專利名稱：結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池的制作方法
結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，其目的系將此設(shè)計(jì)充分吸收太陽光頻譜，以提升硅薄膜太陽能電池效率。
背景技術(shù)：
目前，在所有薄膜太陽能電池的開發(fā)中皆致力于提升太陽能電池的效率，以藉此降低薄膜太陽能電池的成本。業(yè)界關(guān)于硅薄膜太陽能電池的開發(fā)多為非晶硅薄膜，或是雙結(jié)串聯(lián)硅薄膜；其中氫化非晶硅薄膜能隙為1.8電子伏特，雙結(jié)串聯(lián)氫化硅薄膜則為能隙 1.8電子伏特的氫化非晶硅薄膜與能隙1.1電子伏特的氫化微晶硅薄膜的串聯(lián)組合，但此兩者皆無法充份完全吸收太陽光頻譜。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，此技術(shù)包括玻璃、第一透明導(dǎo)電層、P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氫化微晶硅薄膜、 I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜、第二透明導(dǎo)電層與金屬背電極；本發(fā)明可以此設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)充份吸收太陽光頻譜，進(jìn)而提升硅薄膜太陽能效率。
具體實(shí)施方示茲將本發(fā)明配合附圖，詳細(xì)說明如下請參閱第一圖，為本發(fā)明之動(dòng)作流程方塊示意圖，由圖中可知，首先在玻璃上沉積第一透明導(dǎo)電層，接著沉積P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜，再接著沉積P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜，再接著沉積P型氫化微晶硅薄膜、I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜，最后為沉積第二透明導(dǎo)電層與金屬背電極。
請參閱第二圖，第二圖是在玻璃上沉積第一透明導(dǎo)電層之示意圖；在玻璃11上沉積第一透明導(dǎo)電層12。
請參閱第三圖，第三圖是沉積P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜之示意圖；在第一透明導(dǎo)電層12上依續(xù)沉積P型氫化非晶硅薄膜21、I型氫化非晶硅薄膜22、N型氫化非晶硅薄膜23。
請參閱第四圖，第四圖是沉積P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜之示意圖。在N型氫化非晶硅薄膜23上依續(xù)沉積P型氦化非晶硅薄膜31、I 型氦化非晶硅薄膜32、N型氦化非晶硅薄膜33。
請參閱第五圖，第五圖是沉積P型氫化微晶硅薄膜、I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜之示意圖；在N型氦化非晶硅薄膜33上依續(xù)沉積P型氫化微晶硅薄膜41、I型氫化微晶硅薄膜42、P型氫化微晶硅薄膜43。
請參閱第六圖，第六圖是沉積第三透明導(dǎo)電層、金屬電極之示意圖；在？型氫化微晶硅薄膜43上依續(xù)沉積第三透明導(dǎo)電層51、金屬背電極52。


下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明，圖1是本發(fā)明之動(dòng)作流程方塊示意圖，圖2是在玻璃上沉積第一透明導(dǎo)電層之示意圖，圖3是沉積P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜之示意圖，圖4是沉積P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜之示意圖，圖5是沉積P型氫化微晶硅薄膜、 I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜之示意圖，圖6是沉積第二透明導(dǎo)電層、金屬背電極之示意圖。
主要組件符號說明11…玻璃12…第一透明導(dǎo)電層21…P型氫化非晶娃薄膜22…I型氫化非晶硅薄膜23…N型氫化非晶硅薄膜31…P型氦化非晶硅薄膜32 …I型氦化非晶硅薄膜33…N型氦化非晶硅薄膜41…P型氫化微晶硅薄膜42…I型氫化微晶娃薄膜43…N型氫化微晶娃 薄膜51…第二透明導(dǎo)電層52…金屬背電極
權(quán)利要求
1.一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，此技術(shù)包括玻璃、第一透明導(dǎo)電層、P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氫化微晶硅薄膜、I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜、第二透明導(dǎo)電層與金屬背電極；本發(fā)明可以此設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)充份吸收太陽光頻譜，進(jìn)而提升硅薄膜太陽能效率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，其中該第一透明導(dǎo)電層薄膜與第二透明導(dǎo)電層薄膜，薄膜材料涵蓋銦錫氧化物(IndiumTim Oxide)、招鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化錫(Sn02:F)與鎵鋅氧化物(Gallium Zinc Oxide)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，其中I型氫化非晶硅薄膜的能隙為1. 8電子伏特。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，其中I型氦化非晶硅薄膜的能隙為1. 6電子伏特。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合氫化娃與氦化娃制作三結(jié)覆板型娃薄膜太陽能電池，其中I型氫化微晶硅薄膜的能隙為1.1電子伏特。
全文摘要
本發(fā)明提供一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)覆板型硅薄膜太陽能電池，此技術(shù)包括玻璃、第一透明導(dǎo)電層、P型氫化非晶硅薄膜、I型氫化非晶硅薄膜、N型氫化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氫化微晶硅薄膜、I型氫化微晶硅薄膜、N型氫化微晶硅薄膜、第二透明導(dǎo)電層與金屬背電極。本發(fā)明可以此設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)充份吸收太陽光頻譜，進(jìn)而提升硅薄膜太陽能效率。
文檔編號H01L27/142GK103022059SQ20111028575
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者陳宏昌, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司