專利名稱：中心布線雙圈排列單ic芯片封裝件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種IC芯片封裝件，具體說是一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，本發(fā)明還涉及該封裝件的制備方法。
背景技術(shù)：
長期以來，受蝕刻模板及蝕刻工藝技術(shù)的限制，QFN產(chǎn)品一直延續(xù)著90年代開發(fā)出來的單圈引線框架模式。QFN(Quad Flat No Lead Package)型雙圈排列封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，特別是2006年以來，市場需求增加，推動了 QFN封裝技術(shù)的快速發(fā)展，材料配套技術(shù)、制造工藝技術(shù)和封裝應(yīng)用技術(shù)都有了突破性的進(jìn)展。目前，普通四邊扁平無引腳封裝(QFN)單面封裝時引腳數(shù)少、焊線長、造成焊線成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在較為成熟的QFN集成電路封裝技術(shù)和單圈扁平的無引腳封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上吸取PCB設(shè)計(jì)制作特點(diǎn)，把中心布線環(huán)和雙圈排列巧妙結(jié)合的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，本發(fā)明的另一目的是提供一種上述封裝件的制備方法。為解決本發(fā)明的技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案
一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體，所述引線框架載體上粘接IC芯片，所述IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，所述中心布線環(huán)的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳，所述第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑；所述第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳下面設(shè)置第二凹坑；所述中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤組，所述內(nèi)圈焊盤組組上設(shè)有多個焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片的焊盤打線，所述外圈焊盤組上也設(shè)有多個焊盤，分別與第一內(nèi)弓丨腳和第二內(nèi)弓丨腳打線。所述IC芯片與中心布線環(huán)的內(nèi)圈焊盤組的一個焊盤打線連接形成第一鍵合線， 與內(nèi)圈焊盤組的另一焊盤打線連接形成第二鍵合線，所述中心布線環(huán)的外圈焊盤組的一個焊盤上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線；所述中心布線環(huán)的外圈焊盤組的另一焊盤上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳形成第四鍵合線；所述第一鍵合線和第二鍵合線通過中心布線環(huán)分別與第三鍵合線和第四鍵合線相導(dǎo)通。所述的中心布線環(huán)鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠粘貼在弓I線框架載體上。制備所述中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件的工藝流程為 步驟1減薄、劃片
常規(guī)方法將晶圓減薄至180 μ m 210 μ m并劃片； 步驟2上芯
取雙圈引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片固接于雙圈引線框架載體上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C ； 步驟3壓焊
先將粘有IC芯片的帶中心布線環(huán)的半成品引線框架傳遞盒放置在壓焊機(jī)的上料臺， 然后將金線或銅線軸固定于壓焊臺上，啟動壓焊機(jī)的自動上料裝置，成品引線框架傳遞盒自動上升到設(shè)定位置，推出一條半成品引線框架到軌道并送入壓焊工作臺加熱(溫度 180°C 220°C)，按設(shè)定程序在IC芯片上的焊盤焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至中心布線環(huán)第三組焊盤組對應(yīng)的焊盤上形成第一鍵合線和第二鍵合線，中心布線環(huán)上的第四組焊盤組上對應(yīng)的焊盤上焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至框架引線第一內(nèi)引腳上的月牙形焊點(diǎn)和框架引線第二內(nèi)引腳上的月牙形焊點(diǎn)分別形成第三鍵合線和第四鍵合線，并且根據(jù)需要，采用高低弧和M型弧，防止引線間短路； 步驟4塑封、后固化、打印
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印。步驟5分離引腳
a磨削法分離，將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉 0. 045mm 0. 065mm，然后進(jìn)行磨削、拋光厚度為0. 065mm 0. 045mm ；
b激光法分離，將打印完的半成品框架底部用激光方法將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切口的切割深度為0. Ilmm + 0. Olmm ； 步驟6電鍍
a對磨削法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法先電鍍一層8 μ m 10 μ m的銅，然后電鍍 7 μ m 15 μ m的純錫；
b對激光法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法直接電鍍7 μ m 15 μ m的純錫。步驟7產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，制成中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。本發(fā)明封裝件由引線框架載體、多內(nèi)引腳和心布線環(huán)構(gòu)成。在IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，通過PCB板內(nèi)部線路設(shè)計(jì)使內(nèi)焊盤組和外焊盤組對應(yīng)連接。IC芯片只與內(nèi)焊盤組打線，內(nèi)引腳只與外焊盤組打線。因此說，中心布線環(huán)使IC芯片和內(nèi)引腳間通過內(nèi)部引線的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。引線框架的中心布線環(huán)通過高強(qiáng)度膠與引線框架載體相接或鑲嵌，載體通過4個邊筋分別與中筋和框架相連；同列內(nèi)引腳通過連筋分別與中筋和相鄰框架的引腳相連；直線式第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳相連，通過連筋分別與中筋和相鄰框架的引腳相連。并且第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳上表面之間和底面都有凹坑，上表面凹坑(第一凹坑)增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，減少了分離引腳的厚度 (1/2框架厚);第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳的底面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的凹坑， 塑封料嵌入，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，防止分層，有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)上2圈焊盤通過PCB設(shè)計(jì)線路相通，并作為IC芯片通過中心布線環(huán)內(nèi)部線路的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳間導(dǎo)通，減少焊線長度，節(jié)約焊線成本，尤其是金線的使用成本。


圖1為本發(fā)明俯視示意圖；圖2為本發(fā)明分離引腳前剖面示意圖； 圖3為本發(fā)明背面蝕刻減薄后的剖面示意圖； 圖4為本發(fā)明磨削分離引腳后剖面示意5為本發(fā)明激光分離引腳后剖面示意圖。其中圖中1一引線框架載體 2—中心布線環(huán)3—第一粘片膠(導(dǎo)電膠) 4一第一 IC芯片 5—第一鍵合線 6—第二鍵合線7—第三鍵合線 8—第四鍵合線17—第一內(nèi)引腳18—第一凹坑 19一第二內(nèi)引腳20—塑封體 21—激光切口 22—內(nèi)焊盤組 23—外焊盤組 24—連筋 25—中筋洸一高強(qiáng)度膠 27—第二凹坑沘一邊筋。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明
一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體。引線框架載體1上粘接IC芯片4，IC芯片4外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)2， 中心布線環(huán)2的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳9。第一內(nèi)引腳 17和第二內(nèi)引腳9之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑18 ；第一內(nèi)引腳 17和第二內(nèi)引腳19下面設(shè)置第二凹坑27。并且第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19上表面之間和底面都有第一凹坑18，第一凹坑18增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，減少了分離引腳的厚度(1/2框架厚)；第一內(nèi)引腳17和第二內(nèi)引腳19的底面腐蝕出深度為引線框架厚度的 1/2的第二凹坑27，塑封料嵌入，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合力，防止分層有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)2上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，內(nèi)圈焊盤組22上設(shè)有數(shù)個焊盤組，內(nèi)圈焊盤組22與IC芯片4的焊盤打線，外圈焊盤組23上也設(shè)有數(shù)個焊盤組，分別與第一內(nèi)引腳 17和第二內(nèi)引腳19打線。中心布線環(huán)2鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠沈粘貼在弓I線框架載體1上。 IC芯片4與中心布線環(huán)2的內(nèi)圈焊盤組22的一個焊盤組打線連接形成第一鍵合線5，與內(nèi)圈焊盤組22的另一焊盤組打線連接形成第二鍵合線6 ；中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23的一個焊盤組上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳17上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線7，所述中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23的另一焊盤組上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳19形成第四鍵合線 8 ；第一鍵合線5和第二鍵合線6通過中心布線環(huán)2分別與第三鍵合線7和第四鍵合線8相導(dǎo)通。內(nèi)焊盤組22和外焊盤組23通過PCB板內(nèi)部的設(shè)計(jì)的布線對應(yīng)導(dǎo)通。如圖1所示， 引線框架的中心布線環(huán)2通過高強(qiáng)度膠沈與引線框架載體1相接或鑲嵌，引線框架載體1 通過4個邊筋觀分別與中筋25和框架相連；同列內(nèi)引腳通過連筋觀分別與中筋25和相鄰框架的引腳相連；直線式第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳相連，通過連筋觀分別與中筋25和相鄰框架的引腳相連。IC芯片4的焊盤只與內(nèi)圈焊盤組22打線，內(nèi)引腳只與外圈焊盤組23 打線，因此，中心布線環(huán)2為IC芯片通過內(nèi)部引線的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳導(dǎo)通。其中IC芯片 4、粘片膠(導(dǎo)電膠)3、IC芯片4上的焊盤組、第一鍵合線5、第二鍵合線6、第三鍵合線7、第四鍵合線8、第一內(nèi)引腳17、第二內(nèi)引腳19構(gòu)成了電路的信號和電源通道。塑封體20包圍了雙圈引線框架載體1的上表面及側(cè)面、粘片膠(導(dǎo)電膠)3、IC芯片4及其焊盤上的焊點(diǎn)、 中心布線環(huán)2、中心布線環(huán)2的內(nèi)圈焊盤組22、中心布線環(huán)2的外圈焊盤組23、第一內(nèi)引腳 17、第二內(nèi)引腳19的部分上表面和側(cè)面，第一凹坑18，第二凹坑27第一鍵合線5，第二鍵合
6CN 102543931 A說明書4/6 頁線6，第三鍵合線7，第四鍵合線8，形成了電路整體，起到了保護(hù)和支撐作用。實(shí)施例1 步驟1減薄、劃片
常規(guī)方法將晶圓減薄至180μπι并劃片，劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟2上芯
取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片4固接于雙圈引線框架載體1上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C，選用ESPEC等排氣通暢，溫差小于士3°C烘箱。步驟3壓焊
先將粘有IC芯片4的帶中心布線環(huán)2的半成品引線框架傳遞盒放置在壓焊機(jī)的上料臺，然后將金線或銅線軸固定于壓焊臺上，啟動壓焊機(jī)的自動上料裝置，成品引線框架傳遞盒自動上升到設(shè)定位置，推出一條半成品引線框架到軌道并送入壓焊工作臺加熱，溫度為 180°C，按設(shè)定程序在IC芯片4上的焊盤焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至中心布線環(huán)2的內(nèi)焊盤組組組22對應(yīng)的焊盤上形成第一鍵合線5和第二鍵合線6，中心布線環(huán)2的外焊盤組 23對應(yīng)的焊盤上焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至框架引線第一內(nèi)引腳17上的月牙形焊點(diǎn)和框架引線第二內(nèi)引腳19上的月牙形焊點(diǎn)分別形成第三鍵合線7和第四鍵合線8，并且根據(jù)需要，采用高低弧和M型弧，防止引線間短路； 步驟4
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印。步驟5分離引腳
將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉0. 045mm,然后進(jìn)行磨肖IJ、拋光厚度為0. 065mm； 步驟6電鍍
對磨削法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法先電鍍一層10 μ m的銅，然后電鍍7 μ m的純錫；
步驟7
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，制成中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。實(shí)施例2 步驟1減薄、劃片
常規(guī)方法將晶圓減薄至210μπι并劃片，劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟2上芯
取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片4固接于雙圈引線框架載體1上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C，選用ESPEC等排氣通暢，溫差小于士3°C烘箱。步驟3壓焊
先將粘有IC芯片4的帶中心布線環(huán)2的半成品引線框架傳遞盒放置在壓焊機(jī)的上料臺，然后將金線或銅線軸固定于壓焊臺上，啟動壓焊機(jī)的自動上料裝置，成品引線框架傳遞盒自動上升到設(shè)定位置，推出一條半成品引線框架到軌道并送入壓焊工作臺加熱，溫度為220°C，按設(shè)定程序在IC芯片4上的焊盤焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至中心布線環(huán)2的內(nèi)焊盤組22對應(yīng)的焊盤上形成第一鍵合線5和第二鍵合線6，中心布線環(huán)2上的外焊盤組23 對應(yīng)的焊盤上焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至框架引線第一內(nèi)引腳17上的月牙形焊點(diǎn)和框架引線第二內(nèi)引腳19上的月牙形焊點(diǎn)分別形成第三鍵合線7和第四鍵合線8 ； 步驟4
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印。步驟5分離引腳
將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉0. 065mm,然后進(jìn)行磨肖IJ、拋光厚度為0. 045mm； 步驟6電鍍
對磨削法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法先電鍍一層8 μ m的銅，然后電鍍15 μ m的純錫；
步驟7
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，制成中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。實(shí)施例3 步驟1減薄、劃片
常規(guī)方法將晶圓減薄至210μπι并劃片，劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟2上芯
取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片4固接于雙圈引線框架載體1上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C，選用ESPEC等排氣通暢，溫差小于士3°C烘箱。步驟3壓焊
先將粘有IC芯片4的帶中心布線環(huán)2的半成品引線框架傳遞盒放置在壓焊機(jī)的上料臺，然后將金線或銅線軸固定于壓焊臺上，啟動壓焊機(jī)的自動上料裝置，成品引線框架傳遞盒自動上升到設(shè)定位置，推出一條半成品引線框架到軌道并送入壓焊工作臺加熱，溫度為 200°C，按設(shè)定程序在IC芯片4上的焊盤焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至中心布線環(huán)2的內(nèi)焊盤組22對應(yīng)的焊盤上形成第一鍵合線5和第二鍵合線6，中心布線環(huán)2上的外焊盤23上對應(yīng)的焊盤上焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至框架引線第一內(nèi)引腳17上的月牙形焊點(diǎn)和框架引線第二內(nèi)引腳19上的月牙形焊點(diǎn)分別形成第三鍵合線7和第四鍵合線8，并且根據(jù)需要，采用高低弧和M型弧，防止引線間短路； 步驟4
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印。步驟5分離引腳
將打印完的半成品框架底部用激光方法將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切口 21的切割深度為0. 11mm； 步驟6電鍍
對激光法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法直接電鍍7 μ m的純錫。步驟7采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，制成中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。實(shí)施例4 步驟1減薄、劃片
常規(guī)方法將晶圓減薄至ISOym并劃片，劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟2上芯
取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片4固接于雙圈引線框架載體1上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C，選用ESPEC等排氣通暢，溫差小于士3°C烘箱。步驟3壓焊
先將粘有IC芯片4的帶中心布線環(huán)2的半成品引線框架傳遞盒放置在壓焊機(jī)的上料臺，然后將金線或銅線軸固定于壓焊臺上，啟動壓焊機(jī)的自動上料裝置，成品引線框架傳遞盒自動上升到設(shè)定位置，推出一條半成品引線框架到軌道并送入壓焊工作臺加熱，溫度為 180°C，按設(shè)定程序在IC芯片4上的焊盤焊線，將焊線拉弧、拱絲至中心布線環(huán)2內(nèi)圈22對應(yīng)的焊盤上打一月牙形焊點(diǎn)，分別形成第一鍵合線5和第二鍵合線6，中心布線環(huán)2上的外焊盤組23上對應(yīng)的焊盤上焊接焊線，將焊線拉弧、拱絲至框架引線第一內(nèi)引腳17上的月牙形焊點(diǎn)和框架引線第二內(nèi)引腳19上的月牙形焊點(diǎn)分別形成第三鍵合線7和第四鍵合線8， 并且根據(jù)需要，采用高低弧和M型弧，防止引線間短路； 步驟4
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印。步驟5分離引腳
將打印完的半成品框架底部用激光方法將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切口 21的切割深度為0. 12mm ； 步驟6電鍍
對激光法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法直接電鍍15 μ m的純錫。步驟7
采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。雖然結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不違背所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以進(jìn)行修改和變換。
權(quán)利要求
1.一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC 芯片、鍵合線及塑封體，其特征在于所述引線框架載體(1)上粘接IC芯片(4)，所述IC芯片(4)外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)(2)，所述中心布線環(huán)(2)的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)，所述第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑(18);所述第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)下面設(shè)置第二凹坑(27)；所述中心布線環(huán)(2)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤組，所述內(nèi)圈焊盤組(22) 上設(shè)有多個焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片(4)的焊盤打線，所述外圈焊盤組(23)上也設(shè)有多個焊盤，分別與第一內(nèi)引腳(17)和第二內(nèi)引腳(19)打線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，其特征在于所述IC芯片(4)與中心布線環(huán)O)的內(nèi)圈焊盤組02)的一個焊盤組打線連接形成第一鍵合線(5)， 與內(nèi)圈焊盤組02)的另一焊盤打線連接形成第二鍵合線(6)；所述中心布線環(huán)(2)的外圈焊盤組(23)的一個焊盤上打線后拉弧在第一內(nèi)引腳(17)上打一月牙形焊點(diǎn)，形成第三鍵合線(7)，所述中心布線環(huán)(2)的外圈焊盤組(23)的另一焊盤上打線后拉弧在第二內(nèi)引腳 (19)形成第四鍵合線(8);所述第一鍵合線(5)和第二鍵合線(6)通過中心布線環(huán)(2)分別與第三鍵合線(7)和第四鍵合線(8)相導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件，其特征在于所述的中心布線環(huán)(2 )鑲嵌或使用高強(qiáng)度膠(26 )粘貼在弓I線框架載體(1 上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件的制備方法，工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、后固化、打印、分離引腳、電鍍、產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，其中除壓焊、電鍍工序以外，其它工序均采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法，其特征在于所述工藝過程為步驟1減薄、劃片常規(guī)方法將晶圓減薄至180 μ m 210 μ m并劃片；步驟2上芯取雙圈引線框架載體(1)將步驟1已減薄劃片的IC芯片(4)固接于雙圈引線框架載體 (1)上，采用防離層烘烤技術(shù)烘烤3小時，烘烤溫度150°C ；步驟3壓焊將粘貼IC芯片(4)的中心布線環(huán)的半成品傳遞盒放置到壓焊機(jī)上料臺，開啟壓焊機(jī)在 IC芯片(4)的焊盤上焊線，拱絲、拉弧至中心布線環(huán)(2)的內(nèi)圈焊盤組(22)上分別形成第一鍵合線(5)和第二鍵合線(6)；從中心布線環(huán)(2)的外圈焊盤組(23)上焊線，拉弧、拱絲至第一內(nèi)引腳(17)上打一月牙形焊點(diǎn)和第二內(nèi)引腳(19)上打一月牙形焊點(diǎn)，分別形成第三鍵合線(7)和第四鍵合線(8);步驟4塑封、后固化、打印采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印；步驟5分離引腳a磨削法分離，將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉 0. 045mm 0. 065mm，然后進(jìn)行磨削、拋光厚度為0. 065mm 0. 045mm ；b激光法分離，將打印完的半成品框架底部用激光方法將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切口(21)的切割深度為0. Ilmm + 0. Olmm ；步驟6電鍍a對磨削法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法先電鍍一層8 μ m 10 μ m的銅，然后電鍍 7 μ m 15 μ m的純錫；b對激光法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法直接電鍍7μπι 15μπι的純錫； 步驟7采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，制成中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件產(chǎn)品。
全文摘要
一種中心布線雙圈排列單IC芯片封裝件及其制備方法，引線框架載體上粘接有IC芯片，IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，中心布線環(huán)的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)、外兩圈焊盤，內(nèi)圈焊盤與IC芯片的焊盤打線，外圈焊盤分別與第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳打線。本發(fā)明把中心布線環(huán)和雙圈排列凸點(diǎn)巧妙結(jié)合，中心布線環(huán)通過高強(qiáng)度膠與引線框架載體相接或鑲嵌，增強(qiáng)了塑封料與框架的結(jié)合，減薄了框架厚度，防止分層，有利于提高產(chǎn)品的可靠性。中心布線環(huán)上2圈焊盤通過PCB設(shè)計(jì)線路相通，并作為IC芯片通過中心布線環(huán)內(nèi)部線路的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)與內(nèi)引腳間導(dǎo)通，減少焊線長度，節(jié)約焊線成本，尤其是金線的使用成本。
文檔編號H01L23/495GK102543931SQ201110454999
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者慕蔚, 朱文輝, 李習(xí)周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司