專利名稱：成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜裝置。
背景技術(shù)：
例如在CIS系太陽能電池中，作為設(shè)置于玻璃基板(鈉鈣玻璃)上的里面電極采用了 Mo(鉬)。并且，提出有由聚酰亞胺膜構(gòu)成，并具備具有可撓性的基板的CIS系太陽能電池(參考專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2010-1468號(hào)公報(bào)在此，在玻璃基板上成膜有鉬層的成膜基板中，要求提高鉬層與玻璃基板的粘附力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決這種問題而完成的，其目的在于提供一種制造實(shí)現(xiàn)了提高玻璃基板與鉬層的粘附力的成膜基板的方法、成膜基板及成膜裝置。本發(fā)明人等為了實(shí)現(xiàn)上述目的反復(fù)進(jìn)行深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過在玻璃基板上成膜包含氧化鉬的粘附層，并在該粘附層上成膜鉬層，從而能夠提高鉬層與玻璃基板的粘附性。因此，基于本發(fā)明的成膜基板的制造方法，制造在玻璃基板上成膜有鉬的成膜基板，其特征在于，具備第1成膜工序，在含有氧的第1氣氛中，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；及第2成膜工序，在含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛中，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層。這種成膜基板的制造方法中，通過在含有氧的第1氣氛中，在玻璃基板的表面成膜第1鉬層而該第1鉬層與玻璃基板堅(jiān)固地粘附。而且，通過在該第1鉬層的表面成膜第2 鉬層而該第2鉬層與第1鉬層堅(jiān)固地粘附。即，第2鉬層通過第1鉬層成膜于玻璃基板上， 能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層與玻璃基板的粘附力。在此，第1成膜工序中，優(yōu)選在含氧率為0. 3 % 5. 0 %的所述第1氣氛中，成膜所述第1鉬層。由此，能夠提高玻璃基板與第1鉬層的粘附力和第1鉬層與第2鉬層之間的粘附力。并且，第2成膜工序中，優(yōu)選比第1鉬層更厚地成膜所述第2鉬層。這樣通過在玻璃基板上成膜膜厚厚于第1鉬層的第2鉬層，例如能夠加厚方塊電阻值較低的第2鉬層的厚度。當(dāng)將這種成膜基板用于太陽能電池時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻且高轉(zhuǎn)換率。并且，通過使方塊電阻較高的第1鉬層薄于第2鉬層，從而提高玻璃基板與第1鉬層的粘附力，且能夠抑制成膜基板整體的電阻值的增加。并且，基于本發(fā)明的成膜基板，其特征在于，具備玻璃基板、成膜于所述玻璃基板的表面且含有氧的第1鉬層及成膜于所述第1鉬層的表面且氧含有量少于所述第1鉬層的第2鉬層。
根據(jù)這種成膜基板，在玻璃基板的表面成膜含有氧的第1鉬層而玻璃基板與第1 鉬層被堅(jiān)固地粘附。而且，在該第1鉬層的表面成膜氧含有量少于第1鉬層的第2鉬層而第1鉬層與第2鉬層被堅(jiān)固地粘附。即，第2鉬層通過第1鉬層成膜于玻璃基板上，能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層與玻璃基板的粘附力。并且，優(yōu)選第2鉬層的方塊電阻值低于所述第1鉬層的方塊電阻值。這樣通過在玻璃基板上成膜第1鉬層，并在該第1鉬層的表面成膜方塊電阻值低于第1鉬層的方塊電阻值的第2鉬層，從而設(shè)成低電阻并提高作為電極膜的功能，且能夠?qū)崿F(xiàn)提高粘附力。在此，優(yōu)選第2鉬層厚于所述第1鉬層。這樣通過在玻璃基板上成膜膜厚厚于第1 鉬層的第2鉬層，從而能夠加厚方塊電阻值較低的第2鉬層的厚度。當(dāng)將這種成膜基板用于太陽能電池時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻且高轉(zhuǎn)換率。并且，通過使方塊電阻較高的第1鉬層薄于第2鉬層，從而提高玻璃基板與第1鉬層的粘附力，且能夠抑制成膜基板整體的電阻值的增加。并且，基于本發(fā)明的成膜裝置，其在玻璃基板成膜鉬，其特征在于，具備第1成膜室，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；第2成膜室，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層；及氧濃度控制部，將所述第1成膜室內(nèi)設(shè)為含有氧的第1氣氛，而將所述第2成膜室內(nèi)設(shè)為含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛，所述第1成膜室在所述第1氣氛下成膜所述第 1鉬層，所述第2成膜室在所述第2氣氛下成膜所述第2鉬層。在這種成膜裝置中，具備在玻璃基板的表面成膜第1鉬層的第1成膜室，將該第1 成膜室內(nèi)設(shè)為含有氧的第1氣氛，能夠在玻璃基板上成膜第1鉬層。由此，玻璃基板與第1 鉬層堅(jiān)固地粘附。并且，成膜裝置具備在第1鉬層的表面成膜第2鉬層的第2成膜室，將該第2成膜室內(nèi)設(shè)為含氧率低于第1氣氛的第2氣氛，能夠在第1鉬層的表面成膜第2鉬層。 由此，第1鉬層與第2鉬層堅(jiān)固地粘附。即，第2鉬層通過第1鉬層成膜于玻璃基板上，能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層與玻璃基板的粘附力。在此，優(yōu)選第1成膜室兼作第2成膜室。這樣，也可以設(shè)為具備兼作第1成膜室和第2成膜室的結(jié)構(gòu)，即所述第1成膜室在含有氧的第1氣氛下在玻璃基板上成膜第1鉬層， 所述第2成膜室在含氧率低于第1氣氛的第2氣氛下在第1鉬層的表面成膜第2鉬層。由此，能夠在相同的成膜室內(nèi)成膜第1鉬層之后成膜第2鉬層。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種制造實(shí)現(xiàn)了提高玻璃基板與鉬層的粘附力的成膜基板的方法、成膜基板及成膜裝置。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的太陽能電池單元的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的成膜裝置的簡要截面結(jié)構(gòu)圖。圖3是表示基于成膜條件的剝離試驗(yàn)結(jié)果的圖。圖中1-太陽能電池單元，2-玻璃基板，3-里面電極層，3a_第1鉬層，3b_第2鉬層，10-成膜裝置(濺射裝置)，IlA-第1成膜室，1讓-第2成膜室，3(^、3( 、3()(-氧濃度調(diào)整裝置(氧量控制部)，31、32_質(zhì)流控制器，35-控制部。
具體實(shí)施例方式以下，參考附圖對(duì)基于本發(fā)明的成膜基板、成膜裝置及成膜基板的制造方法的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。本發(fā)明的成膜基板例如作為太陽能電池單元的里面電極使用。圖1 是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的太陽能電池單元的截面圖。另外，在

中對(duì)相同或相當(dāng)要件附加相同符號(hào)而省略重復(fù)說明。(成膜基板)圖1所示的太陽能電池單元1為CIGS系太陽能電池，其在玻璃基板2上依次層疊有里面電極層3、CIGS層4、緩沖層5及透明電極層6。玻璃基板2為包含鈉(Na)的鈉玻璃。CIGS層4為由包含銅(Cu)、銦( )、鎵(Ga)、 硒(Se)的半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)電層。里面電極層3具備成膜于玻璃基板2的表面的第1鉬層3a、及成膜于該第1鉬層 3a的表面的第2鉬層北。第1鉬層3a在含有氧的第1氣氛中成膜，并具有氧化鉬。在第1鉬層3a上添加有微量的氧。第1鉬層3a的膜厚例如為IOnm IOOnm左右。并且，第1鉬層3a的方塊電阻值例如為10 Ω / □ 100 Ω / □左右。第2鉬層北為在含氧率低于第1氣氛的第2氣氛下成膜的鉬層。第2鉬層北的膜厚例如為400nm 900nm左右。并且，第2鉬層北的方塊電阻值例如為0. 2Ω / □ 0. 5Ω / □左右。而且，第1鉬層3a作為配置于玻璃基板2與第2鉬層(鉬主層)3b之間的粘附層發(fā)揮作用。第2鉬層北形成為膜厚厚于第1鉬層3a。并且，第2鉬層北的方塊電阻值形成為低于第1鉬層3a的方塊電阻值。另外，玻璃基板2、第1鉬層3a及第2鉬層北相當(dāng)于本發(fā)明的成膜基板。(成膜裝置)接著，參考圖2對(duì)在玻璃基板2成膜鉬層3a、3b的成膜裝置10進(jìn)行說明。圖2所示的成膜裝置10為進(jìn)行基于濺射法的成膜的裝置，在真空中的稀薄氬氣氛下產(chǎn)生電漿，使電漿中的正離子碰撞成膜材料(Mo靶)21，由此彈出金屬原子使其附著于基板上而進(jìn)行成膜。成膜裝置10具備進(jìn)行成膜處理的第1及第2成膜室(真空腔室)11A、11B，第1成膜室IlA的入口側(cè)連結(jié)有基板放入室(排氣室)12A，第2成膜室IlB的出口側(cè)連結(jié)有基板取出室(通風(fēng)室)12B。并且，在第1成膜室IlA與第2成膜室IlB之間連結(jié)有氣體分離室 12C。第1成膜室IlA的出口側(cè)連結(jié)有氣體分離室12C的入口側(cè)，氣體分離室12C的出口側(cè)連結(jié)有第2成膜室IlB的入口側(cè)?；宸湃胧?2A為用于將置于大氣壓下的基板放進(jìn)裝置內(nèi)并將室內(nèi)設(shè)為真空的腔室。基板取出室12B為用于將置于真空中的成膜基板(成膜有鉬層的玻璃基板)取出至大氣壓環(huán)境下的腔室。氣體分離室12C為用于進(jìn)行基于氣體置換的氧氣與氬氣的分壓比改變的腔室。以下，在不區(qū)分基板放入室12A、第1成膜室11A、氣體分離室12C、第2成膜室IlB 及基板取出室12B時(shí)，有時(shí)也記成腔室11、12。這些腔室11、12由真空容器所構(gòu)成，在腔室 11、12的出入口設(shè)置有閘閥GV。閘閥GV為具備用于隔開真空環(huán)境與大氣壓環(huán)境的較大閥體的閥。當(dāng)閘閥GV的兩側(cè)壓力相等時(shí)，通過開放閘閥GV來連通鄰接的腔室11、12，使基板 2通過。并且，在各腔室11、12內(nèi)設(shè)置有用于輸送基板2的基板輸送輥14，并且設(shè)置有用于加熱基板2的加熱器15。加熱器15進(jìn)行加熱，以便基板溫度例如在70°C 350°C的范圍內(nèi)恒定。另外，基板放入室12A及基板取出室12B上連接有旋轉(zhuǎn)泵16，腔室11、12上連接有 TMP(渦輪分子泵)17。旋轉(zhuǎn)泵16為用于從大氣壓排氣至1 的在黏滯流區(qū)域中使用的泵， TMP17為用于進(jìn)行IPa以下的排氣的在分子流區(qū)域中使用的泵。并且，成膜裝置10具有在第1及第2成膜室IlAUlB內(nèi)保持濺射靶的濺射陰極 (保持部)。作為濺射靶的Mo靶21被配置于第1及第2成膜室IlAUlB上部。第2成膜室IlB中，沿著基板2的輸送方向配置有多個(gè)Mo靶21。Mo靶21電連接于DC電源23。DC 電源23為供給直流電力的電源。在此，第1成膜室IlA為在含有預(yù)定量氧的第1氣氛中在玻璃基板2的表面成膜第1鉬層3a的成膜室。第2成膜室IlB為在含氧率低于第1氣氛的第2氣氛中在第1鉬層3a的表面成膜第2鉬層北的成膜室。而且，成膜裝置10具備將第1成膜室IlA內(nèi)設(shè)為含有預(yù)定量氧的第1氣氛，而將第2成膜室IlB內(nèi)設(shè)為含氧率低于第1氣氛的第2氣氛的氧濃度調(diào)整裝置(氧濃度控制部)30A、30B。氧濃度調(diào)整裝置30A向第1成膜室IlA內(nèi)供給氣體，并且調(diào)整第1成膜室IlA內(nèi)的氧濃度。氧濃度調(diào)整裝置30A具備質(zhì)流控制器31，調(diào)節(jié)向第1成膜室IlA內(nèi)的氧氣導(dǎo)入量；質(zhì)流控制器32，調(diào)節(jié)向第1成膜室IlA內(nèi)的氬氣導(dǎo)入量；氣體供給路徑33，連接于第 1成膜室IlA并導(dǎo)入氣體；氧濃度儀34，檢測第1成膜室IlA內(nèi)的氧濃度；及控制部35，為了調(diào)整第1成膜室IlA內(nèi)的氧濃度而控制質(zhì)流控制器31。氧濃度調(diào)整裝置30B向第2成膜室IlB內(nèi)供給氣體，并且調(diào)整第2成膜室IlB內(nèi)的氧濃度。氧濃度調(diào)整裝置30B具備質(zhì)流控制器31，調(diào)節(jié)向第2成膜室IlB內(nèi)的氧氣導(dǎo)入量；質(zhì)流控制器32，調(diào)節(jié)向第2成膜室IlB內(nèi)的氬氣導(dǎo)入量；氣體供給路徑33，連接于第 2成膜室IlB而導(dǎo)入氣體；氧濃度儀34，檢測第2成膜室IlB內(nèi)的氧濃度；及控制部35，為了調(diào)整第2成膜室IlB內(nèi)的氧濃度而控制質(zhì)流控制器31。氧濃度調(diào)整裝置30C向氣體分離室12C內(nèi)供給氣體，并且根據(jù)與氣體分離室12C 鄰接的閘閥GV的狀態(tài)調(diào)整氧濃度。即，當(dāng)?shù)?成膜室IlA側(cè)的閘閥GV開啟時(shí)調(diào)整至與第 1成膜室IlA內(nèi)相同的氧濃度，而當(dāng)?shù)?成膜室IlB側(cè)的閘閥GV開啟時(shí)調(diào)整至與第2成膜室IlB內(nèi)相同的氧濃度。另外，控制第1成膜室IlA側(cè)的閘閥GV和第2成膜室IlB側(cè)的閘閥GV，以免同時(shí)開啟。在調(diào)節(jié)氧氣導(dǎo)入量的質(zhì)流控制器31上連接有供給氧氣的氧氣瓶，而在調(diào)節(jié)氬氣導(dǎo)入量的質(zhì)流控制器32上連接有供給氬氣的氬氣瓶。流量由質(zhì)流控制器31、32調(diào)整的氧氣及氬氣通過氣體供給路徑33而被導(dǎo)入至第1成膜室11A、第2成膜室IlB內(nèi)，成膜室11A、 IlB內(nèi)的氧分壓被保持為恒定。作為調(diào)節(jié)氧氣導(dǎo)入量、氬氣導(dǎo)入量的流量調(diào)節(jié)器，可以使用熱膨脹閥式、電磁閥式、壓力閥式流量調(diào)整器。并且，氧濃度調(diào)整裝置30A、30B的控制部35能夠根據(jù)通過氧濃度儀34檢測出的第1成膜室11A、第2成膜室IlB內(nèi)的氧濃度來控制質(zhì)流控制器31、32?？刂撇?5例如通過將氬氣的導(dǎo)入量設(shè)成恒定來控制氧氣導(dǎo)入量，從而調(diào)整成膜室11內(nèi)的氧濃度。例如，優(yōu)選將第1成膜室IlA內(nèi)的氧分壓控制成0. 003Pa 0. 05 左右，優(yōu)選將第2成膜室IlB內(nèi)的氧分壓控制成0 0. 002Pa左右。(成膜裝置的動(dòng)作及成膜基板的制造方法)接著，對(duì)成膜裝置10的動(dòng)作及成膜基板的制造方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方式所涉及的成膜基板的制造方法，其制造在玻璃基板2上成膜有鉬的成膜基板，該方法具備第1成膜工序，在含有預(yù)定量氧的第1氣氛中，在玻璃基板2的表面成膜第1鉬層3a ；及第2成膜工序，在含氧率低于第1氣氛的第2氣氛中，在第1鉬層3a的表面成膜第2鉬層北。第1 成膜工序在成膜裝置10的第1成膜室IlA實(shí)施，第2成膜工序在成膜裝置10的第2成膜室IlB實(shí)施。首先，作為第1成膜工序及第2成膜工序的預(yù)處理，使用旋轉(zhuǎn)泵16及TMP17進(jìn)行第1成膜室IlA及第2成膜室IlB內(nèi)的排氣而成為真空狀態(tài)。第1成膜室11A、第2成膜室 IlB內(nèi)的壓力例如優(yōu)選設(shè)為5X10_4Pa以下。其次，將各加熱器15設(shè)成ON狀態(tài)之后，使加熱器15中的設(shè)定值穩(wěn)定，以使導(dǎo)入至各腔室11 13內(nèi)的基板2的溫度在70°C 350°C的范圍內(nèi)恒定。加熱器15的溫度若從常溫上升至設(shè)定值(例如為200°C )，則附著于加熱器15本身及真空腔室11、12內(nèi)的H2O或 CO2脫離，腔室11、12的壓力暫時(shí)上升。確認(rèn)第1成膜室IlA內(nèi)的壓力為所希望的真空壓力(5X10_Va以下)后，氧濃度調(diào)整裝置30A的控制部35驅(qū)動(dòng)質(zhì)流控制器31、32，開始向第1成膜室IlA內(nèi)供給氧氣及氬氣。質(zhì)流控制器31、32將第1成膜室IlA內(nèi)的壓力在0. IPa IPa的范圍內(nèi)維持在任意值。 在第1成膜工序中，調(diào)整氧氣及氬氣的供給量，以使含氧率成為0. 3% 5. 0%。確認(rèn)第2成膜室IlB內(nèi)的壓力為所希望的真空壓力(5X10_4Pa以下)后，氧濃度調(diào)整裝置30B的控制部35驅(qū)動(dòng)質(zhì)流控制器31、32，開始向第2成膜室IlB內(nèi)供給氧氣及氬氣。質(zhì)流控制器31、32將第2成膜室IlB內(nèi)的壓力在0. IPa IPa的范圍內(nèi)維持在任意值。 在第2成膜工序中，調(diào)整氧氣及氬氣的供給量，以使含氧率成為0. 0% 0. 2%。之后，將DC電源23設(shè)成ON狀態(tài)，在成膜室11內(nèi)產(chǎn)生電漿。若開始第1成膜室IlA內(nèi)的電漿放電，則開始Mo靶21的濺射。此時(shí)，DC電源23 將相對(duì)于Mo靶21的電力密度控制成維持在lW/cm2 5W/cm2的范圍內(nèi)的任意值。若開始第2成膜室IlB內(nèi)的電漿放電，則開始Mo靶21的濺射。此時(shí)，DC電源23 將對(duì)Mo靶21的電力密度控制成維持在5W/cm2 30W/cm2的范圍內(nèi)的任意值。在此，氧濃度調(diào)整裝置30A、30B的控制部35控制質(zhì)流控制器31，并控制成氧氣的導(dǎo)入流量相對(duì)氬氣的導(dǎo)入流量維持在例如1/1000至1/10的范圍內(nèi)的任意值。作為被成膜基板的玻璃基板2被導(dǎo)入至基板放入室12A內(nèi)。若玻璃基板2被導(dǎo)入至基板放入室12A內(nèi)，則通過旋轉(zhuǎn)泵16及TMP17進(jìn)行排氣，基板放入室12A內(nèi)成為真空狀態(tài)。若基板放入室12A內(nèi)成真空狀態(tài)，則配置于基板放入室12A與第1成膜室IlA之間的閘閥GV被開放，連通基板放入室12A及第1成膜室11A，玻璃基板2被導(dǎo)入至第1成膜室 IlA 內(nèi)。在第1成膜室1IA內(nèi)，將基于基板輸送輥14的基板輸送速度控制成恒定值來控制成膜于玻璃基板2上的第1鉬層3a的膜厚。在第1成膜室IlA中，在Mo靶21的正下方形成有濺射鉬的空間。而且，使玻璃基板2通過濺射空間內(nèi)，由此在玻璃基板2上成膜第1鉬層3a。在進(jìn)行第1成膜工序的第1成膜室IlA中，優(yōu)選以第1鉬層3a的膜厚的平均值例如成為IOnm以上的方式控制輸送速度。基于第1成膜工序的成膜結(jié)束后的玻璃基板2被輸送至氣體分離室12C。在氣體分離室12C中，進(jìn)行基于氣體置換的氧氣與氬氣的分壓比改變，玻璃基板2被輸送至第2成膜室IlB內(nèi)。在第2成膜室1IB內(nèi)，將基于基板輸送輥14的基板輸送速度控制成恒定值來控制成膜于玻璃基板2上的第2鉬層北的膜厚。在第2成膜室IlB中，在Mo靶21的正下方形成有濺射鉬的空間。而且，使玻璃基板2通過濺射空間內(nèi)，由此在玻璃基板2上成膜第2鉬層北。在進(jìn)行第2成膜工序的第2成膜室IlB中，優(yōu)選以第2鉬層北的膜厚的平均值例如成為400nm以上的方式控制輸送速度?；诘?成膜工序的成膜結(jié)束后的玻璃基板2被輸送至基板取出室12B。在基板取出室12B中，進(jìn)行空氣向室內(nèi)的導(dǎo)入，室內(nèi)的壓力從真空變成大氣壓時(shí)，玻璃基板2被輸送至基板取出室12B外。為了準(zhǔn)備導(dǎo)入成膜結(jié)束后的下一個(gè)玻璃基板2，取出玻璃基板2后的基板取出室12B內(nèi)進(jìn)行基于旋轉(zhuǎn)泵16及TMP17的排氣而成為真空狀態(tài)。另外，成膜裝置10 也可以是編入有序列的結(jié)構(gòu)，以便上述成膜基板的制造方法中的各種工序依次自動(dòng)進(jìn)行。圖3是表示基于成膜條件的剝離試驗(yàn)結(jié)果的圖。圖3中，在上段示出橫切剝離試驗(yàn)(JIS-K5600及IS02409)的結(jié)果，在中段示出高溫退火后的橫切剝離試驗(yàn)的結(jié)果，在下段示出LASER劃線時(shí)的圖案緣部剝離試驗(yàn)的結(jié)果。對(duì)于功率密度1. 0W/cm2、l. 5W/cm2、2. Off/cm2 的 3 階段、氧流量比 0. 1 %、0. 2 %、 0. 3%、0. 5 %、1. O%、2. O %、3. O %、5. O%、10 %的9階段改變成膜條件而實(shí)施了上述剝離試驗(yàn)。圖3中，將“無剝離”圖示為“〇”并將“有剝離”圖示為“X”作為試驗(yàn)結(jié)果。另外， 功率密度是指在第1成膜室(第1成膜工序)中相對(duì)于靶里面存在的磁路的面積的電力密度。并且，氧流量比是指氧氣相對(duì)于氬氣濺射氣體的體積流量的比率。根據(jù)圖3的試驗(yàn)結(jié)果，可知如下因功率密度優(yōu)選的氧流量比有所不同，但在氧流量比為0. 3% 5. O %的范圍內(nèi)，能夠抑制鉬層3a、3b的剝離。這樣，通過在玻璃基板2上成膜含有微量氧的第1鉬層(粘附層)3a，并在該第1鉬層3a的表面成膜第2鉬層北，從而能夠提高玻璃基板2與鉬層3a、3b的粘附性。如以上說明，在本實(shí)施方式的成膜基板中，在玻璃基板2的表面成膜含有氧的第1 鉬層3a而玻璃基板2與第1鉬層3a被堅(jiān)固地粘附。而且，在該第1鉬層3a的表面成膜氧含有量少于第1鉬層3a的第2鉬層北而第1鉬層3a與第2鉬層北被堅(jiān)固地粘附。艮口， 第2鉬層北通過第1鉬層3a成膜于玻璃基板2上，能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層北與玻璃基板 2的粘附力。其結(jié)果，能夠抑制制造太陽能電池單元時(shí)的產(chǎn)率下降。并且，能夠?qū)崿F(xiàn)提高太陽能電池單元的質(zhì)量。在此，優(yōu)選第2鉬層北的方塊電阻值低于第1鉬層3a的方塊電阻值，通過在第1 鉬層3a的表面成膜方塊電阻值低于第1鉬層3a的方塊電阻值的第2鉬層北，從而設(shè)成低電阻并提高作為電極膜的功能，且能夠?qū)崿F(xiàn)提高粘附力。并且，優(yōu)選第2鉬層北厚于所述第1鉬層3a，通過成膜膜厚厚于第1鉬層3a的第2鉬層3b，從而能夠加厚方塊電阻值較低的第2鉬層北的厚度。因此，在具備成膜基板的太陽能電池單元1中，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻且高轉(zhuǎn)換率。并且，通過使方塊電阻較高的第1鉬層 3a薄于第2鉬層北，從而提高玻璃基板2與第1鉬層3a的粘附力，且能夠抑制成膜基板整體的電阻值的增加。并且，在本實(shí)施方式的成膜裝置10中，具備在玻璃基板2的表面成膜第1鉬層3a 的第1成膜室11A，將該第1成膜室IlA內(nèi)設(shè)為含有氧的第1氣氛，能夠在玻璃基板2上成膜第1鉬層3a。由此，能夠使玻璃基板2與第1鉬層3a堅(jiān)固地粘附。并且，成膜裝置10具備在第1鉬層3a的表面成膜第2鉬層北的第2成膜室11B，將該第2成膜室IlB內(nèi)設(shè)為含氧率低于第1氣氛的第2氣氛，能夠在第1鉬層3a的表面成膜第2鉬層北。由此，能夠使第1鉬層3a與第2鉬層北堅(jiān)固地粘附。S卩，第2鉬層北通過第1鉬層3a成膜于玻璃基板2上，能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層北與玻璃基板2的粘附力。另外，也可以設(shè)成具備兼用第 1成膜室和第2成膜室的成膜室的成膜裝置。并且，本實(shí)施方式的成膜基板的制造方法中，在含有氧的第1氣氛中，在玻璃基板 2的表面成膜第1鉬層3a，且第1鉬層3a堅(jiān)固地粘附于玻璃基板2。而且，在該第1鉬層 3a的表面成膜第2鉬層北，且第2鉬層北堅(jiān)固地粘附于第1鉬層3a。S卩，第2鉬層北通過第1鉬層3a成膜于玻璃基板上，能夠?qū)崿F(xiàn)提高第2鉬層北與玻璃基板2的粘附力。當(dāng)將本實(shí)施方式的成膜基板利用于太陽能電池單元時(shí)，在鉬的成膜工序后的其他工序中，即使暴曬于高溫(例如為600°C)下，也能夠防止鉬層3a、!3b的剝離。并且，能夠防止在成膜基板上實(shí)施LASER劃線時(shí)的鉬層3a、3b的剝離。因此，可以實(shí)現(xiàn)提高鉬層的粘附性。并且，本實(shí)施方式的成膜基板中，由于鉬層的粘附力有所提高，因此玻璃基板2中的鈉量優(yōu)選通過鉬層，到達(dá)粘附于鉬層的CIGS層4，能夠?qū)崿F(xiàn)提高CIGS層4中的發(fā)電效率。以上，根據(jù)其實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式。上述實(shí)施方式中，進(jìn)行基于濺射法的成膜，但例如也能夠適用物理氣相沉積法、離子電鍍法，并且還可以利用其他成膜方法來進(jìn)行成膜。并且，上述實(shí)施方式中，將本發(fā)明的成膜基板應(yīng)用于CIGS型太陽能電池，但也可以將本發(fā)明的成膜基板應(yīng)用于例如色素增感型等其他太陽能電池。另外，也可以將本發(fā)明的成膜基板應(yīng)用于觸控面板、液晶顯示器(液晶顯示元件)、有機(jī)EL元件等中使用的基板。
權(quán)利要求
1.一種成膜基板的制造方法，制造在玻璃基板上成膜有鉬的成膜基板，其特征在于，該制造方法具備第1成膜工序，在含有氧的第1氣氛中，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；及第2成膜工序，在含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛中，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜基板的制造方法，其特征在于，所述第1成膜工序中，在含氧率為0. 3% 5. 0%的所述第1氣氛中，成膜所述第1鉬層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的成膜基板的制造方法，其特征在于， 所述第2成膜工序中，比所述第1鉬層更厚地成膜所述第2鉬層。
4.一種成膜基板，其特征在于，具備 玻璃基板；第1鉬層，成膜于所述玻璃基板的表面且含有氧；及第2鉬層，成膜于所述第1鉬層的表面且氧含有量少于所述第1鉬層。
5.如權(quán)利要求4所述的成膜基板，其特征在于，所述第2鉬層的方塊電阻值低于所述第1鉬層的方塊電阻值。
6.如權(quán)利要求5所述的成膜基板，其特征在于， 所述第2鉬層厚于所述第1鉬層。
7.一種在玻璃基板成膜鉬的成膜裝置，其特征在于，具備 第1成膜室，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；第2成膜室，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層；及氧濃度控制部，將所述第1成膜室內(nèi)設(shè)為含有氧的第1氣氛，而將所述第2成膜室內(nèi)設(shè)為含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛，所述第1成膜室在所述第1氣氛下成膜所述第1鉬層， 所述第2成膜室在所述第2氣氛下成膜所述第2鉬層。
8.如權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其特征在于， 所述第1成膜室兼作所述第2成膜室。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜裝置，所述成膜基板實(shí)現(xiàn)了提高玻璃基板與鉬層的粘附力。在含有預(yù)定量氧的第1氣氛中，在玻璃基板(2)的表面成膜第1鉬層(3a)，在含氧率低于第1氣氛的第2氣氛中，在第1鉬層(3a)的表面成膜第2鉬層(3b)。由此，能夠在玻璃基板(2)上成膜包含氧化鉬的粘附層(3a)，并在該粘附層(3a)上成膜鉬層(3b)。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK102447005SQ201110295469
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者巖田寬 申請人:住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社