專(zhuān)利名稱(chēng)：基板的制作方法
基板技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板，尤其涉及一種適于與發(fā)光二極管芯片共晶接合的基板。
背景技術(shù)：
在環(huán)保意識(shí)高漲的今日，人們除了積極地尋找再生能源之外，亦不斷地投入節(jié)能產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。以照明產(chǎn)品為例，一種節(jié)能環(huán)保的光源，即發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)芯片，已被開(kāi)發(fā)出來(lái)。發(fā)光二極管芯片藉由在P_N接面中重組電子與電洞來(lái)發(fā)光。相較于傳統(tǒng)光源，發(fā)光二極管芯片具有低消耗功率(power consumption)及長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)，因此已被廣泛地運(yùn)用在各領(lǐng)域中。
發(fā)光二極管芯片是一種電流驅(qū)動(dòng)元件，其需藉由適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)之。一般而言，發(fā)光二極管芯片會(huì)封裝于具有驅(qū)動(dòng)電路的基板上。發(fā)光二極管芯片封裝于基板上的技術(shù)主要可分為打線(xiàn)技術(shù)(wire bonding)與覆晶(flip-chip)技術(shù)。打線(xiàn)技術(shù)是將發(fā)光二極管芯片利用銀膠或是共晶技術(shù)將發(fā)光二極管芯片背面固定于基板上，再利用打線(xiàn)的方式讓發(fā)光二極管芯片利用金屬線(xiàn)與基板上的連結(jié)點(diǎn)連接。覆晶技術(shù)，也稱(chēng)倒晶封裝法，是將發(fā)光二極管芯片正面與基板利用金球或共晶技術(shù)固定于基板上。上述共晶技術(shù)是將發(fā)光二極管芯片正/背面蒸鍍或?yàn)R鍍上一層共晶焊料(eutectic solder) 0接著，在基板的焊墊上鍍上一層黃金。然后，將基板置于加熱板上加熱至共晶焊料的熔點(diǎn)之后，再將發(fā)光二極管芯片壓合于焊墊上并使焊墊上的黃金與發(fā)光二極管芯片上的共晶焊料結(jié)合在一起。之后， 將基板的溫度下降至共晶焊料的熔點(diǎn)之下，而使共晶焊料固化，即完成固晶(die bonding) 作業(yè)。然而，為增加發(fā)光二極管芯片的光利用效率，現(xiàn)有基板的最外層多設(shè)有金屬反射層。 當(dāng)發(fā)光二極管芯片以上述的共晶技術(shù)進(jìn)行封裝時(shí)，基板的金屬反射層會(huì)曝露在高溫的環(huán)境中，而易與外界氣體作用，進(jìn)而發(fā)生氧化的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基板，其可改高溫制程中金屬反射層易被氧化的問(wèn)題。
本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所揭示的技術(shù)特征中得到進(jìn)一步的了解。
為達(dá)上述的一或部分或全部目的或是其他目的，本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種基板，其包括基底、金屬反射層以及抗氧化層。基底具有相對(duì)的第一表面與第二表面。金屬反射層配置于基底的第一表面上?？寡趸瘜痈采w金屬反射層。金屬反射層位于抗氧化層與基底的第一表面之間。至少一發(fā)光二極管芯片或是一覆晶式發(fā)光二極管芯片適于配置于基板上。
換言之，一種基板，至少一覆晶式發(fā)光二極管芯片適于配置于該基板上，該基板包括基底、金屬反射層、抗氧化層；基底具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面；金屬反射層配置于該基底的該第一表面上；抗氧化層覆蓋該金屬反射層，而該金屬反射層位于該抗氧化層與該基底的該第一表面之間。
本發(fā)明的另一實(shí)施例提出一種基板，至少一發(fā)光二極管芯片適于配置于該基板上，該基板包括基底、金屬反射層、抗氧化層；基底具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 金屬反射層配置于該基底的該第一表面上；抗氧化層覆蓋該金屬反射層，而該金屬反射層位于該抗氧化層與該基底的該第一表面之間，其中該金屬反射層具有一第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與該第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第一接墊，該抗氧化層曝露出該些第一接墊，而該發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)讓該發(fā)光二極管芯片該第一接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬反射層具有第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第一接墊?？寡趸瘜悠芈冻龅谝唤訅|，發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與第一接墊電性連接，進(jìn)而與第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接，而覆晶式發(fā)光二極管芯片則是通過(guò)第一接墊與第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板可進(jìn)一步包括導(dǎo)電層。所述的導(dǎo)電層配置于基底的第一表面與金屬反射層之間，且導(dǎo)電層具有第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第二接墊?？寡趸瘜右约敖饘俜瓷鋵悠芈冻龅诙訅|，發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與第二接墊電性連接，進(jìn)而與第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接，而覆晶式發(fā)光二極管芯片通過(guò)第二接墊與第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管芯片/覆晶式發(fā)光二極管芯片發(fā)出光束。部分的光束傳遞至抗氧化層且被抗氧化層反射而遠(yuǎn)離基底。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的抗氧化層為分散式布拉格反射層(distributed Bragg reflector, DBR)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的抗氧化層包括多個(gè)高折射率層以及多個(gè)低折射率層，其中高折射率層與低折射率層交替堆疊，每一高折射率層或低折射率層的光穿透度高于 92%。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的高折射率層的折射率大于或等于2，而低折射率層的折射率小于或等于1. 7。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的高折射率層的材料是選自于硅(Si)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化三鈦(Ti3O5)或五氧化二鈮(Nb2O5),而低折射率層的材料是選自于二氧化硅(SiO2)或氟化鎂(MgF2)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基底的第一表面的粗糙度(roughness)小于O. 3 微米。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬反射層的材質(zhì)是選自于銀、鋁、金、銅或其組口 ο
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的抗氧化層的材質(zhì)是選自于硅(Si)、五氧化二鉭 (Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化三鈦(Ti3O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)或其組合。
基于上述，本發(fā)明一實(shí)施例的基板藉由在金屬反射層上配置抗氧化層，而使得金屬反射層在高溫制程中不易發(fā)生氧化的問(wèn)題。本發(fā)明一實(shí)施例的抗氧化層除了具有防止金屬反射層氧化的功能外，同時(shí)還兼具反射光束的功效。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的基板的剖面示意圖。
圖2為圖1的抗氧化層的放大示意圖。
圖3示出本發(fā)明第一實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的基板的剖面示意圖。
圖5示出本發(fā)明第二實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形。
附圖標(biāo)記
100、100A :基板
102 :基底
102a、102b :基底的表面
104 :金屬反射層
104a、108a :線(xiàn)路結(jié)構(gòu)
104b、108b:接墊
106 :抗氧化層
106a:高折射率層
106b :低折射率層
108:導(dǎo)電層
110:絕緣層
200 :覆晶式發(fā)光二極管芯片
202 :第一型摻雜半導(dǎo)體層
204 :第二型摻雜半導(dǎo)體層
206:發(fā)光層
208、210:電極
300:固晶結(jié)構(gòu)
400 :打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片
400a :背面
410 :導(dǎo)線(xiàn)
D1、D2:厚度
L :光束具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的基板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，至少一覆晶(flip chip)式發(fā)光二極管芯片200適于配置于本實(shí)施例的基板100上。在圖1中顯示一個(gè)覆晶式發(fā)光二極管芯片200作為代表，然而本發(fā)明的基板并不限制其可承載的覆晶式發(fā)光二極管芯片的數(shù)量。換言之，本發(fā)明的基板100可承載多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管芯片200。在本實(shí)施例中，覆晶(flip chip)式發(fā)光二極管芯片200包括第一型摻雜半導(dǎo)體層202、第二型摻雜半導(dǎo)體層204、發(fā)光層206、第一電極208以及第二電極210。發(fā)光層206配置于第一型摻雜半導(dǎo)體層202與第二型摻雜半導(dǎo)體層204之間。第一電極208與第二電極210分別配置于第一型摻雜半導(dǎo)體層202與第二型摻雜半導(dǎo)體層204上。第一電極208與第二電極210 面向基板100，并通過(guò)固晶結(jié)構(gòu)300與基板100連接。
在本實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層202例如為N型半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層204例如為P型半導(dǎo)體層。發(fā)光層206例如為氮化鎵(gallium nitride, GaN)層與氮化銦鎵(indium gallium nitride, InGaN)層交替堆疊的多重量子講結(jié)構(gòu)(Multiple Quantum Well，MQW)。第一電極208與第二電極210的材質(zhì)為導(dǎo)電材料可選自于金、銀、鉬、 銅、鉻、鋁、其他導(dǎo)電材料及其組合，但本發(fā)明不以上述為限。
本實(shí)施例的基板100包括基底102、金屬反射層104以及抗氧化層106?；?102具有相對(duì)的第一表面102a與第二表面102b。在本實(shí)施例中，第一表面102a的粗糙度 (roughness)可小于O. 3微米，以使金屬反射層104可平整地鋪設(shè)于第一表面102a上進(jìn)而達(dá)到良好的的反射功能。值得一提的是，當(dāng)?shù)谝槐砻?02a的粗糙度越小時(shí)，金屬反射層104 的反射效果越佳。舉例而言，當(dāng)?shù)谝槐砻?02a的粗糙度達(dá)到O. 01微米以下時(shí)，金屬反射層 104則可呈現(xiàn)鏡面反射的效果。在本實(shí)施例中，基底102的材質(zhì)可為陶瓷(ceramic)、藍(lán)寶石(sapphire)、娃(Si)或碳化娃(SiC),但本發(fā)明不以上述為限。
本實(shí)施例的金屬反射層104配置于基底102的第一表面102a上。在本實(shí)施例中， 金屬反射層104除了可反射覆晶式發(fā)光二極管芯片200所發(fā)出的部分光束L而使其遠(yuǎn)離基底102之外，金屬反射層104本身亦可為線(xiàn)路層。詳言之，本實(shí)施例的金屬反射層104可具有線(xiàn)路結(jié)構(gòu)104a以及與線(xiàn)路結(jié)構(gòu)104a連接的多個(gè)接墊104b，其中接墊104b被抗氧化層 106所曝露。覆晶式發(fā)光二極管芯片200可通過(guò)接墊104b與線(xiàn)路結(jié)構(gòu)104a電性連接。在本實(shí)施例中，金屬反射層104對(duì)于覆晶式發(fā)光二極管芯片200所發(fā)出的部分光束L的反射率高于90%，其材質(zhì)可選自于銀、鋁、金、銅或其組合。
本實(shí)施例的抗氧化層106覆蓋金屬反射層104，而金屬反射層104位于抗氧化層 106與基底102的第一表面102a之間。在本實(shí)施例中，抗氧化層106的材質(zhì)可選自于娃(Si)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化三鈦(Ti3O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)或其組合。值得一提的是，由于本實(shí)施例的抗氧化層106覆蓋了金屬反射層104，因此當(dāng)覆晶式發(fā)光二極管芯片200以共晶制程(制程溫度約攝氏280度) 與基板100接合時(shí)，金屬反射層104不易與外界氣體接觸而發(fā)生氧化或遷移的問(wèn)題。如此一來(lái)，在共晶制程完成后，金屬反射層104便可保有原本的良好的反射特性，進(jìn)而提高覆晶式發(fā)光二極管芯片200的光利用效率。
值得特別注意的是，本實(shí)施例的抗氧化層106除了具有防止金屬反射層氧化的功能外，同時(shí)還兼具反射光束的功效。覆晶式發(fā)光二極管芯片200所發(fā)出的部分光束L可能會(huì)朝向往基板100的方向傳遞,而無(wú)法被使用者所利用。然而,本實(shí)施例的抗氧化層106反射光束L，而使光束L往遠(yuǎn)離基板100的方向行進(jìn)，進(jìn)而提高覆晶式發(fā)光二極管芯片200的光利用效率。具體而言，相較于現(xiàn)有技術(shù)中僅具金屬反射層的基板，本實(shí)施例的抗氧化層106 可將基板100的反射率由90%提升至98%以上。
圖2為圖1的抗氧 化層106的放大示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，舉例而言，本實(shí)施例的抗氧化層106可為分散式布拉格反射層(distributed Bragg ref lector, DBR)。更進(jìn)一步地說(shuō)，本實(shí)施例的抗氧化層106包括多個(gè)高折射率層106a以及多個(gè)低折射率層106b，其中高折射率層106a與低折射率層106b可交替堆疊，每一高折射率層106a或低折射率層106b的光穿透度均高于92%。在本實(shí)施例中，高折射率層106a的折射率可大于或等于2，而低折射率層106b的折射率可小于或等于1. 7。高折射率層106a的材料是可選自于硅(Si)、 五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化三鈦(Ti3O5)或五氧化二鈮(Nb2O5),而低折射率層106b的材料可選自于二氧化硅(SiO2)或氟化鎂(MgF2)。另外，若覆晶式發(fā)光二極管芯片200所發(fā)出的光束L的中心波長(zhǎng)為λ，則每一高折射率層106a的厚度Dl以及每一低折射率層106b的厚度D2可設(shè)計(jì)為λ /4，而使本實(shí)施的抗氧化層106的反射效果佳。但本發(fā)明不以上述為限，在其他實(shí)施例中，抗氧化層106亦可是單一材質(zhì)的抗氧化層，或采用其他適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。
值得一提的是，圖1中是以覆晶式發(fā)光二極管芯片200與本實(shí)施例的基板100接合為示例。但，本發(fā)明并不特別限定與基板接合的發(fā)光二極管芯片的種類(lèi)。圖3示出本發(fā)明第一實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形。請(qǐng)參照?qǐng)D3，舉例而言， 本實(shí)施例的基板100亦可與打線(xiàn)式(wire bonding)發(fā)光二極管芯片400接合。打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片400可通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)410 (材質(zhì)例如為金屬)與金屬反射層104的接墊104b與金屬反射層104的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)104a電性連接。另一方面，打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片400的背面 400a可通過(guò)固晶結(jié)構(gòu)300與抗氧化層106連接，進(jìn)而使打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片400固定在基板100上。
第二實(shí)施例
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的基板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的基板100A 與第一實(shí)施例的基板100類(lèi)似。因此與圖1相同的元件以相同的符號(hào)表示。兩者相異之處僅在于本實(shí)施例的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)與接墊并非制作在金屬反射層104中，而是制作于位于第一表面102a與金屬反射層104之間的導(dǎo)電層108中。以下就兩者相異之處做說(shuō)明，相同之處便不再重述。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，至少一覆晶式發(fā)光二極管芯片200適于配置于本實(shí)施例的基板100A 上。本實(shí)施例的基板100A包括基底102、金屬反射層104以及抗氧化層106?；?02具有相對(duì)的第一表面102a與第二表面102b。金屬反射層104配置于基底102的第一表面102a 上?？寡趸瘜?06覆蓋金屬反射層104,而金屬反射層104位于抗氧化層106與基底102的第一表面102a之間。
與第一實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例的基板100A可進(jìn)一包括導(dǎo)電層108。本實(shí)施例的導(dǎo)電層108配置于基底102的第一表面102a與金屬反射層104之間。此外,本實(shí)施例的基板100A可進(jìn)一包括絕緣層110，絕緣層110配置于導(dǎo)電層108與金屬反射層104之間，而使導(dǎo)電層108與金屬反射層104電性絕緣。本實(shí)施例的導(dǎo)電層108具有線(xiàn)路結(jié)構(gòu)108a與多個(gè)接墊108b，其中抗氧化層106、金屬反射層104以及絕緣層110曝露出接墊108b。覆晶式發(fā)光二極管芯片200通過(guò)接墊108b與線(xiàn)路結(jié)構(gòu)108a電性連接。本實(shí)施例的基板100A 與第一實(shí)施例的基板100具有類(lèi)似的功效及優(yōu)點(diǎn)，于此便不再重述。
值得一提的是， 圖4中是以覆晶式發(fā)光二極管芯片200與本實(shí)施例的基板100A接合為示例。但，本發(fā)明并不特別限定與基板接合的發(fā)光二極管芯片的種類(lèi)。圖5示出本發(fā)明第二實(shí)施例的基板與另一種形式的發(fā)光二極管芯片接合的情形。請(qǐng)參照?qǐng)D5，舉例而言， 本實(shí)施例的基板100A亦可與打線(xiàn)式(wire bonding)發(fā)光二極管芯片400接合。發(fā)光二極管芯片400可通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)410 (材質(zhì)例如為金屬)與導(dǎo)電層108的接墊108b與導(dǎo)電層108的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)108a電性連接。另一方面，打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片400的背面400a可通過(guò)固晶結(jié)構(gòu)300與抗氧化層106連接，進(jìn)而使打線(xiàn)式發(fā)光二極管芯片400固定在基板100A上。
綜上所述，本發(fā)明一實(shí)施例的基板藉由在金屬反射層上配置抗氧化層，而使得金屬反射層于共晶制程中不易發(fā)生氧化的問(wèn)題。本發(fā)明一實(shí)施例的抗氧化層除了具有防止金屬反射層氧化的功能外，同時(shí)還兼具反射光束的功效。本發(fā)明一實(shí)施例的抗氧化層可將覆晶式發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的部分光束反射往向遠(yuǎn)離基板的方向，進(jìn)而提高覆晶式發(fā)光二極管芯片的光利用效率。
雖然本發(fā)明已以覆晶式發(fā)光二極管芯片當(dāng)作實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，正面或是背面共晶固晶等技術(shù)領(lǐng)域均屬本發(fā)明的保護(hù)范圍。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種基板，至少一覆晶式發(fā)光二極管芯片適于配置于該基板上，該基板包括 一基底，具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 一金屬反射層，配置于該基底的該第一表面上；以及 一抗氧化層，覆蓋該金屬反射層，而該金屬反射層位于該抗氧化層與該基底的該第一表面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中該金屬反射層具有一第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與該第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第一接墊，該抗氧化層曝露出該些第一接墊，而該覆晶式發(fā)光二極管芯片通過(guò)該些第一接墊與該第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中該覆晶式發(fā)光二極管芯片適于發(fā)出一光束，部分的該光束傳遞至該抗氧化層，且被該抗氧化層反射而遠(yuǎn)離該基底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板,其中該抗氧化層為一分散式布拉格反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中該抗氧化層包括多個(gè)高折射率層以及多個(gè)低折射率層，其中該些高折射率層與該些低折射率層交替堆疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，其中該高折射率層的折射率大于或等于2，而該低折射率層的折射率小于或等于1. 7。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，其中該高折射率層的材料是選自于硅、五氧化二鉭、二氧化鈦、五氧化三鈦或五氧化二鈮，而該低折射率層的材料是選自于二氧化硅或氟化鎂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中該基底的該第一表面的粗糙度小于O.3微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中該抗氧化層的材質(zhì)是選自于硅、五氧化二鉭、二氧化鈦、五氧化三鈦、五氧化二銀、二氧化娃、氟化鎂或其組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中還包括一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層配置于該基底的該第一表面與該金屬反射層之間，且該導(dǎo)電層具有一第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與該第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第二接墊，該抗氧化層以及該金屬反射層曝露出該些第二接墊，而該覆晶式發(fā)光二極管芯片通過(guò)該些第二接墊與該第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)電性連接。
11.一種基板，至少一發(fā)光二極管芯片適于配置于該基板上，該基板包括 一基底，具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面； 一金屬反射層，配置于該基底的該第一表面上；以及 一抗氧化層，覆蓋該金屬反射層，而該金屬反射層位于該抗氧化層與該基底的該第一表面之間，其中該金屬反射層具有一第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與該第一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第一接墊，該抗氧化層曝露出該些第一接墊，而該發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)讓該發(fā)光二極管芯片該第一接墊電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板，其中該發(fā)光二極管芯片適于發(fā)出一光束，部分的該光束傳遞至該抗氧化層并被該抗氧化層反射而遠(yuǎn)離該基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板，其中該抗氧化層為一分散式布拉格反射層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其中該抗氧化層包括多個(gè)高折射率層以及多個(gè)低折射率層，其中該些高折射率層與該些低折射率層交替堆疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板，其中該高折射率層的折射率大于或等于2，而該低折射率層的折射率小于或等于1. 7。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板，其中該高折射率層的材料是選自于硅、五氧化二鉭、二氧化鈦、五氧化三鈦或五氧化二鈮，而該低折射率層的材料是選自于二氧化硅或氟化鎂。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板，其中該基底的該第一表面的粗糙度小于O.3微米。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板，其中該抗氧化層的材質(zhì)是選自于硅、五氧化二鉭、二氧化鈦、五氧化三鈦、五氧化二銀、二氧化娃、氟化鎂或其組合。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板，其中還包括一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層配置于該基底的該第一表面與該金屬反射層之間，且該導(dǎo)電層具有一第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)以及與該第二線(xiàn)路結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)第二接墊，該抗氧化層以及該金屬反射層曝露出該些第二接墊，而該發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)讓該發(fā)光二極管芯片該第二接墊電性連接。
全文摘要
一種基板，包括基底、金屬反射層以及抗氧化層?；拙哂邢鄬?duì)的第一表面與第二表面。金屬反射層配置于基底的第一表面上?？寡趸瘜痈采w金屬反射層。金屬反射層位于抗氧化層與基底的第一表面之間。至少一發(fā)光二極管芯片適于共晶接合于基板上。
文檔編號(hào)H01L33/60GK103035812SQ20111029544
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者蘇柏仁, 李允立 申請(qǐng)人:新世紀(jì)光電股份有限公司