專利名稱：Led多晶封裝基板及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)領域，特別是指一種LED多晶封裝基板及其制作方法。
背景技術：
現(xiàn)知的LED封裝基板的制作包含以下步驟步驟1 取一個載板結合一個(片)金屬膜片；步驟2 利用后續(xù)加工方式將金屬膜片制作成多組電路，且對應每一組電路形成一固晶位置；步驟3 該載板與該金屬膜片的組合再與一個金屬基板結合，其中以金屬膜片所制成的電路露出在外表面及；步驟4:在金屬膜片上，對應每一個固晶位置貼設一個反射框，并使該固晶位置位在該反射框內；步驟5 進行第一次烘烤定位；步驟6 在每一個固晶位置上可黏上一個芯片，且搭配導線連接一個電路；換言之，在金屬基板上或金屬膜片上有擺多個芯片；步驟7 在每一個反射框內填入/涂布熒光粉，然后針對每一個反射框及芯片以透光膠體進行封裝；步驟8 進行第二次烘烤定位。由以上所揭示的制作方法與結構可知一個金屬基板上可以封裝多個芯片以構成多晶封裝基板；然而制作過程需經過二次烘烤，所以整個制程所需時間較長；此外其結構顯示每一個芯片僅與金屬膜片上的固晶位置接觸，由于金屬膜片上的固晶位置面積小，所以導熱與散熱效果差，因而會使得LED芯片的使用壽命降低。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的之一是提供一種LED多晶封裝基板的制作方法，其具有能夠整合制程，縮短制程時間的功效。本發(fā)明的目的之二是提供一種LED多晶封裝基板，其具有較佳的導熱與散熱效果，可以提高LED芯片的使用壽命。為達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案一種LED多晶封裝基板的制作方法，包含第一結合步驟，取一個載板結合一個金屬膜片，藉以形成一個電路基板；鉆孔步驟，利用鉆孔手段在該電路基板上開設至少一個穿孔；第二結合步驟，將已具有穿孔的電路基板結合一個金屬基板，并讓該金屬基板的表面顯露在該穿孔；制作反射框步驟，利用點膠手段在該電路基板上制作至少一個反射框，每一穿孔各自位在一個反射框的范圍內；固晶打線步驟，將芯片擺置在該穿孔內，使芯片與該金屬基板表面接觸，又二條導線連接芯片與電路基板上的金屬膜片；填充熒光粉步驟，將熒光粉材料填入該反射框及該穿孔內；封裝烘干固定步驟，利用可透光的膠體材料對每一反射框及其所包含范圍加以封裝，再將金屬基板、電路基板、反射框、熒光粉材料及可透光的膠體材料的組合進行熱烘而達到干固定位。其中該金屬膜片可被制作成電路。本發(fā)明還提供了一種LED多晶封裝基板的制作方法，包含第一結合步驟，取一個載板結合一個金屬膜片，藉以形成一個電路基板；鉆孔步驟，利用鉆孔手段在該電路基板上開設至少一個穿孔；第二結合步驟，將已具有穿孔的電路基板結合一個金屬基板，并讓該金屬基板的表面顯露在該穿孔；固晶打線步驟，將芯片擺置在該穿孔內，使芯片與該金屬基板表面接觸，又二條導線連接芯片與電路基板上的金屬膜片；制作反射框步驟，利用點膠手段在該電路基板上制作至少一個反射框，每一穿孔各自位在一個反射框的范圍內；填充熒光粉步驟，將熒光粉材料填入該反射框及該穿孔內；封裝烘干固定步驟，利用可透光的膠體材料對每一反射框及其所包含范圍加以封裝，再將金屬基板、電路基板、反射框、熒光粉材料及可透光的膠體材料的組合進行熱烘而達到干固定位。其中該金屬膜片可被制作成電路。本發(fā)明還提供了一種LED多晶封裝基板，包含一個金屬基板；一個電路板基板，是以一載板結合一個金屬膜片，該電路基板具至少一個穿孔，所述穿孔貫穿該金屬膜片及該載板，所述電路基板結合該金屬基板，并且使該金屬基板的表面成為該穿孔的底部；至少一反射框，其各自位在該電路基板的該金屬膜片上，以及各自位在該穿孔的周緣；熒光粉層，其填置在該反射框及該穿孔內；每一個所述穿孔內擺設一個芯片，且所述芯片與所述金屬基板的表面接觸。其中，該金屬膜片可被制作成電路。所述的金屬基板可以鋁基板，也可以是銅基板。本發(fā)明的優(yōu)點在于1.由于本發(fā)明的制程在最后才需要進行加熱烘干，所以可使各制程連結成一貫化而達到整合制程及縮短制程時間的功效。2.由于本發(fā)明的結構中芯片與金屬基板直接接觸，所以利用金屬基板具有較大面積及較佳導熱的特性，可以使LED芯片所產生的熱量快速導向金屬基板，因而達導熱/散熱效果良好及提高芯片使用壽命的效果。


圖1為本發(fā)明制作方法的步驟方塊圖2為本發(fā)明制作方法的另一步驟方塊圖3為本發(fā)明第一結合步驟的示意圖4為本發(fā)明鉆孔步驟的結構示意圖5為本發(fā)明第二結合步驟的結構示意圖6為本發(fā)明制作反射框步驟的結構示意圖7為本發(fā)明固晶打線步驟的結構示意圖8為本發(fā)明填充熒光粉步驟的結構示意圖9為本發(fā)明封裝烘干固定步驟的結構示意圖。
具體實施例方式以下即依本發(fā)明的目的、功效及結構組態(tài)，舉出較佳實施例并配合附圖詳細說明。請參閱圖1，本發(fā)明所要揭示的制作方法依序可以包含以下步驟第一結合步驟 10、鉆孔步驟20、第二結合步驟30、制作反射框步驟40、固晶打線步驟50、填充熒光粉步驟 60、及封裝烘干固定步驟70。請參閱圖2，依上述的步驟內容，本發(fā)明可調整實施步驟的順序而成另一制作方法，其可依序包含以下步驟第一結合步驟10、鉆孔步驟20、第二結合步驟30、固晶打線步驟50、制作反射框步驟40、填充熒光粉步驟60及封裝烘干固定步驟70。請參閱圖3，第一結合步驟10為取一個載板12并搭配貼合方式結合一個金屬膜片 14，藉以形成一個電路基板16 ；所述的金屬膜片14可以通過加工而構成一或多組電路。請參閱圖4，鉆孔步驟20是將前述的電路基板16以鉆孔的手段形成至少一個穿孔 22。舉例而言之，若是電路基板16上的金屬膜片14形成有二組電路，則在鉆孔步驟20中會開設二個穿孔22，且一個穿孔22與一組電路相鄰或是位在電路的范圍內。依此，電路基板16的金屬膜片14形成多組電路，則穿孔22的數(shù)量與電路數(shù)量相同。值得注意的是，穿孔22會貫穿金屬膜片14及載板12。請參閱圖5，第二結合步驟30是將已具有穿孔22的電路基板16搭配貼合的手段結合一個金屬基板32。由于穿孔22為貫穿構造，所以金屬基板32的表面會顯露在穿孔22 的底部；或是金屬基板32的表面形成穿孔32的底部。請參閱圖6，制作反射框步驟40，是利用點膠手段形成一個或多個反射框42。更具體而言之，各反射框42皆位在電路基板16的金屬膜片14表面，且每一個反射框42各自對應一個穿孔22且形成封閉、凸起的環(huán)形構造。該穿孔22位在所對應的該反射框42的范圍內。請參閱圖7，固晶打線步驟50是將一個芯片52擺置在一個穿孔22內，并以適當?shù)酿ぶ牧霞右远ㄎ辉诮饘倩?2的表面，藉此使芯片與金屬基板32表面可以形成接觸，或芯片52通過黏著材料與金屬基板32形成電性連接；此外二條導線M連接芯片52與電路基板16上的金屬膜片14，藉此使導線M與金屬膜片14上的電路形成電性連接。請參閱圖8，填充熒光粉步驟60是將熒光粉材料62填入反射框42及穿孔22內。
請參閱圖9，封裝烘干固定步驟70是利用可透光的膠體材料72對每一反射框42 及其所包含范圍加以封裝，此時芯片52、導線M及熒光粉材料62皆被密封在膠體材料72 內部；再將金屬基板32、電路基板16、反射框42、熒光粉材料62及可透光的膠體材料72的組合進行熱烘而達到干固定位。是以在本發(fā)明所揭示的步驟下，各個制程在最后才需要進行加熱烘干，所以可使各制程連結成一貫化而達到整合制程及縮短制程時間的功效。其次，由各圖式及說明可知，本發(fā)明的結構組態(tài)是包含一個金屬基板32;—個電路板基板16，其由一載板12結合一個金屬膜片14所構成，且該金屬膜片14可被制成電路； 該電路基板16還具至少一個穿孔22，該穿孔22是貫穿該金屬膜片14及該載板12，且該電路基板16結合該金屬基板32，并且使該金屬基板32的表面成為該穿孔22的底部。其次本發(fā)明的結構還包含至少一反射框42。各反射框42是各自位在該電路基板 16的該金屬膜片14上，且各自位在該穿孔22的周緣。而每一穿孔22內擺置有一芯片52， 該芯片52與金屬基板32的表面接觸，或該芯片52通過黏著材料與金屬基板32形成電性連接。由于本發(fā)明的結構中芯片52與金屬基板32直接接觸或通過黏著材料電性連接， 所以利用金屬基板32具有較大面積及較佳導熱的特性，可以使LED芯片52所產生的熱量快速導向金屬基板32，因而達導熱/散熱效果良好及提高芯片52使用壽命的效果。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管LED多晶封裝基板的制作方法，其特征在于，包含 第一結合步驟，取一個載板結合一個金屬膜片，藉以形成一個電路基板； 鉆孔步驟，利用鉆孔手段在所述電路基板上開設至少一個穿孔；第二結合步驟，將已具有穿孔的電路基板結合一個金屬基板，并讓所述金屬基板的表面顯露在該穿孔；制作反射框步驟，利用點膠手段在所述電路基板上制作至少一個反射框，每一穿孔各自位在一個反射框的范圍內；固晶打線步驟，將芯片擺置在該穿孔內，使芯片與所述金屬基板表面接觸，又二條導線連接芯片與電路基板上的金屬膜片；填充熒光粉步驟，將熒光粉材料填入所述反射框及穿孔內；封裝烘干固定步驟，利用可透光的膠體材料對每一反射框及其所包含范圍加以封裝， 再將金屬基板、電路基板、反射框、熒光粉材料及可透光的膠體材料的組合進行熱烘而達到干固定位。
2.如權利要求1所述的LED多晶封裝基板的制作方法，其特征在于該金屬膜片可被制作成電路。
3.一種發(fā)光二極管LED多晶封裝基板的制作方法，其特征在于，包含 第一結合步驟，取一個載板結合一個金屬膜片，藉以形成一個電路基板； 鉆孔步驟，利用鉆孔手段在該電路基板上開設至少一個穿孔；第二結合步驟，將已具有穿孔的電路基板結合一個金屬基板，并讓所述金屬基板的表面顯露在該穿孔；固晶打線步驟，將芯片擺置在該穿孔內，使芯片與所述金屬基板表面接觸，又二條導線連接芯片與電路基板上的金屬膜片；制作反射框步驟，利用點膠手段在所述電路基板上制作至少一個反射框，每一穿孔各自位在一個反射框的范圍內；填充熒光粉步驟，將熒光粉材料填入該反射框及穿孔內；封裝烘干固定步驟，利用可透光的膠體材料對每一反射框及其所包含范圍加以封裝， 再將金屬基板、電路基板、反射框、熒光粉材料及可透光的膠體材料的組合進行熱烘而達到干固定位。
4.如權利要求3所述的LED多晶封裝基板的制作方法，其特征在于該金屬膜片可被制作成電路。
5.一種發(fā)光二極管LED多晶封裝基板，其特征在于，包含 一個金屬基板；一個電路板基板，是以一載板結合一個金屬膜片，該電路基板具至少一個穿孔，所述穿孔貫穿該金屬膜片及該載板，所述電路基板結合該金屬基板，并且使該金屬基板的表面成為該穿孔的底部；至少一反射框，其各自位在該電路基板的該金屬膜片上，以及各自位在該穿孔的周緣；熒光粉層，其填置在該反射框及該穿孔內；每一個所述穿孔內擺設一個芯片，且所述芯片與所述金屬基板的表面接觸。
6.如權利要求5所述的LED多晶封裝基板，其特征在于所述金屬膜片可被制作成電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED多晶封裝基板及其制作方法，LED多晶封裝基板的制作方法包括第一結合步驟，取一個載板結合一個金屬膜片，以形成一個電路基板；鉆孔步驟，利用鉆孔手段在電路基板上開設至少一個穿孔；第二結合步驟，將已具有穿孔的電路基板結合一個金屬基板，并讓金屬基板的表面顯露在該穿孔；制作反射框步驟，利用點膠手段在該電路基板上制作至少一個反射框，每一穿孔各自位在一個反射框的范圍內；以及固晶打線步驟、填充熒光粉步驟和封裝烘干固定步驟。本發(fā)明中，反射框、熒光粉材料及膠體材料在最后步驟才一同烘干，所以可達到整合制程及減少制程時間；此外芯片與金屬基板接觸可以產生較佳的導熱與散熱效果，使芯片的使用壽命提高。
文檔編號H01L33/48GK102299213SQ20111015734
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月13日 優(yōu)先權日2011年6月13日
發(fā)明者成詩恕 申請人:協(xié)鑫光電科技(張家港)有限公司