專利名稱：一種小型雙列式橋堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及整流堆，尤其涉及一種交流變直流的小型雙列式橋堆。
背景技術(shù)：
橋式整流器是由四個(gè)整流二極管組成的一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，它利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫涣麟娺M(jìn)行整流，由于橋式整流器對輸入正弦波得利用效率比半波整流高一倍，是對二極管半波整流的一種顯著改進(jìn)，故被廣泛應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。隨著電子產(chǎn)品向小型化方向發(fā)展，要求半導(dǎo)體電子器件的外形做的又小又薄。目前的微型橋堆主要分為兩類，一類是直插式橋堆，另一種是貼片式橋堆。
對于貼片式橋堆而言，目前比較典型的結(jié)構(gòu)有以下幾種1、中國發(fā)明專利公開號(hào)CNl 197989公開的一種微型半導(dǎo)體橋式整流器，其包括一共N型的雙二極體晶粒以及一共P型的雙二極體晶粒，其中共N型晶粒的一 P型區(qū)與共P型晶粒的一相對應(yīng)N型區(qū)系連接至第一組導(dǎo)線架的一端子電極，共N型晶粒的另一 P型區(qū)則與共P型晶粒的另一 N型區(qū)連接至第一組導(dǎo)線架的另一端子電極，且共N型晶粒的N型區(qū)與共P型晶粒的P型區(qū)則分別連接至第二組導(dǎo)線架的兩端子電極，從而構(gòu)成一橋式整流器，這種微型整流器盡管在結(jié)構(gòu)上有利于微型化，但制造上需要采用兩個(gè)品種的雙二極管芯片，即一共N型雙二極管芯片和一共P型雙二極管芯片，容易造成如下問題1)核心芯片品種多，工藝復(fù)雜形增大；2)芯片合格率相對較低；3)由于存在兩個(gè)芯片品種，均勻性較差；4)P型襯底的芯片相對比較難做。2、中國實(shí)用新型專利授權(quán)公告號(hào)CN2545706Y公開的片式微型橋堆，其在一個(gè)封裝體內(nèi)，由四個(gè)整流二極管形成橋式整流器，四個(gè)整流二極管由相同的PN結(jié)芯片構(gòu)成，四個(gè)PN結(jié)芯片在空間上兩個(gè)并列在上，另兩個(gè)并列在下，每個(gè)PN結(jié)芯片的P型區(qū)和N型區(qū)上下布置，其中對角位置PN結(jié)芯片的P型區(qū)和N型區(qū)方位相同，上下迭放的兩個(gè)PN結(jié)芯片之間分別采用一連接片連接，并列在上和并列在下的兩個(gè)PN結(jié)芯片分別采用另一連接片連接，中間層上的兩個(gè)連接片作為一組電極端子，上層和下層上的兩個(gè)連接片作為另一組電極端子，并分別從封裝體內(nèi)引出，以此構(gòu)成微型五層整流橋堆結(jié)構(gòu)。由于該專利采用五層結(jié)構(gòu)，其產(chǎn)品的厚度一般在2. 5 2. 7mm左右，不僅占用了電子產(chǎn)品內(nèi)部比較多的容置空間，且由于多層結(jié)構(gòu)的設(shè)置使得橋堆生產(chǎn)加工的工藝步驟增多，同時(shí)給各層部件安裝定位提出了較高的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對上述整流橋堆所存在的問題而提供一種組裝方便、散熱效果好、體積小的小型雙列式橋堆。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種小型雙列式橋堆，包括一個(gè)封裝體和設(shè)置在封裝體內(nèi)的四個(gè)二極管整流二極管以及四個(gè)引腳，其特征在于，所述四個(gè)整流二極管由兩條PN結(jié)芯片構(gòu)成，兩條雙晶PN結(jié)芯片平行排列在所述封裝體內(nèi)，其中第一條雙晶PN結(jié)芯片的底面為P型區(qū)，第一條雙晶PN結(jié)芯片的頂面兩端為N型區(qū)，兩個(gè)N型區(qū)的中間隔斷但整個(gè)第一雙晶PN結(jié)芯片中間不斷開；第二條雙晶PN結(jié)芯片的底面為N型區(qū)，第二條雙晶PN結(jié)芯片的頂面兩端為P型區(qū)，兩個(gè)P型區(qū)的中間隔斷但整個(gè)第二雙晶PN結(jié)芯片中間不斷開；所述四個(gè)引腳中的第一、二引腳分別與所述第一、二雙晶PN結(jié)芯片的底面固定連接，構(gòu)成直流輸出正負(fù)極，第三引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)P型區(qū)固定連接，第四引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)P型區(qū)固定連接，第三、四引腳構(gòu)成交流輸入端。在本發(fā)明中，所述雙晶PN結(jié)芯片上的鈍化層可以采用玻璃或二氧化硅鈍化層，也可以采用硅橡膠鈍化層。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述四個(gè)引腳延伸出所述封裝體的部分處于同一
平面上。本發(fā)明的核心是采用兩條雙晶PN結(jié)芯片和四個(gè)引腳在空間迭放成微型三層的橋堆結(jié)構(gòu)。
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由于采用了如上的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)I、本發(fā)明采用兩條雙晶PN結(jié)芯片和四個(gè)引腳連接成小型雙列式三層橋堆，其高度比原來降低30%，克服了以往傳統(tǒng)技術(shù)偏見——CN1197989A發(fā)明專利申請中所說唯該常規(guī)的橋式整流器制造方法必須將四個(gè)硅二極體接以電機(jī)再行封裝，使其體積無法縮成細(xì)小，無法符合電子產(chǎn)品之需求，且其制程復(fù)雜，良品率不易提升“。2、本發(fā)明雙晶PN結(jié)芯片的品種只需兩種，且對擺放位置沒有任何要求，提高了整個(gè)封裝工效。3、本發(fā)明雙晶PN結(jié)芯片合格率很高，一次封裝后的品質(zhì)合格率彡99. 9%。4、本發(fā)明組裝時(shí)在焊接模具上擺放占用較小的空間，使得同一焊接模具焊接的橋堆數(shù)量較多，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。5、本發(fā)明由于兩條雙晶PN結(jié)芯片和四個(gè)引腳采用分層平鋪，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，同時(shí)降低了橋堆的厚度，節(jié)省了膠料，使得橋堆的體積更小，重量更輕。6、本發(fā)明將雙晶PN結(jié)芯片直接焊接在引腳上，無須跳線，同時(shí)散熱效果好。7、引腳可以采用框架式結(jié)構(gòu)，節(jié)省了材料的浪費(fèi)，使銅材的浪費(fèi)率由原來的25%下降至5%。


圖I為本發(fā)明小型雙列式橋堆的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。參見圖1，圖中所示的小型雙列式橋堆，包括一個(gè)封裝體100和四個(gè)整流二極管以及四個(gè)引腳310、320、330、340，四個(gè)整流二極管由兩條雙晶PN結(jié)芯片210、220構(gòu)成，兩條雙晶PN結(jié)芯片210、220平行排列地設(shè)置在封裝體100內(nèi)。雙晶PN結(jié)芯片210的底面為P型區(qū)211，頂面的兩端為N型區(qū)212、213，兩個(gè)N型區(qū)212、213的中間隔斷但整個(gè)雙晶PN結(jié)芯片210中間不斷開。雙晶PN結(jié)芯片220的底面為N型區(qū)221，頂面的兩端為P型區(qū)222、223，兩個(gè)P型區(qū)212、213的中間隔斷但整個(gè)雙晶PN結(jié)芯片220中間不斷開。引腳310、320可以采用框架式結(jié)構(gòu)，這樣可以節(jié)省材料，引腳310、320分別與PN結(jié)芯片210的底面的P型區(qū)211和PN結(jié)芯片220的底面的N型區(qū)221固定連接，構(gòu)成直流輸出正負(fù)極.引腳330、340可以采用框架式結(jié)構(gòu)，這樣可以節(jié)省材料。引腳330與雙晶PN結(jié)芯片210頂面上的一個(gè)N型區(qū)212和雙晶PN結(jié)芯片220頂面上的一個(gè)P型區(qū)222固定連接，弓丨腳340與雙晶PN結(jié)芯片210頂面上的N型區(qū)213和PN結(jié)芯片220頂面上的P型區(qū)223固定連接，引腳330、340構(gòu)成交流輸入端。在本發(fā)明中，雙晶PN結(jié)芯片210、220上的鈍化層可以采用玻璃或二氧化硅鈍化層，也可以采用硅橡膠鈍化層。四個(gè)引腳310、320、330、340延伸出封裝體100的部分處于
同一平面上。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種小型雙列式橋堆，包括一個(gè)封裝體和設(shè)置在封裝體內(nèi)的四個(gè)二極管整流二極管以及四個(gè)引腳，其特征在于，所述四個(gè)整流二極管由兩條雙晶PN結(jié)芯片構(gòu)成，兩條雙晶PN結(jié)芯片平行排列在所述封裝體內(nèi)，其中第一條雙晶PN結(jié)芯片的底面為P型區(qū)，第一條雙晶PN結(jié)芯片的頂面兩端為N型區(qū)，兩個(gè)N型區(qū)的中間隔斷但整個(gè)第一雙晶PN結(jié)芯片中間不斷開；第二條雙晶PN結(jié)芯片的底面為N型區(qū)，第二條雙晶PN結(jié)芯片的頂面兩端為P型區(qū)，兩個(gè)P型區(qū)的中間隔斷但整個(gè)第二雙晶PN結(jié)芯片中間不斷開；所述四個(gè)引腳中的第一、二引腳分別與所述第一、二雙晶PN結(jié)芯片的底面固定連接，構(gòu)成直流輸出正負(fù)極，第三引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)P型區(qū)固定連接，第四引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)P型區(qū)固定連接，第三、四引腳構(gòu)成交流輸入端。
2.如權(quán)利要求I所述的小型雙列式橋堆，其特征在于，所述四個(gè)引腳延伸出所述封裝體的部分處于同一平面上。
全文摘要
本發(fā)明公開的一種小型雙列式橋堆，包括一個(gè)封裝體和四個(gè)二極管整流二極管以及四個(gè)引腳，其四個(gè)整流二極管由兩條平行排列在封裝體內(nèi)的雙晶PN結(jié)芯片構(gòu)成，其中第一條雙晶PN結(jié)芯片的底面為P型區(qū)，頂面兩端為N型區(qū)；第二條雙晶PN結(jié)芯片的底面為N型區(qū)，頂面兩端為P型區(qū)；第一、二引腳分別與第一、二雙晶PN結(jié)芯片的底面固定連接，構(gòu)成直流輸出正負(fù)極，第三引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的一個(gè)P型區(qū)固定連接，第四引腳與第一雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)N型區(qū)和第二雙晶PN結(jié)芯片頂面上的另一個(gè)P型區(qū)固定連接，第三、四引腳構(gòu)成交流輸入端。本發(fā)明雙晶PN結(jié)芯片的品種只需兩種，且對擺放位置沒有任何要求，提高了整個(gè)封裝工效。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102842572SQ20111017391
公開日2012年12月26日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月24日
發(fā)明者林茂昌, 劉天明 申請人:上海金克半導(dǎo)體設(shè)備有限公司