生暴露所述源區(qū)的部分和所述漏區(qū)的部分的接觸孔； 在所述基底上形成源/漏電極原料并蝕刻所述源/漏電極原料，以形成源電極和漏電極； 通過(guò)注入雜質(zhì)離子在所述半導(dǎo)體有源層處形成具有輕摻雜漏極區(qū)的柵極疊置的輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)； 在所述基底上沉積保護(hù)層；以及 在所述基底上形成顯示器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，當(dāng)蝕刻所述層間絕緣層時(shí)，暴露所述上柵電極的邊緣部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，當(dāng)蝕刻所述源/漏電極原料時(shí)，所述上柵電極的所述邊緣部分與所述源/漏電極原料同時(shí)被蝕刻，以暴露所述下柵電極的邊緣部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述上柵電極的長(zhǎng)度比所述下柵電極的長(zhǎng)度短。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在蝕刻所述源/漏電極原料之后， 將所述源電極電連接到所述源區(qū)，以及 將所述漏電極電連接到所述漏區(qū)， 其中，所述源電極和所述漏電極圍繞所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層的側(cè)壁，并且所述接觸孔的部分保持為空。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成柵極疊置的輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)的步驟包括通過(guò)所述下柵電極的所述邊緣部分注入雜質(zhì)離子，從而在所述半導(dǎo)體有源層的與所述下柵電極的所述邊緣部分垂直對(duì)應(yīng)的一部分處形成具有低雜質(zhì)離子濃度的輕摻雜漏極區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述下柵電極的所述邊緣部分和具有低雜質(zhì)離子濃度的所述輕摻雜漏極區(qū)彼此疊置。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述下柵電極包括透明導(dǎo)電膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述上柵電極具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括從由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au組成的組中選擇的ー種，所述多層結(jié)構(gòu)包括Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au的混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，所述方法還包括在所述接觸孔中形成保護(hù)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述顯示器件是有機(jī)發(fā)光器件。
12.—種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 半導(dǎo)體有源層，位于基底上并具有源區(qū)和漏區(qū)、輕摻雜漏極區(qū)以及溝道區(qū)； 柵極絕緣層，位于所述半導(dǎo)體有源層上； 柵電極，包括位于所述柵極絕緣層上的下柵電極和位于所述下柵電極上的上柵電扱；層間絕緣層，位于所述柵電極上并具有接觸孔； 源電極和漏電極，經(jīng)由所述接觸孔分別電連接到所述源區(qū)和所述漏區(qū)； 保護(hù)層，位于所述層間絕緣層上；以及 顯示器件，位于所述基底上， 其中，所述上柵電極的長(zhǎng)度比所述下柵電極的長(zhǎng)度短，以使所述下柵電極的邊緣部分與所述輕摻雜漏極區(qū)疊置，以及 所述保護(hù)層填充所述接觸孔的除了所述接觸孔的被所述源電極和所述漏電極填充的部分之外的部分，井覆蓋所述源電極和所述漏電扱。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體有源層的不同區(qū)域中的摻雜的雜質(zhì)離子的濃度按照所述源區(qū)和所述漏區(qū)、所述輕摻雜漏極區(qū)以及所述溝道區(qū)的順序?yàn)橄鄬?duì)高到相對(duì)低。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述下柵電極包括透明導(dǎo)電膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述上柵電極具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括從由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au組成的組中選擇的ー種，所述多層結(jié)構(gòu)包括Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W和Au的混合物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括形成包括位于柵極絕緣層上的下柵電極和位于所述下柵電極上的上柵電極的柵電極；使用所述柵電極作為掩模在所述半導(dǎo)體有源層處形成源區(qū)和漏區(qū)；在所述基底上形成層間絕緣層，并蝕刻所述層間絕緣層，以產(chǎn)生暴露所述源區(qū)的部分和所述漏區(qū)的部分的接觸孔；在基底上形成源/漏電極原料，并蝕刻所述源/漏電極原料，以形成源電極和漏電極；在所述半導(dǎo)體有源層處通過(guò)注入雜質(zhì)離子形成具有輕摻雜漏極(LDD)區(qū)的柵極疊置的輕摻雜漏極(GOLDD)結(jié)構(gòu)；在所述基底上沉積保護(hù)層；以及在所述基底上形成顯示器件。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102842533SQ20121011480
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者樸炳建, 李卓泳, 徐晉旭, 李基龍, 羅興烈 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司