專利名稱：用于在玻璃襯底上制造集成無(wú)源器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，更具體地，涉及用于在玻璃襯底上制造集成無(wú)源器件的方法。
背景技術(shù)：
將集成無(wú)源器件用在復(fù)合信號(hào)電路、模擬電路、射頻(RF)電路、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、嵌入式DRAM電路、邏輯運(yùn)算電路等中。集成無(wú)源器件包括電容器、電感器、變壓器、電阻器等。集成無(wú)源器件的形成可以與用于形成有源器件的エ藝類似，其中，從硅襯底開(kāi)始，一層ー層地形成介電層，并且在介電層中形成金屬線和通孔。還在介電層中形成無(wú)源器件。傳統(tǒng)集成無(wú)源器件通常經(jīng)受不能滿足RF電路的需要的較低性能。例如，在傳統(tǒng)集成無(wú)源器件中的電容器的品質(zhì)因數(shù)(Q-factor)較低，并且電感器的帶寬較窄。在各個(gè)襯底中的渦流電流可能導(dǎo)致集成無(wú)源器件的較低性能。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了ー種方法，包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成多個(gè)介電層；在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件；從所述多個(gè)介電層中去除所述半導(dǎo)體襯底；以及將電介質(zhì)襯底接合在所述多個(gè)介電層上。該方法進(jìn)ー步包括將載具晶圓接合在所述多個(gè)介電層上，其中，所述載具晶圓和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上；在接合所述載具晶圓的步驟以后，實(shí)施去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟；實(shí)施接合所述電介質(zhì)襯底的步驟，其中，所述電介質(zhì)襯底和所述載具晶圓位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上；在接合所述電介質(zhì)襯底的步驟以后，去除所述載具晶圓；以及形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質(zhì)襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上，其中，所述電介質(zhì)襯底和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相同側(cè)面上。在該方法中，所述電介質(zhì)襯底和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上，以及在去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟以前，實(shí)施接合所述電介質(zhì)襯底的步驟，或者所述方法進(jìn)ー步包括在去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟以后，形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質(zhì)襯底位于所述多個(gè)介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上。在該方法中，所述電介質(zhì)襯底包括玻璃襯底；或者該方法進(jìn)ー步包括將所述電介質(zhì)襯底和所述多個(gè)介電層切割成多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述電介質(zhì)襯底。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了ー種方法，包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層；在所述介電層的上方形成多個(gè)介電層；在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件；在所述多個(gè)介電層的上方形成第一鈍化層；將載具晶圓接合在所述第一鈍化層上；去除所述半導(dǎo)體襯底以暴露所述介電層；將玻璃襯底接合在所述介電層上；以及從所述第一鈍化層和所述多個(gè)介質(zhì)層中去除所述載具晶圓。在該方法中，在去除所述載具晶圓的步驟以后，暴露所述第一鈍化層，并且其中，所述方法進(jìn)ー步包括在所述第一鈍化層中形成金屬通孔；在所述第一鈍化層的上方形成金屬凸塊，其中，通過(guò)所述金屬通孔將所述金屬凸塊電連接至所述集成無(wú)源器件；在所述第一鈍化層的上方形成含鋁焊盤(pán)，其中，通過(guò)所述金屬通孔將所述含鋁焊盤(pán)電連接至所述集成無(wú)源器件；在所述含鋁焊盤(pán)的上方形成第二鈍化層；形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開(kāi)ロ并且電連接至所述含鋁焊盤(pán)；以及實(shí)施形成所述金屬凸塊的步驟。在該方法中，從基本上由電容器、電感器、以及其組合構(gòu)成的組中選擇所述集成無(wú)源器件；或者該方法進(jìn)ー步包括將所述玻璃襯底和所述多個(gè)介電層切割為多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述玻璃襯底；或者所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。根據(jù)本發(fā)明的又一方法，提供了ー種方法，包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層；在所述介電層的上方形成多個(gè)介電層，其中，在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件；在所述多個(gè)介電層的上方形成第一鈍化層；將玻璃襯底接合在所述第一鈍化層上；去除所述半導(dǎo)體襯底；以及形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述玻璃襯底位于所述多個(gè)電介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上。該方法進(jìn)ー步包括在形成所述金屬凸塊的步驟以前，與所述玻璃襯底相比較在所述多個(gè)介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上形成含鋁焊盤(pán)，其中，通過(guò)位于所述介電層中的金屬通孔將所述含鋁焊盤(pán)電連接至所述集成無(wú)源器件；形成與所述含鋁焊盤(pán)接觸的第二鈍化層；形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開(kāi)ロ并且電連接至所述含鋁焊盤(pán)；以及實(shí)施形成所述金屬凸塊的步驟，或者從基本上由電容器、電感器、以及其組合構(gòu)成的組中選擇所述集成無(wú)源器件。該方法進(jìn)ー步包括將所述玻璃襯底和所述多個(gè)介電層切割為多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述玻璃襯底和ー塊所述多個(gè)介質(zhì)層，或者所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。


為了更好地理解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中圖I至圖6為根據(jù)多個(gè)實(shí)施例制造包括集成無(wú)源器件的器件的中間階段的截面圖，其中，將玻璃襯底接合至半導(dǎo)體襯底形成有集成無(wú)源器件的相同側(cè)面上；以及 圖7至圖10為根據(jù)多個(gè)可選實(shí)施例制造包括集成無(wú)源器件的器件的中間階段的截面圖，其中，在形成有集成無(wú)源器件的玻璃襯底和半導(dǎo)體襯底位于集成無(wú)源器件的相對(duì)側(cè)面上。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明的實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。提供了用于在其中形成包括集成無(wú)源器件的器件(諸如管芯)的新方法。示出了制造實(shí)施例的中間階段。討論了實(shí)施例的變型例。在整個(gè)附圖和所描述的實(shí)施例中，將相同的參考標(biāo)號(hào)用于指定相同的元件。
圖I至圖6示出了根據(jù)實(shí)施例制造器件的中間階段的截面圖，其中，形成集成無(wú)源器件并且將該集成無(wú)源器件接合至電介質(zhì)襯底。參照?qǐng)D1，提供了晶圓2。晶圓2包括襯底10。在實(shí)施例中，襯底10為諸如硅襯底的半導(dǎo)體襯底，但是該襯底可以包括諸如碳化硅、神化鎵等的其他半導(dǎo)體材料。在襯底10上形成介電層14并且該介電層可以與該襯底接觸。例如，介電層14可以由氮化硅形成。例如，介電層14的厚度可以在約2 k人和約IOk人之間。然而，可以認(rèn)識(shí)至|J，貫穿整個(gè)說(shuō)明書(shū)，所引用的尺寸僅為實(shí)例，并且可以在可選實(shí)施例中改變?cè)摮叽?。在介電?4的上方形成多個(gè)介電層18。介電層18可以由諸如未摻雜娃玻璃(USG)、摻氟娃玻璃(FSG)的氧化物，諸如含低介電常數(shù)(low-k)碳氧化物的低介電常數(shù)材料(low-k)等形成。低介電常數(shù)(low-k)材料可以具有小于3. 8的介電常數(shù)(k)值，但是介電層18的電介質(zhì)材料也可以接近3.8。在某些實(shí)施例中，低介電常數(shù)(low-k)材料的k值小于約3.0，并且可以小于約2.5。還在介電層18之間形成蝕刻停止層20。在實(shí)施例中，蝕刻停止層20由氮化硅形成，但是可以使用其他電介質(zhì)材料，提供的蝕刻停止層20和介電層18具有高蝕刻選擇性。在介電層18中形成金屬線26和通孔28。金屬線26和通孔28可以由基本上純的銅(例如，具有大于約90%，或者大于約95%的重量百分比的銅)或者銅合金形成，并且可以使用單鑲嵌エ藝和/或雙鑲嵌エ藝形成該金屬線和通孔。金屬線26和通孔28還可以由鋁形成，或者基本上不具有鋁。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，將術(shù)語(yǔ)“金屬層”用于指出在相同層中的金屬線的集合。因此，如圖I所示的結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬層，即，Ml至Mtop，其中，金屬層Ml為最接近襯底10的金屬層，而金屬層Mtop為距離襯底10最遠(yuǎn)的頂部金屬層。盡管在圖中沒(méi)有示出金屬層M2、M3、以及M4等，但是也可以在金屬層Ml和Mtop之間形成這些金屬層。在實(shí)施例中，例如，頂部金屬層Mtop為具有大于約20 k人的厚度的超厚金屬(UTM)層。UTM層的厚度還可以大于約30 k人，或者大于約40 k人。除金屬線26和通孔28以外，還可以在介電層18中形成諸如電容器、電感器、電阻器、變壓器、不平衡變換器等的集成無(wú)源器件30 (標(biāo)示為30A和30B)。例如，以金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的形式示意性地示出了電容器30A，但是電容器可以為諸如金屬-氧化物-金屬(MOM)電容器的其他類型電容器。此外,示意性地示出了電感器30B，其中，電感器30B的所示部分表示電感器的一部分的截面圖?？梢允褂脝蝹€(gè)金屬層或者堆疊金屬層來(lái)形成集成無(wú)源器件30。在頂部金屬層Mtop的上方，形成蝕刻停止層40、厚氧化層42、以及厚氮化層44。在示例性實(shí)施例中，氧化層42具有在約100人和約10 U m之間的厚度，并且氮化層44具有在約100人和約10 ii m之間的厚度。還將氮化層44和氧化層42共同稱作鈍化層42/44。接下來(lái)，參照?qǐng)D2，將載具晶圓48接合至氮化層44。在實(shí)施例中，通過(guò)粘合劑46進(jìn)行接合，該粘合劑可以為紫外線(UV)膠粘劑。參照?qǐng)D3，顛倒如圖2所示的結(jié)構(gòu)，并且去除襯底10。在實(shí)施例中，使用研磨エ藝或者使用化學(xué)機(jī)械剖光(CMP)エ藝來(lái)去除襯底10，其中，介電層14可以用作CMP停止層。
如圖4所示，將電介質(zhì)襯底52接合至介電層14。在實(shí)施例中，通過(guò)粘合劑50進(jìn)行接合。在可選實(shí)施例中，通過(guò)熔接代替使用粘合劑50來(lái)將電介質(zhì)襯底52與介電層14接合，在升高的溫度下進(jìn)行該熔接。此外，在使用熔接的多個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)高壓カ對(duì)電介質(zhì)襯底52和介電層14擠壓。電介質(zhì)襯底52可以為玻璃襯底,該玻璃襯底可以由娃酸鹽/ ニ氧化硅、藍(lán)寶石等形成。在可選實(shí)施例中，電介質(zhì)基板52可以由適用于形成電介質(zhì)基板的其他已知電介質(zhì)材料形成。參照?qǐng)D5，再次顛倒如圖4所示的結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)使UV膠粘劑46暴露在UV光下來(lái)卸下載具晶圓48。在隨后步驟中，實(shí)施凸塊エ藝以形成凸塊結(jié)構(gòu)，通過(guò)外部部件來(lái)使用該凸塊結(jié)構(gòu)以到達(dá)集成無(wú)源器件30。圖6示出了示例性的生成結(jié)構(gòu)。形成エ藝可以包括在鈍化層42/44和ESL 40中形成通孔54，其中，金屬通孔54電連接至位于頂部金屬層Mtop中的金屬線26。接下來(lái)，形成金屬焊盤(pán)56以連接至金屬通孔54。金屬焊盤(pán)56可以由鋁或者鋁銅合金形成，但是還可以使用諸如鎢、銀等的其他金屬材料。然后，形成鈍化層58。鈍化層58可以由氧化物、氮化物、聚酰亞胺等形成。鈍化層58可以具有形成在其中的開(kāi)ロ，通過(guò)該開(kāi)ロ暴露金屬焊盤(pán)56。然后,形成凸塊底部金屬(UBM) 60以延伸入位于鈍化層58中的開(kāi)ロ并且與金屬焊盤(pán)56接觸。此外，在UBM 60上形成金屬凸塊62，該金屬凸塊可以為包括銅、鎳、鈀等的焊料凸塊或者凸塊。在形成金屬凸塊62以后，可以切割如圖6所示的結(jié)構(gòu)，從而將各個(gè)晶圓分割為彼此相同的獨(dú)立管芯2'。線63表示進(jìn)行管芯切割的切ロ線。管芯2'的每個(gè)包括ー塊電介質(zhì)襯底52，集成無(wú)源器件30和各個(gè)介電層18位于該電介質(zhì)襯底上。然后，管芯2'可以與其他封裝部件(示意性地示出為100)接合，該其他封裝部件可以為包括有源器件、中介層、封裝襯底、印刷電路板(PCB)等的器件管芯。因此，當(dāng)使用集成無(wú)源器件30時(shí)，將電介質(zhì)襯底52 (除了半導(dǎo)體襯底)連接至各個(gè)介電層18，集成無(wú)源器件30位于該各個(gè)介電層中。圖7至圖10示出了根據(jù)可選實(shí)施例形成集成無(wú)源器件的截面圖。在這些實(shí)施例中，使用相反方案，并且從金屬層Ml的ー側(cè)而不是Mtop的ー側(cè)形成與集成無(wú)源器件30的連接件。除非另有說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中的參考標(biāo)號(hào)表示如圖I至圖6所示的實(shí)施例中的相同元件。該實(shí)施例的初始步驟基本上與如圖I所示的相同。應(yīng)該注意到，在形成在金屬層Ml中的結(jié)構(gòu)期間，形成金屬焊盤(pán)24。該金屬焊盤(pán)24可以由鋁、銅、鋁銅合金等形成。在實(shí)施例中，將介電層底部金屬焊盤(pán)24稱作層間介電層(ILD，標(biāo)示為22)，可以使用諸如摻硼磷娃玻璃(BPSG)的公知ILD材料來(lái)形成該層間介電層。介電層22和介電層18可以由相同或不同的電介質(zhì)材料形成。接下來(lái)，如圖7所示，將電介質(zhì)襯底52接合至介電層44上，其中，接合方法和材料基本上可以與如圖4所示的相同。參照?qǐng)D8，翻轉(zhuǎn)如圖7所示的結(jié)構(gòu)，并且例如，使用研磨エ藝或CMPエ藝去除襯底10。在去除襯底10以后，至少可以保留介電層14的至少一部分。在圖9中，例如，通過(guò)蝕刻直接位于金屬焊盤(pán)24上方的介電層14和ILD 22的多部分來(lái)形成焊盤(pán)開(kāi)ロ 64。在隨后エ藝步驟中，如圖10所示，形成金屬通孔54、金屬焊盤(pán)56、鈍化層58、UBM60、以及金屬凸塊62。應(yīng)該注意到，在如圖10所示的結(jié)構(gòu)中，在與襯底10(圖7)相同的介電層18的側(cè)面上形成金屬凸塊62。在隨后步驟中，與如圖6所示的類似地，可以將圖10所示的結(jié)構(gòu)分割為獨(dú)立管芯，并且可以將生成的管芯接合至封裝部件。因此，每個(gè)生成的封裝件包括一塊電介質(zhì)襯底52。 在實(shí)施例中，如圖I所示，在襯底10上進(jìn)行無(wú)源器件30、介電層18、蝕刻停止層20的形成。由于可以為硅襯底的襯底10具有良好的導(dǎo)熱性，所以形成エ藝比直接在玻璃襯底上形成部件更容易。另ー方面，在使用集成無(wú)源器件30時(shí)，下層襯底52為諸如玻璃襯底的電介質(zhì)襯底。因此，基本上消除了渦流電流，改善的集成無(wú)源器件30的性能高于位于硅襯底上的集成無(wú)源器件的性能。根據(jù)實(shí)施例，方法包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成多個(gè)介電層；并且在多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件。然后，從多個(gè)介電層中去除半導(dǎo)體襯底。將電介質(zhì)襯底接合在多個(gè)介電層的上?？梢郧懈疃鄠€(gè)介電層以及電介質(zhì)襯底。根據(jù)其他實(shí)施例，方法包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層；在介電層的上方形成多個(gè)介電層；并且在多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件。然后，在多個(gè)介電層的上方形成鈍化層。將載具晶圓接合在鈍化層上。去除半導(dǎo)體襯底并且暴露介電層。將玻璃襯底接合在介電層上。然后，從鈍化層和多個(gè)介電層中去除載具晶圓。根據(jù)其他實(shí)施例，方法包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層；在介電層的上方形成多個(gè)介電層，其中，在多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件；并且在多個(gè)介電層的上方形成鈍化層。將玻璃襯底接合在鈍化層上。去除半導(dǎo)體襯底。然后，形成金屬凸塊，其中，金屬凸塊和玻璃襯底位于多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本實(shí)施例的主g和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換、和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的エ藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的エ藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的エ藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括 在半導(dǎo)體襯底的上方形成多個(gè)介電層； 在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件； 從所述多個(gè)介電層中去除所述半導(dǎo)體襯底；以及 將電介質(zhì)襯底接合在所述多個(gè)介電層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括 將載具晶圓接合在所述多個(gè)介電層上，其中，所述載具晶圓和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上； 在接合所述載具晶圓的步驟以后，實(shí)施去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟； 實(shí)施接合所述電介質(zhì)襯底的步驟，其中，所述電介質(zhì)襯底和所述載具晶圓位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上； 在接合所述電介質(zhì)襯底的步驟以后，去除所述載具晶圓；以及形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質(zhì)襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上， 其中，所述電介質(zhì)襯底和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相同側(cè)面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述電介質(zhì)襯底和所述半導(dǎo)體襯底位于所述多個(gè)介電層的相對(duì)側(cè)面上，以及 在去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟以前，實(shí)施接合所述電介質(zhì)襯底的步驟，或者所述方法進(jìn)一步包括在去除所述半導(dǎo)體襯底的步驟以后，形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質(zhì)襯底位于所述多個(gè)介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述電介質(zhì)襯底包括玻璃襯底；或者 所述方法進(jìn)一步包括將所述電介質(zhì)襯底和所述多個(gè)介電層切割成多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述電介質(zhì)襯底。
5.一種方法，包括 在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層； 在所述介電層的上方形成多個(gè)介電層； 在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件； 在所述多個(gè)介電層的上方形成第一鈍化層； 將載具晶圓接合在所述第一鈍化層上； 去除所述半導(dǎo)體襯底以暴露所述介電層； 將玻璃襯底接合在所述介電層上；以及 從所述第一鈍化層和所述多個(gè)介質(zhì)層中去除所述載具晶圓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在去除所述載具晶圓的步驟以后，暴露所述第一鈍化層，并且其中，所述方法進(jìn)一步包括 在所述第一鈍化層中形成金屬通孔； 在所述第一鈍化層的上方形成金屬凸塊，其中，通過(guò)所述金屬通孔將所述金屬凸塊電連接至所述集成無(wú)源器件； 在所述第一鈍化層的上方形成含鋁焊盤(pán)，其中，通過(guò)所述金屬通孔將所述含鋁焊盤(pán)電連接至所述集成無(wú)源器件；在所述含鋁焊盤(pán)的上方形成第二鈍化層； 形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開(kāi)口并且電連接至所述含鋁焊盤(pán)；以及實(shí)施形成所述金屬凸塊的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，從基本上由電容器、電感器、以及其組合構(gòu)成的組中選擇所述集成無(wú)源器件；或者 所述方法進(jìn)一步包括將所述玻璃襯底和所述多個(gè)介電層切割為多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述玻璃襯底；或者所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
8.一種方法，包括 在半導(dǎo)體襯底的上方形成介電層； 在所述介電層的上方形成多個(gè)介電層，其中，在所述多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件； 在所述多個(gè)介電層的上方形成第一鈍化層； 將玻璃襯底接合在所述第一鈍化層上； 去除所述半導(dǎo)體襯底；以及 形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述玻璃襯底位于所述多個(gè)電介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括 在形成所述金屬凸塊的步驟以前，與所述玻璃襯底相比較在所述多個(gè)介質(zhì)層的相對(duì)側(cè)面上形成含鋁焊盤(pán)，其中，通過(guò)位于所述介電層中的金屬通孔將所述含鋁焊盤(pán)電連接至所述集成無(wú)源器件； 形成與所述含鋁焊盤(pán)接觸的第二鈍化層； 形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開(kāi)口并且電連接至所述含鋁焊盤(pán)；以及 實(shí)施形成所述金屬凸塊的步驟，或者 從基本上由電容器、電感器、以及其組合構(gòu)成的組中選擇所述集成無(wú)源器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括將所述玻璃襯底和所述多個(gè)介電層切割為多個(gè)管芯，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)均包括一塊所述玻璃襯底和一塊所述多個(gè)介質(zhì)層，或者 所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
全文摘要
一種方法，包括在半導(dǎo)體襯底的上方形成多個(gè)介電層；并且在該多個(gè)介電層中形成集成無(wú)源器件。然后，從該多個(gè)介電層中去除半導(dǎo)體襯底。將電介質(zhì)襯底接合在多個(gè)介電層上。本發(fā)明還公開(kāi)了一種用于在玻璃襯底上制造集成無(wú)源器件的方法。
文檔編號(hào)H01L21/70GK102623381SQ201210020310
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者楊士賢, 毛明瑞, 蔡冠智, 陳文昭 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司