專利名稱:用于將大基板分割成更小的基板的方法和用于可控地選擇性地沉積密封材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用于在制作電子設(shè)備(諸如電子地可控的顯示設(shè)備)中檢測基板的邊緣的技術(shù)。
背景技術(shù):
電子消費(fèi)品設(shè)備的制作典型地包括:在去除基板的周邊部分之前處理基板的上表面,以便產(chǎn)生修剪的(trim)基板,將修剪的基板接合到例如帶式載體封裝體(tape carrierpackage, TCP),以及在修剪的基板的邊緣部分處產(chǎn)生在修剪的基板與TCP的相對(duì)表面之間的封條(seal),以便保護(hù)位于更接近于修剪的基板的中心的元件。已經(jīng)通過參考圖1中示出的種類的一組對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(也被用于制作過程中的其它步驟)控制密封材料的沉積的位置,來自動(dòng)實(shí)現(xiàn)這些封條的提供。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用這種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能夠使得除需要密封材料的地方之外也沉積密封材料。本發(fā)明的一個(gè)目的是,提供用于在制作電子設(shè)備中在修剪的基板的邊緣處自動(dòng)沉積密封材料的改進(jìn)的技術(shù),以及提供用于制作便于在修剪的基板的邊緣處精確沉積密封材料的修剪的基板的技術(shù)。本發(fā)明提供一種方法,其包括:通過分解過程從一個(gè)或更多個(gè)較大的基板形成多個(gè)較小的基板,根據(jù)該分解過程在較小的基板之間存在某一在變化范圍內(nèi)的可能變化尺寸;以及,在所述分解過程之前,為所述一個(gè)或更多個(gè)較大的基板提供一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記,該檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論較小的基板具有在所述變化范圍內(nèi)的什么實(shí)際尺寸,在分解過程之后每一個(gè)較小的基板都包括所述一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記中的至少一個(gè)的一部分,所述一部分具有與該較小的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣的至少一部分重合的一個(gè)或更多個(gè)邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中,該方法還包括:通過根據(jù)去除過程去除各個(gè)較大的基板的邊緣部分來從所述較大的基板形成所述較小的基板中的每一個(gè),根據(jù)該去除過程在基板之間存在某一在變化范圍內(nèi)的在去除的邊緣部分的尺寸方面的可能變化;以及,在所述去除過程之前,為每一個(gè)較大的基板提供一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記,該檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論去除的邊緣部分具有在所述變化范圍內(nèi)的什么實(shí)際尺寸,每一個(gè)檢測標(biāo)記的一部分都保持作為較小的基板的一部分并且具有與較小的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣的至少一部分重合的一個(gè)或更多個(gè)邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中,檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論去除的邊緣部分的在所述變化范圍內(nèi)的尺寸是什么尺寸,每一個(gè)檢測標(biāo)記的一部分都保持作為較小的基板的在所述較小的基板的拐角處的一部分,并且具有與較小的基板的限定所述拐角的一對(duì)邊緣的至少一部分重合的一對(duì)邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中,該方法還包括:將所述檢測標(biāo)記形成作為圖案化的層的一部分,該圖案化的層也限定用于電子器件的陣列的一層的導(dǎo)電元件。在一個(gè)實(shí)施例中,該方法還包括:基于一個(gè)或更多個(gè)能檢測的標(biāo)記來控制在電子設(shè)備的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣處的密封材料的選擇性沉積,每一個(gè)能檢測的標(biāo)記具有與基板的所述一個(gè)或更多個(gè)邊緣中的至少一個(gè)的一部分重合的至少一個(gè)邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中,每一個(gè)能檢測的標(biāo)記位于所述基板的拐角處,并且具有與所述基板的限定所述拐角的相應(yīng)的一對(duì)邊緣的一部分重合的一對(duì)邊緣。
在下面通過僅僅示例的方式參考附圖提供了本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述,在附圖中:圖2示出密封材料的沉積以便提供修剪的基板的邊緣部分與帶式載體封裝體之間的機(jī)械封條;圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在修剪的基板的拐角處提供檢測標(biāo)記;圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在未修剪的基板的拐角部分上提供新種類的檢測標(biāo)記的示例;以及圖5、圖6和圖7示出在修剪處理之后的基板,并且示出如何即使在基板修剪過程中存在一些變化圖4的新的檢測標(biāo)記也具有與修剪的基板的拐角的邊緣對(duì)準(zhǔn)的部分。
具體實(shí)施例方式圖2示出沉積樹脂材料24以便在基板I與帶式載體封裝體10之間產(chǎn)生機(jī)械封條。襯底I是光學(xué)上透明的,并且在基板修剪處理之前,已經(jīng)在它的正面上被設(shè)置有用來控制顯示介質(zhì)的操作的電子晶體管器件的陣列。電子晶體管器件的陣列和顯示介質(zhì)通常由塊6指示,并且通過頂部包封(encapsulating)層26以及襯底I與頂部包封層26之間的邊封(edge seal)28來保護(hù)。頂部包封層26和邊封28為電子晶體管器件和顯示介質(zhì)提供環(huán)境保護(hù)以防止?jié)駳夂退M(jìn)入。在電子晶體管器件的陣列的一層處的導(dǎo)電元件(例如,電極、地址線)由通過光刻和刻蝕過程在襯底I上方的平坦化層上形成的圖案化的Ti/Au雙層限定。如上所述,在襯底I的周邊部分被修剪掉之前形成該圖案化的Ti/Au層。圖案化的Ti/Au層還限定在電子晶體管器件中沒有電子功能的標(biāo)記。在圖4中對(duì)于未修剪的基板的一個(gè)拐角部分示出這些標(biāo)記。相同的一組標(biāo)記也被提供在未修剪的基板的其它拐角部分中的每一個(gè)處。該標(biāo)記包括:基準(zhǔn)十字標(biāo)線(fiducial cross)2 ;用于引導(dǎo)切掉襯底I的周邊部分的處理的切割線9 ;以及方形標(biāo)記4,下面解釋其功能。如上所述,在完成襯底I的上表面的處理之后(即在完成電子晶體管器件的陣列、顯示介質(zhì)、頂部包封層26和邊封28等的形成之后),通過使用例如激光器、刀片或水噴射制作垂直的切口 5、6來去除襯底I的周邊部分。切割過程使用切割線9作為用于切口的引導(dǎo)標(biāo)記。切割過程的性質(zhì)使得垂直的切口 5、6的實(shí)際位置可以在基板之間變化。例如,垂直的切口 5、6可以正好與切割線9重合(如圖4和圖5所示),或者可以在可接受的公差范圍內(nèi)稍微偏尚切割線9 (如圖6和圖7所不)。上述的方形標(biāo)記4中的每一個(gè)被調(diào)整大小和定位為使得,在所述公差范圍內(nèi)無論在那里制作垂直的切口 5、6,方形標(biāo)記的部分7 (該部分在下文中被稱為拐角標(biāo)記)都保持在修剪的基板I的各個(gè)拐角處,并且具有與修剪的基板I的限定各個(gè)拐角的兩個(gè)邊緣3對(duì)準(zhǔn)的邊緣。圖2示出結(jié)果得到的在修剪的基板I的四個(gè)拐角中的每一個(gè)處提供上述的拐角標(biāo)記7。然后通過使用各向異性導(dǎo)電膜(ACF)接合物22將修剪的基板I的邊緣部分的正面接合到帶式載體封裝體。接下來,沿著修剪的基板I的邊緣3沉積樹脂24以使得在修剪的基板I與帶式載體封裝體10之間提供機(jī)械封條,該機(jī)械封條用來保護(hù)ACF接合物22。通過使用在修剪的基板的拐角處的拐角標(biāo)記7作為自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)通過其識(shí)別基板的邊緣3的裝置,來控制樹脂沉積過程。光學(xué)檢測器(未示出)檢測拐角標(biāo)記7,根據(jù)拐角標(biāo)記7的外緣來識(shí)別基板的邊緣3,并且將輸入提供到用于調(diào)節(jié)樹脂沉積針30的位置的控制器。光學(xué)檢測器能夠從修剪的基板I的后側(cè)(背板)檢測拐角標(biāo)記7,因?yàn)橐r底I由光學(xué)透明材料制成。以上描述的技術(shù)有下列好處,S卩,即使在切割過程中存在一些變化和/或在基板的處理期間存在基板的一些失真也能夠精確地檢測修剪的基板的邊緣的準(zhǔn)確的位置。為了便于檢測拐角標(biāo)記的自動(dòng)化處理,采取以下手段:(i)方形標(biāo)記全部具有相同的形狀和尺寸;(ii)切割過程被設(shè)計(jì)為使得即使拐角標(biāo)記7的尺寸存在一些變化,拐角標(biāo)記7也全部具有方形或者矩形形狀(這能夠通過確??偸且员舜?0度制作垂直的切口來實(shí)現(xiàn))沒有類似形狀的標(biāo)記被設(shè)置在基板上在形成拐角標(biāo)記的方形標(biāo)記附近;以及(iv)切割過程被設(shè)計(jì)為使得不存在拐角標(biāo)記7的碎裂(chipping)。我們已經(jīng)針對(duì)將修剪的基板接合到TCP的示例描述了本發(fā)明的實(shí)施例,但是相同的實(shí)施例同樣地適用于將修剪的基板接合到其它元件(諸如膜上芯片(COF)或者柔性印刷板(FPC))。除了上面明確地提到的任何修改之外,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將明顯的是可以在本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行所描述的實(shí)施例的各種其它修改。
權(quán)利要求
1.一種方法,包括:通過分解過程從一個(gè)或更多個(gè)較大的基板形成多個(gè)較小的基板,根據(jù)該分解過程在較小的基板之間存在某一在變化范圍內(nèi)的可能變化尺寸;以及,在所述分解過程之前,為所述一個(gè)或更多個(gè)較大的基板提供一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記,該檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論較小的基板具有在所述變化范圍內(nèi)的什么實(shí)際尺寸,在分解過程之后每一個(gè)較小的基板都包括所述一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記中的至少一個(gè)的一部分,所述一部分具有與該較小的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣的至少一部分重合的一個(gè)或更多個(gè)邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,包括:通過根據(jù)去除過程去除各個(gè)較大的基板的邊緣部分來從所述較大的基板形成所述較小的基板中的每一個(gè),根據(jù)該去除過程在基板之間存在某一在變化范圍內(nèi)的在去除的邊緣部分的尺寸方面的可能變化;以及,在所述去除過程之前,為每一個(gè)較大的基板提供一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記,該檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論去除的邊緣部分具有在所述變化范圍內(nèi)的什么實(shí)際尺寸,每一個(gè)檢測標(biāo)記的一部分都保持作為較小的基板的一部分并且具有與較小的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣的至少一部分重合的一個(gè)或更多個(gè)邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論去除的邊緣部分的在所述變化范圍內(nèi)的尺寸是什么尺寸,每一個(gè)檢測標(biāo)記的一部分都保持作為較小的基板的在所述較小的基板的拐角處的一部分,并且具有與較小的基板的限定所述拐角的一對(duì)邊緣的至少一部分重合的一對(duì)邊緣。
4.根據(jù)任一先前權(quán)利要求所述的方法,包括將所述檢測標(biāo)記形成作為圖案化的層的一部分,該圖案化的層也限定用于電子器件的陣列的一層的導(dǎo)電元件。
5.一種方法,包括:基于一個(gè)或更多個(gè)能檢測的標(biāo)記來控制在電子設(shè)備的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣處的密封材料的選擇性沉積,每一個(gè)能檢測的標(biāo)記具有與基板的所述一個(gè)或更多個(gè)邊緣中的至少一個(gè)的一部分重合的至少一個(gè)邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中每一個(gè)能檢測的標(biāo)記位于所述基板的拐角處,并且具有與所述基板的限定所述拐角的相應(yīng)的一對(duì)邊緣的一部分重合的一對(duì)邊緣。
全文摘要
一種技術(shù)包括通過分解過程從一個(gè)或更多個(gè)較大的基板形成多個(gè)較小的基板,根據(jù)該分解過程在較小的基板之間存在某一在變化范圍內(nèi)的可能變化尺寸;以及,在所述分解過程之前,為所述一個(gè)或更多個(gè)較大的基板提供一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記,該檢測標(biāo)記的尺寸和位置被選擇為使得,無論較小的基板具有在所述變化范圍內(nèi)的什么實(shí)際尺寸,在分解過程之后每一個(gè)較小的基板都包括所述一個(gè)或更多個(gè)檢測標(biāo)記中的至少一個(gè)的一部分,所述一部分具有與該較小的基板的一個(gè)或更多個(gè)邊緣的至少一部分重合的一個(gè)或更多個(gè)邊緣。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103155722SQ201180035981
公開日2013年6月12日 申請日期2011年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者D·瑞德爾, S·利埃爾, R·科爾塔伽-卡伽拉 申請人:造型邏輯有限公司