專利名稱：高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用于照明用的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
美國(guó)專利公告第6，853，011號(hào)，揭露了一種發(fā)光磊晶層結(jié)構(gòu)，其一端包括有一吸光型的臨時(shí)基材，而另一端借由苯環(huán)丁烯粘著一透光的透明基材。然后將吸光型臨時(shí)基材的部份被移除。接著發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)形成一連接通道以連接第一歐姆接觸電極，以及形成一絕緣溝槽以將發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的作用層分離成兩個(gè)部分。然后，一第二歐姆接觸電極形成在披覆層上、一接合金屬層充填于第一通道內(nèi)并成功的形成在第二歐姆接觸電極上。因?yàn)閮蓚€(gè)接合金屬層具有相同的高度，因此所產(chǎn)生的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)能更方便的適用于覆晶結(jié)構(gòu)中。美國(guó)專利公告第6，998，642號(hào)，揭露了一種具有二個(gè)發(fā)光二極管在串聯(lián)狀態(tài)下的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括了兩個(gè)具有相同堆迭結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，并且借由絕緣溝槽使兩者隔離。上述堆迭結(jié)構(gòu)從底部起形成一導(dǎo)熱基材；一絕緣保護(hù)層；一金屬粘著層；一反射保護(hù)層；一 P型歐姆連接磊晶層；一上披覆層；一作用層以及一下披覆層。屬于兩個(gè)發(fā)光二極管的兩個(gè)P型歐姆接觸金屬電極，被形成于一個(gè)介于反射保護(hù)層及歐姆接觸磊晶層間的介面上，并且被埋設(shè)于反射保護(hù)層內(nèi)。然而美國(guó)專利公告第6，853，011號(hào)雖然可以應(yīng)用于覆晶結(jié)構(gòu)中，但若無(wú)第二基材(submount)，則無(wú)法進(jìn)行兩個(gè)發(fā)光二極管間的連接，且在作覆晶工藝時(shí)，需要處理多個(gè)芯片，增加工藝復(fù)雜度。美國(guó)專利公告第6，998，642號(hào)雖然可以進(jìn)行兩顆發(fā)光二極管間的電性連接，但是利用金屬進(jìn)行接合，必須借由復(fù)雜的工藝方能達(dá)成，因此在生產(chǎn)效能及成本上均易產(chǎn)生問題。以上現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)，使用的發(fā)光二極管大多是以非晶圓級(jí)工藝制造的一般二極管，并且未考量到將多顆發(fā)光二極管進(jìn)行串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)以符合使用的需求，因此如何達(dá)到以簡(jiǎn)單便利的方式制造高電壓交流的發(fā)光二極管實(shí)為一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管存在的缺陷，而提供一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是，制作出體積小的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的與所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):本發(fā)明提供一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括:電路基板；以及多個(gè)高壓LED芯片。高壓LED芯片包括:第一基材；粘著層；第一歐姆連接層；磊晶層；第一絕緣層；至少兩第一導(dǎo)電板；至少兩第二導(dǎo)電板；以及第二基材。本發(fā)明是要以晶圓級(jí)工藝的高壓LED芯片結(jié)合較低成本的電路基板，以制作出體積小的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括:一電路基板；以及多個(gè)高壓LED芯片，固設(shè)且電性連接于該電路基板上并借由該電路基板使上述高壓LED芯片形成一串聯(lián)電路，又每一該高壓LED芯片包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面；一粘著層，形成于該第一表面上；至少兩第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少兩磊晶層，任兩該磊晶層間形成有一第一溝槽，每一該磊晶層具有:一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上；一作用層，形成于該下披覆層上；以及一上披覆層，形成于該作用層上；一第一絕緣層，覆蓋于每一該第一歐姆連接層及每一該上披覆層其裸露的表面，且形成于任兩該第一歐姆連接層間，該第一絕緣層于每一該上披覆層及每一該第一歐姆連接層其裸露部處，分別形成有一第一開孔及一第二開孔；至少兩第一導(dǎo)電板，分別形成于每一該第一開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆層；至少兩第二導(dǎo)電板，分別形成于每一該第二開孔內(nèi)，且電性連接于一該第一歐姆連接層；以及一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少兩第三導(dǎo)電板及至少兩第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有多條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及每一該第四導(dǎo)電板分別借由焊點(diǎn)電性連接于相對(duì)應(yīng)的該第一導(dǎo)電板及該第二導(dǎo)電板，又該第一基材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層，且該第三表面上于該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板以外的部位形成有一反射層。本發(fā)明的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電路基板為一鋁基板或一陶瓷基板。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該陶瓷基板內(nèi)設(shè)有多條導(dǎo)熱柱或多條導(dǎo)電柱。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中任兩該高壓LED芯片進(jìn)一步相互并聯(lián)，使該串聯(lián)電路又進(jìn)一步具有一并聯(lián)電路。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該串聯(lián)電路進(jìn)一步又并聯(lián)至少一該串聯(lián)電路。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括一第一導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第一絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的該第二導(dǎo)電板或該第一導(dǎo)電板。本發(fā)明又提供一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括:一電路基板；以及多個(gè)高壓LED芯片，固設(shè)且電性連接于該電路基板上并借由該電路基板使上述高壓LED芯片形成一串聯(lián)電路，又每一該高壓LED芯片包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面；一粘著層，形成于該第一表面上；至少兩第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少兩磊晶層，每一該磊晶層具有:一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上；一作用層，形成于該下披覆層上；一上披覆層，形成于該作用層上以及一第二溝槽，垂直貫穿該上披覆層及該作用層，又局部貫穿該下披覆層；一第二絕緣層，覆蓋于每一該上披覆層上，并形成于任兩該磊晶層及任兩該第一歐姆連接層間，該第二絕緣層于該上披覆層上及該第二溝槽內(nèi)側(cè)，分別形成有一第三開孔及一第四開孔；至少兩第五導(dǎo)電板，分別形成于每一該第三開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆層；以及至少兩第六導(dǎo)電板，分別形成于每一該第四開孔內(nèi)，其具有向下延伸的一延伸部，該延伸部垂直貫穿該磊晶層，且電性連接于該第一歐姆連接層。
本發(fā)明的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電路基板為一鋁基板或一陶瓷基板。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該陶瓷基板內(nèi)設(shè)有多條導(dǎo)熱柱或多條導(dǎo)電柱。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中任兩該高壓LED芯片進(jìn)一步相互并聯(lián)，使該串聯(lián)電路又進(jìn)一步具有一并聯(lián)電路。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該串聯(lián)電路進(jìn)一步又并聯(lián)至少一該串聯(lián)電路。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二溝槽內(nèi)形成有該第二絕緣層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一基材為一透明基材及該粘著層為一透明粘著層，且該第二表面上形成有一反射層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著層為一透明粘著層，且該第一基材與該粘著層間形成有一反射層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于進(jìn)一步包括一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少兩第三導(dǎo)電板及至少兩第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有多條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及每一該第四導(dǎo)電板，分別借由焊點(diǎn)電性連接于相對(duì)應(yīng)的該第五導(dǎo)電板及該第六導(dǎo)電板，又該第一基材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二基材上，在上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板以外的部位形成有一反射層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層上形成有一反射層。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中上述第五導(dǎo)電板及上述第六導(dǎo)電板的表面高度，為相同水平的高度。前述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第二絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的該第五導(dǎo)電板或該第六導(dǎo)電板。借由本發(fā)明的實(shí)施，至少可達(dá)到下列進(jìn)步功效:1、可以以晶圓級(jí)工藝的高壓LED芯片結(jié)合較低成本的電路基板，以制作出體積小的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。2、可以更容易且快速形成高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。3、可以組合出更具多樣性的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。為了使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容、申請(qǐng)專利范圍及圖式，任何熟習(xí)相關(guān)技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)，因此將在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)。


圖1A為本發(fā)明實(shí)施例的一種高電壓交流發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1B為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)等效電路圖。圖2A為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)后又并聯(lián)的等效電路結(jié)構(gòu)一。圖2B為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)后又并聯(lián)的等效電路結(jié)構(gòu)二。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓LED芯片，其完成單元分割后的剖視圖。圖4A為圖3進(jìn)行第一次蝕刻前的制作方法實(shí)施例圖。圖4B為圖4A完成后再次進(jìn)行第二次蝕刻的制作方法實(shí)施例圖。圖5為圖3進(jìn)一步完成第一絕緣層及導(dǎo)電板后的剖視實(shí)施例圖。圖6A為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓LED芯片進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的剖視圖。圖6B為圖6A的 俯視實(shí)施例圖。第6C圖為第6A圖的等效電路圖。圖7A為本發(fā)明的一種高壓LED芯片，其進(jìn)一步形成一第一導(dǎo)體層的剖視實(shí)施例圖。圖7B為圖7A的俯視實(shí)施例圖。圖8為本發(fā)明的一種高壓LED芯片，已完成單元分割、磊晶層分割及第二溝槽制作后的剖視實(shí)施例圖。圖9為本發(fā)明的一種高壓LED芯片進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的剖視實(shí)施例圖。圖10為本發(fā)明的一種高壓LED芯片進(jìn)一步形成一第二導(dǎo)體層的剖視實(shí)施例圖。圖1lA至圖1lG分別為本發(fā)明的各種高壓LED芯片的等效電路實(shí)施例圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200電路基板300、301、302 高壓 LED 芯片400串聯(lián)電路21第一基材211第一表面212第二表面22粘著層23、23’第一歐姆連接層231裸露部24磊晶層241下披覆層242作用層243上披覆層25第一絕緣層251第一開孔252第二開孔26第一導(dǎo)電板27第二導(dǎo)電板28發(fā)光二極管291第一溝槽292第二歐姆連接層293第一導(dǎo)體層31第二絕緣層32第五導(dǎo)電板33第六導(dǎo)電板331延伸部34第二溝槽35第三開孔36第四開孔37第二導(dǎo)體層50第二基材51第三表面52第三導(dǎo)電板53第四導(dǎo)電板60 焊點(diǎn)A1、A2、A3 單元
具體實(shí)施例方式為進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段以及其功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的高電壓交流發(fā)光二極管的具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。圖1A為本發(fā)明實(shí)施例的一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。圖1B為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)等效電路圖。圖2A為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)后又并聯(lián)的等效電路結(jié)構(gòu)一。圖2B為本發(fā)明實(shí)施例的一種串聯(lián)后又并聯(lián)的等效電路結(jié)構(gòu)二。如圖1A所示，本實(shí)施例為一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100，其包括:一電路基板200 ；以及多個(gè)高壓LED芯片300。其中高壓LED芯片300是代表以下不同實(shí)施例的高壓LED芯片301及高壓LED芯片302。電路基板200，其可以為一鋁基板或一陶瓷基板，當(dāng)高壓LED芯片300結(jié)合于電路基板200時(shí)，電路基板200體積要比高壓LED芯片300大上許多，因此可以借由電路基板200提供高壓LED芯片300所需的電路連接，進(jìn)而設(shè)計(jì)出多樣性的串并聯(lián)電路，所以可以更容易且快速的組合出更具多樣性的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100。除了提供電路連接外，電路基板200同時(shí)也提供散熱的功能。再者，當(dāng)電路基板200為一陶瓷基板時(shí)，陶瓷基板的基板內(nèi)可以進(jìn)一步設(shè)有多條導(dǎo)熱柱或多條導(dǎo)電柱，以使高壓LED芯片300工作產(chǎn)生的熱能有效的傳遞，同時(shí)也使高壓LED芯片300的電極能順利的延伸到陶瓷基板的另一側(cè)面。如圖1B所示，多個(gè)高壓LED芯片300，固設(shè)且電性連接于電路基板200上并借由電路基板200提供的多樣化電路連接，使多個(gè)高壓LED芯片300形成一串聯(lián)電路400，當(dāng)高壓LED芯片300為交流形式的高壓LED芯片300時(shí)，更可成為高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100,此為本實(shí)施例的串聯(lián)電路400最基本結(jié)構(gòu)。

如圖2A及圖2B所不，除了上述的最基本結(jié)構(gòu)外，還可以將任兩個(gè)聞壓LED芯片300進(jìn)一步彼此相互并聯(lián)，使串聯(lián)電路400又進(jìn)一步具有至少一并聯(lián)電路，或者亦可使串聯(lián)電路400進(jìn)一步又并聯(lián)至少一串聯(lián)電路400，借此以組合出多樣的高電壓交流電路。以下將詳述高壓LED芯片300的結(jié)構(gòu)，并且在以下各實(shí)施例中，高壓LED芯片300的各層結(jié)構(gòu)是以現(xiàn)有習(xí)知的半導(dǎo)體成型技術(shù)加以制造，其細(xì)節(jié)將不再贅述。又為避免冗長(zhǎng)的描述，特將『蝕刻工藝』或『蝕刻方式』等用詞，定義為涵蓋整個(gè)完整黃光工藝的簡(jiǎn)稱。又高壓LED芯片300可形成多維的陣列，并非限定于實(shí)施例中的數(shù)量，以上合先敘明。高壓LED芯片300第一實(shí)施例圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓LED芯片，其完成單元分割后的剖視圖。圖4A為圖3進(jìn)行第一次蝕刻前的制作方法實(shí)施例圖。圖4B為圖4A完成后再次進(jìn)行第二次蝕刻的制作方法實(shí)施例圖。圖5為圖3進(jìn)一步完成第一絕緣層及導(dǎo)電板后的剖視實(shí)施例圖。圖6A為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓LED芯片進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的剖視圖。圖6B為圖6A的俯視實(shí)施例圖。圖6C為圖6A的等效電路圖。圖7A為本發(fā)明的一種高壓LED芯片，其進(jìn)一步形成一第一導(dǎo)體層的剖視實(shí)施例圖。圖7B為圖7A的俯視實(shí)施例圖。一般高壓LED芯片300的制造，是以半導(dǎo)體工藝方式，將尚未進(jìn)行單元分割及未完成其它絕緣層及導(dǎo)電板的前工藝高壓LED芯片形成于一晶圓(wafer)上。但實(shí)際高壓LED芯片300應(yīng)用時(shí)，由于晶圓厚度過厚且具有不透光的特性，因此無(wú)法加以應(yīng)用而必須去除。所以晶圓只是制造高壓LED芯片300過程中一臨時(shí)性的基材，也就是臨時(shí)基材。一般去除臨時(shí)基材的方法中，蝕刻方式是最常使用的一種，為了保護(hù)高壓LED芯片300在蝕刻過程中，不會(huì)因蝕刻過度而造成高壓LED芯片300的損傷，因此會(huì)設(shè)置一蝕刻終止層。蝕刻終止層在晶圓蝕刻的過程中，大部分亦會(huì)被蝕刻掉，借由蝕刻終止層的作用，可以達(dá)到保護(hù)高壓LED芯片300的功效。完成上述工藝后，即可產(chǎn)生前工藝的高壓LED芯片。如圖3至圖7B所示，本實(shí)施例為一種高壓LED芯片301，其包括:一第一基材21、一粘著層22、至少兩第一歐姆連接層23、至少兩磊晶層24、一第一絕緣層25、至少兩第一導(dǎo)電板26以及至少兩第二導(dǎo)電板27。第一基材21,具有一第一表面211及一第二表面212,第一基材21主要是用以支撐整個(gè)聞壓LED芯片301。第一基材21可以為一單晶體、一多晶體或一非晶體結(jié)構(gòu)的基材，例如玻璃(glass)、藍(lán)寶石(sapphire)J^Kii (SiC)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)JB化鋅(ZnSe)、硫化鋅(ZnS)或硒硫化镅(AmSSe)…等材料所制成的基材。此外,第一基材21可以為一透明基材或一非透明基材，其主要是依照高壓LED芯片301的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下的雙向出光，則第一基材21必須為一透明基材。粘著層22，形成于第一表面211上，其用以結(jié)合第一基材21及第一歐姆連接層23。粘著層22可選自一苯環(huán)丁烯(B-stagedbenzocyclobutene, BCB)、一環(huán)氧樹脂(epoxy) >一娃膠(silicone)、一聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacry, PMMA)、一聚合物(polymer)及一旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(Spin-on glass, S0G)…等其中的一種材質(zhì)。粘著層22可以為一透明粘著層22或一非透明粘著層22，其亦依照高壓LED芯片301的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下雙向出光，則粘著層22必須為一透明粘著層22。如圖3所示，發(fā)光二極管28包括第一歐姆連接層23及磊晶層24，其均設(shè)置于相同的第一基材21及粘著層22上，因此單元分割僅需針對(duì)第一歐姆連接層23及磊晶層24進(jìn)行分割，并形成例如Al、A2、A3…等單元。如圖4A所示， 第一歐姆連接層23形成于粘著層22上，第一歐姆連接層23可以為一 P型歐姆連接層，而且原本在晶圓上成型的第一歐姆連接層23，其可借由蝕刻方式，以區(qū)分出不同的單元。如圖3所示，磊晶層24，其為一發(fā)光二極管28單體，其亦借由蝕刻的方式以區(qū)分出不同的單元。磊晶層24亦借由蝕刻工藝以形成第一溝槽291。第一溝槽291的形成，將使得第一歐姆連接層23產(chǎn)生一局部裸露的裸露部231，因而能方便第二導(dǎo)電板27的設(shè)置，也因?yàn)榈诙?dǎo)電板27的設(shè)置，所以不同單元的發(fā)光二極管28，能方便的進(jìn)行串/并聯(lián)的設(shè)計(jì)，因而使得高電壓的發(fā)光二極管28得以輕易的制成。如圖3、圖4A及圖4B所示，第一歐姆連接層23的單元分割及第一溝槽291的制作，可以借由不同的蝕刻步驟達(dá)成的。在眾多蝕刻步驟中，第一次蝕刻，是先蝕刻出與兩個(gè)第一歐姆連接層23間相同大小及相對(duì)位置的缺口，第二次蝕刻，是在第一次蝕刻后再蝕刻出第一溝槽291的大小，此種方式可使工藝較為簡(jiǎn)便。如圖5所不，每一嘉晶層24,其至少具有:一下披覆層241、一作用層242以及一上披覆層243。每一下披覆層241,形成于一第一歐姆連接層23上，下披覆層241可以為一 P型磷化招銦鎵(AlGaInP)披覆層。作用層(activelayer) 242,形成于下披覆層241上，其可以為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Single Hetero-structure, SH)、一雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(DoubleHetero-structure,DH)或一多量子講結(jié)構(gòu)(Multiple Quantum Wells,MQW)。上披覆層 243,形成于作用層242上，上披覆層243可以為一 N型磷化鋁銦鎵披覆層。上披覆層243與第一導(dǎo)電板26間，亦可進(jìn)一步形成有一第二歐姆連接層292。第一絕緣層25例如氧化硅(SiO)的材質(zhì)，其覆蓋于每一第一歐姆連接層23及每一上披覆層243其裸露的表面，并形成于任兩第一歐姆連接層23間。借由第一絕緣層25的設(shè)置，除了可使不同單元的發(fā)光二極管28完全隔離不互相影響外，亦可確保發(fā)光二極管28不受外界環(huán)境，例如:水氣或濕氣的影響而減損壽命。第一絕緣層25在每一上披覆層243及每一第一歐姆連接層23其裸露部231處，分別形成有一第一開孔251及一第二開孔252,第一開孔251及第二開孔252是在第一絕緣層25制作完成后，再以蝕刻方式加以制成。第一導(dǎo)電板26，分別形成于每一單元的第一開孔251內(nèi)，且電性連接于相對(duì)應(yīng)的上披覆層243。第二導(dǎo)電板27，分別形成于每一單元的第二開孔252內(nèi)，且電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一歐姆連接層23。借由第一導(dǎo)電板26及第二導(dǎo)電板27的設(shè)置以提供電力，使得磊晶層24能接收電力產(chǎn)生發(fā)光的作用。當(dāng)高壓LED芯片301設(shè)計(jì)成一面上(face up)結(jié)構(gòu)時(shí)。此時(shí)將第一基材21設(shè)計(jì)為一透明基材，且將粘著層22設(shè)計(jì)為一透明粘著層22，并且在第一基材21的第二表面212上形成一反射層(圖未示)，將可借由反射層將磊晶層24所發(fā)的光進(jìn)行反射，如此可使高壓LED芯片301達(dá)到較佳的出光效率。除此之外，亦可只將粘著層22設(shè)計(jì)成為一透明粘著層22，并且將反射層(圖未示)形成 于第一基材21與粘著層22之間，如此亦可達(dá)到光反射的作用，同樣的使得高壓LED芯片301達(dá)到較佳的出光效率。如圖6A至圖6C所示，高壓LED芯片301，進(jìn)一步包括一第二基材50，如此可產(chǎn)生一覆晶結(jié)構(gòu)(flip-chip)。在覆晶結(jié)構(gòu)中，第一基材21為一透明基材且粘著層22為一透明粘著層22。第二基材50其至少具有一第三表面51，第三表面51形成有至少兩第三導(dǎo)電板52及至少兩第四導(dǎo)電板53，每一第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53，分別借由焊點(diǎn)60電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電板26及第二導(dǎo)電板27。第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間，除了可以直接將導(dǎo)電板的面積擴(kuò)大，而使彼此互相電性連接外，亦可在第二基材50形成有多條電路結(jié)構(gòu)(圖未示)，以使第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間電性連接。借由上述的連接方式可形成復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。使用第二基材50的優(yōu)點(diǎn)，將使得不同發(fā)光二極管28間的串/并電路得以在第二基材50上進(jìn)行。由于第二基材50的面積及厚度可以有較大的彈性，因此足以應(yīng)付非常復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)可以實(shí)踐時(shí)，高壓LED芯片301的應(yīng)用將更具多樣性。第二基材50可以為一娃基材(silicon substrate)、一印刷電路板/印刷電路多層板(Printed Circuit Board, PCB)或一陶瓷基材(ceramicsubstrate)。例如:氧化招(A1203)、氮化招(AlN)、氧化鈹OeO)、低溫共燒多層陶瓷(Low Temperature CofiredCeramic, LTCC)或高溫共燒多層陶瓷(High Temperature Cofired Ceramic, HTCC)…等基材。在覆晶結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，為了使發(fā)光二極管28有較佳的出光效率，可在第二基材50的第三表面51上,在第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53以外的部位,進(jìn)一步形成一反射層。亦可在第一絕緣層25上,也就是第一絕緣層25裸露的表面上形成有一反射層。上述的各個(gè)反射層，可選自于一鋁(Al)、一銀(Ag)及一金(Au)...等其中的一材質(zhì)加以制成。制作反射層時(shí)必須注意，若反射層為一導(dǎo)電材質(zhì)時(shí)，反射層不能與第三導(dǎo)電板52或第四導(dǎo)電板53接觸，亦不能與第一導(dǎo)電板26或第二導(dǎo)電板27接觸，而且反射層最好能與各個(gè)導(dǎo)電板保持一定的間隙，以避免各個(gè)導(dǎo)電板間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。如圖7A及圖7B所示，高壓LED芯片301，其進(jìn)一步包括一第一導(dǎo)體層293，其形成有至少一條導(dǎo)體并覆蓋于第一絕緣層25上，且每一導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的第二導(dǎo)電板27及第一導(dǎo)電板26。如此將可輕易的將不同的發(fā)光二極管28進(jìn)行串聯(lián)/并聯(lián)。借由第一絕緣層25的支撐，使得第一導(dǎo)體層293亦能進(jìn)行復(fù)雜的電路布局設(shè)計(jì)。借此，可將高壓LED芯片301可借由反向并聯(lián)至少兩個(gè)發(fā)光二極管28，以構(gòu)成交流型的高壓LED芯片301，再將交流型的高壓LED芯片301透過電路基板200提供的多樣化電路連接，以構(gòu)成具有串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)交流型的聞壓LED芯片301的聞電壓交流發(fā)光_■極管結(jié)構(gòu)。高壓LED芯片第二實(shí)施例圖8為本發(fā)明的一種高壓LED芯片，已完成單元分割、磊晶層分割及第二溝槽制作后的剖視實(shí)施例圖。圖9為本發(fā)明的一種高壓LED芯片進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的剖視實(shí)施例圖。圖10為本發(fā)明的一種高壓LED芯片進(jìn)一步形成一第二導(dǎo)體層的剖視實(shí)施例圖。圖1lA至圖1lG分別為本發(fā)明的各種高壓LED芯片的等效電路實(shí)施例圖。如圖8至圖 10所示，本實(shí)施例為一種高壓LED芯片302，其包括:一第一基材21、一粘著層22、至少兩第一歐姆連接層23’、至少兩磊晶層24、一第二絕緣層31、至少兩第五導(dǎo)電板32以及至少兩第六導(dǎo)電板33。本實(shí)例的高壓LED芯片302，可以使用類似第一實(shí)施例中，將涂有粘著層22的第一基材21與形成于晶圓上的前工藝發(fā)光二極管28結(jié)合。然后再將臨時(shí)基材及蝕刻終止層以蝕刻等方式去除，以得到尚未進(jìn)行單元分割的高壓LED芯片。第一基材21,具有一第一表面211及一第二表面212,第一基材21主要是用以支撐整個(gè)高壓LED芯片302。第一基材21可以為一單晶體、一多晶體或一非晶體結(jié)構(gòu)的基材，例如玻璃、藍(lán)寶石、碳化娃、磷化鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、硫化鋅或硒硫化镅...等材料所制成的基材。此外、第一基材21可以為一透明基材或一非透明基材，其主要是依照高壓LED芯片302的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量,若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下的雙向出光，貝1J第一基材21必須為一透明基材。粘著層22，形成于第一表面211上，其用以結(jié)合第一基材21及第一歐姆連接層23’。粘著層22選自一苯環(huán)丁烯、一環(huán)氧樹脂、一硅膠、一聚甲基丙烯酸甲酯、一聚合物及一旋轉(zhuǎn)涂布玻璃等其中的一材質(zhì)。粘著層22可以為一透明粘著層22或一非透明粘著層22，其亦依照高壓LED芯片302的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下雙向出光，則粘著層22必須為一透明粘著層22。如圖8所示，本實(shí)施例的每一高壓LED芯片302亦共用第一基材21及粘著層22，因此單元分割亦僅針對(duì)第一歐姆連接層23’及磊晶層24進(jìn)行分割，分割后亦可形成例如Al、A2、A3...等單元。第一歐姆連接層23’，形成于粘著層22上。第一歐姆連接層23’可以為一 P型歐姆連接層。原本在晶圓上成型的第一歐姆連接層23’，其可借由蝕刻方式，以區(qū)分出不同的單元。磊晶層24，其為一發(fā)光二極管單體，其亦借由蝕刻的方式以區(qū)分出不同的單元。每一嘉晶層24,其具有:一下披覆層241、一作用層242、一上披覆層243以及一第二溝槽34。每一下披覆層241，形成于一第一歐姆連接層23’上，下披覆層241為一 P型磷化鋁銦鎵披覆層。作用層242，形成于下披覆層241上，其可以為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、一雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu)。上披覆層243，形成于作用層242上，上披覆層243可以為一 N型磷化鋁銦鎵披覆層。第二溝槽34，是以蝕刻方式加以制成，第二溝槽34垂直貫穿上披覆層243及作用層242，又局部貫穿下披覆層241，借由第二溝槽34的間隙，可以使第二溝槽34兩側(cè)的作用層242、上披覆層243產(chǎn)生電性隔離的作用。為了工藝上制造的方便，第二溝槽34可以圍繞的方式形成于第六導(dǎo)電板33的周邊，以使作用層242能被有效的電性隔離，使得第六導(dǎo)電板33的延伸部331能順利的將電力傳導(dǎo)至第一歐姆連接層23’。又為了使后續(xù)工藝更容易操作，因此在制作第二絕緣層31時(shí)，可一并將第二溝槽34內(nèi)填滿第二絕緣層31。第二絕緣層31例如氧化硅的材質(zhì)，其覆蓋于每一上披覆層243其裸露的表面，并形成于任兩磊晶層24及任兩第一歐姆連接層23’間。借由第二絕緣層31的設(shè)置，除了可使不同單元的發(fā)光二極管完全隔離不互相影響外，亦可確保發(fā)光二極管不受外界環(huán)境，例如:水氣或濕氣的影響而減損壽命。第二絕緣層31在上披覆層243上及第二溝槽34內(nèi)側(cè)，分別形成有一第三開孔35及一第四開孔36，第三開孔35及第四開孔36是在第二絕緣層31制作完成后，再以蝕刻方式加以制成。第五導(dǎo)電板32,分別形成于每一第三開孔35內(nèi)，且電性連接于相對(duì)應(yīng)的上披覆層243。又上披覆層243與第五導(dǎo)電板32間，可再形成一第二歐姆連接層292。第六導(dǎo)電板33，分別形成于每一第四開孔36內(nèi)，其具有向下延伸的一延伸部331，延伸部331垂直貫穿磊晶層24，且電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一歐姆連接層23’。借由第五導(dǎo)電板32及第六導(dǎo)電板33的設(shè)置以提供電力，使得磊晶層24能接收電力產(chǎn)生發(fā)光的作用。當(dāng)高壓LED芯片302設(shè)計(jì)成一面上結(jié)構(gòu)時(shí)。此時(shí)將第一基材21設(shè)計(jì)為一透明基材，且將粘著層22設(shè)計(jì)為一透明粘著層22，并且在第一基材21的第二表面212上形成一反射層，將可借由反射層將磊晶層24所發(fā)的光進(jìn)行反射，如此可使高壓LED芯片302達(dá)到較佳的出光效率。除此之外，亦可只將粘著層22設(shè)計(jì)成為一透明粘著層22，并將反射層形成于第一基材21與粘著層22之間，如此亦可達(dá)到光反射的作用，同樣的使得高壓LED芯片302達(dá)到較佳的出光效率。如圖9所示，高壓LED芯片302，進(jìn)一步包括一第二基材50，如此可產(chǎn)生一覆晶結(jié)構(gòu)。在覆晶結(jié)構(gòu)中，第一基材21為一透明基材且粘著層22為一透明粘著層22。第二基材50其至少具有一第三表面51,第三表面51形成有至少兩第三導(dǎo)電板52及至少兩第四導(dǎo)電板53,每一第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53,分別借由焊點(diǎn)60電性連接于相對(duì)應(yīng)的第五導(dǎo)電板32及第六導(dǎo)電板33。第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間，除了可以直接將導(dǎo)電板的面積擴(kuò)大，而使彼此互相電性連接外，亦可在第二基材50形成有多條電路結(jié)構(gòu)(圖未示)，以使第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間電性連接。借由上述的連接方式可形成復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。使用第二基材50的優(yōu)點(diǎn)，將使得不同發(fā)光二極管間的串/并電路得以在第二基材50上進(jìn)行。由于第二基材50的面積及厚度可以有較大的彈性，因此足以應(yīng)付非常復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)可以實(shí)踐時(shí)，高壓LED芯片302的應(yīng)用將更具多樣性。第二基材50可以為一娃基材、一印刷電路板/印刷電路多層板或一陶瓷基材。例如:氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹?shù)蜏毓矡鄬犹沾苫蚋邷毓矡鄬犹沾伞然摹Ｔ诟簿ЫY(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，為了使發(fā)光二極管有較佳的出光效率，可在第二基材50的第三表面51上,在第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53以外的部位,進(jìn)一步形成有一反射層?；蛘咭嗫稍诘诙^緣層31上，也就是第二絕緣層31裸露的表面上形成有一反射層。上述的各個(gè)反射層，可選自于一鋁、一銀及一金…等其中的一材質(zhì)加以制成。制作反射層時(shí)必須注意，若反射層為一導(dǎo)電材質(zhì)時(shí)，反射層不能與第三導(dǎo)電板52或第四導(dǎo)電板53接觸，亦不能與第五導(dǎo)電板32或第六導(dǎo)電板33接觸，而且反射層最好能與各個(gè)導(dǎo)電板保持一定的間隙，以避免各個(gè)導(dǎo)電板間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。為了使高壓LED芯片302的各發(fā)光二極管間能更輕易的相互連接?；蛘邽榱耸垢邏篖ED芯片302與第二基材50，結(jié)合的更為平整及完整，所有第五導(dǎo)電板32第六導(dǎo)電板33的表面高度，為相同水平的高度，如此將有利于工藝上的施作。如圖10所示，高壓LED芯片302，進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)體層37，其形成有至少一條導(dǎo)體并覆蓋于第二絕緣層31上，且每一導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的第五導(dǎo)電板32或第六導(dǎo)電板33。如此將可輕易的將不同的發(fā)光二極管進(jìn)行串聯(lián)/并聯(lián)。借由第二絕緣層31的支撐，使得第二導(dǎo)體層37亦能進(jìn)行復(fù)雜的電路布局設(shè)計(jì)。如圖1lA至圖 1lG所示，本實(shí)施例的高壓LED芯片302，因?yàn)橛型暾牡谝唤^緣層25及第二絕緣層31，因此可以在各個(gè)絕緣層上制作出圖1IA至圖1IG相同或類似的復(fù)雜電路，尤其是使用第二基材50而形成覆晶結(jié)構(gòu)時(shí)，相關(guān)電路的達(dá)成又更為容易。此外，當(dāng)將高壓LED芯片302可借由反向并聯(lián)至少兩個(gè)發(fā)光二極管，以構(gòu)成交流型的高壓LED芯片302，再將交流型的高壓LED芯片302透過電路基板200提供的多樣化電路連接，以構(gòu)成具有串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)交流型的高壓LED芯片302的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。除此之外，當(dāng)高壓LED芯片301、302是直流型的高壓LED芯片301、302時(shí)，也可以透過電路基板200提供的多樣化電路連接將至少兩個(gè)直流型的高壓LED芯片301、302反向并聯(lián)，以構(gòu)成高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。在此泛指的是可透過電路基板200將高壓LED芯片301、302連接成高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的任何形式，在此不再對(duì)高壓LED芯片301、302連接的方式進(jìn)行贅述。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括: 一電路基板；以及 多個(gè)高壓LED芯片，固設(shè)且電性連接于該電路基板上并借由該電路基板使上述高壓LED芯片形成一串聯(lián)電路，又每一該聞壓LED芯片包括: 一第一基材，具有一第一表面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上； 至少兩第一歐姆連接層，形成于該粘著層上； 至少兩磊晶層，任兩該磊晶層間形成有一第一溝槽，每一該磊晶層具有:一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上；一作用層，形成于該下披覆層上；以及一上披覆層，形成于該作用層上； 一第一絕緣層，覆蓋于每一該第一歐姆連接層及每一該上披覆層其裸露的表面，且形成于任兩該第一歐姆連接層間，該第一絕緣層于每一該上披覆層及每一該第一歐姆連接層其裸露部處，分別形成有一第一開孔及一第二開孔； 至少兩第一導(dǎo)電板，分別形成于每一該第一開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆層；至少兩第二導(dǎo)電板，分別形成于每一該第二開孔內(nèi)，且電性連接于一該第一歐姆連接層；以及 一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少兩第三導(dǎo)電板及至少兩第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有多條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及每一該第四導(dǎo)電板分別借由焊點(diǎn)電性連接于相對(duì)應(yīng)的該第一導(dǎo)電板及該第二導(dǎo)電板，又該第一基材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層，且該第三表面上于該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板以外的部位形成有一反射層。
2.如權(quán)利要求1所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電路基板為一鋁基板或一陶瓷基板。
3.如權(quán)利要求2所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該陶瓷基板內(nèi)設(shè)有多條導(dǎo)熱柱或多條導(dǎo)電柱。
4.如權(quán)利要求1所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中任兩該高壓LED芯片進(jìn)一步相互并聯(lián)，使該串聯(lián)電路又進(jìn)一步具有一并聯(lián)電路。
5.如權(quán)利要求1所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該串聯(lián)電路進(jìn)一步又并聯(lián)至少一該串聯(lián)電路。
6.如權(quán)利要求1所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括一第一導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第一絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的該第二導(dǎo)電板或該第一導(dǎo)電板。
7.—種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于其包括: 一電路基板；以及 多個(gè)高壓LED芯片，固設(shè)且電性連接于該電路基板上并借由該電路基板使上述高壓LED芯片形成一串聯(lián)電路，又每一該聞壓LED芯片包括: 一第一基材，具有一第一表面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上； 至少兩第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少兩磊晶層，每一該磊晶層具有:一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上；一作用層，形成于該下披覆層上；一上披覆層，形成于該作用層上；以及一第二溝槽，垂直貫穿該上披覆層及該作用層，又局部貫穿該下披覆層； 一第二絕緣層，覆蓋于每一該上披覆層上，并形成于任兩該磊晶層及任兩該第一歐姆連接層間，該第二絕緣層于該上披覆層上及該第二溝槽內(nèi)側(cè)，分別形成有一第三開孔及一第四開孔； 至少兩第五導(dǎo)電板，分別形成于每一該第三開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆層；以及 至少兩第六導(dǎo)電板，分別形成于每一該第四開孔內(nèi)，其具有向下延伸的一延伸部，該延伸部垂直貫穿該磊晶層，且電性連接于該第一歐姆連接層。
8.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電路基板為一鋁基板或一陶瓷基板。
9.如權(quán)利要求8所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該陶瓷基板內(nèi)設(shè)有多條導(dǎo)熱柱或多條導(dǎo)電柱。
10.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中任兩該高壓LED芯片進(jìn)一步相互并聯(lián)，使該串聯(lián)電路又進(jìn)一步具有一并聯(lián)電路。
11.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該串聯(lián)電路進(jìn)一步又并聯(lián)至少一該串聯(lián)電路。
12.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二溝槽內(nèi)形成有該第二絕緣層。
13.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一基材為一透明基材及該粘著層為一透明粘著層，且該第二表面上形成有一反射層。
14.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該粘著層為一透明粘著層，且該第一基材與該粘著層間形成有一反射層。
15.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于進(jìn)一步包括一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少兩第三導(dǎo)電板及至少兩第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有多條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及每一該第四導(dǎo)電板，分別借由焊點(diǎn)電性連接于相對(duì)應(yīng)的該第五導(dǎo)電板及該第六導(dǎo)電板，又該第一基材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層。
16.如權(quán)利要求15所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二基材上，在上述第三導(dǎo)電板及上述第四導(dǎo)電板以外的部位形成有一反射層。
17.如權(quán)利要求15所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層上形成有一反射層。
18.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中上述第五導(dǎo)電板及上述第六導(dǎo)電板的表面高度，為相同水平的高度。
19.如權(quán)利要求7所述的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第二絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的該第五導(dǎo)電板或該第六導(dǎo)電板。
全文摘要
本發(fā)明為一種高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括電路基板；以及多個(gè)高壓LED芯片。高壓LED芯片包括第一基材；粘著層；第一歐姆連接層；磊晶層；第一絕緣層；至少兩第一導(dǎo)電板；至少兩第二導(dǎo)電板；以及第二基材。借由本發(fā)明的實(shí)施，可以以晶圓級(jí)工藝的高壓LED芯片結(jié)合較低成本的電路基板，以制作出體積小的高電壓交流發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L33/38GK103137643SQ20111039098
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者潘敬仁, 鄭為太, 陳明鴻 申請(qǐng)人:海立爾股份有限公司