專利名稱：超高選擇性的摻雜非晶碳可剝除硬掩模的開發(fā)與集成的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例大體上關(guān)于集成電路的制造，并且尤其關(guān)于含硼非晶碳層在半導體基板上的沉積。
背景技術(shù)：
集成電路已經(jīng)發(fā)展成可在單個晶片上包括數(shù)百萬個晶體管、電容器與電阻器的復雜器件。晶片設(shè)計的發(fā)展持續(xù)地需要更快速的電路以及更高的電路密度。對于具有更高電路密度的更快速電路的需求產(chǎn)生了對于用來制造此種集成電路的材料的相應需求。尤其，隨著集成電路部件的尺寸縮小到次微米尺度，現(xiàn)在必須使用低電阻率導電材料以及低介電常數(shù)絕緣材料來從此種部件獲得適當?shù)碾娦阅?。對于更高集成電路密度的需求亦產(chǎn)生了對于用在集成電路部件的制造的制程順序的需求。舉例而言，在使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)的制程順序中，能量敏感抗蝕劑層形成在多個材料層的堆疊上方，該多個材料層的堆疊設(shè)置在基板上。使能量敏感抗蝕劑層暴露于圖案的圖像，以形成光致抗蝕劑掩模。然后，使用蝕刻制程將掩模圖案轉(zhuǎn)移到堆疊的一或更多個材料層。用在蝕刻制程的化學蝕刻劑經(jīng)選擇成對堆疊的材料層比對能量敏感抗蝕劑掩模具有更大的蝕刻選擇性。也就是說，化學蝕刻劑會以比蝕刻能量敏感抗蝕劑更快的速率來蝕刻材料堆疊的一或更多個層。堆疊的一或更多個材料層相對于抗蝕劑的蝕刻選擇性防止在完成圖案轉(zhuǎn)移之前使能量敏感抗蝕劑被耗盡。因此，高選擇性蝕刻劑能提升精確的圖案轉(zhuǎn)移。隨著圖案尺寸縮小，能量敏感抗蝕劑的厚度必須相應地縮小，以為了控制圖案分辨率。由于會遭受化學蝕刻劑的攻擊，此種薄抗蝕劑層在圖案轉(zhuǎn)移步驟期間不足以遮蔽住下方的材料層。常常在能量敏感抗蝕劑層與下方的材料層之間使用中間層(例如氧氮化硅、碳化硅或碳膜)，以因中間層對化學蝕刻劑具有更大的阻抗能力而促進圖案轉(zhuǎn)移，其中該中間層稱為硬掩模。期望具有薄硬掩模，該薄硬掩模具有高蝕刻選擇性且在蝕刻制程完成后容易移除。隨著臨界尺寸(CD)減小，目前的硬掩模材料缺乏相對于下方材料的期望蝕刻選擇性且常常難以移除。所以，此技術(shù)領(lǐng)域中需要一種改善的硬掩模層與用于沉積改善的硬掩模層的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例大體上關(guān)于集成電路的制造，并且尤其關(guān)于含硼非晶碳層在半導體基板上的沉積。在一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含:在處理空間中提供基板；使含碳氫化合物氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；通過從RF源施加功率來產(chǎn)生含碳氫化合物氣體混合物的等離子體；使含硼氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；及在等離子體的存在下，在基板上沉積含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比為約10至約60的硼。在另一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含:在RF功率的存在下，使基板暴露于含碳氫化合物氣體的流動，以在基板上沉積不含硼的非晶碳膜；關(guān)閉RF功率，同時使含碳氫化合物氣體持續(xù)流動；及在RF功率的存在下，使基板暴露于含硼氣體的流動與含碳氫化合物氣體的流動，以在不含硼的非晶碳膜上沉積含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比為約30至60的硼。在一實例中，不含硼的非晶碳膜可具有約50A至約1000A的厚度,而含硼非晶碳膜可具有約300A至約5000A的厚度。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約20至約50的碳以及原子百分比為約10至約25的氫。此方法可更包含:蝕刻含硼非晶碳膜，以形成圖案化含硼非晶碳膜；及在基板中形成相應于圖案化含硼非晶碳膜的特征定義。在另一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含:在處理空間中提供基板；使含碳氫化合物氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；通過從RF源施加功率來產(chǎn)生含碳氫化合物氣體混合物的等離子體；在等離子體的存在下，在基板上沉積不含硼的非晶碳膜；使含硼氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；及在等離子體的存在下，在不含硼的非晶碳膜上沉積含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比為約10至約60的硼。在另一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含:在處理腔室中提供基板；使含碳氫化合物氣體混合物流動到處理腔室內(nèi)；從含碳氫化合物氣體混合物產(chǎn)生第一等離子體，以在基板上沉積不含硼的非晶碳膜，不含硼的非晶碳膜具有約300A至約5000A的厚度;通過關(guān)閉第一等離子體同時使含碳氫化合物氣體混合物持續(xù)流動到處理腔室內(nèi)來穩(wěn)定化處理腔室內(nèi)的處理條件；使含硼氣體混合物流動到處理腔室內(nèi)；及從含碳氫化合物氣體混合物與含硼氣體混合物產(chǎn)生第二等離子體，以在不含硼的非晶碳膜上沉積含硼非晶碳膜，含硼非晶碳膜具有約300A至約5000A的厚度。在一實例中，含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約10至約60的硼。此方法可更包含:使用含有過氧化氫與硫酸的溶液來移除含硼非晶碳膜；及使用含氫等離子體、含氧等離子體或它們的組合來移除不含硼的非晶碳膜。在又一實施例中，提供一種含硼非晶碳膜。含硼非晶碳膜含有原子百分比為約10至約60的硼、原子百分比為約20至約50的碳與原子百分比為約10至約30的氫。在又一實施例中，提供一種半導體器件。此器件包含:不含硼的非晶碳膜，該不含硼的非晶碳膜沉積在基板上方，該不含硼的非晶碳膜具有約50A至約5000A的厚度；含硼非晶碳膜，該含硼非晶碳膜沉積在不含硼的非晶碳膜上，其中含硼非晶碳膜具有約300A至約5000Λ的厚度且含有原子百分比為約10至60的硼；抗反射涂覆膜，該抗反射涂覆膜沉積在含硼非晶碳膜上；及光致抗蝕劑膜，該光致抗蝕劑膜沉積在抗反射涂覆膜上。在另一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含:在RF功率的存在下，使基板暴露于氣體混合物的流動，以在基板上方沉積含硼非晶碳膜，該氣體混合物包含含碳氫化合物氣體與含硼氣體；蝕刻含硼非晶碳膜，以形成圖案化含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比為約35至約60的硼且具有約300A至約5000A的厚度；及在基板中形成相應于圖案化含硼非晶碳膜的特征定義。在一實例中，含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約20至約50的碳與原子百分比為約10至約25的氫。


因此，可詳細理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，即上文簡要概述的本發(fā)明的更特定描述可參照實施例進行，其中一些實施例圖示在附圖中。但是應注意的是，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施例，因此附圖不應被視為會對本發(fā)明范圍構(gòu)成限制，此是因為本發(fā)明可允許其他等效實施例。圖1圖示裝置的示意圖，該裝置可用于實施在此所述的實施例；圖2是制程流程圖，該制程流程示用于根據(jù)在此所述的實施例沉積含硼非晶碳膜的方法的一實施例；圖3圖示根據(jù)在此所述的實施例的基板結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，該基板結(jié)構(gòu)具有作為硬掩模層的含硼非晶碳層；圖4是制程流程圖，該制程流程示用于根據(jù)在此所述的實施例沉積含硼非晶碳膜的方法的一實施例；圖5圖示根據(jù)在此所述的實施例的基板結(jié)構(gòu)的示意剖視圖，該基板結(jié)構(gòu)在未摻雜非晶碳膜上方具有作為硬掩模層的含硼非晶碳層；圖6是一圖表,該圖表圖不已知的未摻雜非晶碳膜對根據(jù)在此所述的實施例所沉積的含硼非晶碳膜的毯覆蝕刻選擇性；及圖7是一圖表，該圖表圖示已知的未摻雜非晶碳膜對根據(jù)在此所述的實施例所沉積的含硼非晶碳膜的毯覆蝕刻選擇性。然而，應了解，附圖僅圖示本發(fā)明的示范性實施例，因此附圖不應被視為會對本發(fā)明范圍構(gòu)成限制，此是因為本發(fā)明可允許其他等效實施例。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例大體上關(guān)于集成電路的制造，并且尤其關(guān)于含硼非晶碳層在半導體基板上的沉積，特別是關(guān)于含硼非晶碳層的沉積。在邏輯與存儲器器件結(jié)構(gòu)中，供深接觸所用的高深寬比蝕刻可具有10-75:1的深寬比，其中硬掩模占總堆疊厚度的10-40%。在一實施例中，提供改善蝕刻選擇性40-80%的含硼非晶碳膜，該含硼非晶碳膜能容許減少硬掩模厚度類似相應的量。在另一實施例中，提供含硼膜，含硼膜的蝕刻阻抗性是目前已知的未摻雜非晶碳膜的蝕刻阻抗性的2-20倍，此能容許硬掩模厚度與結(jié)構(gòu)深寬比的減少。在此所述的特定實施例改善硬掩模輪廓、臨界尺寸控制與臨界尺寸均勻性。在各種實施例中，可使用含碳氫化合物氣體、含硼氣體與惰性/載體氣體(諸如氬、氮與氦)來沉積含硼非晶碳層。有利地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可使用工業(yè)接受的濕法蝕刻化學方式將含硼非晶碳膜從下方材料輕易地剝除，而不會損壞下方的介電質(zhì)膜。本發(fā)明的實施例亦提供多層硬掩模，多層硬掩模包含非晶碳層與沉積在非晶碳層上的含硼非晶碳層。在一實施例中，含硼非晶碳膜含有原子百分比為約10至約60的硼。非晶碳層的厚度可為約50A至約5000A。含硼非晶碳膜可具有約300A至約5000A的厚度。在非晶碳層具有約50._\哐約j 000人的厚度的情況中，下方的非晶碳層可作為基板與含硼非晶碳層之間的過渡層，以在使用含硼氣體(諸如乙硼烷)的后續(xù)的含硼非晶碳沉積期間避免非晶硼(難以移除)會直接地形成在基板上。除了作為過渡膜，在非晶碳層具有約300A至約5000人的厚度的特定實施例中，含硼非晶碳層可在具有良好的硬掩模性能(例如良好的CD控制與特征輪廓)的主要蝕刻制程期間被耗盡，同時具有足夠厚的非晶碳層，其中可使用傳統(tǒng)的氧等離子體將該足夠厚的非晶碳層容易地灰化，以致下方的層能完成圖案化而不會損壞下方的層。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，說明書中所使用的詞語“含硼非晶碳”大體上涵蓋硼碳材料，無論是碳化硼的形式或非化學計量混合物的硼與碳或摻雜有硼的非晶碳皆可。亦應了解，盡管材料在此稱為“非晶”，但是沒有意圖將此詞語意指膜中完全不含有結(jié)晶結(jié)構(gòu)，而僅是表示目前可取得的技術(shù)無法識別出結(jié)晶結(jié)構(gòu)。圖1圖示基板處理系統(tǒng)132的示意圖，基板處理系統(tǒng)132可用于根據(jù)在此所述的實施例執(zhí)行非晶碳層的沉積。可用于實施本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)132的一實例的細節(jié)被描述在共同受讓的美國專利US6，364，954中，美國專利US6，364，954在2002年4月2日被授予Salvador等人且在此以引用方式被并入到本文內(nèi)。適當?shù)南到y(tǒng)的實例包括能從美國加州圣克拉拉市的應用材料公司購得的可使用DxZ 處理腔室的CENTURA 系統(tǒng)、PRECISION 5000 系統(tǒng)、PRODUCER 系統(tǒng)、PRODUCER GT 與 PRODUCER SE 處理腔室。可了
解，其他處理系統(tǒng)(包括能從其他制造商取得的處理系統(tǒng))可適于實施在此所述的實施例。處理系統(tǒng)132包括處理腔室100，處理腔室100耦接到氣體面板130與控制器110。大體上，處理腔室100包括頂壁124、側(cè)壁101與底壁122，頂壁124、側(cè)壁101與底壁122界定內(nèi)部處理空間126。支撐載座150被提供在腔室100的內(nèi)部處理空間126中。載座150由桿160來支撐，并且載座150可典型地由鋁、陶瓷與其他適當材料制成?？墒褂梦灰茩C構(gòu)(未圖示)在腔室100內(nèi)將載座150移動于垂直方向。載座150可包括嵌設(shè)加熱器構(gòu)件170,嵌設(shè)加熱器構(gòu)件170適于控制被支撐在載座150的表面192上的基板190的溫度?？赏ㄟ^施加來自電源106的電流到加熱器構(gòu)件170，以將載座150電阻式加熱。加熱器構(gòu)件170可由鎳-鉻導線制成，其中鎳-鉻導線被封裝在鎳-鐵-鉻合金(例如INCOLOY ■；)的鞘管中。從電源106供應的電流由控制器110
來調(diào)節(jié)，以控制加熱器構(gòu)件17 0產(chǎn)生的熱，藉此在膜沉積期間將基板190與載座150維持在實質(zhì)上恒定的溫度。可調(diào)整所供應的電流，以將載座150的溫度選擇性地控制在約100°C至約700°C之間。溫度感測器172 (諸如熱電偶)可被嵌設(shè)在支撐載座150中，以利用傳統(tǒng)方式來監(jiān)控載座150的溫度。控制器110使用測量的溫度來控制供應到加熱構(gòu)件170的功率，以將基板維持在期望的溫度。真空泵102耦接到形成在腔室100的底部中的端口。真空泵102用于維持處理腔室100中的期望的氣體壓力。真空泵102亦可將后處理氣體與處理副產(chǎn)物從腔室100排空。處理系統(tǒng)132還可包括用于控制腔室壓力的額外設(shè)備，例如設(shè)置在處理腔室100與真空泵102之間而用于控制腔室壓力的閥(例如節(jié)流閥與隔離閥)。噴頭120具有多個穿孔128，噴頭120設(shè)置在處理腔室100的頂部上而位在基板支撐載座150上方。噴頭120的穿孔128用于將處理氣體引進到腔室100內(nèi)。穿孔128可具有不同的尺寸、數(shù)量、分布、形狀、設(shè)計與直徑，以促進針對不同制程要求的各種處理氣體流動。噴頭120連接到氣體面板130，氣體面板130容許各種氣體在制程期間供應到內(nèi)部處理空間126。等離子體從離開噴頭120的處理氣體混合物而形成，以提升處理氣體的熱分解，使得材料能沉積在基板190的表面191上。噴頭120與基板支撐載座150可在內(nèi)部處理空間126中形成一對相隔電極。一或更多個RF功率源140經(jīng)由匹配網(wǎng)路138提供偏電位到噴頭120，以促進噴頭120與載座150之間的等離子體的產(chǎn)生。或者，RF功率源140與匹配網(wǎng)路138可耦接到噴頭120、基板載座150，或耦接到噴頭120與基板載座150兩者，或耦接到設(shè)置在腔室100外面的天線(未圖示)。在一實施例中，RF功率源140可在約50kHz至約13.6MHz的頻率下提供約100瓦與約3000瓦之間。在另一實施例中，RF功率源140可在約50kHz至約13.6MHz的頻率下提供約500瓦與約1800瓦之間?？刂破?10包括中央處理單元(CPU) 112、存儲器116與支持電路114，而用以控制制程順序與調(diào)節(jié)來自氣體面板130的氣體流動。CPU 112可以是用在工業(yè)設(shè)備中的任何形式的通用計算機處理器。軟件例程可儲存在存儲器116中，存儲器諸如隨機存取存儲器、只讀存儲器、軟盤或硬盤驅(qū)動器，或其他形式的數(shù)字存儲。支持電路114以傳統(tǒng)方式耦接到CPU 112且可包括高速緩存、時鐘電路、輸入/輸出系統(tǒng)、電源與諸如此類者?？刂破?10與處理系統(tǒng)132的各種部件之間的雙向通信是透過多個信號電纜來操縱，這些信號電纜共同地稱為信號總線118，一些信號總線118被圖示在圖1中。其他沉積腔室亦可受益自本發(fā)明，并且上述所列的參數(shù)可根據(jù)用于形成非晶碳層的特定沉積腔室而改變。舉例而言，其他沉積腔室可具有更大或更小的容積，從而要求氣體流速大于或小于能從應用材料公司取得的沉積腔室的氣體流速。在一實施例中，可使用能從美國加州圣克拉拉市的應用材料公司購得的PRODUCER SE 或PRODUCER GT 處理腔室而利用以下表一所揭示的參數(shù)來沉積含硼非晶碳層。所沉積的含硼非晶碳膜中的硼的量/百分比可根據(jù)應用而改變。在本發(fā)明的各種實施例中，含硼非晶碳膜可含有原子百分比為至少8、10、15、20、25、30、35、40、45、50或55的硼。含硼非晶碳膜可含有原子百分比高達15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的硼。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約10至約60的硼。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約30至約60的硼。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為至少15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的碳。含硼非晶碳膜可含有原子百分比高達25、30、35、40、45、50、55、60或65的碳。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約20至約65的碳，例如原子百分比為約35至約50的碳。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為至少10、15、20、25的氫。含硼非晶碳膜可含有原子百分比高達15、20、25、30或40的氫。含硼非晶碳膜可含有原子百分比為約10至約25的氫。在氮作為前體的特定實施例中，含硼非晶碳膜可含有原子百分比為至少5、10或15的氮。含硼非晶碳膜可含有原子百分比高達10、15或20的氮。大體上，下述的示范性沉積制程參數(shù)可用于形成含硼非晶碳層。制程參數(shù)可以是晶圓溫度可為約100°c至約700°C，例如在約200°C與約500°C之間。腔室壓力可為約I托至約20托，例如在約2托與約10托之間。含碳氫化合物氣體的流速可為約200sccm至約5000sccm,例如在約400sccm與約2000sccm之間。稀釋氣體的流速可獨立地為約Osccm至約20000sccm,例如約2000sccm至約lOOOOsccm。惰性氣體的流速可獨立地為約Osccm至約20000sccm,例如約200sccm至約2000sccm。含硼氣體混合物的流速可為約IOOOsccm至約15000sccm，例如在約5000sccm與約13000sccm之間。RF功率為在約lW/in2與約100W/in2之間，諸如在約3W/in2與約20W/in2之間，并且基板的頂表面與噴頭之間的板間隔為在約200密耳與約600密耳之間。含硼非晶碳層可沉積成厚度為在約iOOA與約20000A之間，諸如在約300A與約5000A之間。上述的制程參數(shù)提供含硼非晶碳層在約I OOA/min至約ΙΟΟΟΟΛ/min的典型沉積速率，并且可被實施在能從美國加州圣克拉拉市的應用材料公司取得的沉積腔室中的300mm基板上。表一
權(quán)利要求
1.一種在處理腔室中處理基板的方法，所述方法包含: 在RF功率的存在下，使基板暴露于含碳氫化合物氣體的流動，以在所述基板上沉積不含硼的非晶碳膜； 關(guān)閉所述RF功率，同時使所述含碳氫化合物氣體持續(xù)流動 '及 在RF功率的存在下，使所述基板暴露于含硼氣體的流動與所述含碳氫化合物氣體的流動，以在所述不含硼的非晶碳膜上沉積含硼非晶碳膜，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比為約30至60的硼。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中所述不含硼的非晶碳膜具有約50A至約1000Λ的厚度，并且所述含硼非晶碳膜具有約300A至約5000A的厚度。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比為約20至約50的碳，并且所述含硼非晶碳膜含有原子百分比為約10至約25的氫。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中所述含碳氫化合物氣體混合物包含至少一種碳氫化合物，所述至少一種碳氫化合物具有CxHy的通式，其中X為在I與4之間且y為在2與10之間。
5.如權(quán)利要求4的方法，其中所述含碳氫化合物氣體混合物更包含惰性與/或載體氣體，所述惰性與/或載體氣體選自包含氬、氮與氦的群組。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中所述含硼氣體混合物包含乙硼烷(B2H6)、三甲基硼(TMB或B (CH3) 3)、三乙基硼(TEB)、甲基硼、二甲基硼、乙基硼、二乙基硼、或上述的組合。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述碳氫化合物選自包含以下的群組:甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、丙烯(C3H6)、丙炔(C3H4)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4H10)、丁烯(C4H8)及丁烯的異構(gòu)體、丁二烯(C4H6)、乙炔(C2H2)、以及上述的組合。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中所述基板包含多個交替的氧化物與氮化物材料、和非晶硅交替的氧化物、和多晶硅交替的氧化物、和摻雜硅交替的未摻雜硅、和摻雜多晶硅交替的未摻雜多晶硅、和摻雜非晶硅交替的未摻雜非晶硅、鋁、鎢、氮化鈦、銅、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、以及上述的組合。
9.如權(quán)利要求1的方法，所述方法更包含: 蝕刻所述含硼非晶碳膜，以形成圖案化含硼非晶碳膜；及 在所述基板中形成相應于所述圖案化含硼非晶碳膜的特征定義。
10.一種在處理腔室中處理基板的方法,所述方法包含: 在處理腔室中提供基板； 使含碳氫化合物氣體混合物流動到所述處理腔室內(nèi)； 從所述含碳氫化合物氣體混合物產(chǎn)生第一等離子體，以在所述基板上沉積不含硼的非晶碳膜,所述不含硼的非晶碳膜具有約300A至約5000A的厚度； 通過關(guān)閉所述第一等離子體同時使所述含碳氫化合物氣體混合物持續(xù)流動到所述處理腔室內(nèi)來穩(wěn)定化所述處理腔室內(nèi)的處理條件； 使含硼氣體混合物流動到所述處理腔室內(nèi)；及 從所述含碳氫化合物氣體混合物與所述含硼氣體混合物產(chǎn)生第二等離子體，以在所述不含硼的非晶碳膜上沉積含硼非晶碳膜 ,所述含硼非晶碳膜具有約300A至約5000人的厚度并且含有原子百分比為約10至約60的硼，含有原子百分比為約20至約50的碳，且含有原子百分比為約10至約25的氫； 使用含有過氧化氫與硫酸的溶液來移除所述含硼非晶碳膜；及 使用含氫等離子體、含氧等離子體或它們的組合來移除所述不含硼的非晶碳膜。
11.一種含硼非晶碳膜，含有原子百分比為約35至60的硼、原子百分比為約20至約50的碳、與原子百分比為約10至約30的氫。
12.—種半導體器件,包含: 不含硼的非晶碳膜，所述不含硼的非晶碳膜沉積在基板上方，所述不含硼的非晶碳膜具有約50A至約5000A的厚度； 含硼非晶碳膜，所述含硼非晶碳膜沉積在所述不含硼的非晶碳膜上，其中所述含硼非晶碳膜具有約300A至約5000A的厚度且含有原子百分比為約10至60的硼； 抗反射涂覆膜，所述抗反射涂覆膜沉積在所述含硼非晶碳膜上；及 光致抗蝕劑膜，所述光致抗蝕劑膜沉積在所述抗反射涂覆膜上。
13.—種在處理腔室中處理基板的方法,所述方法包含: 在RF功率的存在下，使基板暴露于氣體混合物的流動，以在所述基板上方沉積含硼非晶碳膜，所述氣體混合物包含含碳氫化合物氣體與含硼氣體； 蝕刻所述含硼非晶碳膜，以形成圖案化含硼非晶碳膜，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比為約35至約60的硼且具有約3()0A至約5000A的厚度；及 在所述基板中形成相應于所述圖案化含硼非晶碳膜的特征定義。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比為約20至約50的碳以及原子百分比為約10至約25的氫。
15.如權(quán)利要求1 3的方法，其中所述基板包含多個交替的氧化物與氮化物材料、和非晶硅交替的氧化物、和多晶硅交替的氧化物、和摻雜硅交替的未摻雜硅、和摻雜多晶硅交替的未摻雜多晶硅、和摻雜非晶硅交替的未摻雜非晶硅、鋁、鎢、氮化鈦、銅、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、以及上述的組合。
全文摘要
本發(fā)明的實施例大體上關(guān)于集成電路的制造，并且尤其關(guān)于含硼非晶碳層在半導體基板上的沉積。在一實施例中，提供一種在處理腔室中處理基板的方法。此方法包含在處理空間中提供基板；使含碳氫化合物氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；通過從RF源施加功率來產(chǎn)生含碳氫化合物氣體混合物的等離子體；使含硼氣體混合物流動到處理空間內(nèi)；及在等離子體的存在下，在基板上沉積含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比為約30至約60的硼。
文檔編號H01L21/312GK103210480SQ201180045061
公開日2013年7月17日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月5日
發(fā)明者M·J·西蒙斯, S·拉蒂, K·D·李, D·帕德希, 金秉憲, C·陳 申請人:應用材料公司