用于化學氣相沉積腔室的襯里組件的制作方法【專利摘要】本文所述的實施例涉及一種用于對腔室內(nèi)的處理區(qū)域形成襯里的設備和方法。于一個實施例中，提供用于襯底處理腔室的模塊襯里組件。所述模塊襯里組件包含第一襯里和第二襯里，所述第一襯里和所述第二襯里每個包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體經(jīng)調(diào)整尺寸以容納于腔室的處理容積中；及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體通過所述第一襯里和所述第二襯里而延伸，所述第三襯里具有設置于所述處理容積中的第一端和設置于所述腔室外側(cè)的第二端?！緦＠f明】用于化學氣相沉積腔室的襯里組件[0001]發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域[0002]本發(fā)明的實施例大體而言涉及使用于半導體制造工藝的沉積腔室中的模塊襯里組件。[0003]相關(guān)技術(shù)的描述[0004]因用于先進邏輯裝置和DRAM裝置，還有其它裝置的新應用，含硅薄膜的外延生長變得非常重要。這些應用的重點需求為低溫/低壓處理，使得裝置特征結(jié)構(gòu)將不會于制造裝置的期間受損。包含硅的選擇和毯覆(如，非選擇地生長)的外延薄膜，及這類外延薄膜的應變實施例(所述外延薄膜于最大約900°C至低于約700°C的溫度生長)為當前許多半導體應用所需。這種較低的溫度處理不僅對形成合適功能的裝置重要，且此低溫處理最小化或防止亞穩(wěn)應變層(metastablestrainlayer)的弛豫,幫助防止或最小化摻雜劑擴散，并幫助最小化于外延薄膜結(jié)構(gòu)內(nèi)的摻雜劑分離。抑制晶面形成和短溝道效應(由低溫處理(即，低熱預算處理)能夠?qū)崿F(xiàn))為獲得高效能裝置的重要因素。[0005]在以沉積外延層于襯底上的典型LPCVD工藝中，前驅(qū)物通過氣體分配組件而注入腔室中的處理區(qū)域，且前驅(qū)物在腔室中的襯底的表面上方通過在處理區(qū)域中的前驅(qū)物的輻射而激發(fā)，所述輻射為典型低波長輻射(如，于紫外線及/或紅外線光譜中)。也可使用等離子體產(chǎn)生以分離反應物。為達到更有效率的前驅(qū)物分離工藝，期望于輸送前驅(qū)物至處理區(qū)域前先預熱前驅(qū)物，以更快速及更有效率地于襯底上方分離前驅(qū)物。然而，環(huán)繞處理區(qū)域和前驅(qū)物注入?yún)^(qū)域的腔室主體是由金屬材料(如，不銹鋼)所制成，且使用于LPCVD工藝中的一些前驅(qū)物與這些金屬材料反應。因此，這些金屬材料為潛在污染源，潛在污染源會損害腔室部件并于襯底上產(chǎn)生微粒污染。[0006]為防止與腔室主體的不想要的反應，使用襯里以將一些金屬腔室部件屏蔽于處理區(qū)域外。然而，傳統(tǒng)襯里生產(chǎn)成本高昂且替換困難并耗時。此外，傳統(tǒng)襯里并未令人滿意地執(zhí)行較新規(guī)定的可允許污染水平。此外，傳統(tǒng)襯里用以屏蔽腔室部件，且通常并不使用傳統(tǒng)襯里以提供不同的前驅(qū)物入口及/或排氣方案。此外，傳統(tǒng)襯里并非促進輕易替換一或多個襯里以與現(xiàn)存襯里使用的模塊部件。在一些情況下，一個傳統(tǒng)襯里部件的替換需要制造整個新的襯里部件。所有這些因素可增加裝置污染及/或?qū)е轮卮蟮那皇彝C，而所述情形增加工具所有者及由工具所產(chǎn)生的裝置的成本。[0007]因此，需要用于襯里組件的設備及方法，所述襯里組件易于替換且經(jīng)配置以于不同工藝使用而無須腔室的重大停機，因而減少所有者的成本?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0008]在此所述的實施例涉及一種用于對腔室內(nèi)的處理區(qū)域形成襯里的設備和方法。在一個實施例中，提供一種用于襯底處理腔室的模塊襯里組件。所述模塊襯里組件包含:第一襯里和第二襯里，所述第一襯里和所述第二襯里的每一個包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體經(jīng)調(diào)整尺寸以容納于腔室的處理容積中；及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體通過所述第一襯里和所述第二襯里而延伸，所述第三襯里具有設置于所述處理容積中的第一端和設置于所述腔室外側(cè)的第二端。[0009]在另一實施例中，提供一種用于襯底處理腔室的模塊襯里組件。所述模塊襯里組件包括:第一襯里和第二襯里，所述第一襯里和所述第二襯里的每一個包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體具有形成于所述環(huán)形主體中的多個凹部；及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體容納于并至少部分接觸所述多個凹部的一部分。[0010]在另一實施例中，提供一種用于半導體處理腔室的處理套件。所述處理套件包括:多個襯里，所述多個襯里適于在腔室的處理容積中彼此模塊地耦接。所述多個襯里包括:第一襯里和第二襯里，所述第一襯里和所述第二襯里的每一個包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體具有形成于所述環(huán)形主體中的多個凹部；及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體容納于并至少部分接觸所述多個凹部的一部分。[0011]附圖簡要說明[0012]依本發(fā)明于上所列舉的特征的方式可詳細地理解，本發(fā)明的更特定的說明(簡短概述于【
發(fā)明內(nèi)容】中)可參照實施例(所述實施例的一部分圖示于附圖中)而獲得。然而，應注意，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施例，且不因此被視為對本發(fā)明范圍的限制，因本發(fā)明可允許其它等效的實施例。[0013]圖1A為根據(jù)本文所述的實施例的腔室的示意性的側(cè)截面圖。[0014]圖1B為旋轉(zhuǎn)90度的圖1A的腔室的示意性的側(cè)截面圖。[0015]圖2為可使用于圖1A的腔室中的處理套件的一個實施例的等角視圖。[0016]圖3A為圖2的下襯里和上襯里的分解等角視圖。[0017]圖3B為圖2的流量閥襯里的等角視圖。[0018]圖3C為圖2的排氣襯里的等角視圖。[0019]圖3D為圖2的排氣嵌入襯里組件的等角視圖。[0020]圖4為圖示于圖1A中的氣體分配組件的等角視圖。[0021]圖5A為圖4的注入蓋、阻擋襯里、注入嵌入襯里組件和氣體分配歧管襯里的等角截面圖。[0022]圖5B為圖4的注入蓋、阻擋襯里、注入嵌入襯里組件和氣體分配歧管襯里的另一等角截面圖。[0023]圖5C為圖4的氣體分配組件的示意性的上視截面圖。[0024]圖6A為圖4中所示注入嵌入襯里組件的區(qū)域的等角視圖。[0025]圖6B為圖4的阻擋襯里的等角視圖。[0026]圖7為可使用于圖1A的腔室中的處理套件的另一實施例的部分等角視圖。[0027]圖8為可使用于圖1A的腔室中的處理套件的另一實施例的部分等角視圖。[0028]圖9為可使用于圖1A的腔室中的處理套件的另一實施例的部分等角視圖。[0029]為促進理解，盡可能使用相同的元件符號以指定共享于圖的相同元件。應考慮，于一個實施例中所公開的元件可有利地使用于其它實施例上而無需贅述。[0030]具體描沭[0031]圖1A為腔室100的示意性的側(cè)截面圖。腔室100可用于沉積(如，外延沉積)，盡管腔室100可用于蝕刻或其它工藝。腔室100可增加至CENTURA?集成處理系統(tǒng)，所述CENTURA?;集成處理系統(tǒng)可從美國加州的應用材料公司取得。腔室100包含由工藝抗性材料(如，鋁或不銹鋼(如，316L不銹鋼))所制成的外殼結(jié)構(gòu)102。外殼結(jié)構(gòu)102包圍處理腔室100的各種功能元件，如石英腔室104，所述石英腔室104包含上腔室106和下腔室108，于石英腔室104中包含有處理容積110。襯底支撐件112適用以于石英腔室104內(nèi)接收襯底114，所述襯底支撐件112由陶瓷材料或涂布有硅材料(如，碳化硅)的石墨材料所制成。來自前驅(qū)物反應材料的反應物質(zhì)被施加至襯底114的表面116，且副產(chǎn)物可接著從表面116移除。加熱襯底114及/或處理容積110可由輻射源(如，上燈模塊118A和下燈模塊118B)而提供。于一個實施例中，上燈模塊118A和下燈模塊118B為紅外線燈。由燈模塊118A和118B散發(fā)的輻射行經(jīng)上腔室106的上石英窗口120，和下腔室108的下石英窗口122。若需要，用于上腔室106的冷卻氣體經(jīng)由入口124而進入且經(jīng)由出口126而離開。[0032]由氣體分配組件128提供反應物質(zhì)至石英腔室104，且由排氣組件130而從處理容積110移除工藝副產(chǎn)物，所述排氣組件130通常與真空源(未圖示)連通。用于腔室100的前驅(qū)物反應材料和稀釋氣體、沖洗氣體和排出氣體經(jīng)由氣體分配組件128而進入且經(jīng)由排氣組件130而離開。[0033]腔室100亦包含多個襯里132A_132H(于圖1中僅圖示襯里132A-132G)。所述襯里132A-132H使處理容積110屏蔽而與環(huán)繞處理容積110的金屬壁134隔絕。金屬壁134可為鋁或不銹鋼。金屬壁134可與前驅(qū)物反應并導致于處理容積110中的污染。于一個實施例中，襯里132A-132H包括覆蓋所有金屬部件的處理套件，所述金屬部件可與處理容積110連通或暴露至處理容積110。[0034]下襯里132A設置于下腔室108中。上襯里132B設置成至少部分位于下腔室108中且鄰近下襯里132A。排氣嵌入襯里組件132C設置鄰近于上襯里132B。于圖1中，排氣嵌入襯里132D設置鄰近于排氣嵌入襯里組件132C，且排氣嵌入襯里132D可取代上襯里132B的一部分以促進安裝。注入襯里132E圖示于處理容積110的一側(cè)上，所述側(cè)相對排氣嵌入襯里組件132C和排氣襯里132D。注入襯里132E經(jīng)配置作為歧管以提供一或多種流體(如，氣體或氣體的等離子體)至處理容積110。一或多種流體由注入嵌入襯里組件132F而提供至注入襯里132E。阻擋襯里132G耦接至第一氣源135A和可選的第二氣源135B，并且阻擋襯里132G提供氣體至注入嵌入襯里組件132F和提供氣體至開口136A和136B，所述開口136A和136B形成于注入襯里132E中。[0035]一或多種氣體由第一氣源135A和第二氣源135B經(jīng)由阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和經(jīng)由一或多個開口136A和136B而提供至處理容積110，所述一或多個開口136A和136B形成于注入襯里132E中。形成于注入襯里132E中的一或多個開口136A和136B耦接至出口，所述出口經(jīng)配置以用于層流路徑133A或噴射流路徑133B。每一個流路徑133A、133B經(jīng)配置以流過軸A’至排氣襯里132D。軸A’實質(zhì)垂直于腔室100的縱軸A〃。流路徑133AU33B流進形成于排氣襯里132D中的氣室137并結(jié)束于排氣流路徑133C中。氣室137耦接至排氣或真空泵(未圖示)。于一個實施例中，氣室137耦接至歧管139，所述歧管139沿一方向引導排氣流路徑133C，所述方向?qū)嵸|(zhì)平行于縱軸A”。然而，歧管139可適于沿一方向弓I導排氣流路徑133C，所述方向?qū)嵸|(zhì)平行于軸A’。至少注入嵌入襯里組件132F可設置成通過注入蓋129并至少部分由注入蓋129而支撐。注入蓋129可由金屬材料所制成并由一或多個緊固件而耦接至腔室100，以易于移除和安裝。[0036]圖1B為旋轉(zhuǎn)90度的圖1A的腔室100的示意性的側(cè)截面圖。所有部件與圖1A中所述的腔室100相似，為簡潔的目的而將不再于此說明。于圖1B中，流量閥襯里132H圖示穿過腔室100的金屬壁134而設置。此外，于圖1B中所示的旋轉(zhuǎn)視圖中，上襯里132B圖示鄰近下襯里132A，而非圖1A中所示的注入襯里132E。于圖1B中所示的旋轉(zhuǎn)視圖中，上襯里132B圖示鄰近下襯里132A，而非圖1A中所示的排氣襯里132D，所述下襯里132A位于腔室100的與流量閥襯里132H相對的一側(cè)上。于圖1B中所示的旋轉(zhuǎn)視圖中，上襯里132B覆蓋上腔室106的金屬壁134。上襯里132B亦包含向內(nèi)延伸肩部138。向內(nèi)延伸肩部138形成唇部，所述唇部支撐環(huán)形預熱環(huán)140，所述環(huán)形預熱環(huán)140將前驅(qū)物氣體限制于上腔室106中。[0037]圖2為包括圖示于圖1A和圖1B中的一或多個襯里132A-132H的處理套件200的一個實施例的等角視圖。襯里132A-132H為模塊化的且適于單獨地或全部地替換。襯里132A-132H為低成本且因為模塊設計的緣故而提供額外的彈性和成本節(jié)省。舉例而言，一或多個襯里132A-132H可以由適于不同工藝的另一個襯里而取代，而無須替換其它的襯里132A-132H。因此，襯里132A-132H促進將腔室100配置用于不同工藝，而無須替換所有的襯里132A-132H。此導致時間和成本的節(jié)省，以降低腔室的停機時間和所有者的成本。[0038]處理套件200包括下襯里132A和上襯里132B。下襯里132A和上襯里132B兩者包含一般圓柱外徑201，所述一般圓柱外徑201經(jīng)調(diào)整尺寸以容納于圖1A和圖1B中的腔室100中。襯里132A-132H的每一個經(jīng)配置以由重力及/或互鎖裝置(如，形成于一些襯里132A-132H之中或一些襯里132A-132H之上的突出部和匹配凹部)而支撐于腔室內(nèi)。下襯里132A和上襯里132B的內(nèi)部表面203形成處理容積100的一部分。上襯里132B包含切除部202A和202B，所述切除部202A和202B經(jīng)調(diào)整尺寸以容納圖示于圖1A的截面中的排氣襯里132D和注入襯里132E。切除部202A、202B的每一個界定上襯里132B的凹部區(qū)域204，所述上襯里132B的凹部區(qū)域204鄰近向內(nèi)延伸肩部138。[0039]于此實施例中，每個注入嵌入襯里組件132F和排氣嵌入襯里組件132C包括兩個區(qū)域。注入嵌入襯里組件132F包含第一區(qū)域206A和第二區(qū)域206B，所述第一區(qū)域206A和第二區(qū)域206B由阻擋襯里132G在一側(cè)處耦接。同樣地，排氣嵌入襯里組件132C包含第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B。注入嵌入襯里組件132F的區(qū)域206A和206B的每一個經(jīng)由阻擋襯里132G而接收來自第一氣源135A和第二氣源135B的氣體。氣體流經(jīng)注入嵌入襯里組件132F并行進至于注入襯里132E中的多個第一出口210A和多個第二出口210B。于一方面中，注入嵌入襯里組件132F和注入襯里132E包括氣體分配歧管襯里。因此，由第一氣源135A和第二氣源135B流出的氣體分別流進處理容積110。每一氣體可于離開出口210A、210B之前、期間和之后分離，并流過處理容積110以沉積于襯底(未圖示)上。于沉積后殘余的分離的前驅(qū)物流進排氣嵌入襯里組件132C并被排出。[0040]襯里132A-132H的每一個由石英或其它工藝抗性材料所制成。襯里132A-132H的每一個可依所欲工藝而為透明或不透明。舉例而言，可使用透明石英以允許由燈模塊118A、118B所發(fā)出的光學能源通過透明石英以幫助腔室100的溫度控制及/或前驅(qū)物氣體的狀態(tài)。于一個實例中，一或多個襯里132A-132H可不透明以吸收由燈模塊118A、118B所發(fā)出的光學能源。于另一實例中，注入襯里132E及/或排氣嵌入襯里組件132C可為透明石英以允許光學能源對前驅(qū)物氣體產(chǎn)生作用?？墒褂霉鈱W能源以預熱前驅(qū)物氣體、分離前驅(qū)物氣體，及/或維持前驅(qū)物氣體的分離溫度。于一方面中，可利用光學能源以加熱前驅(qū)物氣體，導致前驅(qū)物氣體于離開出口210A、210B前在注入襯里132E內(nèi)分離，所述光學能源經(jīng)由注入襯里132E的透明石英材料所提供。排氣嵌入襯里組件132C亦可由透明石英所制成，以允許光學能源對前驅(qū)物氣體于氣體排出時產(chǎn)生作用。因此，可基于熱的考慮而對任何襯里132A-132H選擇使用透明石英或不透明石英。此外，透明的襯里132A-132H中的任何一個或結(jié)合可以不透明襯里所取代，或反之亦然，而無須替換其它襯里132A-132H。此提供將腔室配置用于不同氣體及/或工藝而無須替換全部襯里132A-132H的簡便適應性。[0041]可通過將上石英窗口120從腔室100的金屬壁134移除以進入上腔室106和下腔室108而將襯里132A-132H安裝及/或進入于圖1A中的腔室100內(nèi)。于一個實施例中，至少一部分的金屬壁134可移除以促進襯里132A-132H的替換。阻擋襯里132G與注入蓋129耦接，所述注入蓋129可緊固至腔室100的外部。下襯里132A安裝于下腔室108中，所述下襯里132A包含內(nèi)徑，所述內(nèi)徑大于襯底支撐件112的水平尺寸。下襯里132A可安置于下石英窗口122上。于下襯里132A置放于下石英窗口122上后，可安裝排氣嵌入襯里組件132C、注入嵌入襯里組件132F和流量閥襯里132H。注入嵌入襯里組件132F可與阻擋襯里132G耦接以促進來自第一氣源125A和第二氣源135B的氣流。于安裝排氣嵌入襯里組件132C、注入嵌入襯里組件132F和流量閥襯里132H后，可安裝上襯里132B。于此時，環(huán)形預熱環(huán)140可置于上襯里132B的向內(nèi)延伸肩部138上。注入襯里132E可安裝于形成于上襯里132B中的孔內(nèi)并與注入嵌入襯里組件132F耦接，以促進由注入嵌入襯里組件132F的氣流流至注入襯里132E。排氣襯里132D可在孔內(nèi)的排氣嵌入襯里組件132C上方安裝，所述孔相對注入襯里132E而形成于上襯里132B中。襯里132A-132H可連續(xù)地依上述順序安裝亦可依反向順序而連續(xù)地移除。于一些實施例中，注入襯里132E可以經(jīng)配置以用于不同氣流方案的另一注入襯里取代。因此，注入襯里132E的替換僅需從腔室100的金屬壁134移除上石英窗口120。同樣地，排氣嵌入襯里組件132C可以經(jīng)配置以用于不同排氣氣流方案的另一排氣嵌入襯里組件取代。排氣嵌入襯里組件132C的替換僅需移除上石英窗口120和排氣嵌入襯里組件132C。此外，任何襯里132A-132H的透明襯里可通過僅移除所選擇的襯里和任何中間的襯里而替換成不透明的襯里。[0042]圖3A為圖2的下襯里132A和上襯里132B的分解等角視圖。上襯里132B包含上表面300A和下表面300B。上襯里132B的上表面300A的至少一部分適于鄰近石英窗口120或與上石英窗口120(圖標于圖1A中)接觸。上襯里132B的上表面300A亦包含形成于切除部202A和202B之間的一或多個凹部305A、305B。于一個實施例中，凹部305A與凹部305B相對或?qū)嵸|(zhì)差異180度。凹部305A容納排氣嵌入襯里組件132C(圖標于圖2中)的一部分，而凹部305B容納注入嵌入襯里組件132F及/或注入襯里132E(圖示于圖2中)的一部分。上襯里132B的下表面300B亦包含壁310A-310C。至少壁310B和310C延伸出形成于下表面300B中的凹部30?的平面。壁310A、310B的外表面312A、312B經(jīng)配置以容納于下襯里132A的切除部315A和315B之間及/或與下襯里132A的切除部315A和315B接觸。上襯里132B包含形成于壁310A和310B之間的下表面300B中的凹部305C。凹部305C容納位于壁310A、310B的內(nèi)部表面之間的流量閥襯里132H(圖示于圖2中)的一部分。于一個實施例中，凹部305C實質(zhì)垂直凹部305A及/或凹部305B。[0043]下襯里132A包含上表面300C和下表面300D。下襯里132A的下表面300D的至少一部分適于鄰近下石英窗口122或與下石英窗口122(圖標于圖2中)接觸。至少一個凹部形成于上表面300C中。第一凹部320A形成于切除部315A和315B之間，且第二凹部320B形成于切除部315B和315C之間。凹部320A設置于下襯里132A的凹部320B和上表面300C的平面下。凹部320A包含通道325，所述通道325經(jīng)配置作為互鎖裝置的一部分。通道325適于容納形成于流量閥襯里132H(未圖示)上的凸起特征結(jié)構(gòu)，以用作位于下襯里132A和流量閥襯里132H之間的互鎖裝置。于一個實施例中(未圖示)，上襯里132B的凹部305C包含與通道325結(jié)構(gòu)和功能類似的通道。因此，當處理套件200安裝及/或使用時，流量閥襯里132H可固定地耦接至下襯里132A和上襯里132B。[0044]于一個實施例中，下襯里132A可包括第一襯里，且上襯里132B可包括第二襯里，且排氣嵌入襯里組件132C、流量閥襯里132H、注入嵌入襯里組件132F和注入襯里132E(全部圖示于圖2中)的一個或結(jié)合可包括第三襯里。[0045]圖3B為圖2的流量閥襯里132H的等角視圖。流量閥襯里132H包含主體330，所述主體330具有第一端332和第二端334。第一端332包含表面336，所述表面336具有一半徑。于一個實施例中，表面336具有一半徑，所述半徑實質(zhì)匹配下襯里132A和上襯里132B的內(nèi)部表面203(圖2)的內(nèi)徑。于一方面中，表面336與處理容積110(圖1A和圖1B)連通，同時第二端334設置于處理容積110的外側(cè)。主體330亦包含分隔的側(cè)壁340A和側(cè)壁340B以形成襯底移送槽338。盡管襯底移送槽338可經(jīng)配置以用于其它襯底尺寸，襯底移送槽338用以使用機器人葉片(未圖示)而移送200mm或300mm的襯底。[0046]于此實施例中，側(cè)壁340A、340B兩者包含凸起特征結(jié)構(gòu)342A、342B，所述凸起特征結(jié)構(gòu)342A、342B于圖3A中所述形成互鎖裝置的部分。舉例而言，設置于側(cè)壁340B上的凸起特征結(jié)構(gòu)342B(以虛線圖示)可為一或多個突片(tab)或突出部，所述一或多個突片或突出部經(jīng)使用以與形成于圖2的下襯里132A中的通道325接合。側(cè)壁340A可包含凸起特征結(jié)構(gòu)342B，所述凸起特征結(jié)構(gòu)342B與設置于圖2的上襯里132B上的通道耦接。于一個實施例中，凸起特征結(jié)構(gòu)342A、342B的每一個設置于與表面336的半徑實質(zhì)類似的半徑上。[0047]圖3C為圖2的排氣襯里132D的等角視圖。排氣襯里132D經(jīng)配置以填充排氣嵌入襯里組件132C的上表面和上石英窗口120(圖標于圖1A)之間的空間。排氣襯里132D包含主體344。主體344包含外表面346、向內(nèi)延伸壁348、側(cè)壁350A、350B和內(nèi)表面352。外表面346的底緣354經(jīng)配置以接觸排氣嵌入襯里組件132C的至少一部分。向內(nèi)延伸壁348適于鄰近或接觸上石英窗口120(圖標于圖1A)。側(cè)壁350A和350B適于鄰近或接觸上襯里132B的切除部202A(圖2)。當處理套件200安裝或使用時，排氣襯里132D經(jīng)配置以至少部分地支撐排氣嵌入襯里組件132C。[0048]圖3D為圖2的排氣嵌入襯里組件132C的等角視圖。排氣嵌入襯里組件132C包含第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B。區(qū)域208A、208B的每一個包含主體355。每一主體355包含第一端356A和第二端356B。第一端356A包含形成于半徑上的表面358。于一個實施例中，表面358具有一半徑，所述半徑實質(zhì)匹配下襯里132A和上襯里132B的內(nèi)部表面203(圖2)的內(nèi)徑。于一方面中，當?shù)诙?56B設置于處理容積110外側(cè)時,表面358與處理容積110(圖1A和圖1B)連通。于一個實施例中，第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B在形狀和尺寸上實質(zhì)相似。于一方面中，第一區(qū)域208A為第二區(qū)域208B的鏡像。氣室362由主體355的壁364A-364E而形成。氣室362適于在第一端356A接收排出氣體并將排出氣體流至第二端356B。端口365形成于第二端356B中。端口365適于耦接至排氣裝置(如，真空泵366)。于一些實施例中，間隙360形成于第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B之間。于其它實施例中，第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B通過諸如一或多個通道357而流體連通，所述通道357促進排出氣體于第一區(qū)域208A和第二區(qū)域208B之間流動。[0049]圖4為圖示于圖1A中的氣體分配組件128的等角視圖，所述氣體分配組件128具有圖2的注入嵌入襯里組件132F、阻擋襯里132G和注入嵌入襯里組件132F的實施例。于注入襯里132E的此實施例中，經(jīng)配置以分配氣體的氣體分配歧管襯里400圖示耦接至注入嵌入襯里組件132F。氣體分配歧管襯里400經(jīng)配置以可與其它氣體分配歧管襯里互換。氣體分配歧管襯里400易于與注入嵌入襯里組件132F耦接及分離以促進替換的簡便。[0050]由第一氣源135A和第二氣源135B流出的處理氣體流經(jīng)注入蓋129。注入蓋129包含多個氣體通道，所述多個氣體通道耦接至形成于阻擋襯里132G中的端口(未圖示)。于一個實施例中，燈模塊405可設置于注入蓋129中以于注入蓋129中預熱前驅(qū)物氣體。具有多個氣體通道的注入蓋的實例描述于美國專利公開案第2008/0210163號(公開于2008年9月4日)，在此以引用所述公開案全文的方式而并入本文。[0051]阻擋襯里132G包含導管(未圖示)，所述導管將氣體流進注入嵌入襯里組件132F。注入嵌入襯里組件132F包含端口，所述端口引導氣體至氣體分配歧管襯里400的第一出口210A和第二出口210B。于一個實施例中，由所述第一氣源135A和第二氣源135B流出的氣體保持分離，直到氣體離開第一出口210A和第二出口210B。于一方面中，氣體于注入蓋129和一或多個阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和氣體分配歧管襯里400內(nèi)預熱。氣體的預熱可由在注入蓋129上的燈模塊405、上燈模塊118A和下燈模塊118B(上燈模塊118A和下燈模塊118B皆圖標于圖1A中)中的一個或結(jié)合而提供。阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和氣體分配歧管襯里400的一個或結(jié)合可包含透明石英或不透明石英，以促進由在注入蓋129上的燈模塊405、上燈模塊118A或下燈模塊118B所產(chǎn)生的加熱。于一方面中，氣體經(jīng)由于注入蓋129上的燈模塊405、上燈模塊118A及/或下燈模塊118B所發(fā)出的能量而加熱，使得氣體于離開第一出口210A和第二出口210B之前分離或離子化。依據(jù)使用于第一氣源135A和第二氣源135B的處理氣體的分離溫度，當離開氣體分配歧管襯里400時，僅所述氣體的一種氣體可離子化，而其它加熱的氣體于離開氣體分配歧管襯里400時保持氣體形式。[0052]圖5A為圖4的注入蓋129、阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和氣體分配歧管襯里400的等角截面圖。于一方面中，阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和氣體分配歧管襯里400的每一個經(jīng)配置作為分配由第一氣源135A和第二氣源135B所流出的氣體的歧管。于一個實施例中，注入蓋129為第一歧管，所述第一歧管具有耦接至第一氣源135A的第一氣體通道500A和耦接至第二氣源135B的第二氣體通道500B。注入蓋129亦包含多個腔室(如，第一腔室505A和第二腔室505B)。第一腔室505A和第二腔室505B與第一氣體通道500A和第二氣體通道500B分別流體連通。[0053]由第一氣源135A所流出的第一氣體由第一腔室505A經(jīng)由于注入蓋129內(nèi)的第一導管510A而流動。第一導管510A與設置于阻擋襯里132G中的第一孔515A流體連通。第一氣體接著經(jīng)由第一孔515A流進注入嵌入襯里組件132F，所述注入嵌入襯里組件132F經(jīng)配置作為第二歧管。注入嵌入襯里組件132F包含第一氣體通道520A。注入嵌入襯里組件132F包含具有縱軸的通道525A，所述通道525A的縱軸與第一氣體通道520A的縱軸實質(zhì)正交。第一氣體由通道525A流進氣體分配歧管襯里400，所述氣體分配歧管襯里400經(jīng)配置作為第三歧管。氣體分配歧管襯里400包含與噴嘴535流體連通的第一氣室530A。于一個實施例中，噴嘴535經(jīng)調(diào)整成尺寸而較小于第一氣室530A，以限制通過氣體分配歧管襯里400的氣流。因此，第一氣體以高速離開第一出口210A。[0054]圖5B為圖5A的注入蓋129、阻擋襯里132G、注入嵌入襯里組件132F和氣體分配歧管襯里400的等角截面圖。來自第一氣源135A的第二氣體由第二腔室505B經(jīng)由于注入蓋129內(nèi)的第二導管510B而流動。第二導管510B與設置于阻擋襯里132G中的第二孔515B流體連通。第二氣體接著經(jīng)由第二孔515B流進注入嵌入襯里組件132F。注入嵌入襯里組件132F包含第二氣體通道520B。注入嵌入襯里組件132F包含具有縱軸的通道525B，所述通道525B的縱軸與第二氣體通道520B的縱軸實質(zhì)正交。第二氣體由通道525B流進氣體分配歧管襯里400。氣體分配歧管襯里400包含開口入第二出口210B的第二氣室530B。第二氣室530B經(jīng)調(diào)整成尺寸以防止節(jié)流并于氣體離開第二出口210B時提供層流的第二氣體。因此，第二氣體以一速度離開第二出口210B,所述速度遠低于第一氣體離開第一出口2IOA時的速度，以提供層流。[0055]圖5C為圖4的氣體分配組件128的示意性的上視截面圖。于一個實施例中，氣體分配組件128經(jīng)配置以于多個區(qū)域中流動氣體至處理容積110。注入蓋129包含多個第一腔室505A(以虛線圖示)和多個第二腔室505B。于此實施例中，兩個第一腔室505A設置于注入蓋129的中央?yún)^(qū)域中的第一腔室505A的側(cè)向外側(cè)。于注入蓋129的中央?yún)^(qū)域中的第一腔室505A界定內(nèi)區(qū)域A，而兩個第一腔室505A界定外區(qū)域A。所述第一腔室505A的每一個與設置于注入嵌入襯里組件132F中的多個第一通道525A流體連通。第一氣體的流量可于每一第一腔室505A內(nèi)受到控制，且流至多個第一通道525A。氣體由第一腔室505A流至通道525A，并接著經(jīng)由于氣體分配歧管襯里400中的開口210A(未圖示于此圖)而散發(fā)。[0056]同樣地，注入蓋129包含兩個第二腔室505B，所述兩個第二腔室505B設置于注入蓋129的中央?yún)^(qū)域中的第二腔室505B的側(cè)向外側(cè)。于注入蓋129的中央?yún)^(qū)域中的第二腔室505B界定內(nèi)區(qū)域B，而兩個第二腔室505B界定外區(qū)域B。所述第二腔室505B的每一個與設置于注入嵌入襯里組件132F中的多個通道525B流體連通。第二氣體的流量可于每一第二腔室505B內(nèi)受到控制，且流至多個通道525B。于一方面中，內(nèi)區(qū)域A和內(nèi)區(qū)域B的每一個水平地或側(cè)向地間隔開來以界定注入?yún)^(qū)域。于一個實施例中，如圖所示，在每一區(qū)域206A、206B內(nèi)每一通道525A與通道525B交替?？筛淖儦怏w分配組件128的結(jié)構(gòu)使得通道525A和525B于不同的配置中鄰近彼此或成組。[0057]圖6A為圖4中所示注入嵌入襯里組件132F的區(qū)域206A的等角視圖。注入嵌入襯里組件132F的區(qū)域206B實質(zhì)類似于區(qū)域206A，且為簡潔的目的而將不于此說明。區(qū)域206A包含主體600，所述主體600具有上表面605、次要側(cè)6IOA和主要側(cè)610B。主體600亦包含介于次要側(cè)610A和主要側(cè)610B之間的第一表面615A和第二表面615B。當安裝時，第一表面615A位于腔室100的外殼結(jié)構(gòu)102(圖1A)的外側(cè)，而第二表面615B位于腔室100的外殼結(jié)構(gòu)102內(nèi)。因此，區(qū)域206A的第二表面615B在處理期間與處理容積110接觸，而第一表面615A和鄰近第一表面615A的主體600的部分位于環(huán)境條件中。[0058]次要側(cè)610A和主要側(cè)610B的每一個包含一長度。主要側(cè)610B的長度大于次要側(cè)610A的長度。第一表面615A平坦，而第二表面615B由弧形所表示，此種形狀給了區(qū)域206A的主體600—個“排笛”(panflute)形。主體600亦包含多個互鎖裝置620，所述多個互鎖裝置620形成于主體600中、設置于主體600上或由主體600突出。于一個實施例中，互鎖裝置620的至少一部分包括由主體600延伸的突出部625A，此突出部625A適于作為公界面?；ユi裝置620的至少一部分包括形成于主體中的凹陷部625B，且凹陷部625B適于作為母界面?；ユi裝置620可用作索引特征結(jié)構(gòu)以及匹配界面，所述索引特征結(jié)構(gòu)以及匹配界面允許將處理套件200的元件耦接與解耦?；ユi裝置620亦包含通道525A和525B、第一氣體通道520A和第二氣體通道520B?？衫没ユi裝置620作為密封物以防止由通道525A、525B和通道520A、520B處泄漏或于通道525A、525B和通道520A、520B之間泄漏?；ユi裝置620可為圓形(如，突出部625A)、多邊形(如，凹陷部625B)或上述形狀的結(jié)合。設置于第一表面615A上的互鎖裝置620適于與設置于阻擋襯里132G上的匹配互鎖裝置620耦接。設置于上表面605上的互鎖裝置620適于與設置于氣體分配歧管襯里400(未圖示)上的對應互鎖裝置620耦接并促進安裝。[0059]圖6B為圖4的阻擋襯里132G的等角視圖。阻擋襯里132G包含主體630。主體630包含第一側(cè)635A和第二側(cè)635B。至少第一側(cè)635A包含多個互鎖裝置620。第二側(cè)635B亦可包含多個互鎖裝置620以促進將阻擋襯里132G耦接至注入蓋129(未圖示)。互鎖裝置620與圖6A中所述的互鎖裝置620類似，并包含如圖所示的突出部625A、凹陷部625B(未圖示)，或突出部625A和凹陷部625B的結(jié)合?；ユi裝置620可包含如圖所示的第一孔515A和第二孔515B。第一側(cè)635A的一部分適于耦接至區(qū)域206A的第一表面615A。將區(qū)域206A安裝至阻擋襯里132G可由互鎖裝置620而促進。第一側(cè)635A的剩余部分適于耦接至區(qū)域206B(未圖標)。為促進區(qū)域206A和區(qū)域206B的耦接，主體630包含一長度，所述長度是區(qū)域206A(圖6A)的第一表面615A和區(qū)域206B(圖4)的長度至少兩倍。[0060]圖7為可使用于圖1A的腔室100中的處理套件200的一個實施例的部分等角視圖。處理套件200包含注入襯里132E的一個實施例，以氣體分配歧管襯里700圖示，所述氣體分配歧管襯里700可耦接至注入嵌入襯里組件132F。阻擋襯里132G圖示介于注入蓋129和注入嵌入襯里組件132F的區(qū)域206A和206B之間。[0061]氣體分配歧管襯里700包含雙區(qū)域注入能力，其中每一區(qū)域提供不同的流動特點(如，速度)。雙區(qū)域注入包括設置于垂直間隔的不同平面中的第一注入?yún)^(qū)域710A和第二注入?yún)^(qū)域710B。于一個實施例中，注入?yún)^(qū)域710A和710B的每一個間隔開來以形成上區(qū)域和下區(qū)域。第一注入?yún)^(qū)域710A包含多個第一出口210A，且第二注入?yún)^(qū)域710B包含多個第二出口210B。于一個實施例中，每一第一出口210A設置于氣體分配歧管襯里700的第一表面720A中，而每一第二出口210B設置于氣體分配歧管襯里700的第二表面720B中，所述第二表面720B由第一表面720A而凹陷。舉例而言,第一表面720A可形成于一半徑上,所述半徑小于使用以形成第二表面720B的半徑。[0062]于一個實施例中，注入?yún)^(qū)域710A和710B適于提供不同的流體流動路徑，于所述不同的流動路徑處，流量指標(如，流體速率)可為不同。舉例而言，第一注入?yún)^(qū)域710A的第一出口210A以較高的速度提供流體以形成噴射流路徑133B，而第二注入?yún)^(qū)域710B的第二出口210B提供層流路徑133A。層流路徑133A和噴射流路徑133B可由氣體壓力、出口210A、210B的尺寸、設置于出口210A、210B和腔室505A、505B(圖示于圖5A和圖5B中)之間的導管尺寸(如，截面尺寸及/或長度)和設置于出口210A、210B和腔室505A、505B之間的導管中的彎曲角度及/或數(shù)目的一個或結(jié)合而提供。當流體進入處理容積110時，流體的速度亦可由前驅(qū)物氣體的絕熱膨脹所提供。[0063]于一方面中，由第一注入?yún)^(qū)域710A和第二注入?yún)^(qū)域710B所提供的雙區(qū)注入促進用于不同氣體的注入水平的變化。于一個實施例中，第一注入?yún)^(qū)域710A和第二注入?yún)^(qū)域710B在不同的平面間隔開來而于襯底114的表面116(皆圖不于圖1A)上方以不同的垂直距離提供前驅(qū)物至處理容積110(圖示于圖1A)。此垂直間隔通過依賴可能使用的一些氣體的絕熱膨脹而提供增強的沉積參數(shù)。[0064]圖8為可使用于圖1A的腔室100中的處理套件200的另一實施例的部分等角視圖。處理套件200與圖7中所示的處理套件200類似，除了圖示作為氣體分配歧管襯里800的注入襯里132E的不同實施例。于此實施例中，第一出口210A和第二出口設置于實質(zhì)相同平面中。[0065]圖9為可使用于圖1A的腔室100中的處理套件200的另一實施例的部分等角視圖。處理套件200與圖7或圖8中所示的處理套件200類似，除了圖示作為氣體分配歧管襯里900的注入襯里132E的不同實施例。于此實施例中，氣體分配歧管襯里900包含由第一表面720A向內(nèi)延伸的延伸構(gòu)件905。延伸構(gòu)件905包含第三表面910，所述第三表面910較氣體分配歧管襯里900的第一表面720A和第二表面720B更進一步延伸進處理容積110。延伸構(gòu)件905包含第一出口210A的一部分，而第一出口210A的剩余部分設置于氣體分配歧管襯里900的第一表面720A中。[0066]由第一出口210A和第二出口210B所提供的流徑的一個或結(jié)合可使得遍布襯底(未圖示)沉積均勻且均勻生長。于一個實施例中，延伸構(gòu)件905的第一出口210A用以注入前驅(qū)物氣體，所述前驅(qū)物氣體較由第二出口210B所提供的前驅(qū)物具有較快分離的傾向。此提供延伸的流徑以注入較快分離前驅(qū)物一較遠的距離且/或較接近襯底114的中央。因此，由第一出口210A和第二出口210B兩者所提供的前驅(qū)物的結(jié)合遍布于襯底114提供均勻分布和生長。[0067]于操作的實例中，形成硅(Si)和硅鍺(SiGe)或鎵(Ga)和砷(As)的毯覆或選擇薄膜的前驅(qū)物由一或多個氣源135A和135B(圖示于圖1A中)而提供至注入襯里132E。氣源135A、135B可包含硅前驅(qū)物(如，硅烷(包含硅甲烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、六氯乙硅烷(Si2Cl6)、二溴娃烷(SiH2Br2)、較高階硅烷、上述物質(zhì)衍生物和上述物質(zhì)結(jié)合))，氣源135A、135B可包含含鍺前驅(qū)物(如，GeH4'Ge2H6'GeCl4'GeH2Cl2、上述物質(zhì)衍生物和上述物質(zhì)結(jié)合)。氣源135AU35B亦可包含含鎵前驅(qū)物(如，三甲基鎵(Ga(CH3)3(TMGa))、磷化鎵(GaP))，及含砷前驅(qū)物(如，三氯化砷(AsCl3)、三氫化砷(AsH3)、叔丁基砷(tertiary-butylarsine,TBA)、上述物質(zhì)衍生物和上述物質(zhì)結(jié)合)。含娃、含鍺、含鎵及/或含砷前驅(qū)物可與HC1、Cl2,HBr和上述物質(zhì)結(jié)合而結(jié)合使用。氣源135A、135B可于氣源135AU35B的一個或兩個中包含有一或多種含硅、含鍺、含鎵及/或含砷前驅(qū)物。舉例而言，氣源135A可包含前驅(qū)物材料，如H2或Cl2，而氣源135B可包含含硅、含鍺、含鎵及/或含砷前驅(qū)物、上述物質(zhì)衍生物或上述物質(zhì)結(jié)合。于另一方面中，氣源135A、135B可包含三族及五族氣體的一種或結(jié)合。于另一方面中，氣源135AU35B可包含叔丁基砷(tertiary-butylarsine,TBA)及/或三甲基嫁(TMGa)。[0068]氣源135AU35B可以一方式而耦接注入襯里132E，所述方式經(jīng)配置以促進氣體分配組件128(圖標于圖1A和圖5A-5C中)內(nèi)的分離引入?yún)^(qū)域，所述氣體分配組件128耦接至注入襯里132E。舉例而言，氣體分配組件128可促進多個注入?yún)^(qū)域(如，圖標于圖5C中的外區(qū)域A和B及內(nèi)區(qū)域A和B)。氣體經(jīng)由注入襯里132E而流至處理容積110并經(jīng)由于一或多個平面的第一出口210A和第二出口210B而注入處理容積，所述一或多個平面實質(zhì)平行于襯底114的平面。此外，氣體可以不同速率流進處理容積110。成分氣體經(jīng)由注入襯里132E而進入處理容積110且經(jīng)由排氣嵌入襯里132C而離開，使用所述成分氣體來清潔/鈍化襯底表面或使用所述成分氣體來形成含硅薄膜或含鍺薄膜，所述含硅薄膜或含鍺薄膜外延地生長在襯底114上。[0069]于一個實施例中，由燈模塊118A和118B所提供于處理容積100中的低波長輻射被使用以激發(fā)反應物質(zhì)并幫助吸附反應物和由襯底114的表面116分離工藝副產(chǎn)物。取決于正在外延生長的薄膜的成分，結(jié)合所提供的各種波長的低波長輻射通常從約0.8微米(μπι)至約1.2μm(如，約0.95μm至約1.05μπι)變化。紫外線光源(未圖標)可取代燈模塊118Α和118Β，或紫外線光源可結(jié)合燈模塊118Α和118Β而使用。于一個實施例中(未圖示)，輻射由紫外線光源(如，準分子燈)而提供。[0070]于處理容積110中的溫度可控制于約200°C至約600°C的溫度范圍內(nèi)。于處理容積110中的壓力可介于約0.1Torr至約600Torr之間(如,介于約5Torr至約30Torr之間)。襯底114表面116上的溫度可由對于下腔室108中的下燈模塊118B做功率調(diào)整，或由同時對于上腔室106上的上燈模塊118A及下腔室108下的下燈模塊118B做功率調(diào)整而控制。于處理容積110中的功率密度可介于約40W/cm2至約400W/cm2(如，約80W/cm2至約120W/cm2)之間。[0071]提供包含處理套件200的襯里組件,所述處理套件200包括如圖1A-9中所述的襯里132A-132H。襯里132A-132H為模塊化且適于單獨地或全部地替換。襯里132A-132H可由石英而制成，不管是透明的或石英，可利用所述襯里132A-132H以配置用于不同工藝的腔室。襯里132A-132H的一或多個可以適于不同工藝的其它襯里取代，而無須替換其它襯里132A-132H。因此，襯里132A-132H促進配置用于不同工藝的腔室100，而無須替換所有襯里132A-132H。因模塊化設計的緣故，襯里132A-132H是成本高效的，以生產(chǎn)并提供額外的彈性和成本節(jié)省。此外，若襯里132A-132H中的一個受損時，可提供單一替換的襯里而無須替換全部的襯里132A-132H。若有需要，襯里132A-132H可輕易地替換?？墒褂脷怏w分配歧管襯里400、700、800或900的各種額外實施例以促進進入處理容積110的流體的不同流動圖案。所有這些因素導致時間和成本的節(jié)省，而時間和成本的節(jié)省降低腔室的停機時間和所有者的成本，并可使執(zhí)行于腔室100中的工藝具有靈活性。[0072]盡管前述部分針對本發(fā)明的實施例，本發(fā)明的其它或進一步的實施例可設計而不背離本發(fā)明的基本范圍，且本發(fā)明的范圍由以下的權(quán)利要求而決定?！緳?quán)利要求】1.一種用于襯底處理腔室的模塊襯里組件，所述模塊襯里組件包括:第一襯里，所述第一襯里包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體經(jīng)調(diào)整尺寸以容納于腔室的處理容積中；第二襯里，所述第二襯里包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體經(jīng)調(diào)整尺寸以容納于所述腔室的所述處理容積中'及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體通過所述第一襯里和所述第二襯里而延伸，所述第三襯里具有設置于所述處理容積中的第一端和設置于所述腔室外側(cè)的第二端。2.如權(quán)利要求1的襯里組件，其中所述第三襯里包括氣體分配歧管。3.如權(quán)利要求2的襯里組件，其中所述氣體分配歧管包括多個第一通道和多個第二通道。4.如權(quán)利要求3的襯里組件，其中所述多個第一通道與所述多個第二通道交替。5.如權(quán)利要求3的襯里組件，其中所述多個第一通道提供流量指標，所述流量指標與所述多個第二通道所提供的流量指標不同。6.如權(quán)利要求2的襯里組件，其中所述氣體分配歧管包含多個第一出口和多個第二出□。7.如權(quán)利要求6的襯里組件，其中所述多個第一出口設置于第一平面中，且所述多個第二出口設置于第二平面中，所述第二平面與所述第一平面不同。8.如權(quán)利要求6的襯里組件，其中所述多個第一出口形成于具有第一半徑的所述氣體分配歧管的表面中，且所述多個第二出口形成于具有第二半徑的所述氣體分配歧管的表面中，所述第二半徑與所述第一半徑不同。9.如權(quán)利要求1的襯里組件，其中所述第三襯里包括排氣襯里。10.一種用于襯底處理腔室的模塊襯里組件，所述模塊襯里組件包括:第一襯里和第二襯里，所述第一襯里和所述第二襯里的每一個包括環(huán)形主體，所述環(huán)形主體具有形成于所述環(huán)形主體中的多個凹部；及至少第三襯里，所述第三襯里包括主體，所述主體容納于并至少部分接觸所述多個凹部的一部分。11.如權(quán)利要求10的襯里組件，其中所述第三襯里包括氣體分配歧管、流量閥襯里或排氣嵌入襯里組件中的一個。12.如權(quán)利要求11的襯里組件，其中所述氣體分配歧管包括多個第一通道和多個第二通道。13.如權(quán)利要求12的襯里組件，其中所述多個第一通道與所述多個第二通道交替。14.如權(quán)利要求12的襯里組件，其中所述多個第一通道提供流量指標，所述流量指標與所述多個第二通道所提供的流量指標不同。15.如權(quán)利要求10的襯里組件，其中所述第一襯里和所述第二襯里設置于腔室的處理容積中，且所述第三襯里的所述主體包含設置于所述處理腔室中的第一端和設置于所述腔室外側(cè)的第二端。【文檔編號】H01L21/205GK103430285SQ201180069452【公開日】2013年12月4日申請日期:2011年7月26日優(yōu)先權(quán)日:2011年3月22日【發(fā)明者】戴維·基思·卡爾森,穆罕默德(圖魯爾)·薩米爾,尼歐·謬申請人:應用材料公司