專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制備該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
各示例性實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，更具體地，涉及包括電容量增加的電容器的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，以及制備該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
在目前引起許多關(guān)注的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，每個(gè)像素包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及連接至該TFT和電容器的有機(jī)發(fā)光裝置。有機(jī)發(fā)光裝置通過接收來自該TFT和電 容器的適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)而發(fā)光，并顯示期望的圖像。為了更穩(wěn)定地顯示有機(jī)發(fā)光顯示裝置的圖像，電容器需要具有足夠的電容量。也就是說，當(dāng)電容器具有足夠的電容量時(shí)，能更自然地顯示圖像。然而，如果僅增加電容器的尺寸來增加其電容量，有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光面積就可能會(huì)相對(duì)減少，這反過來可能會(huì)降低有機(jī)發(fā)光裝置的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
不例性實(shí)施方式提供一種電容量增加的電容器和包括該電容器的有機(jī)發(fā)光顯不
>J-U ρ α裝直。根據(jù)7]^例性實(shí)施方式的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯裝置，包括有機(jī)發(fā)光裝置，電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管(TFT)，以及電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的電容器，所述電容器包括彼此相對(duì)的第一電極層和第二電極層，以及作為單層插入在所述第一電極層和所述第二電極層之間的第一絕緣層。所述第一電極層可包括在基底上的透明電極層，和在所述透明電極層上低電阻電極層。所述TFT可包括含有與所述電容器的所述第一電極層的相同厚度的同一材料的柵極，所述柵極和所述第一電極層直接設(shè)置在同一元件上；在所述柵極上的第二絕緣層；在所述第二絕緣層上的有源層；在所述有源層上的第三絕緣層，所述第三絕緣層為與所述第一絕緣層的相連的層；和在所述第三絕緣層上并連接至所述有源層的源極和漏極，所述源極和所述漏極包括與所述電容器的所述第二電極層相同的厚度的同一材料。所述柵極可包括在所述基底上的透明電極層，和在所述透明電極層上的低電阻電極層。所述有機(jī)發(fā)光裝置可包括連接至所述TFT的像素電極，與所述像素電極相對(duì)的對(duì)電極，和插入在所述像素電極和所述對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。所述像素電極可包括在所述基底上并連接至所述有機(jī)發(fā)光層的透明電極層，和在所述透明電極層上并連接至所述TFT的低電阻電極層。根據(jù)本示例性實(shí)施方式的另一個(gè)方面，提供一種制備有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括形成有機(jī)發(fā)光裝置，形成電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管(TFT)，和形成電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的電容器，所述電容器包括彼此相對(duì)的第一電極層和第二電極層，以及作為單層插入在所述第一電極層和第二電極層之間的第一絕緣層。所述方法可進(jìn)一步包括在所述基底上的同一層形成所述有機(jī)發(fā)光裝置的像素電極、所述TFT的柵極和所述電容器的所述第一電極層，在所述TFT的所述柵極上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成有源層，在所述電容器的所述第一電極層上形成第一絕緣層和在同一層的所述有源層上形成第三絕緣層，以及在所述第一絕緣層上形成第二電極層和在同一層的所述第三絕緣層上形成源極和漏極。所述第一電極層、所述柵極和所述像素電極中每一個(gè)可包括形成在所述基底上的透明電極層和形成在所述透明電極層上的低電阻電極層。

所述方法可進(jìn)一步包括在所述像素電極上形成有機(jī)發(fā)光層，和在所述有機(jī)發(fā)光層上形成對(duì)電極。所述有機(jī)發(fā)光層可形成在暴露的像素電極上，通過蝕刻形成在所述像素電極上的像素界定層使所述像素電極暴露部分。


本實(shí)例實(shí)施方式上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過參考附圖詳細(xì)地說明其示例性實(shí)施方式而變得更加清楚，其中圖I為根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；和圖2A至2F為制備根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置方法中各步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)DI將詳細(xì)說明示例性實(shí)施方式。圖I為根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。如圖I所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底10上的薄膜晶體管(TFT) 30、電容器20和有機(jī)發(fā)光裝置40。圖I僅示出了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素，但該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括許多像素。電連接在TFT30和電容器20上的有機(jī)發(fā)光裝置40發(fā)光。該有機(jī)發(fā)光裝置40包括包含在每個(gè)像素內(nèi)的像素電極41和42，為公共電極的對(duì)電極44，以及插入在像素電極41和對(duì)電極44之間的有機(jī)發(fā)光層43。因此，如果由TFT30和電容器20向像素電極41和42施加電壓，即在像素電極41、42和對(duì)電極44之間形成適當(dāng)?shù)碾妷簵l件，則有機(jī)發(fā)光層43發(fā)光。像素電極41可為由如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)形成的透明電極層，像素電極42可為由如鑰(Mo)形成的低電阻電極層。像素電極41和42可部分地形成多層結(jié)構(gòu)。對(duì)電極44 可包括由如 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li 和 / 或 Ca 形成的薄膜型層的半滲透反射層，或者可包括由如Ι 、IZO、或ZnO形成的透光的金屬氧化物。插入在像素電極41、42和對(duì)電極44之間的有機(jī)發(fā)光層43可具有堆疊結(jié)構(gòu)，其中，發(fā)光層(EML)以及空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)中的至少一個(gè)堆疊。為透明電極層的像素電極41和有機(jī)發(fā)光層43接觸，且為低電阻電極層的像素電極42使TFT30的源極36和漏極37與像素電極41連接。盡管圖I未示出，在對(duì)電極44上可進(jìn)一步形成保護(hù)層。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可用例如玻璃密封。附圖標(biāo)記50表示像素界定層。有機(jī)發(fā)光層43和對(duì)電極44可形成在通過蝕刻像素界定層50暴露的像素電極41上。其次，TFT 30包括形成在基底10上的柵極31和32、覆蓋該柵極31和32的第二絕緣層33 (或柵絕緣層)、形成在該第二絕緣層33上的有源層34、覆蓋該有源層34的第三 絕緣層35 (或蝕刻停止層)、以及源極36和漏極37。每個(gè)源極36和漏極37通過第三絕緣層35的孔35a與有源層34連接。在基底10上可進(jìn)一步形成緩沖層(圖未示)。該緩沖層可由無機(jī)材料如二氧化硅形成。柵極31和32在基底10上可形成為單層或多層。在本實(shí)施方式中，柵極31和32可形成為類似于像素電極41和42的多層，其中柵極31可為透明電極層，柵極32可為低電阻電極層。第二絕緣層33可由如二氧化硅、氧化鉭和/或氧化鋁形成。然而，示例性實(shí)施方式并不限于此。在第二絕緣層33上形成有源層34。有源層34可由氧化物半導(dǎo)體如G-I_Z_0層[a (In2O3) b (Ga2O3) c (ZnO)層]形成，其中a、b和c分別為滿足a彡0、b彡O、和c > O條件的實(shí)數(shù)。在另一個(gè)實(shí)例中，有源層34可為Hf-In-Zn-O層。覆蓋有源層34的第三絕緣層35可由如二氧化硅、氧化鉭、和/或氧化鋁形成。然而，實(shí)例實(shí)施方式并不限于此。源極36和漏極37形成在第三絕緣層35上以通過孔35a接觸有源層34。漏極37與像素電極42連接?，F(xiàn)將描述電容器20的結(jié)構(gòu)。電容器20包括順序堆疊在基底10上的第一電極層21和22、第一絕緣層25和第二電極層26。第一電極層21和22分別由與上述TFT 30的柵極31和32相同的層形成。第一電極層21和22可形成為多層結(jié)構(gòu)，即第一電極層21可為透明電極層，第一電極層22可為低電阻電極層，分別類似于柵極31和32。第一絕緣層25由與TFT 30中的第三絕緣層35相同的層形成。第二電極層26由與TFT 30中的源極36和漏極37相同的層形成。而且，第二電極層26由與用于形成源極36、漏極37的相同材料的導(dǎo)電金屬材料形成。因此，由于僅第一絕緣層25作為單層插入在第一電極層21、22和第二電極層26之間，如第一絕緣層25可為直接位于第一電極層22和第二電極層26之間的單層，電容器20的電容量可增加。也就是說，由于電容器20的電容量與第一電極層21和22的最上的表面，即第一電極層22的最上的表面與第二電極層26之間的距離成反比，第一電極層21和22的最上的表面與第二電極層26之間距離的減小可增加電容器20的電容量。在具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯不裝置中，僅第一絕緣層25插入在第一電極層21和22與第二電極層26之間，因此可容易獲得電容器20的高電容量。而且，如同在制備圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法中將描述的，僅第一絕緣層25插入在第一電極層21和22與第二電極層26之間的結(jié)構(gòu)在形成構(gòu)成有機(jī)發(fā)光裝置40、TFT30和電容器20的每個(gè)層的工藝中自然形成，因此，不需要進(jìn)行其他的掩模過程。在下文中，將參照?qǐng)D2A 2F描述制備圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。圖2A至2F為順序描述制備圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。首先，如圖2A所示，電容器20的第一電極層21和22、TFT30的柵極31和32、以及有機(jī)發(fā)光裝置40的像素電極41和42形成在基底10上。就是說，均為透明電極層的第一電極層21、柵極31和像素電極41，由同一第一層例如直接在基底10上形成，如形成圖形。接下來，均為低電阻電極層的第一電極層22、柵極32和像素電極42，由同一第二層例如直接在第一層上形成，如形成圖形。盡管圖2A未示出，可進(jìn)一步在基底10上形成緩沖層。由 于第一電極層21、柵極31和像素電極41由同一層形成，從基底10測(cè)量時(shí)，它們同時(shí)形成基本相同的厚度。同樣地，由于第一電極層22、柵極32和像素電極42由同一層形成，從基底10測(cè)量時(shí)，它們同時(shí)形成基本相同的厚度。第一電極層22、柵極32和像素電極42中的每一個(gè)覆蓋，例如完全覆蓋第一電極層21、柵極31和像素電極41中相應(yīng)的一個(gè)。然后，如圖2B所示，形成覆蓋TFT30的柵極31和32的第二絕緣層33，隨后在第二絕緣層33上形成有源層34。接下來，形成覆蓋所得結(jié)構(gòu)，即像素電極42、有源層34和第一電極層22的另一絕緣層。該另一絕緣層為具有在第一電極層22上的第一部分，即第一絕緣層25，和在像素電極42和有源層34上的第二部分，即第三絕緣層35的單層。換句話說，第一絕緣層25和第三絕緣層35界定了覆蓋有機(jī)發(fā)光裝置40、TFT30和電容器20的一個(gè)連續(xù)的絕緣層。接下來，如圖2C所示，在第三絕緣層35內(nèi)形成孔35a和42a。然后，如圖2D所示，形成電容器20的第二電極層26和TFT30的源極36和漏極37。此時(shí)，源極36通過孔35a與有源層34連接，且漏極37通過孔35a和孔42a分別與有源層34和像素電極42連接。當(dāng)形成源極36和漏極37圖形時(shí)，蝕刻像素電極42的一部分，因此，像素電極41和42可部分地形成多層結(jié)構(gòu)。因此，如圖2D所示，完成電容器20的基本結(jié)構(gòu)，從而形成第一電極層21和22、第一絕緣層25和第二電極層26順序堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。電極層、絕緣層和電極層順序堆疊的該堆疊結(jié)構(gòu)可增加電容器20的電容量。與此相反，具有堆疊結(jié)構(gòu)的常規(guī)電容器可包括在第一電極層和第二電極層之間的多個(gè)絕緣層，從而降低電容量。然而，因?yàn)楦鶕?jù)實(shí)例實(shí)施方式的電容器20包括形成為兩個(gè)電極層之間的單層的單個(gè)絕緣層，絕緣層的總厚度相對(duì)降低，從而增加電容器的電容量。而且，由于第一絕緣層25和TFT30的第三絕緣層35同時(shí)形成，可減少制備工藝數(shù)量，從而降低制備成本。然后，如圖2E所示，形成像素界定層50，隨后通過蝕刻像素界定層50暴露像素電極41的一部分。然后，如圖2F所示，在暴露的像素電極41上形成有機(jī)發(fā)光層43，隨后通過在有機(jī)發(fā)光層43上形成對(duì)電極44完成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制備。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置上可進(jìn)一步形成保護(hù)層，且該有機(jī)發(fā)光顯示裝置可用玻璃密封。因此，如上所述，在本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，由于絕緣層作為單層形成在電容器20的兩個(gè)電極之間，電容器20的電容量增加而不增加電容器20的尺寸。換句話說，電容器20的電容量增加而不減少有機(jī)發(fā) 光裝置發(fā)光面積的大小。因而，有機(jī)發(fā)光顯示裝置會(huì)更穩(wěn)定地和自然地顯示圖像。盡管已參照其示例性實(shí)施方式具體示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解可進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變，而不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 有機(jī)發(fā)光裝置； 電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管；和 電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的電容器，所述電容器包括彼此相對(duì)的第一電極層和第二電極層，以及作為單層插入在所述第一電極層和所述第二電極層之間的第一絕緣層。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電極層包括在基底上的透明電極層，和在所述透明電極層上的低電阻電極層。
3.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括 包含具有與所述電容器的所述第一電極層的相同厚度的同一材料的柵極，所述柵極和所述第一電極層直接設(shè)置在同一兀件上； 在所述柵極上的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上的有源層； 在所述有源層上的第三絕緣層，所述第三絕緣層為與所述第一絕緣層的相連的層；和在所述第三絕緣層上并連接至所述有源層的源極和漏極，所述源極和所述漏極包含與所述電容器的所述第二電極層的相同厚度的同一材料。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述柵極包括在基底上的透明電極層，和在所述透明電極層上的低電阻電極層。
5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述有機(jī)發(fā)光裝置包括連接至所述薄膜晶體管的像素電極，與所述像素電極相對(duì)的對(duì)電極，和插入在所述像素電極和所述對(duì)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述像素電極包括在基底上并連接至所述有機(jī)發(fā)光層的透明電極層，和在所述透明電極層上并連接至所述薄膜晶體管的低電阻電極層。
7.一種制備有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括 形成有機(jī)發(fā)光裝置； 形成電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管；和 形成電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的電容器，所述電容器包括彼此相對(duì)的第一電極層和第二電極層，和作為單層插入在所述第一電極層和所述第二電極層之間的第一絕緣層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括 在基底的同一層上形成所述有機(jī)發(fā)光裝置的像素電極、所述薄膜晶體管的柵極和所述電容器的所述第一電極層； 在所述薄膜晶體管的所述柵極上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成有源層； 在所述電容器的所述第一電極層上形成所述第一絕緣層和同一層的所述有源層上形成第三絕緣層；和 在所述第一絕緣層上形成第二電極層和同一層的所述第三絕緣層上形成源極和漏極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一電極層、所述柵極和所述像素電極中每一個(gè)包括形成在所述基底上的透明電極層和形成在所述透明電極層上的低電阻電極層。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在所述像素電極上形成有機(jī)發(fā)光層；和 在所述有機(jī)發(fā)光層上形成對(duì)電極。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在暴露的所述像素電極上形成所述有機(jī)發(fā)光層，且通過蝕刻形成在所述像素電極上的像素界定層使所述像素電極部分暴露。
全文摘要
本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光裝置；電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管(TFT)；和電連接至所述有機(jī)發(fā)光裝置的電容器，所述電容器包括彼此相對(duì)的第一電極層和第二電極層，以及作為單層插入在所述第一電極層和所述第二電極層之間的第一絕緣層。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102683382SQ20121003049
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者安泰瓊, 崔千基, 樸商一 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社