專利名稱：刻蝕控制方法以及半導體制造工藝控制方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種刻蝕控制方法以及采用了該刻蝕控制方法的半導體制造工藝控制方法。
背景技術：
刻蝕是半導體制造領域常用的工藝。半導體刻蝕設備包括諸如Lam公司的型號為 9400DFM和9600DFMP的設備之類的刻蝕設備。
在半導體刻蝕工藝中，上述半導體刻蝕設備的傳送模塊TM中會發(fā)生氣壓偏移。此時，沒有處理的晶圓存在落有灰塵的風險，由此進一步造成刻蝕失敗。
當由于諸如門閥泄漏之類的原因而造成氣壓偏移(例如大于200mt)發(fā)生時，諸如 9400DFM和9600DFMP之類的刻蝕設備的設備自動化系統(tǒng)將暫停當前處理的批次的晶圓，但是設備自動化系統(tǒng)并不停止設備運行。
具體地，如圖1所示，其中示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的在出現(xiàn)氣壓偏移時的刻蝕控制方法。
在狀態(tài)1中，第一裝貨卸貨腔LCl中的工藝正在進行，這屬于正常處理狀態(tài)。
另一方面，在狀態(tài)2中，第二裝貨卸貨腔LC2工作完成并準備卸載；第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣即狀態(tài)3，如果此時存在狀態(tài)4即第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣，會出現(xiàn)例如傳送模塊TM的氣壓> 200mt (狀態(tài)5)。由此，進入狀態(tài) 6的傳送模塊氣壓警告。
在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)時，暫停第一裝貨卸貨腔LCl的晶圓工序(狀態(tài)7)。
在第二裝貨卸貨腔LC2完成卸載以后，第二裝貨卸貨腔LC2裝貨繼續(xù)工作(狀態(tài) 8)，第二裝貨卸貨腔LC2抽氣，即從真空大氣(狀態(tài)9)，由于狀態(tài)4，使得傳送模塊TM的氣壓變成90mt (狀態(tài)10)。此后，TM氣壓自動消除(狀態(tài)11)。最后，第一裝貨卸貨腔LCl中的工序繼續(xù)(狀態(tài)12)。
但是，上述過程存在一個問題，由于系統(tǒng)在氣壓偏移發(fā)生時僅僅使晶圓流程工序暫停等待傳送模塊TM的氣壓穩(wěn)定成90mt ；所以，如果傳送模塊TM的氣壓穩(wěn)定之后晶圓處理流程繼續(xù)，則有可能導致在氣壓偏移期間落有灰塵的晶圓仍被處理，從而阻擋刻蝕反應， 造成刻蝕失敗，由此造成晶圓報廢以及器件失效。發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時盡量避免晶圓報廢以及器件失效的刻蝕控制方法以及采用了該刻蝕控制方法的半導體制造工藝控制方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種刻蝕控制方法，其包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設備自動化系統(tǒng)檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警告；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，給機臺發(fā)出停止工藝流程的命令，蝕刻機臺根據(jù)設備自動化系統(tǒng)的命令，停止裝貨卸貨腔的工藝流程，使有缺陷的晶圓停止反應；從而單獨處理有缺陷的晶圓。
優(yōu)選地，所述刻蝕控制方法還包括步驟對篩選出來的有缺陷的晶圓進行處理以消除缺陷，隨后對消除了缺陷的晶圓進行正常處理。
優(yōu)選地，傳送模塊氣壓偏移是由于裝貨卸貨腔和傳送模塊的(LC2&TM)隔離閥泄漏造成的。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導體制造工藝控制方法，其特征在于采用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面的刻蝕控制方法。
通過采用本發(fā)明的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時盡量避免晶圓報廢以及器件失效。


結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中
圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術的在出現(xiàn)氣壓偏移時的刻蝕控制方法。
圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的在出現(xiàn)氣壓偏移時的刻蝕控制方法。
需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。
圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的在出現(xiàn)氣壓偏移時的刻蝕控制方法。
如圖2所示，狀態(tài)1至狀態(tài)7與圖1所示的現(xiàn)有技術相同。
S卩，在狀態(tài)1中，第一裝貨卸貨腔LCl中的工藝正在進行，這屬于正常處理狀態(tài)。
另一方面，在狀態(tài)2中，第二裝貨卸貨腔LC2工作完成并準備卸載；第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣此即狀態(tài)3，如果此時存在狀態(tài)4即第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣，在狀態(tài)3 (第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣)和狀態(tài)4 (第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣)同時發(fā)生時，會出現(xiàn)傳送模塊TM的氣壓 > 200mt (狀態(tài)5)。由此，進入狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告。在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)時，暫停LCl的晶圓工序(狀態(tài)7)。
與圖1所示的現(xiàn)有技術不同的是，在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)之后，執(zhí)行步驟A 利用設備自動化系統(tǒng)EAP實時檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓目口 ο
在存在傳送模塊氣壓警告的情況下執(zhí)行步驟B 發(fā)出機臺停止運行的命令。
此后，執(zhí)行步驟C 蝕刻機臺收到EAP的命令后，停止第一裝貨卸貨腔LCl工藝流程，，從而使有缺陷的晶圓停止反應。
最后，執(zhí)行步驟D 單獨處理有缺陷的晶圓。
利用上述方案，可以盡早地檢測系統(tǒng)異常狀態(tài)，并且可以盡早地避免晶圓報廢。
優(yōu)選地，可對步驟C中篩選出來的有缺陷的晶圓進行處理以消除缺陷，隨后對消除了缺陷的晶圓進行正常處理。
需要說明的是，雖然示出的示例中傳送模塊氣壓偏移是由于第二裝貨卸貨腔LC2 和傳送模塊TM的隔離閥泄漏造成的，但是顯然也可能是其它原因造成的，而且本發(fā)明對其它原因造成的傳送模塊氣壓偏移同樣有用。
可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1.一種刻蝕控制方法，其特征在于包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設備自動化系統(tǒng)實時檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警生 P=I ；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，設備自動化系統(tǒng)立刻給機臺發(fā)出停止運行的命令，蝕刻機臺收到命令后，蝕刻設備自動停止裝貨卸貨腔運行工藝流程，并且使有缺陷的晶圓停止反應；單獨繼續(xù)處理有缺陷的晶圓。
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕控制方法，其特征在于還包括步驟對篩選出來的有缺陷的晶圓進行處理以消除缺陷，隨后對消除了缺陷的晶圓進行正常處理。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的刻蝕控制方法，其特征在于，傳送模塊氣壓偏移是由于裝貨卸貨腔和傳送模塊的隔離閥泄漏造成的。
4.一種半導體制造工藝控制方法，其特征在于采用了根據(jù)權利要求1至3之一所述的刻蝕控制方法。
全文摘要
本發(fā)明提供了刻蝕控制方法以及半導體制造工藝控制方法。根據(jù)本發(fā)明的刻蝕控制方法包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設備自動化系統(tǒng)實時檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警告；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，設備自動化系統(tǒng)立刻給機臺發(fā)出停止運行的命令，蝕刻機臺收到命令后，蝕刻設備自動停止裝貨卸貨腔運行工藝流程，并且使有缺陷的晶圓停止反應；繼續(xù)處理有缺陷的晶圓。通過采用本發(fā)明的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時盡量避免晶圓報廢以及器件失效。
文檔編號H01L21/66GK102543799SQ20121003044
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權日2012年2月10日
發(fā)明者施海銘, 曹玖明, 杜廷衛(wèi) 申請人:上海宏力半導體制造有限公司