專利名稱：校正電路、驅(qū)動電路、發(fā)光裝置及電流脈沖波形校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對施加到具有垂直諧振腔結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器陣列的電流脈沖波形進(jìn)行校正的校正電路，以及包括該校正電路的驅(qū)動電路和發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明還涉及用于對施加到半導(dǎo)體激光器的電流脈沖波形進(jìn)行校正的方法。
背景技術(shù)：
不同于現(xiàn)有的法布里-珀羅(Fabry-Perot)諧振腔型半導(dǎo)體激光器，表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器在垂直于基板的方向上發(fā)射光，并且能夠在同一基板上以ニ維陣列的形式布置多個諧振腔結(jié)構(gòu)。因此，近年來，表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器在諸如數(shù)據(jù)通信和打印機(jī)等領(lǐng)域中受到關(guān)注。表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器通常包括柱形垂直諧振腔結(jié)構(gòu)，該柱形垂直諧振腔結(jié)構(gòu)是通過在基板上依次堆疊下部DBR層、下部間隔層、活性層、上部間隔層、電流限制層、上部DBR層和接觸層形成的。在這種半導(dǎo)體激光器中，已知的是，光輸出隨著活性層溫度的變化而顯著變化。例如，當(dāng)用ImW驅(qū)動具有650nm振蕩波長的表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器時，活性層溫度僅從50°C變化到60°C，但光輸出下降大約20%。此外，在該表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器中，垂直諧振腔非常小，從而活性層溫度由于電流注入而容易上升。因此，在集成有多個表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器的激光器陣列中，當(dāng)驅(qū)動所有的半導(dǎo)體激光器，且每個半導(dǎo)體激光器的活性層溫度均上升時，各個半導(dǎo)體激光器的活性層溫度由于從鄰近的其它半導(dǎo)體激光器傳遞的熱量而進(jìn)ー步上升。于是，各半導(dǎo)體激光器的光輸出下降。例如，在45 y m間距和4X8通道的表面發(fā)光激光器陣列中，當(dāng)在50°C下用ImW驅(qū)動各個半導(dǎo)體激光器時，每個半導(dǎo)體激光器的活性層溫度升高10°C或者高于使單個通道發(fā)光時的活性層溫度。因而，各個半導(dǎo)體激光器的光輸出下降大約20%。由此以來，在表面發(fā)光型激光器陣列中存在如下問題鄰近的其它半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的熱量使光輸出下降，從而形成熱串?dāng)_(thermal crosstalk)。目前提出了各種解決熱串?dāng)_的方法，例如，日本專利文件JP-A-2000-190563披露了一種解決法布里-珀羅型半導(dǎo)體激光器中的串?dāng)_的方法。日本專利文件JP-A-2000-190563披露了如下一項技術(shù)通過計算由于驅(qū)動激光器而產(chǎn)生的裝置溫度上升來確定合適的校正電流量，并且通過使用該校正電流來驅(qū)動激光器，以抑制由熱串?dāng)_造成的光輸出下降。在日本專利文件JP-A-2000-190563所述的方法中，校正電流量是與由激光器的溫度上升所引起的閾值上升相等的值。然而，在實際的半導(dǎo)體激光器中，由于溫度上升和注入電流改變了斜率效率(slope efficiency)，所以校正的電流量等于或者大于閾值的變化。特別地，在表面發(fā)光型半導(dǎo)體激光器中，由溫度變化引起的閾值變化比較小，但是，斜率效率的變化較大。因此，需要根據(jù)斜率效率的變化來確定校正電流量。即，日本專利文件JP-A-2000-190563披露的方法難以改善表面發(fā)光型激光器陣列中的熱串?dāng)_。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，期望提供ー種能夠緩解表面發(fā)光型激光器陣列中的熱串?dāng)_的影響的校正電路以及含有該校正電路的驅(qū)動電路和發(fā)光裝置。此外，還期望提供一種能夠改善表面發(fā)光型激光器陣列中的熱串?dāng)_的電流脈沖波形校正方法。本發(fā)明的實施例涉及校正電路，該校正電路包括溫度上升導(dǎo)出部，其用于導(dǎo)出多通道表面發(fā)光型激光器陣列中第一通道的由ー個以上的第二通道的發(fā)熱引起的溫度 上升量，所述第二通道是所述激光器陣列包括的所有通道中的至少鄰近所述第一通道的通道；以及第一校正部，其基于由所述溫度上升導(dǎo)出部導(dǎo)出的所述溫度上升量對從電流源輸出到所述第一通道的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，所述電流源能夠針對所述激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述激光器陣列。本發(fā)明的另ー個實施例涉及驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包括電流電源和所述實施例的校正電路，所述校正電路校正從該電流電源輸出的電流脈沖的波形。本發(fā)明的又一個實施例涉及發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括多通道表面發(fā)光型激光器陣列以及上述實施例的用于驅(qū)動該激光器陣列的驅(qū)動電路。本發(fā)明的再一個實施例涉及電流脈沖波形的校正方法，所述校正方法包括如下兩個步驟(A)導(dǎo)出多通道表面發(fā)光型激光器陣列中第一通道的由ー個以上的第二通道的發(fā)熱引起的溫度上升量，所述第二通道是所述激光器陣列包括的所有通道中的至少鄰近所述第一通道的通道；(B)基于由所述溫度上升導(dǎo)出部導(dǎo)出的所述溫度上升量對從電流源輸出到所述第一通道的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，所述電流源能夠針對所述激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述激光器陣列。在本發(fā)明實施例的校正電路、驅(qū)動電路、發(fā)光裝置以及電流脈沖波形的校正方法中，根據(jù)第一通道的由第一通道鄰近的第二通道的發(fā)熱引起的溫度上升量，來校正從所述電流電源輸出到所述第一通道的電脈沖的波形。從而能夠使激光器陣列的光輸出更接近在未受熱串?dāng)_影響時的光輸出。在本發(fā)明實施例的校正電路、驅(qū)動電路、發(fā)光裝置以及電流脈沖波形的校正方法中，由于激光器陣列的光輸出能夠更接近未受熱串?dāng)_影響時的光輸出，所以能夠緩解表面發(fā)光型激光器陣列中的熱串?dāng)_的影響。


圖I表不本發(fā)明一個實施例的半導(dǎo)體激光器陣列的上表面結(jié)構(gòu)的不例；圖2表示包括圖I的半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)光裝置的示意性結(jié)構(gòu)的示例；圖3表示圖2的激光器驅(qū)動部的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示例；圖4A和圖4B表示圖I的激光器的電流-光輸出特性以及電流-斜率效率特性的示例；
圖5示意說明由圖I的半導(dǎo)體激光器陣列產(chǎn)生的熱的傳播；圖6A 圖6C表示施加到圖5的ch2 ch4的電流的波形的示例；圖7表示圖5的ch2 ch4中每者的熱流、耐熱性以及熱時間常數(shù)的示例；圖8A 圖 8D 表不 A T2 — ! (t)、A T3 — ! (t)、A T4 — ! (t)和 E x A Tx — ! (t)的不例；圖9 表不當(dāng) A T2 — ! (t)、A T3 — ! (t)、A T4 — ! (t)和 E x A Tx — ! (t)與圖 8A 圖8D的這些量相等時的A Ichl (t)的示例；圖10表示圖3的校正電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示例；
圖11表示圖3的激光器驅(qū)動部的第一變型例；圖12A 圖12C表示圖11的激光器驅(qū)動部產(chǎn)生的電流脈沖波形的示例；圖13表示圖I的激光器的I-L特性的示例；圖14A和圖14B表示圖I的激光器的光輸出波形的示例；圖15A 圖15E表示圖11的Itjpl (t)波形和圖11的Iai (t)波形的合成波形；圖16表示圖I的激光器的示意性結(jié)構(gòu)以及熱回路的示例的圖；圖17是用于說明熱方程中包含的變量的波形圖；圖18A表示通過導(dǎo)出熱方程得到的活性層溫度的時間變化的圖；圖18B表示通過實際測量得到的活性層溫度與光輸出之間的關(guān)系；圖18C表示從圖8A和圖8B得到的光輸出的時間變化；圖19表示光輸出的時間變化的實際測量值和計算值；圖20表示圖3激光器驅(qū)動部的第二變型例；圖21表示下垂(下降)的注入電功率依賴性的示例；圖22A 圖22C表示圖20的激光器驅(qū)動部產(chǎn)生的電流脈沖波形的示例；圖23A 圖23C表示圖I的激光器的光輸出波形的示例；圖24A 圖24E表示圖20的Itjpl⑴波形和圖20的Ibi⑴波形的合成波形；圖25表示圖I激光器驅(qū)動部的第三變型例；圖26A 圖26C表示圖25的激光器驅(qū)動部產(chǎn)生的電流脈沖波形的示例；圖27表示第一應(yīng)用例的印刷裝置的示意結(jié)構(gòu)；以及圖28表不另一應(yīng)用例的光通信裝置的不意結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式下面將參照附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。而且，說明將按如下順序進(jìn)行。I.實施例設(shè)有用于緩解熱串?dāng)_影響的電路的示例2.變型例設(shè)有用于降低由波長失諧(Waveform Detune)引起的光輸出波形鈍度(Dullness)的電路的示例設(shè)有用于減小由下垂(DiX)Op)引起的光輸出下降的電路的示例3.應(yīng)用例每個實施例的發(fā)光裝置用作印刷裝置的光源的示例
每個實施例的發(fā)光裝置用作光通信裝置的光源的示例I.實施例半導(dǎo)體激光器陣列I的結(jié)構(gòu)圖I表示實施例的半導(dǎo)體激光器陣列I的俯視圖。此外，圖I僅為示意性的，其不同于實際尺寸和形狀。半導(dǎo)體激光器陣列I是通過集成多個表面發(fā)光型激光器件10構(gòu)成的。在半導(dǎo)體激光器I中，單個激光器件10稱作ー個通道。如圖I所示，當(dāng)設(shè)置有4個激光器件10時，半導(dǎo)體激光器陣列稱作4通道激光器陣列。各激光器件10放置在上表面上，使得從各激光器件10發(fā)出的激光束的光軸之間的距離盡量彼此靠近。例如，如圖I所示，各個激光器件10布置成一行。此外，盡管圖中未不出，但各激光器件10也可布置成格子狀(grid shape)。此外，雖然圖I不出了放置有4 個激光器件10的情形，但也可以只布置兩個激光器件10，或者布置3個激光器件10，或者布置5個以上的激光器。另外，在下文中，將通過布置有4個激光器件10的示例來說明半導(dǎo)體激光器陣列I。例如，通過結(jié)晶生長，在公共基板(圖中未示出)上形成各個激光器件10。此外，可通過結(jié)合將各個激光器件10放置在公共基板(圖中未示出)上。例如，激光器件10具有柱形垂直諧振腔結(jié)構(gòu)，該柱形垂直諧振腔結(jié)構(gòu)具有布置在一對多層膜反射鏡之間的活性層。例如，活性層包括紅色系材料(例如，GaInP或者AlGaInP)。此外，活性層也可由其它材料形成,并例如可以包括紅外系材料(例如，GaAs或者AlGaAs)。例如，激光器件10具有環(huán)形的上部電極11，上部電極11在垂直諧振腔結(jié)構(gòu)的上表面上具有開ロ 11A，激光器件10從開ロ IlA發(fā)出激光束。激光器件10還具有位于垂直諧振腔結(jié)構(gòu)附近的電極焊盤12，并且具有將上部電極11與電極焊盤12互相電連接的連接部13。 除激光器件10之外，半導(dǎo)體激光器陣列I還具有溫度檢測器件20。例如，溫度檢測器件20設(shè)置在激光器件10的公共基板(圖中未示出)上，并例如通過晶體生長(crystalgrowth)形成在激光器件10的公共基板上。此外，溫度檢測器件20可通過結(jié)合而放置在激光器件10的公共基板上。類似于激光器件10，例如，溫度檢測器件20也具有柱形諧振腔結(jié)構(gòu)，該柱形諧振腔結(jié)構(gòu)具有布置在一對多層膜反射鏡之間的活性層。例如，溫度檢測器件20的活性層和激光器件10的活性層是由相同的材料形成，并例如包括紅色系材料(例如，GaInP或者AlGaInP)。此外，溫度檢測器件20的活性層可由其它材料形成。例如，該活性層可包括紅外系材料(例如，GaAs或者AlGaAs)。例如，溫度檢測器件20具有板狀上部電極21，板狀上部電極21在垂直諧振腔結(jié)構(gòu)的上表面上沒有開ロ，從而沒有激光束從該垂直諧振腔結(jié)構(gòu)的上表面發(fā)出。溫度檢測器件20還具有位于垂直諧振腔結(jié)構(gòu)附近的電極焊盤22，并且具有將上部電極21與電極焊盤22互相電連接的連接部23。溫度檢測器件20通過在溫度檢測器件20中流經(jīng)正常電流時使用溫度檢測器件20的串聯(lián)電阻的變化來檢測環(huán)境溫度，其中串聯(lián)電阻的變化是由活性層溫度(其是由環(huán)境溫度引起的)的變化引起的。具體地，溫度檢測器件20將溫度檢測器件20的串聯(lián)電阻的變化作為上部電極21的電壓變化輸出到電極焊盤22。發(fā)光裝置2的結(jié)構(gòu)
圖2表示包括半導(dǎo)體激光器陣列I的發(fā)光裝置2的示意結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置2包括半導(dǎo)體激光器陣列I、系統(tǒng)控制部30和激光器驅(qū)動部40。系統(tǒng)控制部30通過激光器驅(qū)動部40來控制半導(dǎo)體激光器陣列I的驅(qū)動。激光器驅(qū)動部40向半導(dǎo)體激光器陣列I注入電流，從而使半導(dǎo)體激光器陣列I發(fā)光。例如，如圖3所示，激光器驅(qū)動部40具有電流源41、校正電路42和合成部43。如圖3所示，電流源41能夠針對各個通道獨立地驅(qū)動多通道半導(dǎo)體激光器陣列1，并且能夠輸出四種電流、—⑴ Itjpnme4⑴)。電流源41以脈沖的方式驅(qū)動半導(dǎo)體激光器1，并例如用于輸出作為矩形電流脈沖的四種電流(1。”。-“) Itjpnme4⑴)。同時，如圖3所示，校正電路42對從電流源41輸出的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，并例如能夠輸出四種校正電流(A Ichl⑴ A Ich4⑴)。
合成部43用于將從電流源41輸出的電流與從校正電路42輸出的校正電流進(jìn)行合成，并將合成后的電流輸出到外部(具體是指半導(dǎo)體激光器陣列I)。例如，如圖3所示，合成部43具有用于連接電流源41的輸出端和校正電路42的輸出端的連接部，井能夠?qū)碾娏髟?1輸出的電流與從校正電路42輸出的校正電流進(jìn)行相加(疊加)。例如，合成部43能夠輸出四種電流(Itjpl (t) Itjp4(t))，上述四種電流(Itjpl (t) 1_(0)是通過將從電流源41輸出的電流(IQP _el(t) Itjpnme4 (t))與從校正電路42輸出的校正電流(AIehl(t) A Idl4⑴)相加而得到的。下面將說明校正電路中產(chǎn)生的校正電流的導(dǎo)出過程。單個器件的溫度特性的建模圖4A表示表面發(fā)光型紅色半導(dǎo)體激光器的電流-光輸出特性的溫度依賴性的示例。圖4B表示表面發(fā)光型紅色半導(dǎo)體激光器電流-斜率效率(slope efficiency)特性的溫度依賴性的示例。此外，圖4B是通過將圖4A的電流-光輸出特性對電流進(jìn)行微分得到的。由圖4B可知，當(dāng)電流的大小是從閾值到約3mA之間的值時，斜率效率相對電流線性地降低，斜率效率的傾斜度(斜率)隨著溫度上升而變小。由溫度和電流的變化引起的斜率效率的變化可以用下列模型方程來表示。[方程I]SE (I，T) = (-a T+b) (I-Ic) + n C這里，符號T表不環(huán)境溫度。符號I表不輸入到半導(dǎo)體激光器的電流(驅(qū)動電流)。符號SE (I，T)表示斜率效率，并包括作為變量的環(huán)境溫度T和驅(qū)動電流I。符號a、b、Ic、和nC是取決于半導(dǎo)體激光器的特性的不同常數(shù)。例如，在圖4A和圖4B所示的紅色半導(dǎo)體激光器的情況下，符號a、b、Ic和n C取如下數(shù)值。[方程2]
權(quán)利要求
1.ー種校正電路,其包括 溫度上升導(dǎo)出部，其用于導(dǎo)出多通道表面發(fā)光型激光器陣列中第一通道的由ー個以上的第二通道的發(fā)熱引起的溫度上升量，所述第二通道是所述激光器陣列包括的所有通道中的至少鄰近所述第一通道的通道；以及 第一校正部，其基于由所述溫度上升導(dǎo)出部導(dǎo)出的所述溫度上升量對從電流源輸出到所述第一通道的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，所述電流源能夠針對所述激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述激光器陣列。
2.如權(quán)利要求I所述的校正電路，其中， 針對各個所述第二通道，所述溫度上升導(dǎo)出部具有第一 RC時間常數(shù)電路，所述第一 RC時間常數(shù)電路的熱阻R和熱容量C的大小取決于所述第一通道和所述第二通道之間的距尚，并且 所述溫度上升導(dǎo)出部基于所述熱阻R、所述熱容量C以及與所述第二通道中流動的電流的大小相對應(yīng)的熱流W來導(dǎo)出所述溫度上升量。
3.如權(quán)利要求2所述的校正電路，其中，所述第一校正部基于環(huán)境溫度和輸出到所述第一通道的電流量來校正所述溫度上升量。
4.如權(quán)利要求3所述的校正電路，其中， 所述激光器陣列具有檢測所述環(huán)境溫度的溫度檢測器件，并且 所述第一校正部基于由所述溫度檢測器件獲得的所述環(huán)境溫度和輸出到所述第一通道的所述電流量來校正所述溫度上升量。
5.如權(quán)利要求I所述的校正電路，其還包括 第二校正部，其對所述電流脈沖的被所述第一校正部校正后的波形進(jìn)行校正，使得所述第一通道的光輸出的脈沖波形接近矩形。
6.如權(quán)利要求5所述的校正電路，其中，所述第二校正部包括多個用于使所述電流脈沖的波形高度值隨時間衰減的第一時間常數(shù)電路，各個所述第一時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)彼此不同，所述多個第一時間常數(shù)電路中的ー個以上的第二時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有在20ns以上且50ns以下的范圍內(nèi)的值，且所述多個第一時間常數(shù)電路中的除所述第二時間常數(shù)電路之外的ー個以上的第三時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有大于50ns的值。
7.如權(quán)利要求6所述的校正電路，其中，所述第三時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有在300ns以上且1500ns以下的范圍內(nèi)的值。
8.如權(quán)利要求6所述的校正電路，其中， 各個所述通道具有垂直諧振腔結(jié)構(gòu)，所述垂直諧振腔結(jié)構(gòu)具有布置在一對多層膜反射鏡之間的活性層，并且 所述第二校正部校正所述電流脈沖的波形，使得所述電流脈沖的波形高度值發(fā)生與所述活性層的溫度變化相對應(yīng)的變化。
9.如權(quán)利要求8所述的校正電路，其中，所述第二校正部包括多個用于調(diào)整所述電流脈沖的波形高度值的峰值的第四時間常數(shù)電路，各個所述第四時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)彼此不同，所述多個第四時間常數(shù)電路中的ー個以上的第五時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有在20ns以上且50ns以下的范圍內(nèi)的數(shù)值，所述多個第四時間常數(shù)電路中的除所述第五時間常數(shù)電路之外的ー個以上的第六時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有大于50ns的值。
10.如權(quán)利要求9所述的校正電路，其中，所述第六時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有在300ns以上且1500ns以下的范圍內(nèi)的值。
11.如權(quán)利要求5所述的校正電路，其中，所述第二校正部包括第七時間常數(shù)電路和第八時間常數(shù)電路，所述第七時間常數(shù)電路用于給出用于校正所述電流脈沖的校正電流的時間變化，所述第八時間常數(shù)電路用于給出所述校正電流在各脈沖起始時刻的最大電流量，所述校正電流的所述最大電流量與所述校正電流的初始值等同， 所述第二校正部對所述電流脈沖的被所述第一校正部校正后的波形進(jìn)行校正，使得所述電流脈沖的波形高度值根據(jù)所述第七時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)和所述第八時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)而隨時間飽和。
12.如權(quán)利要求11所述的校正電路，其中，所述第七時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)和所述第八時間常數(shù)電路的RC時間常數(shù)具有在I y s以上且3 y s以下的范圍內(nèi)的值。
13.如權(quán)利要求12所述的校正電路，其中， 各個所述通道具有垂直諧振腔結(jié)構(gòu)，所述垂直諧振腔結(jié)構(gòu)具有布置在一對多層膜反射鏡之間的活性層，并且 所述第二校正部校正所述電流脈沖的波形，使得所述電流脈沖的波形高度值發(fā)生與所述活性層的溫度變化相對應(yīng)的變化。
14.如權(quán)利要求13所述的校正電路，其中，所述第二校正部根據(jù)環(huán)境溫度、所述電流脈沖的被所述第一校正部校正后的電流量以及所述活性層的溫度變化來改變所述最大電流量。
15.—種驅(qū)動電路,其包括 電流源，其能夠針對多通道表面發(fā)光型激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述多通道表面發(fā)光型激光器陣列；以及 如權(quán)利要求1-14中任一項所述的校正電路，其用于校正所述電流源輸出的電流脈沖的波形。
16.—種發(fā)光裝置,其包括 多通道表面發(fā)光型激光器陣列；以及 如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動電路，其用于驅(qū)動所述激光器陣列。
17.一種用于校正電流脈沖波形的方法，其包括 導(dǎo)出多通道表面發(fā)光型激光器陣列中第一通道的由ー個以上的第二通道的發(fā)熱引起的溫度上升量，所述第二通道是所述激光器陣列包括的所有通道中的至少鄰近所述第一通道的通道；以及 基于由所述溫度上升導(dǎo)出部導(dǎo)出的所述溫度上升量對從電流源輸出到所述第一通道的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，所述電流源能夠針對所述激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述激光器陣列。
全文摘要
本發(fā)明涉及校正電路、包含該校正電路的驅(qū)動電路和發(fā)光裝置以及電流脈沖的校正方法。本發(fā)明的校正電路包括溫度上升導(dǎo)出部，其用于導(dǎo)出多通道表面發(fā)光型激光器陣列中第一通道的由一個以上的第二通道的發(fā)熱引起的溫度上升量，所述第二通道是所述激光器陣列包括的所有通道中的至少鄰近所述第一通道的通道；以及第一校正部，其基于由所述溫度上升導(dǎo)出部導(dǎo)出的所述溫度上升量對從電流源輸出到所述第一通道的電流脈沖的波形進(jìn)行校正，所述電流源能夠針對所述激光器陣列的各個通道獨立地驅(qū)動所述激光器陣列。由此，本發(fā)明能夠改善表面發(fā)光型激光器陣列中的熱串?dāng)_。
文檔編號H01S5/042GK102738700SQ20121007847
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者前田修, 大尾桂久, 本多正治 申請人:索尼公司