專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施方式涉及有機發(fā)光顯示裝置。更具體地，實施方式涉及透明有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示裝置在視角、對比度、響應(yīng)速度和功耗方面具有極好性能。因此，有 機發(fā)光裝置被廣泛應(yīng)用于個人便攜式設(shè)備，如MP3播放器、移動電話和電視(TV)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個實施方式，有機發(fā)光顯示裝置包括襯底；多個像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個像素中的每個像素都具有朝向所述襯底發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個像素電路單元，位于每個像素的所述第一區(qū)中，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元均包括至少一個薄膜晶體管；第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元；多個第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個第一電極中的每個第一電極都獨立設(shè)置在每個像素的第一區(qū)中，并且每個第一電極都電連接至每個像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個像素的至少第一區(qū)中；有機膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上，其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對應(yīng)的透明單元。所述防反射器可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。所述防反射器可包括圓偏振膜。所述透明單元可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。所述透明單元可具有孔。所述第二電極可以是光反射電極。每個像素的所述第一區(qū)可包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元可設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極可設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且每個像素的所述發(fā)光區(qū)和所述電路區(qū)可彼此相鄰。一個像素的第二區(qū)可獨立于相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元可獨立于另一相鄰?fù)该鲉卧?。一個像素的第二區(qū)可連接至相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元可連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 所述第二電極可包括多個第一穿透窗，所述多個第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對應(yīng)的位置。所述第二絕緣膜可包括連接至所述多個第一穿透窗的多個第二穿透窗。根據(jù)另一實施方式，有機發(fā)光顯示裝置包括襯底；多個像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個像素中的每個像素都具有在與所述襯底相對的方向上發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個像素電路單元，位于每個像素的所述第一區(qū)中，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元均包括至少一個TFT ;第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單兀；多個第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個第一電極中的每個第一電極都獨立設(shè)置在每個像素的第一區(qū)中，并且每個第一電極均電連接至每個像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個像素的至少第一區(qū)中；有機膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上，其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對應(yīng)的防反射器和與所述第二 區(qū)相對應(yīng)的透明單元。所述防反射器可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。所述防反射器可包括圓偏振膜。所述透明單元可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。所述透明單元可具有孔。 每個第一電極均可以是光反射電極。每個像素的所述第一區(qū)可包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元可設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極可設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且所述發(fā)光區(qū)可與所述電路區(qū)交疊并覆蓋所述電路區(qū)。至少兩個相鄰像素的第二區(qū)可彼此獨立，而且所述透明單元可獨立于另一相鄰?fù)该鲉卧?。至少兩個相鄰像素的第二區(qū)可彼此連接，而且所述透明單元可連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?。所述第二電極可包括多個第一穿透窗，所述多個第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對應(yīng)的位置。所述第二絕緣膜可包括連接至所述多個第一穿透窗的多個第二穿透窗。


通過結(jié)合附圖詳細描述示例性實施方式，以上和其他特征將變得更加顯而易見，在附圖中圖I是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；圖2是根據(jù)另一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；圖3是詳細示出根據(jù)實施方式的、圖I或圖2的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖4是詳細示出根據(jù)另一實施方式的、圖I或圖2的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖5A和圖5B是描述通過防反射器來防止外部光反射的原理的概念圖；圖6是根據(jù)實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的示意性平面圖7是根據(jù)另一實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的示意性平面圖；圖8是根據(jù)實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的像素的剖視圖；圖9是根據(jù)另一實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的像素的剖視圖；圖10是根據(jù)另一實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的示意性平面圖；圖11是根據(jù)另一實施方式的、圖3或圖4的有機發(fā)光器的像素的剖視圖；圖12和圖13是根據(jù)實施方式的防反射膜的平面圖。
具體實施例方式下文中將參照附圖更加全面地描述示例性實施方式；然而，示例性實施方式可以以不同形式實施，而且不應(yīng)該被解釋為受本文所闡明的實施方式的限制。 應(yīng)該理解，雖然本文中可以使用如“第一”、“第二”等術(shù)語描述不同元件，但是這些元件不應(yīng)該受到這些術(shù)語的限制。相反，這些術(shù)語只是用來彼此區(qū)分組成元件。本說明書中使用的術(shù)語僅用于描述具體實施方式
，而非旨在限制實施方式。單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中另有明確說明。在本說明書中，應(yīng)該理解的是，如“包括(including) ”和/或“包含(having) ”等術(shù)語旨在表示存在說明書中所公開的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或附加有一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。下面，將參照示出實施例實施方式的附圖更加全面地描述實施方式。圖I是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。參照圖I，有機發(fā)光顯示裝置包括位于襯底I上的有機發(fā)光器(未示出)，以及覆蓋有機發(fā)光器的密封襯底2。而且，有機發(fā)光顯示裝置還包括位于襯底I顯現(xiàn)圖像的外表面上的防反射膜4。在有機發(fā)光顯不裝置中，外部光穿過襯底I、有機發(fā)光器和密封襯底2。另外，如后面所述，有機發(fā)光器和密封襯底2被配置為使得外部光穿過有機發(fā)光器和密封襯底2，而且如圖I所示，位于顯現(xiàn)圖像一側(cè)的使用者能夠觀看到襯底I的上部外側(cè)的圖像。圖I的有機發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)射型，其中圖像朝向襯底I顯示?？商鎿Q地，如圖2所示，有機發(fā)光顯示裝置可以是頂部發(fā)射型，其中圖像在襯底I的相對方向上顯現(xiàn)。如圖2所示，使用者可以在襯底I上或者在底部外側(cè)處觀看圖像。然而，有機發(fā)光顯示裝置的類型不限于此。有機發(fā)光顯示裝置可以是雙發(fā)射型，其中圖像在朝向襯底I的方向以及在襯底I的相對方向上顯現(xiàn)。圖I和2示出了第一像素Pl和第二像素P2，它們是有機發(fā)光顯示裝置的兩個相鄰像素。第一像素Pl和第二像素P2中的每一個都包含第一區(qū)31和第二區(qū)32。圖像通過第一區(qū)31顯現(xiàn)，而且外部光穿過第二區(qū)32。換句話說，第一像素Pl和第二像素P2都包括顯現(xiàn)圖像的第一區(qū)31以及外部光穿過的第二區(qū)32。因此，當(dāng)使用者不觀看由有機發(fā)光顯示裝置顯現(xiàn)的圖像時，使用者可以觀看外部場景。在這里，在第二區(qū)32中沒有形成裝置，即薄膜晶體管(TFT)、電容器和有機發(fā)光裝置，從而使第二區(qū)32中的外部光透射率最大化。因此，在有機發(fā)光顯示裝置中，外部光透射率增加。另外，可以減少裝置(即，TFT、電容器和有機發(fā)光裝置)所引起的穿透圖像的失真。圖3是詳細示出根據(jù)實施方式的、圖I或圖2的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參照圖3,有機發(fā)光顯不裝置還包括形成在襯底I的第一表面11上的有機發(fā)光器21、對有機發(fā)光器21進行密封的密封襯底2、以及使襯底I和密封襯底2相結(jié)合的密封材料24。密封襯底2由透明材料形成，從而圖像從有機發(fā)光器顯現(xiàn)。密封襯底2防止任何外部空氣或水分滲透到有機發(fā)光器中。襯底I和密封襯底2的邊界通過密封材料24結(jié)合。因此，襯底I與密封襯底2之間的空間25被密封。吸濕劑或填充材料可以設(shè)置在空間25中。如圖4所示，代替密封襯底2的密封膜23可以形成在有機發(fā)光器21上，以保護有機發(fā)光器21不受外部空氣影響。密封膜23可以具有這樣一種結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中，由無機材 料(即，硅氧化物或硅氮化物)形成的膜和由有機材料(即，環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺)形成的膜彼此交替疊置。然而，密封膜23的結(jié)構(gòu)不限于此，并且可以具有由透明薄膜形成的任何密封結(jié)構(gòu)。雖然未示出，但是圖3的密封襯底2可以形成在圖4的密封膜23上。而且，圖3和圖4詳細示出根據(jù)實施方式的、圖I的有機發(fā)光顯示裝置。由于圖I的有機發(fā)光顯示裝置朝向襯底I的底部顯現(xiàn)圖像，因此用于防止外部光反射的防反射膜4形成在該底部上，即，襯底I的第二表面12上?？商鎿Q地，雖然在圖3和圖4中未示出，但是由于圖2的有機發(fā)光顯示裝置在襯底I的相反方向上顯現(xiàn)圖像，因此用于防止外部光反射的防反射膜4形成在密封襯底2的外部表面上或密封膜23上。在有機發(fā)光顯示裝置中，第二區(qū)32中的外部光透射率被最大化，以增加有機發(fā)光顯示裝置中的外部光透射率。此外，防反射膜4設(shè)置在第一區(qū)31上，以防止外部光的反射，從而提高有機發(fā)光顯示裝置的對比度并顯示清晰的圖像。如后面參照圖8和圖11的詳細描述，包括至少一個TFT的像素電路單元被設(shè)置在第一區(qū)31中。此外,包括第一電極和第二電極的有機發(fā)光裝置被設(shè)置在第一區(qū)31中。諸如像素單元電路或包括第一電極和第二電極的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)對外部光進行反射，從而導(dǎo)致有機發(fā)光顯示裝置的對比度變差。具體地，第一電極和第二電極之一做為反射電極工作，以實現(xiàn)底部發(fā)射或頂部發(fā)射。因此，由于第一電極或第二電極對外部光進行反射，因此有機發(fā)光顯示裝置的對比度進一步變差。因此，與第一區(qū)31相對應(yīng)的部分需要具有消除外部光的反射的結(jié)構(gòu)。而且，第二區(qū)32可以不包括絕緣膜、電極或光學(xué)膜，以增加外部光透射率。因此，防反射膜4被用于降低第一區(qū)31中的外部光的反射率，并且增加第二區(qū)32中的外部光透射率。具體地，防反射膜4包括用于降低與第一區(qū)31相對應(yīng)的部分中外部光的反射率的防反射器(reflection preventer) 41和用于增加與第二區(qū)32相對應(yīng)的部分中外部光透射率的透明單元42。防反射器41包括圓偏振膜，或線偏振膜與相位轉(zhuǎn)換膜彼此疊置于其中的膜。這里，當(dāng)外部光通過圓偏振膜時，其轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的圓光。可替換地，當(dāng)外部光通過線偏振膜時，其被轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的線性光，而且當(dāng)線性光通過相位轉(zhuǎn)換膜時，線性光的相位改變1/4波長。因此，線性光被轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的圓光。這里，相位轉(zhuǎn)換膜可以是Lambda/4延遲器。因此，線偏振膜與相位轉(zhuǎn)換膜彼此疊置于其中的膜可以具有與圓偏振膜相同的功能。而且，防反射膜4可以具有膜形狀，或者可以通過在涂敷的薄膜上直接模制線性結(jié)構(gòu)而形成。例如，圓偏振膜、線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜可以是粘附至防反射器41的膜。然而，防反射器41不限于此。防反射器41的相位轉(zhuǎn)換膜可以被配置為通過形成有機薄膜或無機薄膜的多層，然后調(diào)整有機薄膜或無機薄膜的厚度來改變相位。這里，通過周期性設(shè)置具有納米尺寸的金屬線性結(jié)構(gòu)，防反射器41的線偏振膜可以形成在相位轉(zhuǎn)換膜上。圖5A和圖5B是描述通過防反射器41來防止外部光反射的原理的概念圖。下面將參照圖5A描述通過包含圓偏振膜47的防反射器41來防止外部光反射的原理。
通過穿過防反射器41，外部光51被轉(zhuǎn)換為在預(yù)定方向上旋轉(zhuǎn)的第一圓光51’。第 一圓光51’在第一電極或第二電極處被反射,該第一電極或第二電極對光進行反射并且包含在設(shè)置于第一區(qū)31中的有機發(fā)光裝置EL中。這里，當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)射型時，第二電極可以是光反射電極，當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置是頂部發(fā)射型時，第一電極可以是光反射電極。這里，當(dāng)?shù)谝粓A光51’的旋轉(zhuǎn)方向改變?yōu)橄喾捶较驎r，反射的第一圓光51’被轉(zhuǎn)換為第二圓光51”。例如，當(dāng)?shù)谝粓A光51’是以順時針旋轉(zhuǎn)的右圓光時，第二圓光51”是以逆時針旋轉(zhuǎn)的左圓光。由于第二圓光51”的旋轉(zhuǎn)方向是相反的，因此第二圓光51”不能再次穿過包括圓偏振膜47的防反射器41。因此，外部光51未被反射并消失。因此，從有機發(fā)光顯示裝置的第一區(qū)31反射的圖像被清晰顯示，且不存在由外部光51的反射所引起的對比度下降。下面將參照圖5B描述通過防反射器來防止外部光反射的原理，該防反射器包括線偏振膜45與相位轉(zhuǎn)換膜43彼此疊置于其中的膜。這里，相位轉(zhuǎn)換膜43可以靠近有機發(fā)光裝置EL設(shè)置，而且線偏振膜45可以疊置在相位轉(zhuǎn)換膜43的外表面上。通過穿過線偏振膜45,夕卜部光51被轉(zhuǎn)換為以預(yù)定軸方向振動的第一線性光51x。然后，第一線性光51x的相位通過相位轉(zhuǎn)換膜43被改變1/4波長。因此，第一線性光51x被轉(zhuǎn)換為以預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)的第一圓光51’。第一圓光51’在第一電極或第二電極處被反射，該第一電極或第二電極對光進行反射并且包含在設(shè)置于第一區(qū)31中的有機發(fā)光裝置EL中。這里，當(dāng)?shù)谝粓A光51’的旋轉(zhuǎn)方向改變?yōu)橄喾捶较驎r，反射的第一圓光51’被轉(zhuǎn)換為第二圓光51”。第二圓光51”再次穿過相位轉(zhuǎn)換膜43，并因此被轉(zhuǎn)換為第二線性光51y。第二線性光51y具有第一線性光51x的垂直分量。因此，第二線性光51y不能再次穿過線偏振膜45。因此，外部光51未被反射并消失。因此，從有機發(fā)光顯示裝置的第一區(qū)31反射的圖像被清晰顯示，且不存在由外部光51的反射所引起的對比度下降。而且，與防反射器41不同，透明單元42可以包括線偏振膜45和相位轉(zhuǎn)換膜43中的任一個，或者可以不包括任何光學(xué)膜并具有與第二區(qū)32相對應(yīng)的孔。由于外部光穿透沒有偏振功能的透明單元42，因此有機發(fā)光顯示裝置的外部光透射率得到提高。而且，由于線偏振膜45或相轉(zhuǎn)換膜43可以部分吸收外部光或僅允許外部光部分穿透，因此形成穿過透明單元42的孔會是更好的?？梢酝ㄟ^在與防反射膜4中像素的第二區(qū)32相對應(yīng)的部分處產(chǎn)生孔來形成透明單元42。這樣的孔可以通過使用包含精細刀片的模具按壓防反射膜4而形成?？商鎿Q地，該孔可以通過使用精細激光束向防反射膜4的一部分施加熱量而形成。接下來，將描述根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器21。圖6是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器21的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb的示意性平面圖。紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb中的每一個都包括位于第一區(qū)31中的電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312。電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312相鄰設(shè)置。此外，外部光穿透的第二區(qū)32與第一區(qū)31相鄰設(shè)置。如圖6所示，第二區(qū)32可以根據(jù)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb而獨立設(shè)置，或者第二區(qū)32可以在整個紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb上彼此相連。參照圖7，外部光穿透第二區(qū)32的面積較大。因此，可以增加有機發(fā)光顯示裝置的透射率。而且，在圖6中，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)穿過獨立的第二區(qū)32之間的空間，但是在圖7中，第 二區(qū)32相互連接。因此，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)設(shè)置在穿透區(qū)的兩個外側(cè)。換句話說，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)沒有被設(shè)置為跨越第二區(qū)32。在圖7中，第二區(qū)32在整個紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb上彼此相連，但是紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb的位置不限于此。在第二區(qū)32中，紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb中任何兩個相鄰像素都可以被連接。圖8是根據(jù)實施方式的、圖6或圖7的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb中任一個的剖視圖。如圖8所示，TFT TR設(shè)置在電路區(qū)311中，但不是僅有一個TFT TR，包含TFT TR的像素電路單元PC可以設(shè)置在電路區(qū)311中。除了 TFT TR，像素電路單元PC可以進一步包括多個其他TFT、存儲電容器以及連接至TFT和存儲電容器的引線，S卩，掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd 線。構(gòu)成發(fā)光裝置的有機發(fā)光裝置EL設(shè)置在發(fā)光區(qū)312中。有機發(fā)光裝置EL電連接至像素電路單元PC的TFT TR0緩沖膜211形成在襯底I上，而且包含TFT TR的像素電路單元PC形成在緩沖膜211 上。首先，半導(dǎo)體活性層212形成在緩沖膜211上。緩沖膜211由任意透明絕緣材料形成，該透明絕緣材料防止雜質(zhì)元素滲透并使緩沖膜211的表面平滑。例如，緩沖膜211可以由無機材料(即，硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物或鈦氮化物)、有機材料(即，聚酰亞胺、聚酯、丙烯基)或無機材料與有機材料的疊置結(jié)構(gòu)形成。緩沖膜211不是基本元件，因此可不包含緩沖膜211。半導(dǎo)體活性層212可以由多晶硅形成，但不限于此，并且可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，半導(dǎo)體活性層212可以是G-I-Z-O層[(In203) a (Ga203) b (ZnO) c層]，其中a，b，c分別是滿足a彡0、b彡0和c > 0的實數(shù)。當(dāng)半導(dǎo)體活性層212由氧化物半導(dǎo)體形成時，可以增加第一區(qū)31的電路區(qū)311的光透射率。因此，可以增加有機發(fā)光顯示裝置的外部光
透射率。由透明絕緣材料形成的柵絕緣膜213形成在緩沖膜211上，以覆蓋半導(dǎo)體活性層212，而且柵極214形成在柵絕緣膜213上。
由透明絕緣材料形成的層間絕緣膜215形成在柵絕緣膜213上，以覆蓋柵極214，而且源極216和漏極217形成在層間絕緣膜215上，源極216和漏極217中的每一個都通過接觸孔與半導(dǎo)體活性層212接觸。TFT TR的結(jié)構(gòu)不限于此，而且可以改變。形成鈍化膜218，以覆蓋包含TFT TR的像素電路單元PC。鈍化膜218可以是單個或多個絕緣膜，其中頂面是平坦的。鈍化膜218可以由透明無機絕緣材料和/或有機絕緣材料形成。鈍化膜218可以在所有像素上形成。如圖7所示，與TFT TR電連接的有機發(fā)光裝置EL的第一電極221形成在鈍化膜218上。第一電極221根據(jù)像素以單獨且獨立的島的形式形成。由有機絕緣材料和/或無機絕緣材料形成的像素限定膜219形成在鈍化膜218上。像素限定膜219覆蓋邊界并且暴露出第一電極221的中心。像素限定膜219可以覆蓋第一區(qū)31。在這種情況下，像素限定膜219可以僅覆蓋第一電極221的一部分(尤其是第 一電極221的邊界)，而不是覆蓋整個第一區(qū)31。有機膜223和第二電極222順序疊置在第一電極221上。第二電極222覆蓋構(gòu)成絕緣膜的有機膜223和像素限定膜219，并且第二電極222在所有像素上電連接。有機膜223可以是低分子量有機膜或高分子量有機膜。低分子量有機薄膜可以具有單一或復(fù)合結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)彼此疊置，而且低分子量有機薄膜可以由有機材料形成，即，酞菁銅(CuPc)、N，N' -二(萘-I-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。低分子量有機膜可以使用真空沉積法形成。這里，HIL、HTL、ETL和EIL是公共層而且可以公共地施加于紅色像素、綠色像素和藍色像素。第一電極221作為陽極工作，并且第二電極222作為陰極工作。可替換地，第一電極221和第二電極222的極性可以改變。根據(jù)實施方式，第一電極221可以是透明電極，而且第二電極222可以是反射電極。第一電極221可以由具有高功函數(shù)的銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In203)形成。此外，第二電極222可以由具有低功函數(shù)的金屬形成，SP，銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)或鈣(Ca)。因此，有機發(fā)光裝置EL是用于在第一電極221的方向上顯現(xiàn)圖像的底部發(fā)射型?？商鎿Q地，第二電極222也可以是透明電極。如上所述，鈍化膜218、柵絕緣膜213、層間絕緣膜215和像素限定膜219中的每一個都可以是透明絕緣膜，以增加外部光透射率。密封襯底2可以設(shè)置在第二電極222之上。如圖3所示，通過使用單獨的密封材料24使密封襯底2的邊界與襯底I結(jié)合，以使有機發(fā)光器21與外部空氣密封。單獨的填充材料(未示出)或吸濕劑可以被設(shè)置在密封襯底2與第二電極222之間的空間中。然而，有機發(fā)光器21的密封結(jié)構(gòu)不限于使用圖8的密封襯底2?？商鎿Q地，可以使用圖4的密封膜23。而且，第二電極222和像素限定膜219可以分別包括第一穿透窗224和第二穿透窗225。通過去除第二電極222與第二區(qū)32相對應(yīng)的部分，可以形成第一穿透窗224。通過去除像素限定膜219與第二區(qū)32相對應(yīng)的部分，可以形成第二穿透窗225。第一穿透窗224和第二穿透窗225可以相互連接。第二穿透窗225可以進一步形成在鈍化膜218、層間絕緣膜215、柵絕緣膜213和緩沖膜211中的至少一層中。然而，第一穿透窗224和第二穿透窗225不是必須同時存在，可以形成第一穿透窗224和第二穿透窗225中的任一個。這里，可以在由金屬形成的第二電極222上只形成第一穿透窗224，以增加外部光透射率。圖9是根據(jù)另一實施方式的有機發(fā)光器21的相鄰紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb的剖視圖。電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312包含在紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb中每個像素的第一區(qū)31中，其中電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312彼此交疊。如圖9所示，發(fā)光區(qū)312的 面積大于電路區(qū)311的像素電路單元PC的面積。因此，電路區(qū)311的像素電路單元PC被發(fā)光區(qū)312完全覆蓋。允許外部光穿透的第二區(qū)32鄰近第一區(qū)31設(shè)置。如圖9所示，可以根據(jù)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb而獨立地包括第二區(qū)32。可替換地，如圖10所示，第二區(qū)32可以在整個紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb上相連而形成。在圖10中，由于外部光穿透的第二區(qū)32的面積較大，因此可以增加有機發(fā)光顯示裝置的透射率。圖11是圖9或圖10的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍色像素Pb中任一個的剖視圖。如圖11所示，TFT TR設(shè)置在電路區(qū)311中，但不是僅有一個TFT TR，包含TFT TR的像素電路單元PC可以設(shè)置在電路區(qū)311中。除了 TFT TR，像素電路單元PC可以進一步包括多個其他TFT、存儲電容器以及連接到TFT和存儲電容器的引線，S卩，掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd 線。而且，構(gòu)成發(fā)光裝置的有機發(fā)光裝置EL設(shè)置在發(fā)光區(qū)312中，其形成為通過與電路區(qū)311交疊來覆蓋電路區(qū)311。有機發(fā)光裝置EL電連接至像素電路單元PC的TFT TR0緩沖膜211形成在襯底I上，而且包括TFT TR的像素電路單元PC形成在緩沖膜211 上。首先，半導(dǎo)體活性層212形成在緩沖膜211上。半導(dǎo)體活性層212可以由多晶硅形成，但不限于此，而且可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，半導(dǎo)體活性層212可以是G-I-Z-O層[(In203) a (Ga203) b (ZnO) c層]，其中a，b，c分別是滿足a彡0、b彡0和c>0的實數(shù)。由透明絕緣材料形成的柵絕緣膜213形成在緩沖膜211上，以覆蓋半導(dǎo)體活性層212，而且柵極214形成在柵絕緣膜213上。由透明絕緣材料形成的層間絕緣膜215形成在柵絕緣膜213上，以覆蓋柵極214，而且源極216和漏極217形成在層間絕緣膜215上，其中源極216和漏極217通過接觸孔與半導(dǎo)體活性層212接觸。然而，TFT TR的結(jié)構(gòu)不限于此，而且可以改變。鈍化膜218形成為覆蓋包含TFT TR的像素電路單元PC。鈍化膜218可以是具有平坦頂部的單個或多個絕緣膜。鈍化膜218可以由透明無機絕緣材料和/或有機絕緣材料形成。鈍化膜218可以在所有像素上連接而成。如圖11所示，有機發(fā)光裝置EL的第一電極221形成在鈍化膜218上，以覆蓋TFTTR0第一電極221根據(jù)像素以單獨且獨立的島的形式形成。由有機絕緣材料和/或無機絕緣材料形成的像素限定膜219形成在鈍化膜218上。像素限定膜219覆蓋邊界，并且暴露出第一電極221的中央。像素限定膜219可以覆蓋第一區(qū)31，而且在這里，可以僅覆蓋第一電極221的一部分(尤其是第一電極221的邊界)，而不是覆蓋整個第一區(qū)31。有機膜223和第二電極222順序疊置在第一電極221上。第二電極222覆蓋構(gòu)成絕緣膜的有機膜223和像素限定膜219，并且第二電極222在所有像素上電連接。第二電極 222可以形成在整個第一區(qū)域31和第二區(qū)32中。第一電極221作為陽極工作，而且第二電極222作為陰極工作，或者可替換地，第一電極221和第二電極222的極性可以改變。根據(jù)像素，第一電極221具有與第一區(qū)31相對應(yīng)的尺寸。第二電極222可以是公共電極，以覆蓋有機發(fā)光器21的所有像素。根據(jù)一個實施方式，第一電極221可以是反射電極，而且第二電極222可以是透明電極。因此，有機發(fā)光器21是在第二電極222的方向上顯現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射型。因此，第一電極221可以包括反射膜，該反射膜由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或其化合物、以及具有高功函數(shù)的ITO、IZ0, ZnO或In203形成。此外，第二電極222可以由具有低功函數(shù)的金屬或其合金形成，即，銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)。為了高透射率，第二電極222可形成為薄膜。因此，當(dāng)?shù)谝浑姌O221是反射電極時，設(shè)置在第一電極221下面的像素電路單元PC被第一電極221覆蓋。因此，如圖11所示，位于第二電極222的上部外側(cè)的使用者不能觀看位于第一電極221下面的TFT TR部分以及電容器(未示出)、掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd線的每個圖案部分。由于第一電極221是反射電極，因此發(fā)射的光只傳遞給使用者，即，向上傳遞，從而可以減少在使用者的相對方向上光損失的量。此外，如上所述，由于第一電極221覆蓋位于其下面的像素電路的各種圖案，因此使用者能夠通過其清楚地觀看。如上所述，鈍化膜218、柵絕緣膜213、層間絕緣膜215和像素限定膜219可以是透明絕緣膜，以增加外部光透射率。而且，第二電極222和像素限定膜219可以分別進一步包括第一穿透窗224和第二穿透窗225。通過去除第二電極222與第二區(qū)32相對應(yīng)的一部分，可以形成第一穿透窗224，通過去除像素限定膜219與第二區(qū)32相對應(yīng)的一部分，可以形成第二穿透窗225。第一穿透窗224和第二穿透窗225可以相互連接。可替換地，與形成在像素限定膜219上的第二穿透窗225相連的開口或穿透窗可以進一步形成在鈍化膜218、層間絕緣膜215、柵絕緣膜213和緩沖膜211中的至少一個上，以增加第二區(qū)32的光透射率。圖12和圖13是根據(jù)實施方式的防反射膜4的平面圖。
圖12示出了包含在有機發(fā)光顯示裝置中的防反射膜4，其中如圖6和圖9所示，根據(jù)像素獨立形成第二區(qū)32。在圖12中，圖6和圖9中所示的4個像素組彼此連接。參照圖12，透明單元42獨立于另一相鄰?fù)该鲉卧?2形成，以對應(yīng)于第二區(qū)32。圖13示出了包含在有機發(fā)光顯示裝置中的防反射膜4，其中如圖7和圖10所示，至少兩個相鄰像素的第二區(qū)32彼此連接。在圖13中，圖7和圖10中所示的4個像素組彼此連接。參照圖13，透明單元42連接到另一相鄰?fù)该鲉卧?2，以對應(yīng)于第二區(qū)32。通過總結(jié)與回顧，已經(jīng)嘗試通過在透明有機發(fā)光顯示裝置中設(shè)置透明薄膜晶體管(TFT)或透明有機發(fā)光裝置來制造透明有機發(fā)光顯示裝置。由于來自物體或者圖像的光穿透透明有機發(fā)光裝置、透明TFT、若干引線的圖案以及引線之間的空間，因此使用者看到位于透明有機發(fā)光顯示裝置的相對側(cè)的對象或物體。然而，透明有機發(fā)光裝置、TFT和引線的透射率不高。而且，引線之間的空間很小。因此，透明有機發(fā)光顯示裝置的透射率不高。相比較而言，根據(jù)本實施方式，通過阻止反射電極反射外部光，使用者能夠看到具 有高對比度的圖像。而且，根據(jù)本實施方式，可以減少外部光透射率的降低。因此，使用者能夠容易地觀看圖像。本文已經(jīng)公開了示例性實施方式，而且雖然采用了具體術(shù)語，但是這些術(shù)語僅旨在一般意義和描述意義上進行解釋，而非旨在限制。
權(quán)利要求
1.有機發(fā)光顯示裝置，包括 襯底； 多個像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個像素中的每個像素都具有朝向所述襯底發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)； 多個像素電路單元，位于每個像素的所述第一區(qū)中，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元均包括至少一個薄膜晶體管； 第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元； 多個第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個第一電極中的每個第一電極都獨立設(shè)置在每個像素的第一區(qū)中，并且每個第一電極都電連接至每個像素電路單元； 第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分； 第二電極，面對所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個像素的至少第一區(qū)中； 有機膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間； 密封部件，面對所述襯底的第一表面；以及 防反射膜，位于所述襯底的第二表面上， 其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對應(yīng)的透明單元。
2.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。
3.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括圓偏振膜。
4.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。
5.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元具有孔。
6.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極是光反射電極。
7.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中每個像素的所述第一區(qū)包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且每個像素的所述發(fā)光區(qū)和所述電路區(qū)彼此相鄰。
8.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中一個像素的第二區(qū)獨立于相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元獨立于另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 9.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中一個像素的第二區(qū)連接至相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 10.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極包括多個第一穿透窗，所述多個第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對應(yīng)的位置。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二絕緣膜包括連接至所述多個第一穿透窗的多個第二穿透窗。
12.有機發(fā)光顯示裝置，包括 襯底； 多個像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個像素中的每個像素都具有在與所述襯底相對的方向上發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個像素電路單元，位于每個像素的所述第一區(qū)中，所述多個像素電路單元中的每個像素電路單元均包括至少一個TFT ； 第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元； 多個第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個第一電極中的每個第一電極都獨立設(shè)置在每個像素的第一區(qū)中，并且每個第一電極均電連接至每個像素電路單元； 第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分； 第二電極，面對所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個像素的至少第一區(qū)中； 有機膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間； 密封部件，面對所述襯底的第一表面；以及 防反射膜，位于所述襯底的第二表面上， 其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對應(yīng)的透明單元。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。
14.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括圓偏振膜。
15.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。
16.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元具有孔。
17.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中每個第一電極均是光反射電極。
18.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中每個像素的所述第一區(qū)包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且所述發(fā)光區(qū)與所述電路區(qū)交疊并覆蓋所述電路區(qū)。
19.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中至少兩個相鄰像素的第二區(qū)彼此獨立，而且所述透明單元獨立于另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 20.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中至少兩個相鄰像素的第二區(qū)彼此連接，而且所述透明單元連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 21.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極包括多個第一穿透窗，所述多個第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對應(yīng)的位置。
22.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二絕緣膜包括連接至所述多個第一穿透窗的多個第二穿透窗。
全文摘要
有機發(fā)光顯示裝置，包括像素，位于所述襯底的第一表面上，每個像素都具有第一區(qū)和第二區(qū)；像素電路單元，位于所述第一區(qū)中，每個像素電路單元均包括至少一個TFT；第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元；第一電極，位于所述第一絕緣膜上，每個第一電極都獨立設(shè)置在第一區(qū)中，并且每個第一電極都電連接至每個像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在至少第一區(qū)中；有機膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上。
文檔編號H01L27/32GK102769107SQ201210012089
公開日2012年11月7日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月3日
發(fā)明者樸贊永 申請人:三星移動顯示器株式會社