專利名稱：EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及IOG以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(luò)(10G ΕΡ0Ν)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種應(yīng)用于高速單纖三向XFP IOG EPON OLT光模塊中的EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊。
背景技術(shù)：
隨著FTTx (光纖到用戶終端)技術(shù)的推廣和普及，高速寬帶業(yè)務(wù)逐步改變著人們的生活和工作方式，SOHO將非常容易實(shí)現(xiàn)，家庭高清晰互動(dòng)影視節(jié)目、遠(yuǎn)程醫(yī)療、遠(yuǎn)程教育等不再遙遠(yuǎn)。人們對(duì)帶寬的需求不斷增加，使目前的IG EPON技術(shù)所提供的帶寬逐漸不能滿足寬帶業(yè)務(wù)的需求。因此，能夠提供更高帶寬的IOG EPON技術(shù)成為非常有吸引力的解決方案，而IOG EPON OLT光模塊是該系統(tǒng)的重要組成部分。在1. 25G向IOG的過渡中，1. 25G 和IOG兩種速率將會(huì)長時(shí)間的共存，因此，兼容1. 25G和IOG兩種速率的OLT將會(huì)有很大的市場(chǎng)需求。10(ib/S的下行速率采用1577nm的中心波長，1. 25Gb/s的下行速率采用1490nm 的中心波長，1. 25Gb/s的上行速率采用1310nm的中心波長，這樣采用波分復(fù)用方式實(shí)現(xiàn)了單纖三向的數(shù)據(jù)傳送，兼容了下行速率為IOG和1.25(ib/S兩種接收速率的0NU，增加了系統(tǒng)的擴(kuò)展性。在此種高速單纖三向XFP IOG EPON OLT光模塊中，由于其具有兩路發(fā)射和一路接收的三向光信號(hào)，其功耗比傳統(tǒng)的雙向光模塊大了很多，且其封裝為標(biāo)準(zhǔn)的XFP封裝，其 Triplexer激光器價(jià)格昂貴，因此，對(duì)其進(jìn)行過熱保護(hù)，尤其對(duì)Triplexer激光器進(jìn)行過熱保護(hù)是十分必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足，提供一種EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊，該保護(hù)模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動(dòng)電路，所述溫度控制驅(qū)動(dòng)電路連接Triplexer激光器，所述Triplexer激光器包括IOG EML激光器和1.25G DBF激光器，其中，IOG EML激光器內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述微處理器通過激光器溫度設(shè)置和激光器溫度采集對(duì)溫度控制驅(qū)動(dòng)電路實(shí)行閉環(huán)控制，將IOG EML激光器控制在設(shè)定的溫度，進(jìn)一步地，所述設(shè)定的溫度為45°C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述溫度控制驅(qū)動(dòng)電路為IOG EML激光器提供調(diào)節(jié)電流，微處理器通過調(diào)節(jié)電流采集實(shí)現(xiàn)對(duì)調(diào)節(jié)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而使得IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45 °C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)IOG EML激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路對(duì)IOG EML激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器
4制冷，實(shí)現(xiàn)對(duì)IOG EML激光器的溫度控制。當(dāng)IOG EML激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路對(duì)IOG EML激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器加熱，將IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45°C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊還包括IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路，所述IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路為IOG EML激光器提供驅(qū)動(dòng)電流。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)IOG EML激光器內(nèi)部溫度超出設(shè)定的溫度范圍時(shí)，所述微處理器通過IOG激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，使得IOG EML 激光器工作在內(nèi)部溫度40°C 50°C的范圍內(nèi)。進(jìn)一步的，所述設(shè)定的溫度范圍是40°C 50 "C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述微處理器通過IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路，使得IOG EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進(jìn)而在滿足一定指標(biāo)的情況下IOG EML激光器的功耗減小。進(jìn)一步的，所述第一下限溫度為70°C，所述第一上限溫度為85°C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時(shí)，所述微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表，分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IOG EML激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設(shè)置，控制IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小IOG EML激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)光模塊溫度高于第一上限溫度時(shí)，所述微處理器通過IOG 激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)IOG EML激光器的過熱保護(hù)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊還包括1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路，所述1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路為1. 25G DFB激光器提供驅(qū)動(dòng)電流。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述微處理器通過1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路，使得1. 25G DFB 激光器在高于第二下限溫度、且低于或等于第二上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進(jìn)而在滿足一定指標(biāo)的情況下1.25G DFB激光器的功耗減小。進(jìn)一步的，所述第二下限溫度為70°C，所述第二上限溫度為85°C。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時(shí)，所述微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表，分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的1. 25G DFB激光器偏置電流和調(diào)制電流， 通過1. 25G激光器光功率和消光比設(shè)置，控制1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小1. 25G DFB 激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使1. 25G DFB激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)光模塊溫度高于第二上限溫度時(shí)，所述微處理器通過 1. 25G激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)1. 25G DFB激光器的過熱保護(hù)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊，微處理器通過溫度控制驅(qū)動(dòng)電路將IOG EML激光器的溫度控制在45°C，保障了 IOG EML激光器的性能；微處理器通過IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路和1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路分別控制 IOG EML激光器和1.25G DFB激光器工作在70°C 85°C范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。


圖1為本發(fā)明EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊原理框架圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合試驗(yàn)例及具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例，凡基于本發(fā)明內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范圍。本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。本說明書(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。如圖1所示，本實(shí)施例列舉的EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊包括微處理器、IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路、溫度控制驅(qū)動(dòng)電路、1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路和Triplexer激光器； 其中IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路、1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路和溫度控制驅(qū)動(dòng)電路均與Triplexer激光器連接，IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路、1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路和溫度控制驅(qū)動(dòng)電路還與微處理器連接，所述iTriplexer激光器包括IOG電吸收(EML)激光器和1. 25G DBF激光器，其中，IOG 電吸收(EML)激光器內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。所述微處理器通過激光器溫度設(shè)置命令和激光器溫度采集命令對(duì)溫度控制驅(qū)動(dòng)電路實(shí)行閉環(huán)控制，將IOG電吸收(EML)激光器控制在設(shè)定的溫度，同時(shí)通過制冷電流采集實(shí)現(xiàn)對(duì)制冷電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控；當(dāng)光模塊溫度高于70°C時(shí)，微處理器通過IOG激光器光功率和消光比設(shè)置命令自動(dòng)降低IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的偏置電流和調(diào)制電流，通過1. 25G激光器光功率和消光比設(shè)置命令自動(dòng)降低1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路的偏置電流和調(diào)制電流；當(dāng)光模塊溫度高于85°C時(shí)，微處理器通過IOG激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，通過1. 25G激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。微處理器將IOG電吸收(EML)激光器溫度設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的溫度45°C。微處理器通過激光器溫度設(shè)置命令和激光器溫度采集命令對(duì)溫度控制驅(qū)動(dòng)電路實(shí)行閉環(huán)控制，將 IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度控制在設(shè)定的溫度45°C，同時(shí)通過調(diào)節(jié)電流采集實(shí)現(xiàn)對(duì)調(diào)節(jié)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控。微處理器通過溫度控制驅(qū)動(dòng)電路采集IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度，當(dāng)IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路通過溫度控制模塊對(duì)IOG電吸收(EML)激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)的半導(dǎo)體制冷器制冷；當(dāng)IOG電吸收(EML)激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路通過溫度控制模塊對(duì)IOG電吸收(EML)激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器加熱，因此IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度維持在45°C ；當(dāng)IOG電吸收(EML)激光器內(nèi)部溫度超出40°C 50°C范圍時(shí)，微處理器通過IOG 激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，無論環(huán)境溫度如何，微處理器通過溫度控制驅(qū)動(dòng)電路，使IOG電吸收(EML)激光器工作在40°C 50°C的范圍內(nèi)，對(duì)IOG電吸收(EML)激光器的性能有很好的保證，也對(duì)IOG電吸收(EML)激光器起到很好的保護(hù)作用。所述微處理器通過其內(nèi)部的光模塊內(nèi)部溫度采集模塊采集光模塊當(dāng)前溫度，當(dāng)光模塊溫度在70°C 85°C (包括85°C)時(shí)，微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表，分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IOG電吸收(EML)激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設(shè)置命令，控制IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小IOG電吸收(EML)激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG電吸收(EML)激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小，當(dāng)溫度達(dá)到85°C 時(shí)，IOG電吸收(EML)激光器的輸出光功率和消光比為70°C時(shí)的一半，即比70°C時(shí)的光功率和消光比分別低3dB，這樣使得IOG電吸收(EML)激光器在70°C 85°C (包括85°C)的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，使得IOG電吸收(EML)激光器在滿足一定指標(biāo)的情況下功耗減小。同理，對(duì)于1.25G DBF激光器，微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表， 分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的1. 25G DBF激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過1. 25G激光器光功率和消光比設(shè)置命令，控制1.25G DBF激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小1.25G DBF激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使得1. 25G DBF激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小，當(dāng)溫度達(dá)到 85°C時(shí)，1. 25G DBF激光器的輸出光功率和消光比為70°C時(shí)的一半，S卩比70°C時(shí)的光功率和消光比分別低3dB，這樣使得1.25G DBF激光器在70°C 85°C (包括85°C)的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，使得1. 25G DBF激光器在滿足一定指標(biāo)的情況下功耗減小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。當(dāng)光模塊溫度高于85°C時(shí)，微處理器通過IOG激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，通過1. 25G激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流；當(dāng)光模塊溫度低于85°C時(shí)，微處理器又通過IOG激光器關(guān)斷命令和1. 25G激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)打開IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流和1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流， 實(shí)現(xiàn)對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。本發(fā)明并不局限于前述的具體實(shí)施方式
。本發(fā)明擴(kuò)展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。
權(quán)利要求
1.EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，該保護(hù)模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動(dòng)電路，所述溫度控制驅(qū)動(dòng)電路連接Triplexer激光器，所述 Triplexer激光器包括IOG EML激光器和1. 25G DBF激光器，其中，IOG EML激光器內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述微處理器通過激光器溫度設(shè)置和激光器溫度采集對(duì)溫度控制驅(qū)動(dòng)電路實(shí)行閉環(huán)控制，將IOG EML激光器控制在設(shè)定的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述設(shè)定的溫度為45°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述溫度控制驅(qū)動(dòng)電路為IOG EML激光器提供調(diào)節(jié)電流，微處理器通過調(diào)節(jié)電流采集，實(shí)現(xiàn)對(duì)調(diào)節(jié)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而使得IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在45°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)IOG EML激光器的內(nèi)部溫度高于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路對(duì)IOG EML激光器提供制冷電流，此制冷電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器制冷，實(shí)現(xiàn)對(duì)IOG EML激光器的溫度控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)IOG EML激光器的內(nèi)部溫度低于45°C時(shí)，溫度控制驅(qū)動(dòng)電路對(duì)IOG EML激光器提供加熱電流，此加熱電流使IOG EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器加熱，將IOG EML激光器內(nèi)部溫度控制在 45 "C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，該保護(hù)模塊還包括IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路，所述IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路為IOG EML激光器提供驅(qū)動(dòng)電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)IOG EML激光器內(nèi)部溫度超出設(shè)定的溫度范圍時(shí)，所述微處理器通過IOG激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流，使得IOG EML激光器工作在內(nèi)部溫度為設(shè)定的溫度范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述設(shè)定的溫度范圍為40°C 50°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述微處理器通過IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路，使得IOG EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進(jìn)而在滿足一定指標(biāo)的情況下IOG EML激光器的功耗減小。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述第一下限溫度為70°C。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述第一上限溫度為85°C。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)光模塊在70°C 85°C溫度范圍內(nèi)時(shí)，所述微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表，分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的IOG EML激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過IOG激光器光功率和消光比設(shè)置，控制IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小IOG EML激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使IOG EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)光模塊溫度高于第一上限溫度時(shí)，所述微處理器通過IOG激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷IOG激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14之一所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，該保護(hù)模塊還包括1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路，所述1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路為1. 25G DFB 激光器提供驅(qū)動(dòng)電流。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述微處理器通過1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路，使得1. 25G DFB激光器在高于第二下限溫度、且低于或等于第二上限溫度的溫度范圍內(nèi)，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進(jìn)而在滿足一定指標(biāo)的情況下1. 25G DFB激光器的功耗減小。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述第二下限溫度為70°C。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，所述第二上限溫度為85°C。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)光模塊溫度在70°C 85°C范圍內(nèi)時(shí)，所述微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表，分別計(jì)算出不同溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的1.25G DFB激光器偏置電流和調(diào)制電流，通過1.25G激光器光功率和消光比設(shè)置，控制1. 25G激光器驅(qū)動(dòng)電路逐漸減小1. 25G DFB激光器的偏置電流和調(diào)制電流，使 1. 25G DFB激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的EPONTriplexer OLT激光器保護(hù)模塊，其特征在于，當(dāng)光模塊溫度高于第二上限溫度時(shí)，所述微處理器通過1. 25G激光器關(guān)斷命令，自動(dòng)關(guān)斷1. 25G 激光器驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊，該保護(hù)模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動(dòng)電路，所述溫度控制驅(qū)動(dòng)電路連接Triplexer激光器，Triplexer激光器包括10G EML激光器和1.25G DBF激光器，10G EML激光器內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器和溫度控制模塊，微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。在本發(fā)明中，微處理器通過溫度控制驅(qū)動(dòng)電路將10G EML激光器的溫度控制在45℃；微處理器通過10G和1.25G激光器驅(qū)動(dòng)電路分別控制10G EML激光器和1.25G DFB激光器工作在70℃～85℃范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)對(duì)Triplexer激光器的過熱保護(hù)。
文檔編號(hào)H01S3/04GK102496837SQ20111044052
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者張書源, 蔣旭 申請(qǐng)人:索爾思光電(成都)有限公司