專利名稱：發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明具體涉及一種發(fā)光二極管裝置。
背景技術(shù)：
光通量是LED產(chǎn)品的重要性能指標(biāo)之一。影響光通量的因素主要包括以下幾個(gè)方面支架，發(fā)光二極管芯片，硅膠、樹脂等透明封裝材料，熒光粉；以及支架結(jié)構(gòu)、反射率等。對于通過反射層來提高LED產(chǎn)品的光通量設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中一般是通過提高支架表面的平整度的方式來間接提高LED產(chǎn)品的反射率，以減少光的吸收，從而實(shí)現(xiàn)提高光通量的目的。但是這種設(shè)計(jì)對產(chǎn)品光通量的改善有限，通常情況下僅能夠達(dá)到80-90%左右， 并且綜合考慮成本及材料等局限性因素，通過傳統(tǒng)方法來提升LED產(chǎn)品的光通量并沒有太大的空間，并且實(shí)際生產(chǎn)過程中工藝較為復(fù)雜。因此，有必要提供一種提高LED光通量的發(fā)光二極管裝置，以避免上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高光通量的發(fā)光二極管裝置，可以提高 LED產(chǎn)品的光通量，同時(shí)簡化產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案—種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；并且所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層，所述發(fā)光二極管芯片通過所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。由于采用了上述技術(shù)方案一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；并且所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。相比于現(xiàn)有技術(shù)，由于在所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部，提高了 LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側(cè)面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價(jià)格的材料；并且簡化了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。


圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式
發(fā)光二極管裝置的剖視圖；圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式
發(fā)光二極管裝置的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面根據(jù)附圖，對本發(fā)明具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式
發(fā)光二極管裝置的剖視圖；圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式
發(fā)光二極管裝置的俯視圖。請參閱圖1和圖2所示，一種發(fā)光二極管裝置，包括基板1 以及依次設(shè)置的絕緣層2和導(dǎo)電層3 ；支架9，支架9形成內(nèi)凹開口并與基板1配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片8，發(fā)光二極管芯片8設(shè)置在所述基板1 上，并且電連接導(dǎo)電層3。在本實(shí)施過程中，所述投光口投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，其中反射層包括第一反射層71和第二反射層72，第一反射層72設(shè)置在所述投光口底部，第二反射層71設(shè)置在投光口的側(cè)壁，在第一反射層71和第二反射層的72的鄰接處還設(shè)置有絕緣部5。本實(shí)施過程的這種設(shè)計(jì)，由于在所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部，提高了 LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側(cè)面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價(jià)格的材料；簡化了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。作為優(yōu)選的方案，本實(shí)施過程中的第一反射層71電連接導(dǎo)電層3，發(fā)光二極管芯片8通過第一反射層71電連接所述導(dǎo)電層3，這種設(shè)計(jì)除了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)效果外， 產(chǎn)品的電路連接等產(chǎn)品設(shè)計(jì)更為簡單。進(jìn)一步，優(yōu)選的方案是，本實(shí)施過程中的第一導(dǎo)電層71為金屬鍍層，第一反射層7 的材料可以為鍍金層等金屬。第一導(dǎo)電層71可以通過電鍍等工藝設(shè)置在發(fā)光二極管裝置上，工藝更為簡單。作為優(yōu)選的方案，本實(shí)施過程中第一反射層71和導(dǎo)電層3之間設(shè)置有電鍍第一導(dǎo)電層71的基底層4。設(shè)置基底層4可以便于采用電鍍等工藝形成第一導(dǎo)電層71在工藝上的簡化和便于制作，基底層4可以選擇鎳等金屬。作為優(yōu)選的方案，第二反射層72的反射率大于第一反射層71的反射率。第二反射層72的反射率大于第一反射層71的反射率，可以根據(jù)產(chǎn)品的光線分布來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品更高的光通量。另外，在本實(shí)施過程中，基板1是由剛性并且良好散熱性的材料如鋁、鎳、玻璃環(huán)氧樹脂等構(gòu)成；導(dǎo)電層3包括陰極和陽極兩個(gè)電極，兩個(gè)電極之間通過絕緣層6電絕緣；在導(dǎo)電層3上還設(shè)有基底層4 ；另外，在第一反射層71上搭載有發(fā)光二極管芯片8，發(fā)光二極管芯片8可以為藍(lán)色氮化鎵系半導(dǎo)體，其上面上的兩個(gè)電極分別通過第一反射層71電連接至_導(dǎo)電層3上的兩個(gè)電極。此外，在基板1和支架9形成的碗杯狀投光口中，還填充有高透光性的硅膠或者環(huán)氧樹脂等熱硬化透明的密封樹脂層6，在密封樹脂層6內(nèi)可以根據(jù)需要添加所需重量百分比的熒光粉。以上僅為本發(fā)明實(shí)施案例而已，并不用于限制本發(fā)明，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層； 支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層； 其特征在于所述投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側(cè)壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層，所述發(fā)光二極管芯片通過所述第一反射層電連接所述導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于 所述第一導(dǎo)電層為金屬鍍層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述第一鍍層和所述導(dǎo)電層之間設(shè)置有電鍍所述第一導(dǎo)電層的基底層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于 所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，支架形成內(nèi)凹開口并與基板配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口；發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片設(shè)置在基板上并電連接導(dǎo)電層；并且投光口的內(nèi)壁上設(shè)置有反射層，反射層包括位于投光口底部的第一反射層和投光口側(cè)壁的第二反射層，第一反射層和第二反射層的鄰接處設(shè)置有絕緣部；反射層光反射率高于支架的光反射率。這種設(shè)計(jì)第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側(cè)面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價(jià)格的材料；并且簡化了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工藝。
文檔編號H01L33/60GK102544318SQ20121000042
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者安國順, 陳柏仁 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司