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超高選擇性的摻雜非晶碳可剝除硬掩模的開發(fā)與集成的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7020472

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本發(fā)明的實(shí)施例大體上關(guān)于集成電路的制造,并且尤其關(guān)于含硼非晶碳層在半導(dǎo)體基板上的沉積。背景技術(shù)集成電路已經(jīng)發(fā)展成可在單個(gè)晶片上包括數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管、電容器與電阻器的復(fù)雜器件。晶片設(shè)計(jì)的發(fā)展持續(xù)地需要更快速的電路以及更高的電路密度。對(duì)于具有更高電路密度的更快速電路的需求產(chǎn)生了對(duì)于用來(lái)制造此種集成電路的材料的相應(yīng)需求。尤其,隨著集成電路部件的尺寸縮小到次微米尺度,現(xiàn)在必須使用低電阻率導(dǎo)電材料以及低介電常數(shù)絕緣材料來(lái)從此種部件獲得適當(dāng)?shù)碾娦阅?。?duì)于更高集成電路密度...
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