專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置因輕薄、視角寬、響應(yīng)速度快、以及功耗低等優(yōu)點(diǎn)，作為新一代的顯示裝置而備受矚目。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供制造工序簡(jiǎn)單、可防止相對(duì)電極和排線之間短路的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置，可以包括薄膜晶體管，具有活性層、柵電極以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極電連接于所述活性層；像素電極，形成于與所述柵電極相同的層；發(fā)光層，形成于所述像素電極上；鈍化層，形成于所述源電極和漏電極的上部以及排線的上部，所述排線形成于與所述源電極和漏電極相同的層；有機(jī)絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管，具有露出所述像素電極上部的開(kāi)口，形成為直接與所述鈍化層接觸；以及相對(duì)電極，形成于所述發(fā)光層上，與所述像素電極相對(duì)地直接接觸于所述有機(jī)絕緣層上。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述鈍化層的側(cè)端部可以具有與所述源電極和漏電極和所述排線的側(cè)端部相同的蝕刻面。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述有機(jī)絕緣層可以形成為直接與所述鈍化層的側(cè)端部接觸。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述鈍化層可以包括無(wú)機(jī)絕緣物或者有機(jī)絕緣物。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述排線可以為數(shù)據(jù)線或者電源電壓供給線。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述活性層和所述柵電極之間具有第一絕緣層；所述柵電極與所述源電極和漏電極之間具有第二絕緣層；通過(guò)形成于所述第二絕緣層的接觸孔， 所述源電極和漏電極中的一個(gè)可以與所述像素電極連接。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述像素電極可以包括與所述柵電極相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述相對(duì)電極可以為反射電極。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，還可以包括電容器，所述電容器具有下部電極，形成于與所述活性層相同的層；以及上部電極，形成于與所述柵電極相同的層。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述有機(jī)絕緣層可以直接形成于所述上部電極上。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述下部電極可以包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述上部電極可以包括與所述柵電極相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的再一特征，所述透明導(dǎo)電物質(zhì)可以包括選自IT0、IZ0、Zn0以及In2O3的一種物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上形成半導(dǎo)體層，圖案化所述半導(dǎo)體層以形成薄膜晶體管的活性層；第二掩模工序，在所述第一掩模工序的產(chǎn)物上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上依次形成透明導(dǎo)電物質(zhì)以及第一金屬并對(duì)其進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵電極和像素電極；第三掩模工序，在所述第二掩模工序的產(chǎn)物上形成第二絕緣層，圖案化所述第二絕緣層，以形成露出所述活性層的源區(qū)域和漏區(qū)域和所述像素電極的接觸孔；第四掩模工序，在所述第三掩模工序的產(chǎn)物上依次形成第二金屬和鈍化層，圖案化所述第二金屬和所述鈍化層，以形成與所述活性層連接的源電極和漏電極以及位于與所述源電極和漏電極相同的層的排線；以及第五掩模工序，在所述第四掩模工序的產(chǎn)物上形成第三絕緣層，對(duì)所述第三絕緣層進(jìn)行開(kāi)口以露出所述像素電極的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述第二掩模工序后，可以對(duì)所述源區(qū)域和漏區(qū)域摻雜尚子雜質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述第四掩模工序，可以包括第一蝕刻工序，去除所述鈍化層的一部分；第二蝕刻工序，去除層疊于所述像素電極上的所述第二金屬；以及第三蝕刻工序，去除形成于所述像素電極的透明導(dǎo)電物上的所述第一金屬。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述第一蝕刻工序可以為干蝕刻工序。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述第四掩模工序可以為在去除所述鈍化層的一部分的第一蝕刻工序后，同時(shí)蝕刻以相同的材料形成的所述第一金屬和所述第二金屬。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，所述第一掩模工序還包括形成電容器的下部電極；所述第二掩模工序還包括形成電容器的上部電極；所述第三掩模工序還包括形成露出所述上部電極的接觸孔；以及所述第四掩模工序還可以包括去除所述上部電極的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述第四掩模工序后，還可以包括對(duì)所述電容器的下部電極摻雜尚子雜質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的另一特征，在所述第五掩模工序后，還可以在所述像素電極上部形成發(fā)光層和相對(duì)電極。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，具有如下效果
第一，在源電極和漏電極、以及形成于與源電極和漏電極相同的層的排線的上部形成鈍化層，可防止電極、排線與相對(duì)電極之間發(fā)生短路(short)。
第二，無(wú)需增加額外的掩模工序，通過(guò)5次掩模工序來(lái)制造如上所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
第三，在形成源電極和漏電極之后形成鈍化層，從而可防止像素電極受到損傷。
第四，形成MIM CAP結(jié)構(gòu),從而可提高電路的電壓設(shè)計(jì)余量(margin)。


圖I是包括于根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的電路圖2是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的截面圖3是概略示出根據(jù)本發(fā)明的比較實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的截面
閱圖4是概略示出根據(jù)本發(fā)明的比較實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的平面圖;
圖5至圖11是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
I :有機(jī)發(fā)光顯示裝置；10 :基板；
12 :第一絕緣層；15 :第二絕緣層；
18 :第三絕緣層；113:第一像素電極；
114 :第二像素電極；118 :發(fā)光層；
19 :相對(duì)電極；211 :半導(dǎo)體層；
211a :源區(qū)域和漏區(qū)域；211c :溝道區(qū)；
213 :第一柵電極；214 :第二柵電極；
216 :源電極和漏電極；217 :鈍化層；
311a :電容器的下部電極；313 :電容器的第一上部電極；
314:電容器的第二上部電極；313 :上部電極；
S :掃描線；D :數(shù)據(jù)線；
V :電源電壓供給線；PXL :像素部；
TR :薄膜晶體管；Cst :電容器；
C1-C5 :接觸孔。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖所示出的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖I是包括于根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的電路圖，圖2 是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的一部分的截面圖。
如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I，像素內(nèi)部具有掃描線S、 數(shù)據(jù)線D和電源電壓供給線V等多個(gè)導(dǎo)電線、發(fā)光部EL、第一薄膜晶體管TR1、第二薄膜晶體管TR2以及電容器Cst。
圖I用于說(shuō)明本發(fā)明一實(shí)施例，然而本發(fā)明不限于此。即，除了圖I所示的導(dǎo)電線以外，本實(shí)施例還可以具有其他的導(dǎo)電線。并且，薄膜晶體管以及電容器的數(shù)量也不限定于圖示的實(shí)施例；沿像素電路部，可組合兩個(gè)以上的薄膜晶體管和一個(gè)以上的電容器。
第一薄膜晶體管TRl的柵電極連接于掃描線S，第一薄膜晶體管TRl的第一電極連接于數(shù)據(jù)線D。第二薄膜晶體管TR2的柵電極連接于第一薄膜晶體管TRl的第二電極，第二薄膜晶體管TR2的第一電極連接于電源電壓供給線V、第二電極連接于發(fā)光部EL的陽(yáng)電極。此時(shí)，第一薄膜晶體管TRl為開(kāi)關(guān)晶體管，第二薄膜晶體管TR2為驅(qū)動(dòng)晶體管。所述附圖中示出的第一薄膜晶體管TRl和第二薄膜晶體管TR2為P型，但不限于此，其中至少一個(gè)可以形成為N型。
電容器Cst連接于第一薄膜晶體管TRl的第二電極和電源電壓供給線V之間。電容器Cst為向第一薄膜晶體管TRl施加數(shù)據(jù)信號(hào)期間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào)的存儲(chǔ)電容器。
如圖2所示，第二薄膜晶體管TR2包括在基板10上設(shè)置的半導(dǎo)體層211 ;第一柵電極213和第二柵電極214 ;源電極和漏電極216。雖然在所述附圖中僅示出了第二薄膜晶體管TR2的截面形狀，但是第一薄膜晶體管TRl具有與第二薄膜晶體管TR2相同的截面。
可以由玻璃或者塑料等多種材質(zhì)形成基板10。如果顯示裝置為向基板10 —側(cè)顯示影像的背面發(fā)光型，優(yōu)選地以透明材質(zhì)形成基板10。
雖未在附圖中示出，但基板10的上部形成平滑的面，還可以在基板10的上部形成緩沖層(未圖示)，用于防止雜質(zhì)滲透至基板?？梢杂?102和/或SiNx等形成緩沖層。
半導(dǎo)體層211可以包括非晶硅或者晶化硅，其還可以包括溝道區(qū)211c和在溝道區(qū) 211c的外側(cè)摻雜有離子雜質(zhì)的源區(qū)域和漏區(qū)域211a。源區(qū)域和漏區(qū)域211a可以通過(guò)摻雜 III族元素形成為P型，也可以通過(guò)摻雜V族元素形成為N型。
在半導(dǎo)體層211上的、與半導(dǎo)體層211的溝道區(qū)211c對(duì)應(yīng)的位置，隔著作為柵絕緣膜的第一絕緣層12，依次形成有第一柵電極213以及第二柵電極214。
第一絕緣層12用于使第一柵電極213、第二柵電極214與半導(dǎo)體層211絕緣，其可以由SiNx和/或SiO2等無(wú)機(jī)膜形成。
可由蝕刻選擇比不同的導(dǎo)電物質(zhì)形成第一柵電極213和第二柵電極214。例如，第一柵電極213和第二柵電極214可以由如ITO的透明導(dǎo)電物質(zhì)以及選自鈦(Ti)、鑰(Mo)、 Al(鋁)銅(Cu)及其合金的一種以上的、蝕刻選擇比不同的物質(zhì)形成。本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電物質(zhì)ITO用作第一柵電極213，由三重層的Mo/Al/Mo用作第二柵電極214。另外，形成第一柵電極213的透明物質(zhì)，除ITO外還可以使用選自IZ0、Zn0以及In2O3的物質(zhì)。
第一柵電極213和第二柵電極214上形成第二絕緣層15。第二絕緣層15起到使第一電極213、第二柵電極214與源電極和漏電極216絕緣的層間絕緣膜的功能。
可以由多種絕緣物質(zhì)形成第二絕緣層15。例如，可以由如氧化物、氮化物等無(wú)機(jī)物形成，也可以由有機(jī)物形成。形成第二絕緣層15的無(wú)機(jī)絕緣膜可以包括Si02、SiNx、Si0N、 A1203、TiO2, Ti205、HfO2, ZrO2, BST、PZT等；形成第二絕緣層15的有機(jī)絕緣膜可以包括通常的慣用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸類高分子、酰亞胺類高分子、 烯丙醚類高分子、酰胺類高分子、含氟高分子、對(duì)二甲苯類高分子、乙烯基類高分子及其混合物等。并且，也可以由無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜的復(fù)合層疊體形成第二絕緣層15。
源電極和漏電極216，經(jīng)由同時(shí)貫通第二絕緣層15和第一絕緣層12而形成的接觸孔C3，接觸于半導(dǎo)體層211的源區(qū)域和漏區(qū)域211a。在所述附圖中示出的源電極和漏電極 216為一個(gè)層，但是本發(fā)明不限于此，其還可以由多個(gè)層形成源電極和漏電極216。
源電極和漏電極216上形成鈍化層217。雖未在圖2中示出，但鈍化層217也可以形成于排線上，所述排線形成于與源電極和漏電極216相同的層。例如，鈍化層217可以形成在位于與源電極和漏電極216相同的層的數(shù)據(jù)線D上(參照?qǐng)DI)，也可以形成在電源電壓供給線V上(參照?qǐng)DI)。
如后述的，因鈍化層217在與源電極和漏電極216相同的掩模工序中以相同的光刻掩模板被圖案化，所以鈍化層217的側(cè)端部與源電極和漏電極216的側(cè)端部具有相同的蝕刻面。
基板10上具有像素部PXL。像素部PXL包括第一像素電極113、發(fā)光層118以及相對(duì)電極19。
第一像素電極113形成于與第一柵電極213相同的層，以與第一柵電極213相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)形成。透明導(dǎo)電物質(zhì)選自氧化銦錫(ITO :indium tin oxide)、氧化銦鋅 (IZ0 indium zink oxide)、氧化鋅(ZnO zink oxide)、氧化銦(In2O3)、氧化銦嫁(IGO indium galiumoxide)以及氧化招鋒(AZ0 aluminium zink oxide)。
第一像素電極113上形成發(fā)光層118,從發(fā)光層118發(fā)出的光,通過(guò)由透明導(dǎo)電物質(zhì)形成的第一像素電極113，從而向基板10側(cè)發(fā)射而出。
第一絕緣層12以及第一像素電極113的上部形成有第三絕緣層18，作為像素限定膜的第三絕緣層18上形成有露出第一像素電極113上部的開(kāi)口 C5。所述開(kāi)口 C5內(nèi)部具有發(fā)光層118。
發(fā)光層118可以為低分子有機(jī)物或者高分子有機(jī)物。發(fā)光層118為低分子有機(jī)物時(shí)，以發(fā)光層118為中心,可層疊空穴傳輸層(HTL : ho Ie transport layer)、空穴注入層 (HIL hole injection layer)、電子傳輸層(ETL :electron transport layer)和電子注入層(EIL :electroninjection layer)等。此外,根據(jù)需要可層疊多種層。此時(shí)，作為有機(jī)材料可使用銅酞菁(CuPc copper phthalocyanine)、N’_二(萘-I-基)-N(N' -Di (naphthal ene-l-yl) -N)、N' - 二苯基-聯(lián)苯二胺(NPB :N' -diphenyl-benzidine)、8_ 輕基喧琳招 (Alq3 tris 8-hydroxyquinolinealuminum)等多種。
另外，若發(fā)光層118為高分子有機(jī)物，則除了發(fā)光層118以外還可以包括空穴傳輸層(HTL)?？昭▊鬏攲涌墒褂镁?2，4)乙烯二羥基噻吩(PED0T poly- (2,4) ethylene-dihydroxy thiophene)、聚苯胺(PANI polyaniline)等。此時(shí)，可使用的有機(jī)材料為聚對(duì)苯撐乙烯(PPV Poly-pheylenevinyIene)類以及聚荷(Polyfluorene)類高分子有機(jī)物。
作為公共電極，將相對(duì)電極19沉積于發(fā)光層118上。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，第一像素電極113用作陽(yáng)電極，相對(duì)電極19用作陰電極。當(dāng)然，還可使用相反的電極極性。
可以由包括反射物質(zhì)的反射電極形成相對(duì)電極19。此時(shí)，所述相對(duì)電極19可以包括選自Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca以及LiF/Al中的一種以上的物質(zhì)。將相對(duì)電極19形成為反射電極，使得從發(fā)光層118發(fā)出的光，被相對(duì)電極19反射，并透過(guò)由透明導(dǎo)電物質(zhì)形成的第一像素電極113，從而向基板10側(cè)發(fā)射而出。
基板10上形成電容器Cst。電容器Cst的第一電極311a包括與薄膜晶體管的活性層211相同的物質(zhì)。以與第一柵電極213相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)形成電容器Cst的第二電極313。尤其，第一電極311a以摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體物質(zhì)形成，因此與第二電極313 — 起形成 MIM (metal-insulator-metal) CAP 結(jié)構(gòu)。
通常相比MOS(Metal Oxide Semiconductor)CAP 結(jié)構(gòu)，MIM CAP 結(jié)構(gòu)在寬的電壓范圍內(nèi)維持一定的靜電容量。因此，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可提高電壓的設(shè)計(jì)余量。
根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，形成有第三絕緣層18，以完全覆蓋前述的第二薄膜晶體管TR2和電容器Cst，并露出像素部PXL的第一像素電極113的上部。
第三絕緣層18起到像素限定膜的作用，其可由有機(jī)絕緣物形成，其中所述像素限定膜以預(yù)定的厚度形成在像素電極113的邊緣部位。如上所述的絕緣物可包括通常的慣用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸類高分子、酰亞胺類高分子、烯丙醚類高分子、酰胺類高分子、含氟高分子、對(duì)二甲苯類高分子、乙烯基類高分子及其混合物等。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工序中，在第一像素電極113上形成發(fā)光層118之前的工序中，基板10的最上層上形成第三絕緣層18。制造工序中，第三絕緣層18因微粒 (particle)而產(chǎn)生孔(hole)或者針孔(pinhole)等不良時(shí),使得位于第三絕緣膜18下部的源電極和漏電極216或者形成于與源電極和漏電極216相同的層的排線直接露出于外部。在已經(jīng)發(fā)生了如上所述的孔等不良的前提下，在像素電極113的上部形成發(fā)光層118 后，第三絕緣層18上形成作為公共電極的相對(duì)電極19，則源電極和漏電極216或者排線與相對(duì)電極19之間發(fā)生短路，從而會(huì)產(chǎn)生次品。
圖3是概略示出根據(jù)本發(fā)明的比較實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的截面圖，概略示出了源電極和漏電極216的上部發(fā)生針孔PHl不良的情況，圖4是概略示出數(shù)據(jù)線D以及電源電壓供給線V上分別具有針孔PH2、針孔PH3的不良的情況。
參照如上所述的附圖，源電極和漏電極216或者數(shù)據(jù)線D、電源電壓供給線V上部沒(méi)有形成鈍化層而直接形成第三絕緣層18時(shí)，第三絕緣層18分別發(fā)生針孔PH1、針孔PH2、 針孔PH3不良，從而會(huì)露出源電極和漏電極216或者數(shù)據(jù)線D、電源電壓供給線V上部。如果在如上所述的狀態(tài)下，在第三絕緣層18的上部直接形成作為公共電極的相對(duì)電極19，則經(jīng)由所述針孔PH1、針孔PH2、針孔PH3，相對(duì)電極19與源電極和漏電極216、數(shù)據(jù)線D以及電源電壓供給線V之間發(fā)生短路。
根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，在源電極和漏電極216以及形成于與源電極和漏電極216相同的層的排線上部直接形成鈍化層217，因此即使發(fā)生前述的不良，源電極和漏電極216上部以及形成于與源電極和漏電極216相同的層的排線部不會(huì)露出于外部，從而會(huì)受到保護(hù)。由此，防止相對(duì)電極19與源電極和漏電極216之間發(fā)生短路，從而減少次品的產(chǎn)生。
形成如上所述的鈍化層217的無(wú)機(jī)絕緣膜可包括Si02、SiNx, SiON, A1203、Ti2O, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST、PZT等，形成如上所述的鈍化層217的有機(jī)絕緣膜可包括通常的慣用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸類高分子、酰亞胺類高分子、烯丙醚類高分子、酰胺類高分子、含氟高分子、對(duì)二甲苯類高分子、乙烯基類高分子及其混合物等。
以下，參照?qǐng)D5至圖11對(duì)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖5是概略示出經(jīng)過(guò)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的第一掩模工序的結(jié)果截面圖。
如圖5所示，基板10上形成薄膜晶體管的活性層211c以及電容器的下部電極 311c。
雖未在附圖中示出，基板10上沉積半導(dǎo)體層(未圖示)，半導(dǎo)體層(未圖示)上涂布光刻膠(未圖不)。利用第一光刻掩模板(未圖不)的光刻工序而圖案化半導(dǎo)體層(未圖示)，從而同時(shí)形成薄膜晶體管的活性層211c以及電容器的下部電極311c。
基于光刻的第一掩模工序(未圖不)，以第一光刻掩模板和曝光裝置(未圖不) 進(jìn)行曝光后，經(jīng)過(guò)顯影(developing)、蝕亥Ij (etching)以及剝離(stripping)或者灰化 (ashing)等一系列工序而得以實(shí)現(xiàn)。
半導(dǎo)體層(未圖示)可以由非晶娃(amorphous silicon)或者晶化娃(Poly silicon)形成。此時(shí)，晶化硅可通過(guò)對(duì)非晶硅結(jié)晶化而成。對(duì)非晶硅結(jié)晶化的方法有RTA(rapid thermal annealing)法、SPC(solidphase crystallization)法、ELA(excier laser crystallization)法、MIC(metal induced crystallization)法、MILC(metal inducted lateralcrystallization)法、SLS(sequential lateral solidification)法等多種方法。
圖6是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的第二掩模工序過(guò)程的截面圖。
如圖6所示，在經(jīng)過(guò)圖5的第一掩模工序的產(chǎn)物上沉積第一絕緣膜12，在第一絕緣層12上依次形成像素部PXL的第一像素電極113以及第二像素電極114，第二薄膜晶體管 TR2的第一柵電極213以及第二柵電極214，電容器Cst的第一上部電極313以及第二上部電極314。
第一柵電極213、第一像素電極113、電容器Cst的第一上部電極313形成于同一層，可由選自IT0、IZ0、Zn0以及In2O3的透明導(dǎo)電物質(zhì)形成。
第二柵電極214、第二像素電極114、電容器Cst的第二上部電極314形成于同一層，可由選自Ti、Mo、Al、Cu以及其合金的一種以上的材料形成。
在如上所述的結(jié)構(gòu)物上摻雜Dl離子雜質(zhì)。如上所述，摻雜的離子雜質(zhì)可以為III 族或者V族離子，并且以lX1015atomS/Cm2以上的濃度將薄膜晶體管的半導(dǎo)體層211為目標(biāo)進(jìn)行摻雜。
此時(shí)，將第一柵電極213和第二柵電極214用作自對(duì)準(zhǔn)(self align)掩模板向半導(dǎo)體層211摻雜離子雜質(zhì)，使半導(dǎo)體層211具有摻雜離子雜質(zhì)的源區(qū)域和漏區(qū)域211a以及在其中間的溝道區(qū)211c。即，由于將第一柵電極213和第二柵電極214用作自對(duì)準(zhǔn)掩模板， 因此無(wú)需額外增加光刻掩模板也可以形成源區(qū)域和漏區(qū)域211a。
圖7是概略示出經(jīng)過(guò)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的第三掩模工序的結(jié)果截面圖。
如圖7所示，在經(jīng)過(guò)圖6的第二掩模工序的產(chǎn)物上層疊第二絕緣層15，圖案化第二絕緣層15以形成第一接觸孔Cl、第二接觸孔C2、第三接觸孔C3和第四接觸孔C4，其中第一接觸孔Cl露出第二像素電極114的上部；第二接觸孔C2露出第二像素電極114的一部分以使第一像素電極113、第二像素電極114與源電極和漏電極216連接；第三接觸孔C3露出半導(dǎo)體層211的源區(qū)域和漏區(qū)域211a的一部分；第四接觸孔C4露出電容器Cst的第二上部電極314。
圖8是概略示出經(jīng)過(guò)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的第四掩模工序的結(jié)果截面圖。
如圖8所示，在經(jīng)過(guò)圖7的第三掩模工序的產(chǎn)物上，依次形成作為源電極和漏電極材料的金屬層16和作為鈍化層材料的絕緣層17。
雖未在所述附圖中詳細(xì)圖示，利用第四光刻掩模板(未圖示)，在作為鈍化層材料的絕緣層17上進(jìn)行圖案化，使得在與源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域上殘留光刻膠PR。將殘留的光刻膠PR作為掩模板對(duì)作為鈍化層材料的絕緣層17進(jìn)行圖案化。其可通過(guò)干蝕刻工序進(jìn)行圖案化。
圖9是概略示出對(duì)圖8中作為鈍化層材料的絕緣層17進(jìn)行蝕刻工序的結(jié)果截面圖。
如圖9所示，在殘留的光刻膠PR的下部形成鈍化層217。
雖未在所述附圖中詳細(xì)圖示，但是將圖案化的光刻膠PR和鈍化層217作為掩模板，對(duì)作為源電極和漏電極材料的金屬層16進(jìn)行圖案化。其中，可通過(guò)第一濕蝕刻(wet etching)工序進(jìn)行圖案化。
圖10是概略示出對(duì)圖9中作為源電極和漏電極材料的金屬層16進(jìn)行蝕刻工序的結(jié)果截面圖。
如10所示，在鈍化層217的下部形成源電極和漏電極216。并且，去除像素部PXL 的第二像素電極114以及電容器Cst的第二上部電極314。其可通過(guò)第二濕蝕刻工序進(jìn)行圖案化。
如上所述，第四掩模工序無(wú)需增加額外的光刻掩模工序，通過(guò)一次干蝕刻工序和兩次濕蝕刻工序，可以進(jìn)一步形成鈍化層217。由此，無(wú)需增加工序費(fèi)用就可減少由針孔引起的源電極和漏電極與相對(duì)電極之間發(fā)生的短路不良，從而可顯著地降低次品率。
另外，如上所述的實(shí)施例中分開(kāi)了濕蝕刻工序，在形成第二像素電極114和電容器的第二上部電極314的材料與源電極和漏電極216的材料不同時(shí)，優(yōu)選地采用這種工序。 若形成第二像素電極114和電容器的第二上部電極314的材料與源電極和漏電極216的材料相同時(shí)，可進(jìn)行一次濕蝕刻工序。
第四掩模工序后，在如上所述的結(jié)構(gòu)物上摻雜D2離子雜質(zhì)。摻雜的離子雜質(zhì)可以為如上所述的III族或者V族離子；并且以lX1015atomS/Cm2以上的濃度將電容器Cst和第一電極311a為目標(biāo)進(jìn)行摻雜。其結(jié)果，摻雜有離子雜質(zhì)的第一電極311a與電容器Cst的第一上部電極313 —同，形成MMCAP結(jié)構(gòu)，因此可提高電路的設(shè)計(jì)余量。
圖11是概略示出經(jīng)過(guò)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的第五掩模工序的結(jié)果截面圖。
如圖11所示，在經(jīng)過(guò)圖10的第四掩模工序的產(chǎn)物上形成第三絕緣層18，形成開(kāi)口 C5以露出第一像素電極113的上面。
開(kāi)口 C5內(nèi)部形成前述的發(fā)光層118 (參照?qǐng)D2)，通過(guò)對(duì)第一像素電極113和相對(duì)電極19 (參照?qǐng)D2)施加電壓而使發(fā)光層118發(fā)光。
雖然以附圖所示的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是這種說(shuō)明僅為示例性的說(shuō)明，應(yīng)理解為本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員由此可進(jìn)行多種變換及等同的其它實(shí)施例。由此，應(yīng)由權(quán)利要求書(shū)的技術(shù)思想來(lái)限定本發(fā)明真正的技術(shù)保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括薄膜晶體管，具有活性層、柵電極以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極電連接于所述活性層；像素電極，形成于與所述柵電極相同的層；發(fā)光層，形成于所述像素電極上；鈍化層，形成于所述源電極和漏電極的上部以及排線的上部，所述排線形成于與所述源電極和漏電極相同的層；有機(jī)絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管，具有露出所述像素電極上部的開(kāi)口，形成為直接與所述鈍化層接觸；以及相對(duì)電極，形成于所述發(fā)光層上，與所述像素電極相對(duì)地直接接觸于所述有機(jī)絕緣層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述鈍化層的側(cè)端部具有與所述源電極和漏電極以及所述排線的側(cè)端部相同的蝕刻面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機(jī)絕緣層形成為直接與所述鈍化層的側(cè)端部接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述鈍化層包括無(wú)機(jī)絕緣物。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述鈍化層包括有機(jī)絕緣物。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述排線為數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述排線為電源電壓供給線。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述活性層和所述柵電極之間具有第一絕緣層；所述柵電極與所述源電極和漏電極之間具有第二絕緣層；通過(guò)形成于所述第二絕緣層的接觸孔，所述源電極和漏電極中的一個(gè)與所述像素電極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述像素電極包括與所述柵電極相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述相對(duì)電極為反射電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括電容器，所述電容器具有下部電極，形成于與所述活性層相同的層；以及上部電極，形成于與所述柵電極相同的層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機(jī)絕緣層直接形成于所述上部電極上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述下部電極包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述上部電極包括與所述柵電極相同的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明導(dǎo)電物質(zhì)包括選自ITO、IZ0, ZnO以及In2O3的一種物質(zhì)。
16.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上形成半導(dǎo)體層，圖案化所述半導(dǎo)體層以形成薄膜晶體管的活性層；第二掩模工序，在所述第一掩模工序的產(chǎn)物上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上依次形成透明導(dǎo)電物質(zhì)以及第一金屬并對(duì)其進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵電極和像素電極；第三掩模工序，在所述第二掩模工序的產(chǎn)物上形成第二絕緣層，圖案化所述第二絕緣層，以形成露出所述活性層的源區(qū)域和漏區(qū)域與所述像素電極的接觸孔；第四掩模工序，在所述第三掩模工序的產(chǎn)物上依次形成第二金屬和鈍化層，圖案化所述第二金屬和所述鈍化層，以形成與所述活性層連接的源電極和漏電極以及位于與所述源電極和漏電極相同的層的排線；以及第五掩模工序，在所述第四掩模工序的產(chǎn)物上形成第三絕緣層，對(duì)所述第三絕緣層進(jìn)行開(kāi)口以露出所述像素電極的透明導(dǎo)電物質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在所述第二掩模工序后，對(duì)所述源區(qū)域和漏區(qū)域摻雜離子雜質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述第四掩模工序， 包括第一蝕刻工序，去除所述鈍化層的一部分；第二蝕刻工序，去除層疊于所述像素電極上的所述第二金屬；以及第三蝕刻工序，去除形成于所述像素電極的透明導(dǎo)電物上的所述第一金屬。
19.根據(jù)權(quán)利要求18述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述第一蝕刻工序?yàn)楦晌g刻工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述第四掩模工序?yàn)樵谌コ鲡g化層的一部分的第一蝕刻工序后，同時(shí)蝕刻以相同的材料形成的所述第一金屬和所述第二金屬。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述第一掩模工序還包括形成電容器的下部電極；所述第二掩模工序還包括形成電容器的上部電極；所述第三掩模工序還包括形成露出所述上部電極的接觸孔；以及所述第四掩模工序還包括去除所述上部電極的一部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在所述第四掩模工序后，還包括對(duì)所述電容器的下部電極摻雜離子雜質(zhì)。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，在所述第五掩模工序后，還在所述像素電極上部形成發(fā)光層和相對(duì)電極。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一方面提供了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括薄膜晶體管，具有活性層、柵電極以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極電連接于所述活性層；像素電極，形成于與所述柵電極相同的層；發(fā)光層，形成于所述像素電極上；鈍化層，形成于所述源電極和漏電極的上部以及排線的上部，所述排線形成于與所述源電極和漏電極相同的層；有機(jī)絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管，具有露出所述像素電極上部的開(kāi)口，形成為直接與所述鈍化層接觸；以及相對(duì)電極，形成于所述發(fā)光層上，與所述像素電極相對(duì)地直接接觸于所述有機(jī)絕緣層上。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102544057SQ201110279619
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者崔埈厚, 李俊雨 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社