專利名稱：光電子半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種根據權利要求1的前序部分所述的光電子半導體器件，尤其是轉換型LED。本發(fā)明也描述一種相關的制造方法。
背景技術：
US5998925公開 一種典型的白色LED。在此典型的是，將發(fā)光材料懸浮在硅樹脂中并且隨后施加到芯片上，通常是絲網印刷所述硅樹脂。層大約為30μπι厚。硅樹脂具有差的導熱性，所述差的導熱性導致發(fā)光材料在工作時被強烈地加熱，并且由此變得更低效。目前，借助于有機粘接劑將轉換元件固定在芯片上。W02006/122524描述了一種發(fā)光轉換型LED，所述發(fā)光轉換型LED應用嵌入到玻璃中的發(fā)光材料。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是，在根據權利要求1的前序部分所述的光電子半導體器件中針對轉換元件中的散熱問題而提出一種改進的解決方案。另一目的在于，為此提出一種制造方法。所述目的通過權利要求1的特征來實現。尤其有利的設計方案在從屬權利要求中得出。本發(fā)明解決下述問題:通過用具有更好的導熱性和UV抗性的玻璃和陶瓷或玻璃陶瓷來替代有機材料(塑料)而引起更強的轉換元件的散熱來改進LED的效率和使用壽命。根據本發(fā)明，應用被結構化的單獨的轉換元件的改變的形成:將薄的透明的或半透明的陶瓷薄膜或玻璃陶瓷薄膜用作為基底或載體材料。載體薄膜的厚度位于> Iym至(100 μ m、優(yōu)選彡3 μ m至< 50 μ m、尤其彡5 μ m至< 20 μ m的范圍中。所述薄膜例如能夠通過刮片法(Doktor-Blade-Verfahren)制造并且接下來熱燒結。隨后將薄的緊湊的且相對少氣泡的玻璃層層壓到薄膜上。少氣泡的層的意義在于其降低的散射效應。術語少氣泡尤其表示，氣泡在玻璃層中的比例最高總計為10%的體積百分比、優(yōu)選最高為5%的體積百分比、尤其優(yōu)選為最高1%的體積百分比。由于在制造玻璃基體時的溫度控制，能夠目的明確地調節(jié)所述參數。溫度越高，玻璃層就越是少氣泡的。與此相比，在明顯更低的溫度下進行發(fā)光材料的沉入，以便盡可能地避免發(fā)光材料的損壞。玻璃層越是少氣泡的，就能夠越薄地選擇玻璃層。這改進放射的均勻性，也就是色度坐標在角度上的改變。玻璃層的厚度越小，不期望的側向放射就減少地就越多。玻璃層的厚度為彡200 μ m、優(yōu)選為彡100 μ m、尤其為彡50 μ m，但是至少與最大的發(fā)光材料顆粒一樣高。所述層例如能夠通過絲網印刷玻璃粉末并接下來進行玻璃化或通過將熔化的玻璃直接拉到薄膜上來施加。優(yōu)選A1203、YAG、AIN、A10N、SiAlON或玻璃陶瓷適合作為用于基底的材料。低熔點的玻璃優(yōu)選適合作為用于玻璃層的材料，所述低熔點的玻璃優(yōu)選為無鉛的或低鉛的并具有<500°C、優(yōu)選為350°C至480°C的軟化溫度，如在DE102010009456.0中所述。優(yōu)選地，所述系統(tǒng)形成層壓層。 隨后，例如通過絲網印刷或噴射法將發(fā)光材料施加到層壓層的玻璃層上。那么，用發(fā)光材料覆層的層壓層被加熱到(在此，溫度尤其最高位于玻璃的所謂半球點，尤其位于玻璃的至少Tg，尤其優(yōu)選地位于玻璃的至少軟化溫度)，使得玻璃僅略微軟化并且發(fā)光材料沉入到玻璃層中并且由所述玻璃層包圍。沉入的優(yōu)點在于，對此僅需要低的溫度，并且由此沒有損壞發(fā)光材料。這在DE102010009456.0中的玻璃的情況下為最高350°C的溫度。原則上，全部已知的適用于LED轉換的發(fā)光材料或發(fā)光材料的混合物，例如尤其為石榴石、次氮基硅酸鹽、正硅酸鹽、氮氧化硅、硅鋁氧氮聚合材料、Cal sine等，適合于用作發(fā)光材料。一個替選方案為將由玻璃粉末和發(fā)光材料組成的粉末混合物施加到經燒結的薄膜上，即基底上。但是對此，與沉入相比需要明顯更高的溫度，尤其是至少相應于玻璃的流動點并且優(yōu)選地最高相應于玻璃的細化溫度的溫度，以便產生少氣泡的層，因為對此玻璃必須是極其低粘性的，使得所包圍的空氣能夠逸出并且發(fā)光材料顆粒此外起粘性提高的作用?？赡艿氖窃跓Y期間需要例如為真空的附加工藝。這在DE102010009456.0中的玻璃的情況下為最低400°C的溫度。作為其他的替選方案可能的是，將基底選擇成由陶瓷或玻璃陶瓷制成的極其薄的薄膜，并且隨后由玻璃滲透。與兩個開頭提到的實例相比，在該情況下基底必須僅略微被燒結，對此與“更緊湊”的燒結相比降低了燒結溫度或縮短了燒結時間；也就是說，僅選擇成高到使陶瓷的顆粒相互固定并且留下許多孔，即形成多孔體?？紫抖任挥谠?0%至70%體積百分比之間的范圍內、優(yōu)選為至少50%。隨后，直接施加薄的、至少為Iym并且至高為200 μ m厚的玻璃層，并且隨后加熱到至少相應于玻璃的流動點、優(yōu)選地最高相應于玻璃的細化溫度的溫度，使得玻璃變得極其易流動、進而通過毛細作用拉到為基底的多孔的薄膜中。由此，形成實際的基底。玻璃優(yōu)選為的低熔點的玻璃，優(yōu)選地是無鉛或少鉛的，具有為最高500°C的軟化溫度，如在DE102010009456.0中所述。用于滲透的溫度在該情況下位于至少400°C、優(yōu)選為至少500°C。在此，能夠目的明確地將過量玻璃施加到薄膜上，以便將薄的玻璃層保留在薄膜的表面上。能夠在為至少50°C的相對低的溫度下，優(yōu)選地在更高的溫度下，也就是說在最高相應于玻璃的半球點的溫度下，隨后施加到基底上的發(fā)光材料能夠沉入到基底中，更確切地說，沉入到包含在孔中的玻璃中。這在DE102010009456.0中的玻璃的情況下為最高350°C的溫度。在玻璃過量的情況下，在第一實施例中，在薄膜的表面上保留有薄的玻璃層，發(fā)光材料沉入到所述玻璃層中。在該情況下的附著比在層壓層的情況下的附著明顯更結實。如果在第二實施例中，在薄膜表面上沒有玻璃過量，那么發(fā)光材料沉入到基底的玻璃陶瓷混合物的表面結構中。能夠借助于例如為低熔點玻璃或無機溶膠的無機粘接劑或者借助于例如為硅樹脂或有機溶膠的有機粘接劑將轉換元件固定在芯片上。這同樣也能夠用作“遠程磷光”，也就是與芯片間隔開。在一個特別的設計方案中，基底的，尤其是層壓層的所使用的玻璃是低熔點的并且同時用作轉換元件和芯片之間的無機粘接劑。這種玻璃例如在DE102010009456.0中描述并且實現在< 350°C的溫度下沉入發(fā)光材料并且粘接芯片和轉換元件。玻璃在該情況下朝向芯片。在另一個設計方案中，薄膜在兩側用玻璃覆層并且必要時用發(fā)光材料在一側或兩側上覆層。例如通過將薄膜浸入、即所謂的浸潰到玻璃熔化物中來進行玻璃的施加。隨后，在低溫下，必要時在兩個步驟中進行發(fā)光材料的覆層以及發(fā)光材料沉入到玻璃中。尤其是層壓層的基底也能夠是夾層狀，也就是說具有沉入的發(fā)光材料的玻璃層位于兩個薄膜之間，所述兩個薄膜由相同的或不同的材料制成并且在單側或兩側用玻璃覆層。在此，玻璃材料能夠選擇為是不同的。優(yōu)選地，玻璃是高折射率的(優(yōu)選地，η>1.8)，特別地，玻璃的折射率選擇成與嵌入的一個或多個發(fā)光材料組分的折射率相似并且與陶瓷/玻璃陶瓷的折射率相似。陶瓷薄膜或玻璃陶瓷薄膜能夠朝向或背離芯片。在后一種情況下，陶瓷也具有光散射的作用。此外，該光散射的作用與包含在陶瓷或玻璃陶瓷中的顆粒的粒度相關并且有時能夠通過熱處理來影響。粒度典型地位于< 60 μ m、優(yōu)選地位于< 40 μ m、尤其優(yōu)選地位于< 30 μ m。粒度能夠最小為Inm,較好地最小為5nm,更好地最小為IOnm,對于許多應用而言，IOOnm的最小值是足夠的。優(yōu)選地，將一束尤其基于層壓層的轉換元件作為較大的部分在一個工作過程中制造并且隨后才切割成較小的部分，即實際的轉換元件。具有沉入的發(fā)光材料的玻璃層的厚度優(yōu)選應當為< 200 μ m、優(yōu)選為< 100 μ m、尤其為< 50 μ m。優(yōu)選地，玻璃層的厚度至少與所應用的發(fā)光材料粉末的最大的發(fā)光材料顆粒
一樣高，尤其至少為其二倍厚。適合作為玻璃基體的例如為磷酸鹽玻璃和硼酸鹽玻璃、尤其為堿性磷酸鹽玻璃、磷酸鋁玻璃、磷酸鋅玻璃、磷亞碲酸鹽玻璃、硼酸鉍玻璃、硼酸鋅玻璃和硼酸鉍鋅玻璃。所述玻璃基體包括由以下體系組成的成分:R2O-ZnO-Al2O3-B2O3-P2O5 (R2O=堿金屬氧化物)；R2O-TeO2-P2O5 (R2O=堿金屬氧化物和/或銀氧化物)，也結合ZnO和/或Nb2O5,例如 Ag2O-TeO2-P2O5-ZnO-Nb2O5 ；ZnO-Bi2O3-B2O3,也結合SiO2和/或堿金屬氧化物和/或堿土金屬氧化物和/或Al2O3,例如 Zn0_Bi203_B203_Si02 或 ZnO-Bi2O3-B2O3-BaO-SrO-SiO2 ；ZnO-B2O3，也結合SiO2和/或堿金屬氧化物和/或堿土金屬氧化物和/或Al2O3，例如 ZnO-B2O3-SiO2 ；Bi2O3-B2O3,也結合SiO2和/或堿金屬氧化物和/或堿土金屬氧化物和/或Al2O3,例如 Bi203-B203-Si02。盡管原則上硼酸鉛玻璃是適合的，然而并非是優(yōu)選的，因為硼酸鉛玻璃不是通過不符合RoHS (關于限制在電子電器設備中使用某些有害成分的指令)。載體薄膜能夠由玻璃陶瓷或例如為A1203、YAG、AIN、A10N、SiAlON等的陶瓷制成。載體薄膜的厚度優(yōu)選位于< 100 μ m、優(yōu)選< 50 μ m、尤其< 20 μ m的范圍中。但是，厚度能夠最小為I P m、更好為3 μ m、優(yōu)選地至少為5 μ m厚。在另一實施形式中，包含在玻璃陶瓷中的晶體自身能夠通過激發(fā)芯片的初級輻射而被激發(fā)成用于發(fā)熒光，進而有助于轉換。已知的實例為YAG:Ce。
在一個尤其優(yōu)選的設計方案中，陶瓷薄膜包含例如為YAG:Ce的發(fā)光材料或者部分地或完全地由其制成。隨后，將薄的少氣泡的玻璃層層壓到陶瓷薄膜上，在所述玻璃層上施加有單獨的發(fā)光材料。所述發(fā)光材料由于后續(xù)的略微加熱而沉入到玻璃中。所施加的單獨的發(fā)光材料通常能夠為另一種發(fā)光材料，其發(fā)射與發(fā)射黃色的YAG:Ce的發(fā)射相比位于不同的光譜范圍中。例如，單獨的發(fā)光材料是發(fā)射紅色的發(fā)光材料，由此借助于發(fā)射藍色的芯片和發(fā)射黃色的陶瓷來產生暖白色光。通過選擇所述另一種發(fā)光材料的比例，能夠控制LED的色坐標。也可能的是，附加地將與已在基底的陶瓷中引入的發(fā)光材料相同的或相似的發(fā)光材料引入到玻璃層中，例如以便補償取決于芯片的色坐標波動(偏移)。在轉換元件的玻璃質的層中也能夠包含多種發(fā)光材料。在此，所述多種發(fā)光材料不必一定是均勻分布的，所述多種發(fā)光材料也能夠以局部不同的方式被引入。此外，也能夠將例如為Al203、Ti02、Zr02的氧化物顆粒作為散射劑添加給發(fā)光材料。在另一個設計方案中，已包含發(fā)光材料的兩種陶瓷(陶瓷轉換器)用玻璃薄地覆層。然后，兩個陶瓷薄板中的一個的玻璃質的層用發(fā)光材料覆層，所述發(fā)光材料在熱處理之后沉入到所述玻璃質的層中。隨后，將兩個陶瓷薄板的玻璃質的表面相互層疊并且在另一個溫度步驟中相互粘接。兩個陶瓷薄板的色坐標在此通常不同于沉入的發(fā)光材料的色坐標。在先前實例的一個特別的設計方案中，僅一個陶瓷薄板用玻璃薄地覆層并且隨后在熱處理中與另一個陶瓷薄板粘接。此外，可能的是，作為基底的陶瓷薄板在兩側用玻璃薄地覆層，使得也能夠在兩側施加具有相同或不同發(fā)射的發(fā)光材料。相似地，也可以借助作為基底的玻璃陶瓷。由如上述的不同的變型形式的組合組成的實施形式同樣也是可能的。重要的是，轉換元件由玻璃和基底的組合組成，即由陶瓷或玻璃陶瓷組成，其中將發(fā)光材料嵌入到玻璃中。玻璃基體可能能夠同時用作用于芯片和轉換元件的復合結構的粘接劑。所應用的玻璃應當選擇成是致密的，即是熔化且少氣泡的。無論是陶瓷或玻璃陶瓷的基底也都能夠用作為光散射的元件并且至少是半透明的。無論是陶瓷或玻璃陶瓷的基底自身也都能夠包含發(fā)光材料或由其制成。光電子半導體器件能夠是LED還或者是激光器。以編號形式列舉的本發(fā)明的主要特征:1.光電子半導體器件，所述光電子半導體器件具有光源、殼體和電端子，其中所述光源具有芯片，所述芯片發(fā)射UV或藍色的初級輻射，所述初級輻射的波長峰值尤其位于300nm至490nm的范圍中,其中所述初級福射部分地或完全地通過之前安裝的轉換元件而轉換成其他波長的輻射，其特征在于，所述轉換元件具有半透明的或透明的基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，其中所述基底施加有玻璃基體，在所述玻璃基體中嵌入有發(fā)光材料。2.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體施加在所述基底上作為層。3.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底具有孔，所述玻璃基體至少部分地被引入到所述孔中。
4.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底和所述玻璃基體形成層壓層。5.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體同時用作為用于芯片和轉換元件的復合結構的粘結劑或用于兩個轉換元件的復合結構的粘結劑。6.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體是少氣泡的或是基本上不含氣泡的。7.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底自身部分地或完全地是發(fā)熒光的。8.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底在兩側上施加有玻璃基體。9.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述轉換元件借助于粘接劑固定在所述芯片上或與所述芯片間隔地安裝。10.用于制造用于根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件的轉換元件的方法，其特征在于，在第一步驟中提供基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，隨后在第二步驟中將玻璃尤其作為玻璃粉末或熔化的玻璃施加到所述基底上，其中發(fā)光材料連同玻璃一起施加，或者隨后將發(fā)光材料引入到所述玻璃中。11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中層壓玻璃層，尤其通過絲網印刷玻璃質的粉末及隨后進行玻璃化或通過將熔化的玻璃直接地拉到所述基底上來層壓玻璃層。12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，緊接著將所述發(fā)光材料通過絲網印刷或噴射法施加到所述玻璃層上，并且隨后將所述轉換元件加熱至使得所述玻璃被略微加熱，以至于所述發(fā)光材料沉入到所述玻璃中并且由所述玻璃包圍。13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中層壓出玻璃層，所述玻璃層尤其通過絲網印刷預先與發(fā)光材料粉末混合的玻璃質的粉末及隨后進行玻璃化而已經設有發(fā)光材料。14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中通過滲透產生玻璃基體，其中預先燒結所述基底，使得所述基底含有大的孔，其中使所述玻璃是足夠易流動的，使得通過毛細作用將所述玻璃拉到所述基底的所述孔中。


在下文中將借助多個實施例來詳細地闡明本發(fā)明。附圖示出:圖1示出根據現有技術的轉換型LED ；圖2示出具有新型的轉換元件的LED ；圖3-7各示出用于具有新型的轉換元件的LED的另一個實施例；圖8示出具有孔和包含在其中的玻璃基體的基底，所述玻璃基體包含發(fā)光材料顆粒。
具體實施例方式圖1示出轉換型LEDl作為半導體器件，所述轉換型LED使用InGaN類型的芯片2作為初級輻射源。所述轉換型LED具有帶有板4和反射器5的殼體3，芯片位于所述板上。轉換元件6連接在芯片的上游，所述轉換元件借助于例如為YAG: Ce的發(fā)光材料將藍色輻射部分地轉換成波長更長的輻射。根據現有技術，轉換元件6是薄板形的并且具有硅樹脂床，發(fā)光材料粉末分散在所述娃樹脂床中。沒有不出相應于傳統(tǒng)技術的電端子。圖2示出根據本發(fā)明的第一實施例。在此，將由A1203制成的基底7用作轉換元件6，所述基底是半透明的并且薄板狀地成形為薄膜。在基體意義上，薄的玻璃層8施加到基底7上。發(fā)光材料顆粒分布在所述玻璃層中，所述發(fā)光材料顆粒沉入到玻璃基體中并且完全由所述玻璃基體覆蓋。玻璃層8和基底7形成層壓層，其中基底的涂覆有玻璃基體的一側朝向或背離芯片2。轉換元件借助于已知的粘接劑安裝在芯片上(沒有示出)。圖3示出LEDl的一個實施例，其中由陶瓷或玻璃陶瓷制成的用作基底7的薄膜僅短暫地在低溫下燒結。因此，所述薄膜具有多個開孔。玻璃基體填充所述孔。此外，通過應用過量的玻璃，由玻璃制成的薄的層11保留在基底的表面上。在玻璃基體中，發(fā)光材料分散在薄的層11的區(qū)域中和孔的區(qū)域中。圖8在沒有層11的情況下詳細地示出相似的構造。在那里，示出具有開孔12的基底7。玻璃基體10被吸入到孔中。發(fā)光材料顆粒13分散在玻璃基體中。圖4示意地示出LEDl的一個實施例，其中基底7經由傳統(tǒng)的粘接層(沒有額外示出)與InGaN類型的芯片2連接，所述芯片發(fā)射藍色(峰值在大約440nm至450nm)。玻璃基體8固定在基底7的背離芯片的一側上，所述玻璃基體具有嵌入到其中的發(fā)光材料。傳統(tǒng)的粘接層通常為硅樹脂。當使用相對溫度敏感的芯片時，使用所述粘接層。在溫度不太敏感的芯片中，由高折射率的玻璃制成的粘接層是有利的。因為，散熱因此更好并且光耦合輸出也更高。因此，效率提高。出于所述原因，獨立的技術解決方案是:將所提出的高折射率的玻璃單獨地用作為粘接劑(尤其是在朝向芯片或朝向殼體的方向上)，也就是說沒有嵌入發(fā)光材料。在該情況下，將發(fā)光材料單獨地引入到陶瓷基底中或者多個含發(fā)光材料的陶瓷基底能夠經由這樣的粘接劑彼此連接。圖5示意地示出LEDl的一個實施例，其中使用轉換元件6、16的雙重結構。從發(fā)射藍色的芯片起觀察，跟隨具有玻璃基體和優(yōu)選地發(fā)射紅色的例如為M2Si5N8:Eu的次氮基硅酸鹽的第一發(fā)光材料的第一層8的是第一基底7，所述第一基底又與第二玻璃基體8連接，所述第二玻璃基體又與第二基底7連接。在此，玻璃基體8總是自身作為粘接劑。合適的發(fā)光材料尤其為YAG = Ce或另一種石榴石、正硅酸鹽或氮氧化硅、次氮基硅酸鹽、硅鋁氧氮聚合材料、焙砂(Calsin)等。圖6示出LEDl的一個實施例，其中將轉換元件6間隔地連接到芯片2上游。在此，殼體的側壁5在其端部上支承轉換元件6，所述側壁例如通過對內壁適當地覆層而用作反射器。玻璃基體8又也用作朝向側壁的粘接劑，基底7背離芯片。轉換元件6封閉反射器的開口。圖7示出LEDl的實施例，其中轉換元件6構造為夾層狀。所述轉換元件使用具有大約380nm峰值波長的發(fā)射UV的芯片2。第一玻璃基體8直接地粘接在芯片2上，例如為諸如Calsin CaAlSiN3:Eu的紅色的、可激發(fā)UV的發(fā)光材料的第一發(fā)光材料分散在所述玻璃基體中。由YAG和YAG = Ce的混合物制成的、發(fā)射黃色的基底7位于第一玻璃基體的前方。例如為BAM:Eu的附加的發(fā)射藍色的發(fā)光材料分散在第二玻璃基體8中，所述第二玻璃基體在外部安裝在基底7前方。用于將UV部分轉換成藍光的轉換器的實施例例如為(Baa4Eu0.6) MgAl10O17,(Sra96Euatl4)ltl (PO4)6Cl2的高效的發(fā)光材料。用于將UV部分轉換成黃光的轉換器的實施例例如為(Sr1TyCexLiy) 2Si5N8的發(fā)光材料。特別地，在此，x和y分別位于0.1至0.01的范圍中。發(fā)光材料(Sr1TyCexLiy)2Si具是尤其適合的，其中x=y。用于將UV部分轉換成紅光的轉換器的實施例例如為本身眾所周知的次氮基硅酸鹽、Calsine或MSi202N2:Eu類型的氮氧化硅。
權利要求
1.光電子半導體器件，所述光電子半導體器件具有光源、殼體和電端子，其中所述光源具有芯片，所述芯片發(fā)射UV或藍色的初級輻射，所述初級輻射的波長峰值尤其位于300nm至490nm的范圍中，其中所述初級福射部分地或完全地通過之前安裝的轉換元件而轉換成其他波長的輻射，其特征在于，所述轉換元件具有半透明的或透明的基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，其中所述基底施加有玻璃基體，在所述玻璃基體中嵌入有發(fā)光材料。
2.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體施加在所述基底上作為層。
3.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底具有孔，所述玻璃基體至少部分地被引入到所述孔中。
4.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底和所述玻璃基體形成層壓層。
5.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體同時用作為用于芯片和轉換元件的復合結構的粘結劑或用于兩個轉換元件的復合結構的粘結劑。
6.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述玻璃基體是少氣泡的或是基本上不含氣泡的。
7.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底自身部分地或完全地是發(fā)熒光的。
8.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述基底在兩側上施加有玻璃基體。
9.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其特征在于，所述轉換元件借助于粘接劑固定在所述芯片上或與所述芯片間隔地安裝。
10.用于制造用于根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件的轉換元件的方法，其特征在于，在第一步驟中提供基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，隨后在第二步驟中將玻璃尤其作為玻璃粉末或熔化的玻璃施加到所述基底上，其中發(fā)光材料連同玻璃一起施加，或者隨后將發(fā)光材料弓I入到所述玻璃中。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中層壓玻璃層，尤其通過絲網印刷玻璃質的粉末及隨后進行玻璃化或通過將熔化的玻璃直接地拉到所述基底上來層壓玻璃層。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，緊接著將所述發(fā)光材料通過絲網印刷或噴射法施加到所述玻璃層上，并且隨后將所述轉換元件加熱至使得所述玻璃被略微加熱，以至于所述發(fā)光材料沉入到所述玻璃中并且由所述玻璃包圍。
13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中層壓玻璃層，所述玻璃層尤其通過絲網印刷預先與發(fā)光材料粉末混合的玻璃質的粉末及隨后進行玻璃化而已經設有發(fā)光材料。
14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步驟中通過滲透產生玻璃基體，其中預先燒結所述基底，使得所述基底含有大的孔，其中使所述玻璃是足夠易流動，使得通過毛細作用將所述玻璃拉到所述基底的所述孔中。
全文摘要
一種光電子半導體器件應用施加在轉換元件上的發(fā)光材料。轉換元件具有由陶瓷制成的、施加有玻璃基體的基底。
文檔編號H01L33/50GK103155187SQ201180048562
公開日2013年6月12日 申請日期2011年10月5日 優(yōu)先權日2010年10月8日
發(fā)明者安杰拉·埃貝哈特, 羅蘭·許廷格, 賴因霍爾德·施密特, 斯特凡·克特 申請人:歐司朗股份有限公司