封裝上受控的管芯上焊料集成及其裝配方法
【專利摘要】一種使管芯背側(cè)凸起的工藝包括在管芯背側(cè)膜(DBF)中開凹槽以顯露管芯中的硅通孔(TSV)接觸，之后用接觸TSV接觸的傳導(dǎo)材料填充凹槽。加焊耦合到在DBF的層次的傳導(dǎo)材料。后續(xù)管芯耦合到在加焊的第一管芯以形成由TSV接觸、傳導(dǎo)材料、加焊、耦合到所述后續(xù)管芯的電凸起組成的電耦合。使用工藝來裝配設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
【專利說明】封裝上受控的管芯上焊料集成及其裝配方法
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]公開的實(shí)施例涉及經(jīng)圖案化以顯露硅通孔接觸的管芯背側(cè)膜以及將堆疊的管芯耦合到通孔接觸的方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]為了理解獲得實(shí)施例的方式，將參照附圖中提供上面簡要描述的各種實(shí)施例的更具體描述。這些附圖示出不一定按比例繪出并且不是要被視為限制范圍的實(shí)施例。一些實(shí)施例將通過使用附圖，通過另外的特征和細(xì)節(jié)進(jìn)行描述和解釋，其中:
圖1是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面正視圖；
圖2a是根據(jù)示例實(shí)施例，在受控沉積物焊料耦合的形成期間嵌入式管芯的橫截面正視圖；
圖2b是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖2c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖2d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖2e是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2d所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖3b是根據(jù)示例實(shí)施例 ，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖3c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖3b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖3d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖3c所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖4b是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖4c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖4b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖4d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖4c所示嵌入式管芯的橫截面正視圖； 圖5是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面 正視圖；
圖6d是根據(jù)示例實(shí)施例，在受控沉積物焊料加工已完成后可在前面公開的加工后的受控沉積物焊料耦合的形成期間，嵌入式管芯的橫截面正視圖；
圖6e是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖6d所示嵌入式管芯的橫截面正視圖；圖7是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面正視圖；
圖7是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面正視圖；
圖8是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面正視圖；
圖9a和9b根據(jù)示例實(shí)施例，示出用于將傳導(dǎo)材料插入管芯背側(cè)膜凹槽的工藝流程；圖1Oa和IOb根據(jù)示例實(shí)施例，示出用于將傳導(dǎo)材料插入管芯背側(cè)膜凹槽的工藝流
程;
圖1la和Ilb根據(jù)示例實(shí)施例，示出用于將傳導(dǎo)材料插入管芯背側(cè)膜凹槽的工藝流
程;
圖12是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)；
圖13是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)；
圖14是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)；
圖15是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)；
圖16是根據(jù)示例實(shí)施例的工藝和方法流程圖；以及 圖17是根據(jù)示例實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0004]公開了用于經(jīng)圖案化以便將硅通孔(TSV)耦合到堆疊的裝置的管芯背側(cè)膜(DBF)的工藝。
[0005]現(xiàn)在將參照附圖，其中類似的結(jié)構(gòu)可提供有類似的后綴附圖標(biāo)記。為更清晰地示出各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，本文包括的附圖是裝配有堆疊的管芯TSV結(jié)構(gòu)的集成電路芯片的圖示。因此，例如在顯微照片中，制造的芯片結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀本身或在芯片封裝中可看起來不同，但仍包含所示實(shí)施例的要求保護(hù)的結(jié)構(gòu)。另外，附圖可只示出有助于理解所示實(shí)施例的結(jié)構(gòu)?！炯夹g(shù)領(lǐng)域】中熟知的另外的結(jié)構(gòu)可未被包括以保持附圖的清晰性。
[0006]圖1是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合134的嵌入式管芯110的設(shè)備100的橫截面正視圖。嵌入式管芯110包括有源表面112和背側(cè)表面114。前端(FE)金屬化116布置在有源表面112上。硅通孔(TSV) 118布置在嵌入式管芯110中，并且TSVl 18接觸背側(cè)表面114上的TSV接觸120。
[0007]粘附嵌入式管芯110包括使用在有用的加工溫度是粘性的管芯背側(cè)膜(DBF)122。在實(shí)施例中，嵌入式管芯110布置在帶有焊盤側(cè)(land-side)凸起(bump)125的無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底124中。能夠看到，DBF 122獲得高于FE金屬化116的DBF高度126，并且BBUL-C襯底124也獲得高于FE金屬化116的BBUL-C高度128。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126大于BBUL-C高度128，如圖所示。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126與BBUL-C高度128相同。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126小于BBUL-C高度128。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，形成了某個(gè)DBF 122和某個(gè)底部填充138的混合物。例如，DBF122可被部分去除，并且與底部填充138的補(bǔ)充組合，有用的翹曲阻力可從混合物中產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF 122的某些開始于DBF高度126作為第一高度，之后是作為DBF 122的部分灰化的結(jié)果的第二高度。例如，DBF 126被灰化以產(chǎn)生5微米(mm)厚度(Z方向)。5mm厚度小于BBUL-C高度128。之后，執(zhí)行毛細(xì)底部填充(CUF)工藝。可為給定有用剛性優(yōu)化部分去除的DBF和補(bǔ)充的底部填充的產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。另外，DBF熱膨脹系數(shù)(CTE)和底部填充CTE能夠從本質(zhì)上進(jìn)行工程設(shè)計(jì)及主要根據(jù)其最終厚度進(jìn)行調(diào)整。
[0009]BBUL-C襯底124示為帶有附帶的內(nèi)部傳導(dǎo)層和通孔連同焊盤側(cè)凸起125。在一個(gè)實(shí)施例中，BBUL-C襯底124是層疊封裝(POP) BBUL-C襯底124。在此實(shí)施例中，BBUL-C襯底124具有提供用于到POP封裝(未示出)的電通信的POP鍵合焊盤130。[0010]通過將傳導(dǎo)材料134填充到布置在DBF 122中的凹槽123 (例如，參見圖2b中的凹槽123)，之后是在電凸起136接合后續(xù)管芯132，完成嵌入式管芯110到后續(xù)管芯132的裝配。之后，在DBF 122與后續(xù)管芯132之間流入底部填充材料138。根據(jù)示例實(shí)施例，傳導(dǎo)材料134也可稱為受控沉積物焊料耦合134。
[0011]現(xiàn)在可看到，其它管芯可與后續(xù)管芯132類似地裝配。例如，第二管芯140以壓縮的簡化垂直(Z向)比例并且也以簡化形式(無示出的受控沉積物焊料耦合)示出。在一個(gè)實(shí)施例中，第二管芯140是安裝在后續(xù)管芯132上的TSV管芯，其中，后續(xù)管芯132也具有已根據(jù)任何公開的實(shí)施例圖案化的DBF。類似地，第三管芯142可安裝在第二管芯140上，其中，第二管芯140也是帶有已根據(jù)任何公開的實(shí)施例圖案化的DBF的TSV管芯。第四管芯144和第五管芯146也通過非限制性示例實(shí)施例示出。在一個(gè)實(shí)施例中，第四管芯144是耦合到帶有公開的受控沉積物焊料耦合的第三管芯142的TSV管芯，并且第五管芯146是簡單的倒裝芯片管芯。
[0012]此外，第二管芯140可位于BBUL-C高度128下方，使得第一管芯110、后續(xù)管芯132和第二管芯140全部實(shí)際上嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)?，F(xiàn)在可理解的是，至少一個(gè)管芯可堆疊在后續(xù)管芯132的上方，但它將實(shí)際上不嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，第一管芯110是邏輯管芯并且后續(xù)管芯132是存儲器管芯。TSV118的定位和DBF 122的圖案化是為了連接邏輯管芯110的引導(dǎo)輸出布局和存儲器管芯132的引腳輸出布局。這可稱為邏輯到存儲器接口(LMI)。在一個(gè)實(shí)施例中,第一管芯110是邏輯管芯并且后續(xù)管芯132也是邏輯管芯。TSV 118的定位和DBF 122的圖案化是為了連接邏輯管芯110的引導(dǎo)輸出布局和后續(xù)邏輯管芯132的引腳輸出布局。這可稱為邏輯到邏輯接口(LLI)。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，第一管芯110和后續(xù)管芯132是在其之間帶有使用受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的LLI的邏輯管芯，并且第二管芯140是存儲器管芯，在后續(xù)管芯132與第二管芯140之間帶有使用受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的LMI。TSV 118的定位和DBF 122的圖案化是為了連接邏輯管芯110的引腳輸出布局和后續(xù)邏輯管芯132的引腳輸出布局，并且在后續(xù)管芯132上的類似DBF經(jīng)圖案化以匹配連接后續(xù)邏輯管芯132的引腳輸出布局和存儲器管芯140的引腳輸出布局。
[0015]現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，五個(gè)管芯132、140、142、144和146的堆疊代表LMI實(shí)施例?，F(xiàn)在可領(lǐng)會的是，五個(gè)管芯132、140、142、144和146的堆疊代表LLI和LMI實(shí)施例。類似地，可觀察到的是，根據(jù)有用實(shí)施例，整個(gè)堆疊或其一部分的定位實(shí)際上可嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0016]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可通過壓接將后續(xù)管芯132堆疊在嵌入式第一管芯110上。其它方法可用于創(chuàng)建使用受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的3D堆疊。任何情況下，通過使用受控沉積物焊料耦合實(shí)施例，增大了機(jī)械完整性和電子接觸完整性。另外，可消除模具材料的包覆成型(overmolding)，其中依賴受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的完整性，使得僅底部填充是創(chuàng)建有用和可靠的物理鍵合和電子接觸所必需的。此外，通過使用變薄的管芯和TSV技術(shù)以創(chuàng)建至少該嵌入式第一管芯110和后續(xù)管芯132，可實(shí)現(xiàn)減少的Z高度。
[0017]圖2a是根據(jù)示例實(shí)施例，在受控沉積物焊料耦合的形成期間嵌入式管芯設(shè)備201的橫截面正視圖。設(shè)備201可視為是布置在與圖1所示BBUL-C 124的不同實(shí)施例中的嵌入式第一管芯110。
[0018]嵌入式管芯110包括有源表面112和背側(cè)表面114。FE金屬化116布置在有源表面112上。TSV 118布置在嵌入式管芯110中，并且TSV 118接觸在背側(cè)表面114上的TSV接觸120。
[0019]DBF 122示為延伸高于BBUL-C襯底124。能夠看到的是，DBF 122獲得高于FE金屬化116的DBF高度126，并且BBUL-C襯底124也獲得高于FE金屬化116的BBUL-C高度128。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126如圖所示大于BBUL-C高度128。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126與BBUL-C高度128相同。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度126小于BBUL-C高度128。
[0020]BBUL-C襯底124示為帶有附帶的內(nèi)部傳導(dǎo)層和通孔連同焊盤側(cè)凸起125。在一個(gè)實(shí)施例中，BBUL-C襯底124是POP BBUL-C襯底124。在此實(shí)施例中，BBUL-C襯底124具有提供用于到POP封裝(未示出)的電通信的POP鍵合焊盤130。執(zhí)行DBF 122的加工，例如準(zhǔn)備在其中開顯露TSV接觸120的凹槽。
[0021]圖2b是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備202已加工成開有顯露TSV接觸120的凹槽123。因此，DBF 122是用于圖1所示傳導(dǎo)材料134的自對準(zhǔn)位置的原位掩模(mask)。在一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行通過DBF122的激光鉆孔，如通過使用CO2激光鉆孔機(jī)。凹槽123的形狀可具有圓錐形，圓錐形是組成DBF 122的有機(jī)膜中的CO2激光鉆孔機(jī)的特性。在一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行受控紫外線(UV)工藝以形成凹槽123。
[0022]圖2c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備203已通過將管芯上焊料材料134填充到凹槽123 (圖2b)而得到加工。管芯上焊料材料134是接觸TSV接觸120的傳導(dǎo)材料。在一個(gè)實(shí)施例中，管芯上焊料材料134具有延伸高于DBF高度126的拓?fù)?48，使得大量焊料材料呈現(xiàn)高于DBF高度126。管芯上焊料材料148可指圓頂式形狀因數(shù)148，其中，一些焊料材料延伸高于管芯上焊料材料148。圓頂形狀因數(shù)對于呈現(xiàn)管芯上焊料材料134的更小頂端圓頂有用，使得必須使用的環(huán)氧助焊劑填充物更少(如果有的話)。這樣，圓頂式形狀因數(shù)148也可指在DBF層次126形成大量加焊到傳導(dǎo)材料。因此，“在一個(gè)層次”可理解成在DBF 122的DBF層次126。
[0023]圖2d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備204已通過將管芯上焊料材料134填充到凹槽123 (圖2b)而得到加工。在一個(gè)實(shí)施例中，管芯上焊料材料134已添加有離散加焊150，離散加焊150具有延伸超過DBF高度126的拓?fù)?，使得大量的焊料材料呈現(xiàn)在DBF的層次，特別是高于DBF高度126。管芯上焊料材料134可指圓頂式形狀因數(shù)，其中，一些離散加焊150延伸高于管芯上焊料材料134。
[0024]接觸TSV接觸的傳導(dǎo)材料的形成可通過任何有用的工藝進(jìn)行。
[0025]圖9a和9b示出用于形成接觸TSV接觸920的傳導(dǎo)材料934和圓頂式形狀因數(shù)948的有用工藝實(shí)施例900，圓頂式形狀因數(shù)948也被稱為接觸傳導(dǎo)材料948的加焊148。將傳導(dǎo)材料前體933滾壓入DBF 922的凹槽923中。在圖9b中，工藝產(chǎn)生了可包括圓頂式形狀因數(shù)948的受控沉積物焊料耦合934，圓頂式形狀因數(shù)948可基于沉積技術(shù)形成。
[0026]圖1Oa和IOb示出用于形成接觸TSV接觸的傳導(dǎo)材料1034和圓頂式形狀因數(shù)1048的有用工藝實(shí)施例1000，圓頂式形狀因數(shù)1048也被稱為接觸傳導(dǎo)材料1034的加焊1048。通過噴射作用將傳導(dǎo)材料前體1033噴射到DBF 1022的凹槽1023中。在圖1Ob中，工藝產(chǎn)生了可包括圓頂式形狀因數(shù)1048的受控沉積物焊料耦合1034，圓頂式形狀因數(shù)1048可基于沉積技術(shù)形成。
[0027]圖1la和Ilb示出用于形成接觸TSV接觸的傳導(dǎo)材料1134和圓頂式形狀因數(shù)1150的有用工藝實(shí)施例1100，圓頂式形狀因數(shù)1150也被稱為接觸傳導(dǎo)材料1134的離散加焊1010。傳導(dǎo)材料前體1133已被鍍到凹槽中。傳導(dǎo)材料前體也被鍍到DBF 1122的上部表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，TSV接觸1120用于鍍作陰極，無論鍍是無電鍍還是電鍍。圓頂式形狀因數(shù)1150示為與易散性有機(jī)載體混合的焊膏。諸如回流等進(jìn)一步加工可進(jìn)行以將圓頂式形狀因數(shù)1150的焊膏轉(zhuǎn)換成實(shí)質(zhì)上回流的焊料。在圖1lb中，工藝產(chǎn)生了可包括圓頂式形狀因數(shù)1150的受控沉積物焊料耦合1134，圓頂式形狀因數(shù)1150可基于諸如噴射作用等沉積技術(shù)形成。
[0028]圖2e是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2d所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備205已通過將后續(xù)管芯132接合到離散加焊150而得到加工，離散加焊150是添加到傳導(dǎo)材料134的圓頂式形狀因數(shù)。后續(xù)管芯132也具有電凸起136。后續(xù)管芯132的電凸起136與加焊150組合，在嵌入式管芯110與后續(xù)管芯132之間形成有用的接觸。
[0029]通過將傳導(dǎo)材料134填充到布置在DBF 122中的凹槽，之后是在電凸起136接合后續(xù)管芯132，完成了嵌入式管芯110到后續(xù)管芯132的裝配。之后，如圖1所示，在DBF122與后續(xù)管芯132之間流入底部填充材料138。在一個(gè)實(shí)施例中，底部填充工藝通過CUF加工執(zhí)行。
[0030]圖3b是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備302通過軟掩模352和光反應(yīng)的DBF 322進(jìn)行加工。其它結(jié)構(gòu)可類似于系列2圖中所示的那些結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，軟掩模352已進(jìn)行了旋轉(zhuǎn)涂布加工和固化。在一個(gè)實(shí)施例中，軟掩模352是干膜抗蝕層壓。
[0031]圖3c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖3b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。通過將軟掩模352中的開口圖案化，以及通過處理光反應(yīng)DBF 322，使得受影響區(qū)域353已在TSV接觸120上方形成，嵌入式管芯設(shè)備303已得到加工。
[0032]圖3d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖3c所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。通過沖洗受影響區(qū)域353 (圖3c)，使得TSV接觸120顯露在凹槽323中，嵌入式管芯設(shè)備304已得到加工。加工因此可通過根據(jù)任何公開的實(shí)施例，去除軟掩模322并且填充凹槽323而繼續(xù)。進(jìn)一步的加工可因此包括將后續(xù)管芯到接合加焊形狀因數(shù)，之后形成在DBF 322與后續(xù)管芯之間的底部填充材料。
[0033]可領(lǐng)會的是，類似于圖2a_2e所示系列2實(shí)施例，相比于高于FE金屬化116的BBUL-C高度128，DBF 322可獲得高于FE金屬化116的任何公開的DBF高度。在一個(gè)實(shí)施例中，第四管芯144是耦合到帶有公開的受控沉積物焊料耦合的第三管芯142的TSV管芯，并且第五管芯146是簡單的倒裝芯片管芯。
[0034]此外，第二管芯140可位于BBUL-C高度128下方，使得第一管芯110、后續(xù)管芯132和第二管芯140全部實(shí)際上嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。現(xiàn)在可理解的是，至少一個(gè)管芯可堆疊在后續(xù)管芯132的上方，但它將實(shí)際上不嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0035]圖4b是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖2a所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。嵌入式管芯設(shè)備402通過在DBF 422上面的硬掩模452進(jìn)行加工。其它結(jié)構(gòu)可類似于系列2圖中所示的那些結(jié)構(gòu)。
[0036]圖4c是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖4b所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。通過在準(zhǔn)備中在硬掩模452中為將在TSV接觸120停止的蝕刻工藝將開口圖案化，嵌入式管芯設(shè)備403已得到加工。
[0037]圖4d是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖4c所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。借助于通過硬掩模452的定向蝕刻來開顯露TSV接觸120的凹槽423，嵌入式管芯設(shè)備404已得到加工。根據(jù)任何公開的實(shí)施例，加工因此可通過去除硬掩模422并且填充凹槽423而繼續(xù)。進(jìn)一步的加工可因此包括將后續(xù)管芯接合到加焊形狀因數(shù)，之后形成在DBF422與后續(xù)管芯之間的底部填充材料。
[0038]可領(lǐng)會的是，類似于圖2a_2e中所示系列2實(shí)施例，相比于高于FE金屬化116的BBUL-C高度128，DBF 422可獲得高于FE金屬化116的任何公開的DBF高度。在一個(gè)實(shí)施例中，第四管芯144是耦合到帶有公開的受控沉積物焊料耦合的第三管芯142的TSV管芯，并且第五管芯146是簡單的倒裝芯片管芯。
[0039]此外，第二管芯140可位于BBUL-C高度128下方，使得第一管芯110、后續(xù)管芯132和第二管芯140全部實(shí)際上嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)?，F(xiàn)在可理解的是，至少一個(gè)管芯可堆疊在后續(xù)管芯132的上方，但它將實(shí)際上不嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0040]圖5是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合的嵌入式管芯的設(shè)備的橫截面正視圖。圖5所示的結(jié)構(gòu)類似于圖1所示的那些結(jié)構(gòu)，其中添加的內(nèi)容是改變了底部填充工藝。在圖5中能夠看到的是，底部填充材料538已填充到無剩余DBF的空間中。作為此工藝實(shí)施例的結(jié)果，底部填充材料538可被選擇成充當(dāng)在管芯背側(cè)表面114與后續(xù)管芯532之間的唯一間隔結(jié)構(gòu)。
[0041]垂直間距還可受高于FE金屬化116的DBF高度126與高于FE金屬化116的BBUL-C高度128之間的差控制。管芯背側(cè)114與后續(xù)管芯532的鍵合焊盤之間的實(shí)際間距可受大于BBUL-C高度128的DBF高度126控制。
[0042]圖6d是根據(jù)示例實(shí)施例，在受控沉積物焊料加工已完成后可在前面公開的加工后的受控沉積物焊料耦合的形成期間，嵌入式管芯的橫截面正視圖。受控沉積物焊料耦合134已形成，包括一種形式的加焊(在此示例實(shí)施例中是離散加焊650)圓頂式形狀因數(shù)。
[0043]在一個(gè)實(shí)施例中，通過根據(jù)已知技術(shù)的等離子灰化工藝，已去除了 DBF。加工可造成受控沉積物焊料耦合134和離散加焊650的表面變得粗糙。此類加工也可去除受控沉積物焊料耦合134和離散加焊650的表面上的附帶氧化物，這為與后續(xù)管芯凸起接合形成了更有用的接觸表面。
[0044]圖6e是根據(jù)示例實(shí)施例，在進(jìn)一步加工期間圖6d所示嵌入式管芯的橫截面正視圖。后續(xù)管芯632已在電凸起636接合到加焊650。通過使用此實(shí)施例，存在足夠的焊料以在嵌入式管芯110與后續(xù)管芯632之間進(jìn)行有用的連接?，F(xiàn)在可領(lǐng)會的是，通過先去除任何DBF，可進(jìn)行實(shí)現(xiàn)圖6e中的配置的加工。類似地，現(xiàn)在可理解的是，通過使用DBF高度(如圖1所示DBF高度126)作為固定距離，之后是在將后續(xù)管芯632接合到嵌入式管芯110后灰化DBF，可進(jìn)行實(shí)現(xiàn)圖6e中的配置的加工。
[0045]在實(shí)現(xiàn)圖6e所示結(jié)構(gòu)后，加工隨后可通過底部填充繼續(xù)以實(shí)現(xiàn)圖5所示設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，通過離散添加的材料650，執(zhí)行圖5所示電凸起136的無助焊劑鍵合。類似地，在一個(gè)實(shí)施例中，通過諸如圖2c所示圓頂式形狀因數(shù)148等添加的材料，執(zhí)行圖5所示電凸起136的無助焊劑鍵合。在一個(gè)實(shí)施例中，底部填充工藝通過CUF作用執(zhí)行。
[0046]圖7是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合734的嵌入式管芯710的設(shè)備700的橫截面正視圖。嵌入式管芯710包括有源表面712和背側(cè)表面714。FE金屬化716布置在有源表面712上。TSV 718布置在嵌入式管芯710中，并且TSV 718接觸在背側(cè)表面714上的TSV接觸720。
[0047]設(shè)備700包括能夠被視為具有橫向(X向)尺寸小于DBF 722的橫向(X向)尺寸的后續(xù)管芯732。因此，整個(gè)后續(xù)管芯732可在其接合期間擱在DBF 722上。此實(shí)施例便于在管芯背側(cè)與后續(xù)管芯732的有源表面之間的有用的預(yù)選擇的間距。能夠看到的是，DBF 722獲得在FE金屬化716上方的DBF高度726，并且BBUL-C襯底724也獲得在FE金屬化716上方的BBUL-C高度728。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度726大于BBUL-C高度728。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖所示，DBF高度726與BBUL-C高度728相同。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度726小于BBUL-C高度728。
[0048]在一個(gè)實(shí)施例中，嵌入式管芯710布置在BBUL-C襯底724中，類似于所述和所示的其它實(shí)施例。通過將傳導(dǎo)材料734填充到布置在DBF 722中的凹槽，之后是在DBF高度726接合后續(xù)管芯732，完成嵌入式管芯710到后續(xù)管芯732的裝配，由于DBF具有預(yù)選擇的，DBF高度726避免了二次高度調(diào)整。根據(jù)示例實(shí)施例，傳導(dǎo)材料734也可稱為受控沉積物焊料耦合734。
[0049]現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，管芯堆疊可包括非等同接口組合，如LM1、帶有另外麗In的LMI(其中，η等于I到3)、LL1、帶有另外麗In的LLI (其中，η等于I到4)，以及帶有另外LMIn的LLI2，其中η等于I到3。
[0050]類似地，現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，這樣公開的LM1、LLI和麗I置換可通過位于BBUL-C高度128下方的第二管芯140形成，使得第一管芯110、后續(xù)管芯132和第二管芯140全部實(shí)際上嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)?，F(xiàn)在可理解的是，至少一個(gè)管芯可堆疊在后續(xù)管芯132的上方，但它將實(shí)際上不嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0051]圖8是根據(jù)示例實(shí)施例，包括帶有受控沉積物焊料耦合834的嵌入式管芯810的設(shè)備800的橫截面正視圖。嵌入式管芯810包括有源表面812和背側(cè)表面814。FE金屬化816布置在有源表面812上。TSV 818布置在嵌入式管芯810中，并且TSV 818接觸在背側(cè)表面814上的TSV接觸820。
[0052]設(shè)備800包括能夠被視為具有橫向(X向)尺寸小于底部填充材料738的橫向(X向)尺寸的后續(xù)管芯832，底部填充材料738完全替代諸如圖7所示DBF 722的DBF。因此，整個(gè)后續(xù)管芯832可在其接合后擱在底部填充材料832上。此實(shí)施例便于在管芯背側(cè)與后續(xù)管芯832的有源表面之間的有用的預(yù)選擇的間距。能夠看到的是，底部填充材料832獲得在FE金屬化816上方的DBF高度826，并且BBUL-C襯底824也獲得在FE金屬化816上方的BBUL-C高度828。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度826大于BBUL-C高度828。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖所示，DBF高度826與BBUL-C高度828相同。在一個(gè)實(shí)施例中，DBF高度826小于 BBUL-C 高度 828。
[0053]在一個(gè)實(shí)施例中，嵌入式管芯810布置在BBUL-C襯底824中，類似于所述和所示的其它實(shí)施例。通過將傳導(dǎo)材料834填充到布置在DBF中的凹槽，之后是在DBF高度826接合后續(xù)管芯832，完成嵌入式管芯810到后續(xù)管芯832的裝配，由于DBF具有預(yù)選擇厚度，DBF高度826避免了二次高度調(diào)整。之后，諸如通過灰化去除DBF，并且在管芯背側(cè)表面814與后續(xù)管芯832之間流入底部填充材料838。根據(jù)示例實(shí)施例，傳導(dǎo)材料834也可稱為受控沉積物焊料耦合834。
[0054]現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，管芯堆疊可包括非等同接口組合，如LM1、帶有另外麗In的LMI(其中η等于I到3)、LL1、帶有另外麗In的LLI (其中，η等于I到4)，以及帶有另外LMIn的LLI2，其中η等于I到3。
[0055]類似地，現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，這樣公開的LM1、LLI和麗I置換可通過位于BBUL-C高度128下方的第二管芯140形成，使得第一管芯110、后續(xù)管芯132和第二管芯140全部實(shí)際上嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。現(xiàn)在可理解的是，至少一個(gè)管芯可堆疊在后續(xù)管芯132的上方，但它將實(shí)際上不嵌在BBUL-C襯底124的形狀因數(shù)內(nèi)。
[0056]圖12是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)。嵌入式第一管芯1210在其管芯背側(cè)上具有與受控沉積物焊料耦合1234的連接。后續(xù)管芯1232通過電凸起1236耦合到嵌入式第一管芯1210，并且諸如離散加焊1250的加焊示為填充受控沉積物焊料耦合1234與電凸起1236之間的底部填充材料1238中的空隙。
[0057]圖13是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)。作為嵌入式第一管芯的一部分的TSV接觸1320具有與受控沉積物焊料耦合1334的連接。后續(xù)管芯1332通過受控沉積物焊料耦合1334耦合到TSV接觸1320，受控沉積物焊料耦合1334包括加焊(如圖2c中看到的圓頂式形狀因數(shù)148)以填充底部填充材料1338中的空隙。
[0058]圖14是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)。嵌入式第一管芯1410在其管芯背側(cè)上具有與受控沉積物焊料耦合1434的連接。后續(xù)管芯1432通過電凸起1436耦合到嵌入式第一管芯1410，并且諸如離散加焊1450的加焊示為填充受控沉積物焊料耦合1434與電凸起1436之間的底部填充材料1438中的空隙。
[0059]圖15是根據(jù)示例實(shí)施例的顯微照片的計(jì)算機(jī)再現(xiàn)。作為嵌入式第一管芯的一部分的TSV接觸1520具有與受控沉積物焊料耦合1534的連接，受控沉積物焊料耦合1534具有諸如離散加焊1550的對填充底部填充材料1538中的空隙有用的加焊。
[0060]圖16是根據(jù)示例實(shí)施例的工藝和方法流程圖。
[0061]在1608，工藝包括裝配微電子管芯到無芯襯底。在非限制性示例實(shí)施例中，第一管芯110嵌在BBUL-C 124中。現(xiàn)在可領(lǐng)會的是，可將此工藝選擇成在DBF中將開口圖案化之后。
[0062]在1610，工藝包括在DBF中開凹槽以顯露TSV接觸。
[0063]在1612，工藝包括通過激光鉆孔開凹槽。
[0064]在1614，工藝包括通過將在光敏DBF材料上面的軟掩模圖案化以及沖洗DBF的受影響區(qū)域來開凹槽。[0065]在1616，工藝包括將在DBF上面的硬掩模圖案化，并且通過定向蝕刻開凹槽。
[0066]在1620，工藝包括使用接觸TSV接觸的傳導(dǎo)材料填充凹槽。
[0067]在1630，工藝包括在DBF的層次形成到傳導(dǎo)材料的加焊。在非限制性示例實(shí)施例中，如圖2c所示在受控沉積物焊料耦合134上方形成加焊148。在非限制性示例實(shí)施例中，如圖2d所示在受控沉積物焊料耦合134上方形成離散加焊150。
[0068]在1640，工藝包括將微電子管芯裝配到后續(xù)襯底。在非限制性示例實(shí)施例中，第一管芯Iio被裝配到后續(xù)管芯132。
[0069]在1650，微電子裝置被裝配到計(jì)算系統(tǒng)。在非限制性示例實(shí)施例中，包括至少BBUL-C、第一管芯110和后續(xù)管芯132的設(shè)備100被裝配到諸如圖17所示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
[0070]圖17是根據(jù)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示意圖。所示的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700(也稱為電子系統(tǒng)1700)能夠包含根據(jù)如本公開中所述的若干公開實(shí)施例中的任何實(shí)施例及其等同物的受控沉積物焊料耦合。設(shè)備包括被裝配到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的受控沉積物焊料耦合。
[0071]計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是智能電話。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是平板計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是諸如筆記本計(jì)算機(jī)等移動裝置。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是諸如超級本計(jì)算機(jī)等移動裝置。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是臺式計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是汽車的組成部分。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是電視的組成部分。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是DVD播放器的組成部分。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1700可以是數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的組成部分。
[0072]在一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)1700是包括系統(tǒng)總線1720以電耦合電子系統(tǒng)1700的各種組件的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。系統(tǒng)總線1720是根據(jù)各種實(shí)施例的單總線或總線的任何組合。電子系統(tǒng)1700包括向集成電路1710提供功率的電壓源1730。在一些實(shí)施例中，電壓源1730通過系統(tǒng)總線1720向集成電路1710供應(yīng)電流。
[0073]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，集成電路1710電耦合到系統(tǒng)總線1720，并且包括任何電路或電路組合。在一個(gè)實(shí)施例中，集成電路1710包括可以是任何類型的設(shè)備的處理器1712，設(shè)備包括受控沉積物焊料耦合實(shí)施例。如本文中使用的，處理器1712可指任何類型的電路，諸如但不限于微處理器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器或另一處理器。在一個(gè)實(shí)施例中，在處理器1712的存儲器高速緩存中有SRAM實(shí)施例。能夠包括在集成電路1710中的其它類型的電路是定制電路或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)，如在諸如蜂窩電話、智能電話、尋呼器、便攜式計(jì)算機(jī)、雙向無線電和其它電子系統(tǒng)等非等同無線裝置中使用的通信電路1714。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器1710包括諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的管芯上存儲器1716。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器1710包括諸如嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(eDRAM)的管芯上存儲器1716。公開的COB實(shí)施例及其【技術(shù)領(lǐng)域】識別的等同物是eDRAM中的組成存儲器單元。
[0074]在一個(gè)實(shí)施例中，集成電路1710與后續(xù)集成電路1711互補(bǔ)，如在本公開內(nèi)容中所述的任何LL1、LMI或麗I實(shí)施例中。在一個(gè)實(shí)施例中，后續(xù)集成電路1711是作為圖形處理器或射頻集成電路或兩者。在一個(gè)實(shí)施例中，雙集成電路1711包括嵌入式管芯上存儲器1717，如帶有任何公開的受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的eDRAM。雙集成電路1711包括RFIC雙處理器1713和雙通信電路1715以及諸如SRAM的雙管芯上存儲器1717。在一個(gè)實(shí)施例中，雙通信電路1715特別配置用于RF處理。
[0075]在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)無源裝置1780耦合到后續(xù)集成電路1711，使得集成電路1711和所述至少一個(gè)無源裝置是包括受控沉積物焊料耦合的任何設(shè)備實(shí)施例的一部分，所述受控沉積物焊料耦合包括集成電路1710和集成電路1711。在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一個(gè)無源裝置是傳感器，如用于平板或智能電話的加速計(jì)。
[0076]在一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)1700包括諸如本公開內(nèi)容中陳述的任何受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的天線元件1782。通過使用天線元件1782，諸如電視的遠(yuǎn)程裝置1784可由設(shè)備實(shí)施例通過無線鏈路遠(yuǎn)程操作。例如，通過無線鏈路操作的智能電話上的應(yīng)用通過諸如藍(lán)牙?技術(shù)向多達(dá)大約30米距離遠(yuǎn)的電視廣播指令。在一個(gè)實(shí)施例中，遠(yuǎn)程裝置包括天線元件為其配置為接收器的衛(wèi)星的全球定位系統(tǒng)。
[0077]在一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)1700也包括外部存儲器1740，外部存儲器1740又可包括諸如RAM形式的主存儲器1742的適用特定應(yīng)用的一個(gè)或更多個(gè)存儲器元件、一個(gè)或更多個(gè)硬驅(qū)動器1744和/或處理諸如磁盤、壓縮盤(CD)、數(shù)字可變盤(DVD)、閃存驅(qū)動器及【技術(shù)領(lǐng)域】中熟知的其它可移動媒體的可移動媒體1746的一個(gè)或更多個(gè)驅(qū)動器。在一個(gè)實(shí)施例中，外部存儲器1740是堆疊在設(shè)備上的POP封裝的一部分，而設(shè)備包括根據(jù)任何公開的實(shí)施例的受控沉積物焊料耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，外部存儲器1740是嵌入式存儲器1748，例如包括根據(jù)任何公開的實(shí)施例的受控沉積物焊料耦合的設(shè)備。
[0078]在一個(gè)實(shí)施列中，電子系統(tǒng)1700也包括顯示裝置1750和音頻輸出1760。在一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)1700包括諸如控制器1770的輸入裝置，控制器1770可以是鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸墊、鍵盤、跟蹤球、游戲控制器、麥克風(fēng)、話音識別裝置或輸入信息到電子系統(tǒng)1700中的任何其它輸入裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝置1770包括照相機(jī)。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝置1770包括數(shù)字錄音機(jī)。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝置1770包括照相機(jī)和數(shù)字錄音機(jī)。
[0079]基礎(chǔ)襯底1790可以是計(jì)算系統(tǒng)1700的一部分。基礎(chǔ)襯底1790是支持包括受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的設(shè)備的母板。在一個(gè)實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底1790是支持包括受控沉積物焊料耦合實(shí)施例的設(shè)備的板。在一個(gè)實(shí)施例中，基礎(chǔ)襯底1790包括在虛線1790內(nèi)包含的功能性的至少之一，并且是諸如無線通信器的用戶外殼的襯底。
[0080]如本文中所示，集成電路1710能夠在實(shí)現(xiàn)在以下中:多個(gè)不同實(shí)施例、包括根據(jù)若干公開實(shí)施例的任何實(shí)施例及其等同物的受控沉積物焊料耦合的設(shè)備、電子系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、制造集成電路的一種或更多種方法以及如在各種實(shí)施例及其【技術(shù)領(lǐng)域】等同物中陳述的制造和裝配包括根據(jù)若干公開實(shí)施例的任何實(shí)施例的受控沉積物焊料耦合的設(shè)備的一種或更多種方法。元素、材料、幾何形狀、尺寸和操作的順序能夠全部改變以適合特定的I/o耦合要求，包括受控沉積物焊料耦合實(shí)施例及其等同物。
[0081]雖然管芯可指處理器芯片，RF芯片、RFIC芯片或存儲器芯片可在相同句子中提及，但不應(yīng)理解為它們是等同結(jié)構(gòu)。本公開內(nèi)容通篇對“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的引用意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。本公開內(nèi)容通篇各個(gè)位置出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”短語不一定全部指同一實(shí)施例。此外，特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中以任何適合的方式組合。
[0082]諸如“上部”和“下部”、“上方”和“下方”等術(shù)語可參照所示X-Z坐標(biāo)理解，并且諸如“相鄰”等術(shù)語可通過參照X-Y坐標(biāo)或非Z坐標(biāo)理解。
[0083]本文提供了摘要以遵從要求提供摘要以允許讀者快速弄清本技術(shù)公開內(nèi)容本質(zhì)和要點(diǎn)的37 C.F.R.§ 1.72(b)。理解它將不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含意。
[0084]在上述【具體實(shí)施方式】中，各種特征在單個(gè)實(shí)施例中組合在一起以便簡化公開內(nèi)容。此公開方法不是要理解為反映如下意圖:本發(fā)明的要求保護(hù)的實(shí)施例要求比每個(gè)權(quán)利要求中明確敘述的更多特征。相反，如隨附權(quán)利要求所反映的，發(fā)明的主題在于比單個(gè)公開實(shí)施例的所有特征更少。因此，隨附權(quán)利要求在此合并到【具體實(shí)施方式】中，并且每個(gè)權(quán)利要求獨(dú)立作為單獨(dú)的優(yōu)選實(shí)施例。
[0085]本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，在不脫離如所附權(quán)利要求中所述的本發(fā)明的原理和范圍的情況下，可對已描述和示出以便解釋本發(fā)明性質(zhì)的方法階段和部件的細(xì)節(jié)、材料和布置進(jìn)行各種其 它更改。
【權(quán)利要求】
1.一種使管芯背側(cè)凸起的工藝，包括: 在管芯背側(cè)膜(DBF)中開凹槽以顯露管芯中的硅通孔(TSV)接觸，所述管芯包括有源表面和背側(cè)表面； 用接觸所述TSV接觸的傳導(dǎo)材料填充所述凹槽；以及 在所述DBF的層次形成到所述傳導(dǎo)材料的加焊。
2.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中開所述凹槽包括激光鉆孔到所述DBF中以顯露所述TSV接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中開所述凹槽包括使用光敏DBF，還包括: 將創(chuàng)建所述TSV接觸上方的開口的所述DBF上面的掩模圖案化； 通過所述掩模顯露所述DBF以弱化所述TSV上方的所述DBF ；以及 沖洗所述TSV以開所述凹槽。
4.如權(quán)利要求4所述的工藝，還包括: 將創(chuàng)建所述TSV接觸上方的開口的所述DBF上面的硬掩模圖案化；以及 干蝕刻所述DBF以開所述凹槽。
5.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述管芯是第一管芯，所述工藝還包括將后續(xù)管芯耦合到在加焊的所述第一管芯以形成由所述TSV接觸、所述傳導(dǎo)材料、所述加焊、耦合到所述后續(xù)管芯的電凸起及耦合到所述電凸起的后續(xù)管芯鍵合焊盤組成的電耦合。
6.如權(quán)利要求1所述的工藝，還包括在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中嵌入所述管芯，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C襯底。
7.如權(quán)利要求1所述的工藝，還包括: 在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中嵌入所述管芯，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C襯底；以及去除所述DBF。
8.如權(quán)利要求1所述的工藝，還包括: 在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中嵌入所述管芯，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C襯底以實(shí)現(xiàn)嵌入式管芯； 去除所述DBF;以及 耦合后續(xù)管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯。
9.如權(quán)利要求1所述的工藝，還包括: 在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中嵌入所述管芯，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C襯底以實(shí)現(xiàn)嵌入式管芯； 去除所述DBF; 耦合后續(xù)管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯；以及 通過毛細(xì)底部填充(CUF)作用在所述后續(xù)管芯與所述嵌入式管芯之間底部填充材料。
10.如權(quán)利要求1所述的工藝，還包括: 在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中嵌入所述管芯，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述 BBUL-C襯底以實(shí)現(xiàn)嵌入式管芯； 去除所述DBF; 耦合后續(xù)管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯；以及通過環(huán)氧助焊劑作用在所述后續(xù)管芯與所述嵌入式管芯之間底部填充材料。
11.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述DBF具有第一厚度，其中所述管芯是第一管芯，并且所述工藝還包括: 通過將后續(xù)管芯安放在所述DBF上來耦合所述后續(xù)管芯到所述第一管芯，使得所述第一厚度在所述第一管芯與所述后續(xù)管芯之間創(chuàng)建選擇的偏移。
12.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述DBF具有第一厚度，其中所述管芯是第一管芯，并且所述工藝還包括: 通過將后續(xù)管芯安放在所述DBF上來耦合所述后續(xù)管芯到所述第一管芯，使得所述第一厚度在所述第一管芯與所述后續(xù)管芯之間創(chuàng)建選擇的偏移； 去除所述DBF;以及 通過毛細(xì)底部填充(CUF)作用在所述后續(xù)管芯與所述第一管芯之間底部填充材料。
13.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述DBF具有第一厚度，其中所述管芯是第一管芯，并且所述工藝還包括: 通過將后續(xù)管芯安放在所述DBF上來耦合所述后續(xù)管芯到所述第一管芯，使得所述第一厚度在所述第一管芯與所述后續(xù)管芯之間形成選擇的偏移； 去除所述DBF;以及 通過環(huán)氧助焊劑作用在所述后續(xù)管芯與所述第一管芯之間底部填充材料。
14.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中通過跨所述DBF擦去焊料前體以填充所述凹槽來執(zhí)行用所述傳導(dǎo)材料填充所述凹槽。
15.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中通過噴射焊料前體以填充所述凹槽來執(zhí)行用所述傳導(dǎo)材料填充所述凹槽。
16.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中通過將焊料鍍到所述TSV接觸上以填充所述凹槽來執(zhí)行用所述傳導(dǎo)材料填充所述凹槽。
17.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述DBF具有第一厚度，所述工藝還包括: 去除所述DBF;以及 進(jìn)行底部填充材料的底部填充以接觸所述傳導(dǎo)材料和所述添加的材料的至少之一。
18.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述DBF具有第一厚度，所述工藝還包括: 去除所述DBF的一小部分；以及 進(jìn)行底部填充材料的底部填充以接觸所述傳導(dǎo)材料和所述添加的材料的至少之一。
19.一種設(shè)備,包括: 管芯，包括布置在其中的硅通孔(TSV)，所述管芯包括有源表面和背側(cè)表面； 接觸所述TSV的TSV接觸； 布置在所述背側(cè)表面上的管芯背側(cè)膜(DBF)； 顯露所述TSV接觸的凹槽； 布置在所述凹槽中接觸所述TSV接觸的傳導(dǎo)材料；以及 接觸所述傳導(dǎo)材料的加焊，其中所述加焊布置在所述DBF的層次。
20.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯。
21.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，其中所述后續(xù)管芯安放在所述DBF上。
22.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯是第一管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，其中所述第一管芯是帶有第一引腳輸出間距的邏輯管芯，其中所述后續(xù)管芯是帶有后續(xù)引腳輸出間距的邏輯管芯，以及其中所述第一引腳輸出間距匹配所述后續(xù)引腳輸出間距。
23.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯是第一管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，其中所述第一管芯是帶有第一引腳輸出間距的邏輯管芯，其中所述后續(xù)管芯是帶有后續(xù)引腳輸出間距的存儲器管芯，以及其中所述第一引腳輸出間距不同于所述后續(xù)引腳輸出間距。
24.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括: 耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，以及其中所述嵌入式管芯和所述后續(xù)管芯通過以下耦合: 所述TSV接觸； 接觸所述TSV接觸的所述傳導(dǎo)材料； 接觸所述傳導(dǎo)材料的所述加焊； 耦合到所述后續(xù)管芯的電凸起； 以及接觸所述電凸起的后續(xù)管芯鍵合焊盤。
25.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述管芯嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中，其中所述背側(cè)表面被顯露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C襯底以實(shí)現(xiàn)嵌入式管-!-HΛ ο
26.—種設(shè)備,包括: 管芯，包括布置在其中的硅通孔(TSV)，所述管芯包括有源表面和背側(cè)表面； 接觸所述TSV的TSV接觸； 接觸所述背側(cè)表面的底部填充材料，所述背側(cè)表面帶有布置在所述背側(cè)表面上的去除的管芯背側(cè)膜(DBF)的輪廓特性； 帶有輪廓的傳導(dǎo)材料，所述輪廓是布置在去除的管芯背側(cè)膜(DBF)的凹槽中的特性，其中所述傳導(dǎo)材料接觸所述TSV接觸；以及接觸所述傳導(dǎo)材料的加焊。
27.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯。
28.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述管芯是第一管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，其中所述第一管芯是帶有第一引腳輸出間距的邏輯管芯，其中所述后續(xù)管芯是帶有后續(xù)引腳輸出間距的邏輯管芯，以及其中所述第一引腳輸出間距匹配所述后續(xù)引腳輸出間距。
29.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述管芯是第一管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，其中所述第一管芯是帶有第一引腳輸出間距的邏輯管芯，其中所述后續(xù)管芯是帶有后續(xù)引腳輸出間距的存儲器管芯，以及其中所述第一引腳輸出間距不同于所述后續(xù)引腳輸出間距。
30.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括: 耦合到所述加焊的后續(xù)管芯，以及其中所述嵌入式管芯和所述后續(xù)管芯通過以下耦合: 所述TSV接觸； 接觸所述TSV接觸的所述傳導(dǎo)材料； 接觸所述傳導(dǎo)材料的所述加焊； 耦合到所述后續(xù)管芯的電凸起； 以及接觸所述電凸起的后續(xù)管芯鍵合焊盤。
31.一種 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括: 管芯，包括布置在其中的硅通孔(TSV)，所述管芯包括有源表面和背側(cè)表面； 接觸所述TSV的TSV接觸； 接觸所述背側(cè)表面的底部填充材料，所述背側(cè)表面帶有布置在所述背側(cè)表面上的去除的管芯背側(cè)膜(DBF)的輪廓特性； 帶有輪廓的傳導(dǎo)材料，所述輪廓是布置在去除的管芯背側(cè)膜(DBF)的凹槽中的特性，其中所述傳導(dǎo)材料接觸所述TSV接觸； 接觸所述傳導(dǎo)材料的加焊，其中所述管芯是嵌在無芯無凸起內(nèi)建層(BBUL-C)襯底中的嵌入式管芯，所述設(shè)備還包括耦合到所述加焊的后續(xù)管芯；以及支持所述半導(dǎo)體襯底的基礎(chǔ)襯底。
32.如權(quán)利要求29所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其中所述基礎(chǔ)襯底是從由移動裝置、智能電話裝置、平板計(jì)算機(jī)裝置、運(yùn)載工具及電視組成的組中選擇的裝置的一部分。
【文檔編號】H01L21/60GK103946965SQ201180074841
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月14日
【發(fā)明者】W.H.特, S.鐘 申請人:英特爾公司